【課題】２つの光検出器に対応する２つの色を含む情報のミキシングに対して感受性のない検出装置を提供する。
【解決手段】基板３は、第１のバンドギャップエネルギーを有する第１の半導体層５と、半導体バッファ層６と、第１のバンドギャップエネルギーと異なる第２のバンドギャップエネルギーを有する第２の半導体層７とを連続的に備える。２つの異なる色に反応する２つの光検出器１、２は、第１及び第２の半導体層５、７の上にそれぞれ形成される。第１のバイアスパッド９は、第１の半導体層５を第１のバイアス回路８ｂ、１４に電気的に接続する。第２のバイアスパッド１０は、第２の半導体層７を第２のバイアス回路８ａ、１５に電気的に接続する。第１のバイアスパッドは第２の半導体層７と電気的接続しない。 （もっと読む）

【課題】ＩＩ族酸化物半導体を用いた半導体素子における新規な絶縁層形成技術を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、（ａ）基板上方に、ＩＩ族酸化物半導体層を成長させる工程と、（ｂ）ＩＩ族酸化物半導体層上に、窒素をドープしつつＯリッチ条件での成長を行い抵抗率が１０^５Ωｃｍ以上のＩＩ族酸化物絶縁層を成長させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 汚染物質に対する表面電界領域の露出を最少にし、キャップ領域に対する金属の位置合せを確実にして上部のメタライズされたコンタクト領域により遮られる入射光を最少にするように、太陽電池及び光検出器などの半導体光検出デバイスを作成する方法、並びにその方法によって作成される製品を提供すること。
【解決手段】 キャップエッチングステップ及び反射防止コーティングステップが単一の自己整合リソグラフィモジュールにおいて実施される、半導体光検出デバイス製造技術が提供される。 （もっと読む）

【課題】
低暗電流で、高速かつ高利得な光通信用アバランシェフォトダイオード及びそれを用いた受信機を提供する。
【解決手段】
光吸収層４と増倍層７を有するアバランシェフォトダイオードにおいて、光吸収層４と増倍層７が結晶面に対して平行方向(基板１上方において水平方向)に空間的かつ電気的に分離して配置し、光吸収層４と増倍層７間を導電性配線により電気的に接続することで、増倍層７の薄膜化が可能となり、さらに光吸収層４と増倍層７は高品質の結晶から形成されるため、アバランシェフォトダイオードの低暗電流化、高速化かつ高利得化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】
読み出し回路を備えた第一基板と受光素子を備えた第二基板をバンプ接続した量子型赤外線熱感知デバイスにおいて、HgCdTe等で構成された第二基板に影響を与えることなくシリコン基板等で構成された第一基板と、第二基板の熱膨張係数の違いに起因する隣接バンプ間の接触を防止する。
【解決手段】
量子型撮像素子は、読み出し回路を備えた第一基板と、前記第一基板とフリップチップボンディング（FCB）によって電気的に接続された、受光素子を備えた第二基板と、前記第一基板と前記第二基板をFCBによって電気的に接続する導体バンプ群と、各バンプの周囲を囲むように存在し、前記第一基板側にのみ固定され、前記第二基板との間に空隙を設けた絶縁壁とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に発生したキャリアが流れ込む半導体領域を半導体基板の一方の主面側に配置した上で、放射線の入射位置を２次元で検出することが可能な放射線検出器を提供すること。
【解決手段】放射線検出器ＲＤ１は、第一導電型の半導体基板１と、半導体基板１と接合を構成する複数の第二導電型の半導体領域１０と、対応する半導体領域１０に接合された複数の電極２１，２３とを備える。電極２１，２３は、第一主面１ａに直交する方向から見て、対応する半導体領域１０を覆う。半導体領域１０は、２次元配列された複数の第一及び第二半導体領域１１，１３を含む。複数の第一半導体領域１１のうち２次元配列における第一方向に配列された第一半導体領域１１同士が互いに電気的に接続され、複数の第二半導体領域１３のうち第一方向に交差する第二方向に配列された第二半導体領域１３同士が互いに電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑えつつ、製造工程に起因する性能劣化を抑制することができる光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の電極と、第１の電極上方に形成された第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に形成された、受光した光に応じて電荷を生成する光電変換層を有する有機層と、第１の電極、第２の電極および有機層を封止する封止層とを有する光電変換素子の製造方法である。第１の電極の上方に有機層を形成する有機層形成工程と、有機層の上方に第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、第２の電極の上方に封止層を形成する封止層形成工程とを有する。有機層形成工程から封止層形成工程の各工程が真空下でなされる。さらに有機層形成工程と第２の電極形成工程との間に製造途中の光電変換素子中間体を３００ｌｕｘ・ｈ以下の照射光量の非真空下に置く工程を有する。 （もっと読む）

【課題】電磁放射検知回路の成長基板を除去する方法を提供する。
【解決手段】赤外または可視範囲での電磁放射検知回路の成長基板を除去する方法であって、検知回路が、液相または気相エピタキシによって、または分子ビームエピタキシによって得られたＨｇ_{（１−ｘ）}Ｃｄ_ｘＴｅで作られた、放射の検知層を含み、検知回路がリード回路上にハイブリッド化された方法。この方法は、以下の段階を含む。検知回路の材料と成長基板と間の界面領域まで、その厚みを低減するために成長基板に機械研磨または化学機械研磨ステップまたは化学エッチングステップを施す段階、そのように得られた界面にヨウ素処理を施す段階。 （もっと読む）

【課題】リーク電流をより小さくし、かつ、電気的特性を改善したショットキーバリア型のＺｎO系半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１上にｎ型ＺｎＯ系半導体層２、酸化アルミニウム膜３が順に形成されている。また、酸化アルミニウム膜３上には、金属電極４、パッド電極５が形成される。金属電極４は、Ｐｄ層４ａ上にＡｕ層４ｂが積層された多層膜構造を有している。金属電極４は、半透明電極として機能する。金属電極４上にはパッド電極５が形成されている。基板１の裏面には金属電極４に対向するように、裏面電極６が形成される。ｎ型ＺｎＯ系半導体層２とＰｄ層４ａでショットキーバリア構造を構成している。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディング用金属電極の有機物電極からの剥離が抑制された新規な構造の半導体紫外線受光素子を提供する。
【解決手段】半導体紫外線受光素子は、絶縁性下地の一部上方に、ＩＩ族酸化物半導体またはＩＩＩ族窒化物半導体で形成された半導体層と、半導体層の上面と側面を覆い、端部が絶縁性下地上に達するように形成された紫外線透過性の有機物電極と、有機物電極上から絶縁性下地上に延在し、絶縁性下地上方にボンディング領域を確保するワイヤーボンディング用金属電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】入射光の入射制限角度を高精度に制御可能な光学センサー及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】光学センサーは、受光素子（例えばフォトダイオード３０）と、受光素子の受光領域に対する入射光の入射角度を制限する角度制限フィルター４０と、を含む。入射光の波長をλとし、角度制限フィルターの高さをＲとし、角度制限フィルターの開口の幅をｄとする場合に、ｄ^２／λＲ≧２を満たす。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、光電変換効率を向上でき、結晶欠陥起因の望ましくない電流を低減できる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、フォトダイオードを備えた固体撮像装置が提供される。フォトダイオードでは、第１導電型の領域と第２導電型の領域とが接合されている。第１導電型の領域は、第１の半導体領域と複数の第２の半導体領域とを有する。第１の半導体領域は、Ｓｉを主成分とする材料で形成されている。複数の第２の半導体領域のそれぞれは、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（０＜ｘ≦１）を主成分とする材料で形成されている。複数の第２の半導体領域のそれぞれは、第１の半導体領域の上に島状に配されている。 （もっと読む）

【課題】所定の波長付近の電磁放射の検出用の裏面照射型検出器を提供する。
【解決手段】その検出器は、透明媒体の上方に形成されて、その放射の少なくとも一部を透過させる半導体吸収層（１４）と、半導体層（１４）の上方のミラー（２２）と、ミラー（２２）と半導体層（１４）との間に配置された金属パターン（２０）の周期格子（１８）とを含む。ミラー（２２）及び格子（１８）は、その放射に対して透明で、半導体層（１４）の上に形成された物質層（１６）の中に含まれる。ミラー（２２）及び格子（１８）は、ｄ≦λ／Ｒｅ（ｎ_１）、λ／（１６×Ｒｅ（ｎ_２））＋ｍ×λ／（２×Ｒｅ（ｎ_２））≦ｈ≦３×λ／（８×Ｒｅ（ｎ_２））＋ｍ×λ／（２×Ｒｅ（ｎ_２））、Ｒｅ（ｎ_２）≦１．３×Ｒｅ（ｎ_１）、Ｒｅ（ｎ_１）≧Ｒｅ（ｎ_{ｓｕｂｓｔｒａｔ}）を満たす。 （もっと読む）

【課題】光強度の検出精度が向上された光センサを提供する。
【解決手段】半導体基板（１０）の一面側に、光を電気信号に変換する受光素子（２０）が複数形成され、半導体基板（１０）における受光素子（２０）の形成面上に、透光膜（３０）を介して遮光膜（４０）が形成され、遮光膜（４０）に、受光素子（２０）それぞれに対応した透光用の開口部（４１）が形成された光センサであって、受光素子（２０）として、光強度検出用の受光素子（２１）と、光入射角度検出用の受光素子（２２）とが半導体基板（１０）に形成されており、光強度検出用の受光素子（２１）の上方に位置する透光膜（３０）、遮光膜（４０）それぞれが除去されている。 （もっと読む）

【課題】画素電極の段差に起因するクラックが抑えられ、ノイズが少ない光電変換素子、光電変換素子の製造方法、及び撮像素子を提供する。
【解決手段】基板の上方に設けられた一対の電極と、一対の電極間に配された複数の有機層と、を備え、複数の有機層が光電変換層を含み、一対の電極のうち一方の電極の上に有機層が形成され、一方の電極が、２次元に複数配列された画素電極の一つである光電変換素子の製造方法であって、基板の上に絶縁層を形成し、絶縁層上に複数の画素電極をパターン形成し、複数の画素電極を覆うように有機層を蒸着し、有機層上に他の層を形成する前に、加熱することによって該有機層における画素電極間の段差の上方に対応する位置に形成された凹部の形状がなだらかになるようにアニールする。 （もっと読む）

【課題】直貼り構造において、透光性部材と受光領域の相対位置ズレが抑制され、良好な性能を示す光学デバイスを提供する。
【解決手段】光学デバイスは、受光領域１ａが表面に形成された半導体基板４と、半導体基板４上に受光領域１ａを覆うように形成され、受光領域１ａよりも外側の領域に半導体基板４の表面を露出する凹部５を有する透光性絶縁膜３と、透光性絶縁膜３の上に透光性接着層１０を介して接着された凸部を有する透光性部材２とを備えている。透光性部材２の凸部が透光性絶縁膜３の凹部５に差し込まれている。 （もっと読む）

【課題】高感度化を図りつつ、電荷の高速転送を実現することが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】フォトゲート電極ＰＧは、平面形状が互いに対向する第１及び第２長辺ＬＳ１，ＬＳ２と互いに対向する第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２とを有する長方形状である。第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、第１及び第２長辺ＬＳ１，ＬＳ２の対向方向でフォトゲート電極ＰＧを挟んで対向して配置されている。第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２の対向方向でフォトゲート電極ＰＧを挟んで対向して配置されている。第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２側でのポテンシャルをフォトゲート電極ＰＧの直下の領域における第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２の間に位置する領域でのポテンシャルよりも高めている。 （もっと読む）

【課題】バイスペクトル多層フォトダイオード検出器、及びそのような検出器を製造する方法を提供する。
【解決手段】第１及び第２の電磁波スペクトルを吸収し、バリアを形成する中間層（１６）によって離される第１導電型の上部（１８）及び下部（１４）の半導体層と、上部（１８）及び下部層（１４）に注入され、それぞれが上部層（１８）及び中間層（１６）を通り抜ける開口部（２２）の底部に少なくとも部分的に注入される第２導電型の半導体区域（４４）と、半導体区域（４４）に接続された導体要素（２８，３０，３２，３４）と、を備えるバイスペクトル検知器を提供する。 （もっと読む）

【課題】強磁性体をＣＮＴに十分に内包させる。
【解決手段】炭素の供給源である液体又は気体のアルコール５中で基板７の表面に配置された陰極の電極１１により前記基板７との間に強磁性体の金属板１５を挟み、前記金属板１５が備える尖端部１９を前記陰極に対し間隔を置いて前記基板上に配置された陽極に指向させ、前記電極９，１１間で前記基板７を介して通電すると共に前記金属板１５の尖端部１９に可視光又は紫外光を照射し、棒状の磁性体金属２５を内包したＣＮＴ２７を析出させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】距離計、画像マッピング、三次元画像キャプチャ、及び人間の色感覚によって限定されない色感覚での画像のキャプチャを含み得る三次元応用例に適したCMOS実装可能な画像センサ、及び、そのような検出器の検出特性を改善する。
【解決手段】オンチップ測定情報を、順番にではなく、ランダムに出力することができ、三次元画像を必要とするオブジェクト追跡、及び他の情報のためのオンチップ信号処理を、すぐに遂行することができる。システム全体は小さく、強固で、かなり少ないオフチップの別個の構成要素を必要とし、かつ、検出信号特性の改善を示す。オンチップ回路は、そのようなTOFデータを使って、場面内の一つのオブジェクト、又は全てのオブジェクト上の全ての点の距離及び速度を、同時に、容易に測定することができる。オンチップ回路はまた、検出センサ内の各画素における検出画像の分光組成を特定することができる。 （もっと読む）