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Fターム[2H147FC02]の内容

光集積回路 (45,729) | 物質除去方法 (2,538) | エッチング (1,543) | 湿式(ウェットエッチング) (345)

Fターム[2H147FC02]に分類される特許

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【課題】リング導波路の曲率半径を小さくしても伝播損失を抑制できる導波路型光デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導波路型光デバイス30は、基板40と、基板40上に形成されたリング導波路32とを有する。リング導波路32はリング状のコア42と、クラッド43とにより形成されている。リング状のコア42の内周面には、リング状のコア42よりも薄く且つリング状のコア42の内周面に沿って所定の幅で形成されたスラブ層33が接続されており、リング状のコア42の外周にはスラブ層が設けられていない。 (もっと読む)


【課題】 半導体光集積素子及びその製造方法に関し、光導波路の伝播損失を増大させることなく、PDの暗電流を10nA以下まで低減する。
【解決手段】 n型クラッド層側から順に少なくとも光吸収層及びZnドープp型クラッド層が積層されたフォトダイオード領域の傾斜側面に対して[011]方向にバットジョイント結合した光導波路領域における光導波路層に(100)面方位での飽和濃度以下の濃度のFeをドープし、上側クラッド層に(100)面方位での飽和濃度以上の濃度のFeをドープする。 (もっと読む)


【課題】光源と光導波路コアとの間の調芯に高い精度が必要なく、この光源からの光を、枠状の光導波路の2辺に均等に分配することのできる入力デバイスを提供する。
【解決手段】入力デバイスの矩形状の検知空間Sの周りに配置された枠状の光導波路10における発光側の光導波路コア1を、角部10aに設けられた発光素子3に接する光入射側の共通部1aと、共通部1aから発光素子3の発光の光軸に沿った枠の一辺方向に直線状に延びる第1のコア部1bと、共通部1aの分岐点Jから所定の曲率で湾曲しそれより光出射側が上記光軸に直交する枠の他辺方向に延びる第2のコア部1cとから形成するとともに、上記発光側光導波路コア1の分岐点Jにおける、上記第1のコア部1bのコア幅(W1)に対する上記第2のコア部1cのコア幅(W2)の比を1以上〔(W2/W1)≧1〕とする。 (もっと読む)


【課題】ハイメサ光導波路においてハイメサの機械的強度が弱くなりプロセス中に折れやすくなる。
【解決手段】光デバイスであって、基板と、前記基板側から順に配置された第1の下側クラッド層部と、コア層部と、第1の上側クラッド層部と、を含むメサ、を備える第1の光導波路と、前記基板上に積層されるとともに、前記第1の光導波路を形成する際のエッチングを停止させる第1のエッチストップ層と、を有し、前記第1の光導波路は、前記第1のエッチストップ層上に積層されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光ファイバーからの光信号を受光素子で受ける構成、発光素子からの光信号を光ファイバーで受ける構成のいずれであっても、光結合効率が向上する光モジュールを提供する。
【解決手段】第1溝1aと、第1溝1aよりも深い略台形状の第2溝1bとが表面に連なって形成された基板1と、この基板1の第1溝1a内に設けられた内部導波路16とを備えている。第1溝1aの先端部に形成された光路変換用のミラー部15と、このミラー部15と対向するように基板1の表面に実装され、ミラー部15を介して内部導波路16のコア部17に光信号を出射する発光素子12aとを備えている。第2溝1b内にファイバークラッド部22が設置され、内部導波路16のコア部17と光学的に接続されるファイバーコア部21を有する光ファイバー2を備えている。 (もっと読む)


【課題】マイクロディスペンサ法を用いて微小領域に滴下する際に、光導波路の上面や側面に滴下し易くかつ安全に液状の充填材料を滴下する構造を備えた光導波路素子を提供すること。
【解決手段】伝搬する光のフィールドが光導波路5の外に染み出すように光導波路コア及びクラッドの幅が設定されているメサ型1またはリッジ型6の光導波路を備えた光導波路素子において、前記光導波路の近傍に、光導波路の高さよりも高い突起構造3a、3b、3cを設けた光導波路素子。または、前記突起構造の代わりに、前記光導波路の近傍から当該光導波路の上方に突出して形成した梁状の構造を設けてもよい。さらに、前記突起構造の代わりに、前記光導波路の片側に、当該光導波路の長手方向に沿って、該光導波路の高さよりも高い壁構造を設けてもよい。 (もっと読む)


【課題】光半導体装置とその製造方法において、光半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】半導体基板1を途中の深さまでエッチングすることにより、断面形状が凸状のコア4aを半導体基板1に形成する工程と、コア4aの一方の側面4xと他方の側面4yの各々に酸化防止膜22を形成する工程と、酸化防止膜22が形成された状態で、コア4aの両脇の半導体基板1の表面を熱酸化する工程と、コア4aの一方の側面4xの横の半導体基板1に第1の不純物領域を形成する工程と、コア4aの他方の側面4yの横の半導体基板1に第2の不純物領域を形成する工程とを有する光半導体装置の製造方法による。 (もっと読む)


【課題】データ処理装置などの機器間又は機器内において、チップ間やボード間で送受信される高速光信号を伝送する際に、安価な作製手段で伝送速度高速化、小型・集積化、および部品実装性に優れるSi集積の光モジュールおよび光電気混載ボードを提供する。
【解決手段】Si同一基板100上に、レーザ光源素子101と、Si基板100に直接設けられたSi導波路102とを具備し、Si導波路102が基板水平方向に形成され、Si導波路光出射端からの光軸延長線上に、基板平行に対して傾斜角を有する第1のテーパ面106と、それと対向する位置に基板平行に対して傾斜角を有する第2のテーパ面107がそれぞれ表面に露呈した光路変換部106を設け、基板外部との間でやりとりされる光信号が、光路変換部104およびSi基板100内部を介して基板垂直方向に光学的に接続される光モジュールとする。 (もっと読む)


【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】PBS100は、第1の光カプラ110と、複屈折率付与部120と、た複屈折率調整部130と、第2の光カプラ140とを、閃亜鉛鉱型構造を有する101半導体基板上に備える。複屈折率付与部120及び複屈折率調整部130が位相シフタとして機能する。第1のアーム導波路102の第5の導波路部102Cの上に、第1の電極102Dが配置され、第2のアーム導波路103の第4の導波路部103Bが有する第2の傾斜部分の上に第2の電極103Dが配置されている。第1の電極102Dが配置された第1の方向と、第2の電極103Dが配置された第2の方向は、複屈折率調整部130において、両電極に単位電圧を印加したときに、TM偏光に対する上下アーム導波路間の位相差が抑制され、TE偏光に対する上下アーム導波路間の位相差が増大される方向である。 (もっと読む)


【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】PBS100は、第1の光カプラ110と、第1の複屈折率調整部120と、第2の複屈折率調整部130と、第2の光カプラ140とを閃亜鉛鉱型構造を有する半導体基板101上に備える。第1の複屈折率調整部120及び第2の複屈折率調整部130が位相シフタとして機能する。第1の複屈折率調整部120は、第1の幅の第1の導波路部102Aと、第2の幅の第2の導波路部103Aと、第1の電極102Bと、第2の電極103Bとで構成され、ここで、第1の幅は第2の幅よりも大きい。第2の複屈折率調整部130は、第1の導波路部102Aから傾斜して配置された第3の導波路部102Cと、第2の導波路部103Bから傾斜して第3の導波路部102Cと平行に配置された第4の導波路部103Cと、第3の電極102Dと、第4の電極103Dとで構成される。 (もっと読む)


【課題】リッジ形状やメサ形状といった凸状部分上の樹脂若しくはレジストのエッチングの停止タイミングを容易に且つ精度良く判断することが可能な光半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】この光半導体デバイスの製造方法は、一対の溝に挟まれた光導波路において光の導波を行う光変調器を製造する方法であって、ウエハ16上に設定された評価用領域(TEG領域)に、複数対の評価用溝31a,31bを形成する工程と、ウエハ16上に樹脂層13を塗布する工程と、樹脂層13に対してエッチングを行い、光導波路の頂部を露出させる露出工程と、光導波路上に電極を形成する工程とを備え、評価用領域における複数対の評価用溝31a,31bの幅が各対毎に異なっており、露出工程の際に、エッチングによって評価用領域における少なくとも一対の評価用溝31a,31bに挟まれた領域33の頂部を露出させる。 (もっと読む)


【課題】導波路に光を結合させる際の光の損失を防止する。
【解決手段】基板12と、基板の上面12a上に形成されたクラッド層14と、クラッド層の上面14aに形成された、光入力用のグレーティング16cを有する光導波路16と、光導波路を覆って、クラッド層の上面上に形成されたオーバークラッド層18と、オーバークラッド層の上面18a上のグレーティングに対応する部分に形成された反射膜20とを備えていて、グレーティングに対応する部分の、クラッド層の下面14b上に反射防止膜22が形成されており、基板に反射防止膜を露出させる孔部24が形成されている。 (もっと読む)


【課題】光ファイバと光導波路コアとの位置合わせが容易で、基板によらずに光ファイバの位置ずれがしにくい光ファイバコネクタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の光ファイバコネクタは、基板上に、光ファイバを固定するための光ファイバ用溝を有する光ファイバガイド用クラッドパターンが形成された光ファイバガイド部材と、
前記基板上にコアパターンを形成するためのコア用溝を有するコアガイド用クラッドパターンが形成され、該コア用溝にコアパターンが充填され、該コアパターン上に上部クラッド層が形成された光導波路とが並設された光ファイバコネクタであって、
前記光ファイバ用溝に固定された光ファイバと、前記コアパターンとが、光信号を送受可能な位置に接合するように、前記光ファイバガイド部材と前記光導波路が並設されてなる。 (もっと読む)


【課題】光ファイバと光導波路コアとの位置合わせが容易で、基板によらずに光ファイバの位置ずれがしにくい光ファイバコネクタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、光ファイバを固定するための溝を有するファイバガイド用コアパターンが形成された光ファイバガイド部材と、第1下部クラッド層上に光信号伝達用コアパターンが形成され、該光信号伝達用コアパターン上に上部クラッド層が形成された光導波路とが並設された光ファイバコネクタであって、前記光ファイバガイド部材が接着剤導入スリットを有し、かつ前記光ファイバが、前記光導波路の光信号伝達用コアパターンに光信号を伝達可能な位置に接合するように、前記光ファイバガイド部材と前記光導波路が並設されてなる光ファイバコネクタである。 (もっと読む)


【課題】使用する光信号の波長制約が少なく、かつ光ファイバと光導波路コアとの位置合わせが容易で、光ファイバの位置ずれ・ピッチずれがしにくく、光学素子の実装が容易であり、かつ基板の大きさの制限を受けずに光路変換ミラーを備えられる光ファイバ配線板及び光ファイバ電気配線複合基板を提供する。
【解決手段】本発明の光ファイバ配線板は、光ファイバを固定するための溝を有する光ファイバガイド部材と、クラッド層及びコアパターンを有する光導波路とが、該溝に固定された光ファイバと光信号を送受可能な位置に並設されてなる光ファイバコネクタと、前記溝に固定された光ファイバとが、第1基板上に具備されてなる。 (もっと読む)


【課題】加工ばらつきを低減できるようにし、加工ばらつきに起因する過剰損失の値のばらつきを小さくして、歩留まりの向上を図る。
【解決手段】基板20上に3本以上の光導波路が形成され、それら光導波路は端部が集合連結されて光回路の分岐部もしくは交叉部が構成されている光導波路素子において、光導波路コアの端部が集合連結している連結部24の光導波路コア厚を、連結部24以外の光導波路コア厚より薄くし、各光導波路のコア厚を連結部24において最小となるように各光導波路に沿って連続的に変化させる。連結部24を薄くした分、シングルモードを保つ最大幅は広くなり、よって連結部24の光導波路コア幅を従来に比し、広くすることができ、加工が容易となる。 (もっと読む)


【課題】伝播損失の低下が抑制され、かつアライメントマークの視認性が向上し、生産性に優れた光導波路の製法を提供する。
【解決手段】金属製基板10表面にアンダークラッド層1,コア2,アライメントマーク1aを形成する。一方、凹部21が形成され、上記アライメントマーク1aに対応するアライメントマーク22が形成された成形型Mを準備する。つぎに、上記対応する一対のアライメントマーク1a,22を基準に金属製基板10と成形型Mを位置合わせする際に、成形型M側から光を照射しその照射光を利用して位置合わせする。そして、上記コア2を被覆した状態でオーバークラッド層3を形成するという光導波路の製法である。上記アライメントマーク1aは、下記の(A)および(B)を含有する光硬化性組成物を用いて形成する。
(A)(メタ)アクリレート基を有する重合性化合物。
(B)光ラジカル重合開始剤。 (もっと読む)


【課題】安価で容易に作製可能な光カプラを実現すること。
【解決手段】光カプラ1は、石英基板10と、石英基板10の両面にそれぞれ形成されたAgからなる金属膜11、12と、を有している。金属膜11は、石英基板10の一方の表面10aに形成され、金属膜12は、石英基板10の他方の表面10bの全面に形成されている。金属膜11には、その金属膜11を貫通する孔13が複数形成されている。孔13の石英基板10の主面に平行な面での断面は円形である。孔13の直径は、150nmである。孔13は正方格子状に配列されており、その孔13の間隔は500nmである。この光カプラ1では、石英基板10内の入射光14の一部を、入射光14の伝搬方向に対して111°の方向に分岐光15として放射させることができる。 (もっと読む)


【課題】光導波路のクラッド層あるいはコアを連続的に塗工して加熱処理する工程を含む場合でも、熱による寸法変化が小さく、上記クラッド層およびコアの基材上における形成位置が正確なタッチパネル用光導波路の製法を提供する。
【解決手段】ステンレス製の長尺基材を選択し、基材10の上にクラッド層形成用感光性樹脂組成物(1’)を連続して塗布する工程と、樹脂組成物を加熱して組成物中の溶媒を揮散させる第1プレ加熱工程と、樹脂組成物に照射線Lを照射してクラッド層1を形成する工程と、クラッド層の上にコア形成用感光性樹脂組成物を連続して塗布する工程と、樹脂組成物を加熱して組成物中の溶媒を揮散させる第2プレ加熱工程と、樹脂組成物にフォトマスクを介して照射線を照射して露光し硬化を完了させた後、現像液を用いて未露光部分を溶解除去し、パターン形状のコアを形成する工程と、を備えることを特徴とするタッチパネル用光導波路の製法。 (もっと読む)


【課題】任意の偏波方向の光入力信号に対するサンプリングを可能とするとともに、光ファイバや光導波路素子との結合効率が良好な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、下部クラッド層、活性層13、および、上部クラッド層が順次積層された導波路構造を備え、該導波路構造は、ハイメサ導波路構造Iと、光入射端面10aおよび光出射端面10bのうちの少なくとも一方の端面とハイメサ導波路構造Iとの間に形成され、ハイメサ導波路構造Iと光の導波方向に連続する埋込み導波路構造IIa、IIbと、を含み、埋込み導波路構造IIa、IIbは、活性層13の光の導波方向に直交する幅が、前記少なくとも一方の端面に向かって狭くなる幅減少領域を有することを特徴とする。 (もっと読む)


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