【課題】ＡｌＧａＮ系の窒化物半導体を用い、均質な組成で十分な光閉じ込めができるクラッド層による光導波路が構成できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成された六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第１窒化ホウ素層１０２を備え、第１窒化ホウ素層１０２の上に接して形成されたＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０．１≦ｘ≦１）からなる第１半導体層１０３を備え、第１半導体層１０３の上には、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）からなるコア層１０４が形成されている。また、コア層１０４の上には、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０．１≦ｘ≦１）からなる第２半導体層１０５が形成され、第２半導体層１０５の上には、六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第２窒化ホウ素層１０６が接して形成されている。 （もっと読む）

【課題】他の回路が集積されたバルク半導体基板に一体に集積可能な、光導波路及び光カップラを含む光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の光導波路及びカップラ素子及びその製造方法は、バルク半導体基板、例えば、バルクシリコン基板からなる基板にトレンチを形成し、下部クラッド層をトレンチ内に形成し、コア領域を下部クラッド層上に形成して得られる。反射要素、例えば、分布ブラッグ反射器が、光カップラ及び／または光導波路の下部に形成されうる。このような光素子は、シリコンフォトニクス技術によって、チップまたは基板上に他の半導体回路、例えばＤＲＡＭメモリ回路チップ内に一体に集積されうる。 （もっと読む）

【課題】複数の受発光部が高密度に配置されていても、電気配線の導電性や電気配線同士の絶縁性を十分に確保しつつ、光導波路に対して良好な光学的接続を可能にする光素子搭載基板、および、かかる光素子搭載基板を備えた光電気混載基板および電子機器を提供すること。
【解決手段】光電気混載基板１は、貫通孔１１０を有する絶縁性基板１１と、２つの受発光素子７１、７２と、半導体素子８と、絶縁性基板１１の上面に設けられた第１の配線１５と、下面に設けられた第２の配線１６とを有する。受発光素子７１は、図２の紙面厚さ方向に沿って配列した複数の受発光部７１１を備えている。そして、受発光素子７１は、絶縁性基板１１の上面に設けられ、第１の配線１５と電気的に接続されている。一方、受発光素子７２も同様に複数の受発光部７２１を備えている。そして、受発光素子７２は、貫通孔１１０内に設けられ、第２の配線１６と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】外部共振器型レーザのモードホップノイズを小さくして、精密な温度制御を必要としない、低価格且つ低ノイズの光送信装置を提供すること。
【解決手段】光増幅ユニットと、回折格子が設けられた第２のコア層を含み、前記光増幅ユニットに光学的に結合した光導波路を備えた光導波路ユニットとを有するレーザ光生成装置と、前記光増幅ユニットに電気信号を印加して、前記電流を前記半導体層に注入する電気信号源を具備し、前記レーザ光生成装置は、前記電気信号に従って、前記光反射面と前記回折格子が形成する光共振器の複数の共振器モードでレーザ発振する第１の状態と、前記第１の状態より発光強度が小さい第２の状態の間を往復して光信号を発生し、更に、前記共振器モードの間隔に相当する周波数が、前記電気信号のビットレートに対応する周波数より高いこと。 （もっと読む）

【課題】曲げ導波路における高次モードの励振そのものを防止できるようにする。
【解決手段】光半導体装置を、第１の幅を有する第１光導波路１と、第１光導波路１に接続され、曲げ部２Ａを有すると共に第１の幅よりも狭い第２の幅を有する第２光導波路２と、第２光導波路２に接続され、第２の幅よりも広い第３の幅を有する第３光導波路３とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】ミラーのクラッド部領域にはみ出した光をコア部に向かうよう反射することにより、光搬送波の強度低下を防止し、高品質の光通信が可能な光導波路を提供すること。
【解決手段】光導波路１０は、長尺状のコア部１１と、コア部１１の側面を囲うように設けられたクラッド部１２と、コア部１１およびクラッド部１２の端部を、コア部１１の軸線に対して斜め４５°に横断するように形成されたミラー１３とを有している。ミラー１３は、コア部領域１３１とクラッド部領域１３２とで構成されており、クラッド部領域１３２の一部は、それぞれコア部領域１３１に対して右側（コア部領域１３１による反射光の進行方向側）に傾倒している。光導波路１０の下方から照射された光は、クラッド部領域１３２の傾倒した部分により反射され、コア部１１の側方から入射する。これにより、コア部１１を伝搬する光の光量が増大する。 （もっと読む）

【課題】クラッド部を伝搬する光をコア部から遠い位置に誘導する手段を有することにより、信号光のＳ／Ｎ比を向上させ、高品質の光通信が可能な光導波路を提供すること。
【解決手段】本発明の光導波路は、コア部１４と、該コア部１４を介して両側に設けられた側面クラッド部１５とを含むコア層１３（第２の層）を介して、クラッド層１１（第１の層）とクラッド層１２（第３の層）とを積層してなる光導波路１０であって、側面クラッド部１５中に、コア部１４よりも屈折率が低く、コア部１４に接した低屈折率領域１５２と、低屈折率領域１５２よりも屈折率が高く、低屈折率領域１５２を介してコア部１４から離間した高屈折率領域１５１とを有している。そして、高屈折率領域１５１は、コア部１４を通過する光の進行方向の前方に向かうにつれて、コア部１４との距離が徐々に大きくなる形状をなしていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半絶縁性クラッド層を有する光変調器において、作製工程数を増やさない。
【解決手段】本発明の光変調器は、光を入射する入射端面５１１と、入射された光を伝搬するｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３と、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３に電界を印加する一対の電極と、印加された電界によって変調された光を出射する出射端面５１２と、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３の下面を覆うｎ−ＩｎＰバッファー層５０２と、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３上に設けられるｎ−ＩｎＰ層５０７と、を備える。ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３の上面とｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３の側面とを覆うＳＩ−ＩｎＰ層５０６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】光素子や光集積回路などの光機能素子の入出力部に適した高効率のブレーズ型光結合素子を提供する。
【解決手段】基板１と、基板上に直接または他の層を介して形成され、光を通しかつ隣接層より高い屈折率を有する材料からなる導波層３を備え、導波層の受光面となる個所に回折領域３ａが形成され、回折領域は複数個の二等辺三角形状孔３１ａがその頂点を略同方向に向けて並設した構成からなり、二等辺三角形状孔の高さ方向の周期Λ（寸法）を受光面に入射する光の波長λより小さくされている。 （もっと読む）

【課題】偏波モード分散を低減し、高品位な光信号を出力可能な光信号処理器を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る光信号処理器は、入力導波路１０１、１０２が接続された光分波器１１１と、該光分波器１１１に接続された二本の光導波路１３１、１３２と、該二本の光導波路１３１、１３２のそれぞれに接続され、出力導波路１０３、１０４が接続された光合波器１２１と、光分波器１１１および光合波器１２１に形成された溝２０１、２０３と、該溝２０１、２０３に挿入された偏光変換手段３０１、３０３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】各構成部品を容易に且つ高精度に位置合わせ（光結合）することができる光デバイスの製造方法、及びその製造方法により製造された光デバイスを提供する。
【解決手段】基板２１１の第１の領域上に形成された光導波路を有する第１の構成部品２１０と、第２の光導波路を有する第２の構成部品２２０とを光結合する光デバイスの製造方法において、基板２１１の第２の領域に貫通孔を設けておき、基板２１１の裏面側に貫通孔を塞ぐようにして圧力変形部材２３１を貼り付ける。そして、基板２１１の第２の領域上に第２の構成部品２２０を配置した後、ガス圧印加治具２４１を用いて圧力変形部材２３１に圧力を印加する。これにより、圧力変形部材２３１の一部が基板２１１の上側に突出し、第２の構成部品２２０が上下方向に微動する。光源２４５から光を出射し、受光素子２４６の出力が最大となるように圧力変形部材２３１に印加する圧力を調整する。 （もっと読む）

能動的な温度調整を用いて、光集積回路（４５５）の１つ又は複数の光学素子の温度を安定させるために、光集積回路の線形化された熱及び光学モデルを用いることができる。アレイ導波回折格子（ＡＷＧ）のような単一の光学素子を安定させるために、回折格子に近接して、温度センサ（４２５）及びヒータ（４２７）を配備することができる。その後、熱係数及び光学係数を用いて、センサから読み値を受信し且つヒータにおいて散逸される電力を求める温度コントローラ（４００）に適した温度設定点を選択することができる。クロスヒーティング要因を他の環境的な要因と共に一纏めにして、複数のＡＷＧを個別に安定させることができる。
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【課題】 チップ内光伝送およびチップ間光伝送における双方向光伝送を可能ならしめ、且つ、総配線距離および総配線間隔の低減ならびに総伝送容量の増大を図ることのできる光Ｉ／Ｏ部を作製する方法、およびこの光Ｉ／Ｏ部を備えた光集積回路を提供する。
【解決手段】 エピタキシャル・リフトオフにより生成された光素子を、光集積回路内における光配線との間で光入出力を行う部位に転写する。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ確実に、複数の光導波路部品の接合面（レンズ面も含む）での反射による戻り光の影響を受けることがないようにする。
【解決手段】スラブ光導波路基板を、互いに平行に設けられる複数の入力チャネル光導波路４と、互いに光軸が平行になるように設けられる複数のコリメートレンズ５と、他の光導波路部品を実装するための複数の凹部６と、複数の凹部６の間に設けられるスラブ光導波路７と、互いに光軸が平行になるように設けられる複数の集光レンズ８と、互いに平行に設けられる複数の出力チャネル光導波路９とを備えるものとし、入力チャネル光導波路４の中心軸を、コリメートレンズ５の光軸に対して平行にオフセットさせる。 （もっと読む）

【課題】 上部クラッド層に空隙が生じない光導波路およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 基板上に、下部クラッド層を形成し、下部クラッド層上にコア膜を形成する。コア膜上にレジストを塗布し、スピンコータを高速で回転させることにより、均一な厚さのレジストを形成する。レジストにマスクを用いて露光および現像を行うことにより、レジストパターンを生成する。レジストパターンおよびコア膜に対してエッチングを行い、コア膜からコアを形成する。クラッドを埋め込み、上部クラッド層を形成する。マスクは、グレイマスク、またはシャドウマスクである。コアを形成するステップの前のレジストパターンの断面形状は、レジスト中央部が厚く、および端部が薄い。 （もっと読む）

光学構成要素は、水平部材101から突出する２つの側壁108とほぼ透明な１つの端壁100とを有する水平部材101を備える。端壁、各側壁および水平部材は内側体積の部分106を部分的に取り囲むと共に、上記端壁の少なくとも一部分に対して任意の適切な様式で光学機能性が付与される。光学アセンブリは、光学構成要素の端壁からの反射または光学構成要素端壁を通る透過のいずれかにより端部結合がなされた平面導波路250および第２導波路210、230と共に導波路基板200上に取り付けられた光学構成要素を備える。取り付けられた光学構成要素の内側体積の部分には、平面導波路の端部が受容され得る。各々の導波路に対する光学構成要素の適切な位置決めは、光学構成要素および／または導波路基板上の整列表面および／または整列マーク124、224により促進され得る。
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光デバイスと電子デバイスとを半導体基板に集積する方法は、半導体基板の第１領域（２２）の活性半導体層（１４）に開口（２４，２６）を形成することを備え、第１領域は電子デバイス部に対応し、第２領域（２０）は光デバイス領域に対応する。半導体層（４６）はエピタキシャル成長して、第２領域（２０）の露光された活性半導体層（１４）を覆い、エピタキシャル成長した半導体層（４６）は光デバイス層に対応する。電子デバイスの少なくとも一部は半導体基板の電子デバイス部（２２）の活性半導体層（１４）に形成される。方法は半導体基板の光デバイス部（２０）のエピタキシャル成長した半導体層（４６）の開口（６０，６２）を形成することを更に含み、開口（６０，６２）は光デバイスの一つ以上の特徴を形成する。
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光学回路及び素子の形成及び動作に、光の波長未満の直径を有するナノリボン及びナノワイヤが用いられる。そのようなナノ構造は、光集積用の基本ビルディングブロックを形成するサブ波長光導波路として機能する。これらの構造における、通常とは異なる長さ、柔軟性及び強度により、それらを表面上で操作することが可能となる。この操作には、ナノリボン/ナノワイヤ導波路及び他のナノリボン/ナノワイヤ素子を正確に位置設定し、両者を光学的に結合させることで、光ネットワーク及び光学素子を形成することが含まれる。それに加えて、そのような構造は、液中での導波路を提供することで、光学プローブ及びセンサのような他の応用でさらに用いられることを可能にする。
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本発明の光デバイスは、光導波路コアの少なくとも一部分にイオンが注入され、該イオン注入された部分が、光導波路コアの断面での中央を通る垂直方向と水平方向の２本の中心線の何れに対しても非線対称になるように形成されている。前記イオン注入された部分が、光導波路の矩形断面での中央部分を含み、２本の対角線の何れか一方の対角線に沿うように形成するのが好ましい。 （もっと読む）