【課題】ＡｌＧａＮ系の窒化物半導体を用い、均質な組成で十分な光閉じ込めができるクラッド層による光導波路が構成できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成された六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第１窒化ホウ素層１０２を備え、第１窒化ホウ素層１０２の上に接して形成されたＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０．１≦ｘ≦１）からなる第１半導体層１０３を備え、第１半導体層１０３の上には、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）からなるコア層１０４が形成されている。また、コア層１０４の上には、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０．１≦ｘ≦１）からなる第２半導体層１０５が形成され、第２半導体層１０５の上には、六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第２窒化ホウ素層１０６が接して形成されている。 （もっと読む）

【課題】光素子と光導波路とを容易かつ正確に結合可能であり、高品質で安定した光通信を行い得る光導波路モジュール、かかる光導波路モジュールを効率よく製造可能な光導波路モジュールの製造方法、および、前記光導波路モジュールを備える信頼性の高い電子機器を提供すること。
【解決手段】光導波路モジュール１０は、光導波路１と、その上方に設けられた回路基板２と、回路基板２上に搭載された発光素子３と、回路基板２と発光素子３との間隙に設けられた透明な光透過部６１、および、光透過部６１と一体的に形成されており、発光素子３の本体の外縁と当接する当接部６２を備えた素子実装部６と、を有している。当接部６２に対して発光素子３の本体の外縁を当接させることにより、発光素子３の位置が正確に規制される。 （もっと読む）

【課題】石英系光導波路デバイスとフォトダイオードとが、同一基板上にモノリシックに集積できるようにする。
【解決手段】光モジュールは、シリコン基板１００と、シリコン基板１００の上に形成されたＳｉＯ₂からなる下部クラッド層１０１と、下部クラッド層１０１の上の第１領域１１０に形成されたゲルマニウムフォトダイオード１１０ａと、下部クラッド層１０１の上の第１領域１１０に連続する第２領域１２０に形成されたシリコンコア１２１と、第２領域１２０の一部から第２領域１２０に連続する第３領域１３０にかけて形成された石英コア１３１とを備える。また、ゲルマニウムフォトダイオード１１０ａ，シリコンコア１２１，および石英コア１３１の上に形成されたＳｉＯ₂からなる上部クラッド層１０３を備える。 （もっと読む）

【課題】ノイズを含まず分光精度が高い光学フィルターデバイスを提供する。
【解決手段】光の反射特性および透過特性を有する一対の第１反射膜２５が設けられ、第１反射膜２５間のギャップ寸法を変位させることができる第１波長可変干渉フィルター２０と、光の反射特性および透過特性を有する一対の第２反射膜３５が設けられ、第２反射膜３５間のギャップ寸法を変位させることができる第２波長可変干渉フィルター３０と、を備え、第１波長可変干渉フィルター２０と同じ光軸上に、第２波長可変干渉フィルター３０が配置され、第１反射膜２５は誘電体多層膜、第２反射膜３５は金属膜で形成されている。 （もっと読む）

【課題】光学素子との位置合わせを容易とした導波路基板を提供する。
【解決手段】光学素子２００を装着するための導波路基板１０２であって、光学素子２００は、対向する第１の透過面２０２および第２の透過面２０４、ならびに、第１の透過面２０２および第２の透過面２０４の間に配置された略平坦な装着面２０６および装着面２０６から光学素子２００の一部が突出した突出部２０７を有し、装着面２０６にて導波路基板１０２の表面に光学素子２００を装着する際に突出部２０７を収容可能な溝１０７が形成されている導波路基板１０２である。 （もっと読む）

【課題】平面型の光導波路と、この光導波路の導波面から外れて設置された光学素子とを結合させることができ、容易でかつ安価なコストで製造できる光結合器を提供する。
【解決手段】光導波路３０と、光導波路を伝播する光の等価屈折率よりも屈折率が高い高屈折率層４０とを具える。光導波路は、支持基板２０の第１主表面にクラッド３１及びコア３３が順次積層されて構成されている。高屈折率層は、コアの上面３３ａ上に設けられ、かつコアの上面からの離間距離が光の伝播方向１００に沿って連続的に狭まる反射面４０ａを有する。 （もっと読む）

【課題】基板吸収損失を低減する。
【解決手段】スポットサイズ変換器は、アンダークラッドとなるＢＯＸ層５と、第１のシリコンコア６と、テーパ部７と、第２のシリコンコア８と、オーバークラッド９とを備える。ＢＯＸ層５と第１のシリコンコア６とオーバークラッド９とは、第１のシリコン細線光導波路１を構成し、ＢＯＸ層５とテーパ部７とオーバークラッド９とは、テーパ構造部２を構成し、ＢＯＸ層５と第２のシリコンコア８とオーバークラッド９とは、第２のシリコン細線光導波路３を構成する。オーバークラッド９の屈折率は、アンダークラッドとなるＢＯＸ層５の屈折率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】マルチコアファイバと光回路アレイとを結合する際に、コアと光回路とを１対１で確実に結合することが可能な結合光学系を提供する。
【解決手段】光回路の出射端又は入射端が一次元に配列された光回路アレイと、複数のコアが二次元に配列されたマルチコアファイバとを結合する結合光学系において、前記一次元に配列された各光回路の出射端又は入射端を、前記二次元に配列されたコアに光学的に結合させる光路変換回路を有する。 （もっと読む）

【課題】位相調整用の液状樹脂を滴下する特定区間の光導波路の近傍に位相調整用の樹脂が漏洩し難い構造を導入し、光導波路の位相調整を確実に実施する手段を備えた光導波路素子を提供すること。
【解決手段】伝搬する光のフィールドが光導波路の外に染み出すように光導波路コア及びクラッドの幅が設定されているメサ型またはリッジ型の光導波路を備えた光導波路素子において、前記光導波路コアに沿って形成した窪みのうち、屈折率を変化のための樹脂を充填する特定区間の窪みの周囲を囲むように光導波路の高さよりも高く表面が水平で平滑な漏洩防止構造体を形成することを特徴とする光導波路素子である。好ましくは、前記漏洩防止構造体の表面に、該漏洩防止構造体の縁部に沿った周囲を一周囲った溝を設ける。 （もっと読む）

【課題】コア基板およびビルドアップ層を備え、これらをその厚み方向に沿って断面ほぼ真円形で貫通する光導波路を備えた光導波路付き配線基板、および該配線基板を確実に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁材からなり、表面３および裏面４を有するコア基板２と、該コア基板２の表面３および裏面に形成され、複数の絶縁層ｒ１〜ｒ６，ｓ１，ｓ２およびこれらの間に位置する配線層１４〜２１を含むビルドアップ層ｕ１，ｕ２と、上記コア基板２およびビルドアップ層ｕ１，ｕ２を厚み方向に沿って貫通し、クラッド１１およびコア１２からなる光導波路Ｌと、を備え、該光導波路Ｌは、上記コア基板２内に形成され、該コア基板２よりも被削性に優れた穴埋め材９を貫通している、光導波路付き配線基板１。 （もっと読む）

【課題】材料を無駄にすることなく、希土類化合物を用いた光素子が製造できるようにする。
【解決手段】エルビウムの酸化物よりなる希土類含有層１０５をスパッタ法などの物理蒸着法により、基板を加熱することなく形成し、例えば１０００℃に加熱することで、希土類含有層１０５を溝部１０４に凝集させ、酸化エルビウムの結晶からなる希土類コア部１０６を形成する。希土類の酸化物は、加熱することで、下地に形成されている凹部に凝集する。また、この加熱により、アモルファス状態の酸化エルビウムが結晶化するので、希土類コア部１０６は、酸化エルビウムの結晶から構成されたものとなる。 （もっと読む）

【課題】典型的な２次元フォトニック結晶構造を有する光共振器において、Ｑ値等の性能が十分高い構造を実現する。
【解決手段】光共振器１００は、所定の穴径で一列に一定周期で並んだ結晶穴５を持つ１次元のフォトニック結晶２を利用する。フォトニック結晶部材の厚さを所定の範囲に設定する。光波回路・電子回路において層間分離膜や封止膜としての役割を果たす低屈折率のシリコン酸化膜３，４を使用して１次元フォトニック結晶共振器を埋め込み、必要十分なＱ値を確保できる。前記層間分離膜または封止膜を利用して、フォトニック結晶と光波回路または電子回路とを集積化する。 （もっと読む）

【課題】光位相変調器においてビット遷移時に発生する周波数チャープを抑制する。
【解決手段】入射された光信号を２つに分岐する分岐部（１２０）と、第１の位相シフタ（１３２）を有する第１の変調器アーム（１３０）と、第２の位相シフタ（１４２）を有する第２の変調器アーム（１４０）と、第１の変調器アームを伝搬した第１の光信号と第２の変調器アームを伝搬した第２の光信号とを合波して出射する結合部（１５０）とを備えた光位相変調器（１００）において、損失調整部（Ａ）を設け、第１の位相シフタ（１３２）による第１の光信号の位相のシフトに依存しない第１の変調器アーム（１３０）の伝搬損失と、第２の位相シフタ（１４２）による第２の光信号の位相のシフトに依存しない第２の変調器アーム（１４０）の伝搬損失とを互いに異ならせた。 （もっと読む）

【課題】発熱に伴う応力に起因する発光素子のダメージの低減、およびミラー部や隙間部分の内部導波路に剥離が発生しにくいように工夫した光モジュールを提供する。
【解決手段】 基板１の表面に形成された溝１ａ内に設けられた内部導波路１６と、この溝１ａの先端部に形成された光路変換用のミラー部１５とを備えている。このミラー部１５と対向するように基板１の表面に実装され、ミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７に光信号を発光し、若しくはミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７からの光信号を受光する光素子１２ａ，１２ｂとを少なくとも備えている。光素子１２ａ，１２ｂの内の発光素子１２ａとミラー部１５との間の隙間部分Ｓの内部導波路１６の材料は、それ以外の内部導波路１６の材料よりも低応力な別材料である。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉベースのフォトニクスプラットフォーム上で、フォトニックデバイス、Ｇｅ導波路一体型光検出器、およびハイブリッドＩＩＩ−Ｖ／Ｓｉレーザの共集積化のための方法を提供する。
【解決手段】パターン化したＳｉ導波路構造を含むＳｉデバイスを備えたＳｉベースのフォトニクス基板を用意する工程、誘電体層、例えば、ＳｉＯ_２層を、平坦化したＳｉベースのフォトニクス基板の上部に堆積する工程、適切なエッチング深さで溝を誘電体層にエッチング形成して、フォトニクス基板のパターン化したＳｉ導波路構造を露出させる工程、露出した導波路を選択エッチングして、Ｇｅ成長用のテンプレートを作成し、薄いＳｉ層をＧｅ成長用のシード層として残す工程、意図的なＧｅ過成長を伴って、シード層からＧｅを選択成長させる工程、Ｇｅ表面を平坦化し、１００ｎｍ〜５００ｎｍの減少した厚さを持つＧｅ層を残す工程を含む。 （もっと読む）

【課題】限られたスペース内に複数個の光学素子を効率よく設置することが可能なミラー付き光導波路を提供する。
【解決手段】下部クラッド層２と、下部クラッド層２上に間隔をおいて並設された複数本のコア３ａ〜３ｄと、コア３ａ〜３ｄのそれぞれに形成されたミラー面６とを有するミラー付き光導波路５であって、各コア３ａ〜３ｄは、長手方向に間隔をおいて第１〜第２の傾斜面１１，２１を有しており、コアの第ｋの傾斜面（ｋは１〜２の整数）１１，２１同士がコアの短手方向に１列に配列しており、コアの傾斜面１１，２１よりなる総ての傾斜面のうち、一部の傾斜面が金属層３０の形成されたミラー面６となっており、残部の傾斜面が金属層３０を有しない透光面７となっており、ミラー面６に対して短手方向に隣接する傾斜面は、いずれも透光面７となっているミラー付き光導波路５。 （もっと読む）

【課題】光導波路ユニットのコアと電気回路ユニットの光学素子との調芯精度に優れ、かつ、量産性に優れている光電気混載基板およびその製法を提供する。
【解決手段】光導波路ユニットＷは、先端のコネクタＣに位置決めピン嵌合用の孔部６を備え、その孔部６は、コア２の一端面２ａに対して所定位置に位置決め形成されている。電気回路ユニットＥは、位置決めピン嵌合用の貫通孔１６を備え、その貫通孔１６は、同一のフォトマスクを利用して光学素子実装用の電極パッド１３と枠状配線１４とを形成し、その枠状配線１４の中空部を目印として形成されており、上記電極パッド１３に実装された光学素子１０に対して所定位置に位置決め形成されている。そして、位置決めピンＰを、光導波路ユニットＷの孔部６に嵌合させるとともに、電気回路ユニットＥの貫通孔１６に嵌通させた状態で、光導波路ユニットＷと電気回路ユニットＥとが結合している。 （もっと読む）

【課題】光導波路ユニットのコアと電気回路ユニットの光学素子との調芯作業が不要であり、かつ、量産性に優れている光電気混載基板およびその製法を提供する。
【解決手段】光導波路ユニットＷと、光学素子１０が実装された電気回路ユニットＥとを結合させてなる光電気混載基板であって、光導波路ユニットＷは、アンダークラッド層１の表面に、コア形成材料と同材料からなる電気回路ユニット位置決め用の差し込み部４を備え、その差し込み部４は、コア２の一端面２ａに対して所定位置に位置決め形成されている。電気回路ユニットＥは、電気回路基板の一部分が起立状に折り曲げられ上記差し込み部４に嵌合する折り曲げ部１５を備え、その折り曲げ部１５は、光学素子１０に対して所定位置に位置決め形成されている。そして、上記差し込み部４に折り曲げ部１５が嵌合した状態で、光導波路ユニットＷと電気回路ユニットＥとが結合している。 （もっと読む）

【課題】光コネクタ１０の組立作業に於いて、光ファイバ１００の位置決めを容易に行うこと。
【解決手段】光コネクタ１０の製造方法は、光信号が伝播する導波路層１１２に、レンズ部１１３と、前記レンズ部１１３の焦線Ｆに光ファイバ１００の端部をガイドするガイド溝１１４と、を形成する工程と、前記光ファイバ１００の端部が前記レンズ部１１３の焦線Ｆに位置するように、前記ガイド溝１１４に前記光ファイバ１００を挿入する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 入射光の強度が大きくなっても、光強度のピーク値の上昇を抑制する技術が望まれている。
【解決手段】 テーパ導波路が、入力導波路とフォトダイオードとを接続する。入力導波路に接続された入力端から、フォトダイオードに接続された出力端に向かって、テーパ導波路の幅が広がる。テーパ導波路の広がり半角は、入力導波路から信号光が入力されると、高次モードを励振する大きさである。フォトダイオードの幅は一定であるか、またはテーパ導波路の出力端から遠ざかる向きに広がっており、その広がり半角は、テーパ導波路の広がり半角以下である。 （もっと読む）