【課題】その部品点数の削減、及び小型化を達成できる発光モジュールを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１５、半導体レーザの光をモニタする受光素子１４ｂ、半導体レーザを駆動するレーザ駆動回路１４ａ、及び受光素子のモニタ出力によりレーザ駆動回路を制御する制御回路１４ｃを備えた発光モジュール１０であって、受光素子、レーザ駆動回路及び制御回路は、半導体製造プロセスを経て製造された半導体回路基板１４に集積されており、半導体レーザは、半導体回路基板の受光素子にて半導体レーザの光をモニタ可能な位置に搭載されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体光集積素子及びその製造方法に関し、光導波路の伝播損失を増大させることなく、ＰＤの暗電流を１０ｎＡ以下まで低減する。
【解決手段】 ｎ型クラッド層側から順に少なくとも光吸収層及びＺｎドープｐ型クラッド層が積層されたフォトダイオード領域の傾斜側面に対して[０１１]方向にバットジョイント結合した光導波路領域における光導波路層に（１００）面方位での飽和濃度以下の濃度のＦｅをドープし、上側クラッド層に（１００）面方位での飽和濃度以上の濃度のＦｅをドープする。 （もっと読む）

【課題】石英系光導波路デバイスとフォトダイオードとが、同一基板上にモノリシックに集積できるようにする。
【解決手段】光モジュールは、シリコン基板１００と、シリコン基板１００の上に形成されたＳｉＯ₂からなる下部クラッド層１０１と、下部クラッド層１０１の上の第１領域１１０に形成されたゲルマニウムフォトダイオード１１０ａと、下部クラッド層１０１の上の第１領域１１０に連続する第２領域１２０に形成されたシリコンコア１２１と、第２領域１２０の一部から第２領域１２０に連続する第３領域１３０にかけて形成された石英コア１３１とを備える。また、ゲルマニウムフォトダイオード１１０ａ，シリコンコア１２１，および石英コア１３１の上に形成されたＳｉＯ₂からなる上部クラッド層１０３を備える。 （もっと読む）

【課題】待機時の消費電力を抑えるとともに、比較的広いダイナミックレンジを確保することができる光受信器を提供する。
【解決手段】受光素子３１のカソードに、カレントミラー回路３３の入力側トランジスタ５１とバイパスコンデンサ３４とを接続し、受光素子３１のアノードに、ＴＩＡ４２の入力端子を接続する。カレントミラー回路３３の出力側トランジスタ５２に、第１抵抗３５とパッシブフィルタ回路３６とを接続し、パッシブフィルタ回路３６に比較器３７の反転入力端子を接続する。比較器３７の非反転入力端子に基準電源４４を接続し、出力端子に第２抵抗３８を介して第１ＦＥＴ４１のゲートを接続する。第１ＦＥＴ４１のドレインに、ＴＩＡ４２の電源端子と第２ＦＥＴ４１のゲートとを接続する。ＬＩＡ４３の電源端子に第２ＦＥＴ４１のドレインを接続し、入力端子にＴＩＡ４２の出力端子を接続する。 （もっと読む）

【課題】
低暗電流で、高速かつ高利得な光通信用アバランシェフォトダイオード及びそれを用いた受信機を提供する。
【解決手段】
光吸収層４と増倍層７を有するアバランシェフォトダイオードにおいて、光吸収層４と増倍層７が結晶面に対して平行方向(基板１上方において水平方向)に空間的かつ電気的に分離して配置し、光吸収層４と増倍層７間を導電性配線により電気的に接続することで、増倍層７の薄膜化が可能となり、さらに光吸収層４と増倍層７は高品質の結晶から形成されるため、アバランシェフォトダイオードの低暗電流化、高速化かつ高利得化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】バイパスコンデンサと受光素子との間の配線長を短く揃えることが可能な受光デバイスを提供する。
【解決手段】受光デバイス１Ａにおいて、光分岐部１２、受光素子部１３ａ〜１３ｄ、及びキャパシタ１４ａ〜１４ｄは、共通の光導波路基板１０に形成されている。信号増幅部５０Ａ，５０Ｂの信号入力用電極パッド５１ａ〜５１ｄ、及び受光素子部１３ａ〜１３ｄは、光導波路基板１０の端縁１０ｂに沿って配置されている。受光素子部１３ａ〜１３ｄの信号出力用電極は、信号入力用電極パッド５１ａ〜５１ｄにワイヤボンディングされている。キャパシタ１４ａ〜１４ｄは、受光素子部１３ａ〜１３ｄに対し並んで配置されており、それらの基準電位側電極パッド１８ａ〜１８ｄと、信号増幅部５０Ａ，５０Ｂの基準電位用電極パッド５２ａ，５２ｃ，５２ｄ及び５２ｆとが互いにワイヤボンディングされている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、２波長の光に対し同等の感度を有し、かつ２波長の光の両方に対し高感度となる受光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る受光素子は、第１波長の光と第２波長の光を受光する受光素子であって、第１主面、該第１主面に対向する第２主面、及び貫通孔を有する基板と、該第２主面の上に該貫通孔の直上部分を有するように形成された、該第１波長の光と該第２波長の光を同等の反射率で反射する多重反射層と、該多重反射層の上に形成された、該第１波長の光と該第２波長の光を吸収しキャリアを生成する吸収層と、該第１波長と該第２波長の中間の波長の光に対し最も反射率が低くなるように該吸収層の上に形成された無反射層とを有する。 （もっと読む）

【課題】応答速度及び効率を向上させることができる裏面入射型半導体受光素子を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰ層２、ＩｎＧａＡｓ光吸収層３、アンドープＩｎＰ層４が順に設けられている。アンドープＩｎＰ層４の一部にＺｎドープのｐ型不純物拡散領域５が設けられている。ｎ型ＩｎＰ層２とｐ型不純物拡散領域５がＩｎＧａＡｓ光吸収層３を介してｐｎ接合する部分が、ｎ型ＩｎＰ基板１の裏面から入射した入射光を受ける受光部９である。平面視で受光部９を囲うようにｎ型ＩｎＰ基板１の裏面に溝１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】安定動作をすることができる半導体受光素子を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ＩｎＧａＡｓ光吸収層２、多重反射層３、ＩｎＧａＡｓ光吸収層７、ＩｎＰ窓層９が順に積層されている。ＩｎＰ窓層９は、ＩｎＧａＡｓ光吸収層２，７より大きいバンドギャップを持つ。ＩｎＰ窓層９の一部にｐ型不純物拡散領域１１が設けられている。アノード電極１２はｐ型不純物拡散領域１１上に設けられ、光が入射する開口を持つ。ｎ型ＩｎＰ基板１の下面にカソード電極１３が設けられている。ｐ型不純物拡散領域１１の外側にメサ溝１４が設けられている。メサ溝１４を挟んでｐ型不純物拡散領域１１の反対側にｐ型不純物拡散領域１６が設けられている。ｐ型不純物拡散領域１６はＩｎＧａＡｓ光吸収層２に達し、金属膜１７はｐ型不純物拡散領域１６を介してＩｎＧａＡｓ光吸収層２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】太陽光の影響を受けることなく可視光通信を行うことが可能な可視光通信受信装置を提供することにある。
【解決手段】可視光通信受信装置は、可視光を受光する可視光受光部と、可視光受光部によって受光された可視光から、フラウンホーファー線を抽出するフィルタと、当該フィルタによって抽出されたフラウンホーファー線に基づいて復調処理を行う受信回路とを具備する。 （もっと読む）

【課題】有効な電流増倍率に最適化することが容易にかつ確実に可能なアバランシェ・フォト・ダイオード調整システムを提供する。
【解決手段】ＡＰＤ電源電圧発生器１にて電源電圧を生成し、自己バイアス抵抗２を介してＡＰＤ３のＡＰＤバイアス電圧を設定した状態で、入力した光信号をＡＰＤ３により変換した電流信号をＴＩＡ／ＣＤＲ回路４にて電圧信号に変換増幅して主電気信号として出力する。ＴＩＡ／ＣＤＲ回路４からの主電気信号に関する誤り率を誤り検出器５にて検出してＭＰＵ６に出力すると、ＭＰＵ６の誤り情報比較部６１は、該誤り率をあらかじめ設定登録した基準値と比較し、基準値と不一致であった場合、ＭＰＵ６のＡＰＤ制御部６２にて、ＡＰＤ３に設定すべきＡＰＤバイアス電圧を生成するための電源電圧を算出して、電圧設定指示として、ＡＰＤ電源電圧発生器１に対してフィードバックすることにより、ＡＰＤ３のＡＰＤバイアス電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】複数の受光部間での高周波特性のばらつきを抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光受信モジュール１は、多芯ファイバ８１からの複数の信号光を同時に受光可能な光受信モジュールであって、信号光を受光するアレイ状に配列された複数の受光部１１ａ〜１１ｄを有し、複数の受光部１１ａ〜１１ｄで受光した信号光に基づいて電気信号を出力する受光素子１０と、複数の第１導電部材４１ａ〜４１ｄと、チップコンデンサ３０ａ〜３０ｄとを備える。各受光部１１ａ〜１１ｄの受光面積は、受光部１１ａ〜１１ｄと接続された第１導電部材４１ａ〜４１ｄの寄生インダクタンスに対応している。 （もっと読む）

【課題】禁制帯幅および導電型のうちの少なくとも一つを応用目的に応じて正確に制御できて、実用に足る、半導体、半導体接合素子、ｐｎ接合素子、および光電変換装置を提供する。
【解決手段】硫化鉄に、Ｚｎと、III族元素およびＩａ族元素のうちの少なくとも一方とを混ぜることにより、半導体を作製する。また、この半導体を用いて、半導体結合素子または光電変換装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】内部での光の散乱及び反射を抑制することができる光半導体集積素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１の半導体層３２が埋め込まれた高抵抗半導体基板３１と、第１の半導体層３２上に形成された光活性層３３及び第２導電型の第２の半導体層３４と、高抵抗半導体基板３１上に形成された導波路コア層３６を含む導波路部と、が設けられている。そして、光活性層３３と導波路コア層３６とが光の伝播方向に沿って互いに接触している。 （もっと読む）

【課題】半導体受光素子をより高耐入力化できるようにする。
【解決手段】第２電極１０９は、ｐ型電極接続層１０７に接して形成されたチタンからなる第１金属層１２１と、第１金属層の上に接して形成されて白金より高い融点の高融点金属であるモリブデンからなる第２金属層１２２とを少なくとも備えて構成されている。本実施の形態では、第２電極１０９は、第１金属層１２１、第２金属層１２２に加え、第２金属層１２２の上に接して形成されたチタンからなる第３金属層１２３と、第３金属層１２３の上に接して形成された白金からなる第４金属層１２４と、第４金属層１２４の上に接して形成された金からなる第５金属層１２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】光受信回路において、チップ実装に要する工程を削減しつつ、良好な周波数特性を得る。
【解決手段】受光素子１１と接続されるＴＩＡチップ２０の上面に形成されたグランドバッド２４を、ボンディングワイヤ５４を介して、ＰＤサブマウント１０の上面に形成されてグランド電位と接続されているグランドバッド１４と接続する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉベースのフォトニクスプラットフォーム上で、フォトニックデバイス、Ｇｅ導波路一体型光検出器、およびハイブリッドＩＩＩ−Ｖ／Ｓｉレーザの共集積化のための方法を提供する。
【解決手段】パターン化したＳｉ導波路構造を含むＳｉデバイスを備えたＳｉベースのフォトニクス基板を用意する工程、誘電体層、例えば、ＳｉＯ_２層を、平坦化したＳｉベースのフォトニクス基板の上部に堆積する工程、適切なエッチング深さで溝を誘電体層にエッチング形成して、フォトニクス基板のパターン化したＳｉ導波路構造を露出させる工程、露出した導波路を選択エッチングして、Ｇｅ成長用のテンプレートを作成し、薄いＳｉ層をＧｅ成長用のシード層として残す工程、意図的なＧｅ過成長を伴って、シード層からＧｅを選択成長させる工程、Ｇｅ表面を平坦化し、１００ｎｍ〜５００ｎｍの減少した厚さを持つＧｅ層を残す工程を含む。 （もっと読む）

【課題】受光部を作製した後の作業において受光部が破壊されることを抑制される、表面入射型半導体受光素子、これを備える光受信モジュール及び光トランシーバの提供。
【解決手段】ＰＮ接合となる第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層を含む半導体多層構造を有するメサ型受光部と、前記メサ型受光部を含む保護領域の少なくとも一部を囲う、保護メサ部と、が半導体基板上に形成される表面入射型半導体受光素子であって、前記保護メサ部は、前記メサ型受光部の前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層のいずれにも電気的に接続されていない、非接続メサ部を含む、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】受信感度特性を改善することができる光受信装置を得る。
【解決手段】受光素子１が電気信号を出力し、それを前置増幅器２が増幅する。前置増幅器２の出力に信号線路４，５が接続されている。信号線路４，５とＧＮＤとの間に抵抗６及びキャパシタ７が直列に接続されている。この抵抗６及びキャパシタ７の直列回路を追加することにより、ピーキングが抑えられた周波数応答特性を得ることができる。この結果、受信感度特性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子１００は、Ｆｅ−ＩｎＰ基板１０と、Ｆｅ−ＩｎＰ基板１０上に設けられたｎ−ＩｎＰエッチングストッパ層１４と、ｎ−ＩｎＰエッチングストッパ層１４上に設けられたＩｎＧａＡｓ層３２と、ＩｎＧａＡｓ層３２上に設けられたｐ−ＩｎＰウィンドウ層２２と、により構成されるメサ３０と、ｎ−ＩｎＰエッチングストッパ層１４上に設けられ、かつメサ３０の側面を覆うＩｎＰパッシベーション層４０と、を備えている。ＩｎＧａＡｓ層３２は、ｎ−ＩｎＰエッチングストッパ層１４と異なる材料により構成されており、ｐ−ＩｎＰウィンドウ層２２は、ｎ−ＩｎＰエッチングストッパ層１４と同一の材料から構成されている。また、ｐ−ＩｎＰウィンドウ層２２の層厚がＩｎＧａＡｓ層３２の層厚の１／３以下である。 （もっと読む）