【課題】禁制帯幅および導電型のうちの少なくとも一つを応用目的に応じて正確に制御できて、実用に足る、半導体、半導体接合素子、ｐｎ接合素子、および光電変換装置を提供する。
【解決手段】硫化鉄に、Ｚｎと、III族元素およびＩａ族元素のうちの少なくとも一方とを混ぜることにより、半導体を作製する。また、この半導体を用いて、半導体結合素子または光電変換装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】応答歪を低減し、かつ受光感度の低下を抑えることができる半導体受光素子を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ｎ型の光吸収再結合層１２、ｎ型の多層反射膜１４、光吸収層１６、及び窓層１８が順に積載されている。窓層１８の一部にｐ型ドーピング領域２０が形成されている。ｐ型ドーピング領域２０にｐ側電極２２が接続されている。ｎ型ＩｎＰ基板１０の下面にｎ側電極２６が接続されている。窓層１８のバンドギャップエネルギーは、光吸収層１６のバンドギャップエネルギーよりも大きい。光吸収再結合層１２のバンドギャップエネルギーは、ｎ型ＩｎＰ基板１０のバンドギャップエネルギーよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】埋め込みｎ電極構造のｎ形領域のドーピングプロファイルを高い精度で制御することなく、エッジブレークダウンを抑制できる構造の埋め込みｎ電極構造の電子注入形ＡＰＤを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るＡＰＤは、ｎ電極接続層３２となだれ増倍層３４との間にイオン化率の低いバッファ層３３を挿入することとした。具体的には、ｎ電極層３１、ｎ電極接続層３２、バッファ層３３、なだれ増倍層３４、電界制御層３５、バンドギャップ傾斜層３６、低濃度光吸収層３７ａ、ｐ形光吸収層３７ｂ及びｐ電極層３８が順次積層され、少なくとも低濃度光吸収層３７ａとｐ形光吸収層３７ｂからなる光吸収部３７がメサ形状をなす電子注入形のＡＰＤである。 （もっと読む）

【課題】引張歪による直接エネルギーギャップＥ_０の縮小効果を増大するゲルマニウム構造体を提供すること。
【解決手段】ゲルマニウム粒子と、前記ゲルマニウム粒子の周囲を覆って、前記ゲルマニウム粒子を埋め込む埋め込み層を具備し、前記埋め込み層が、前記ゲルマニウム粒子の３つの結晶軸方向夫々に於いて、引張歪を前記ゲルマニウム粒子に発生させていること。 （もっと読む）

【課題】 昼夜によらずノイズや暗電流を抑制して鮮明な画像を得ることができる撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置を提供する。
【解決手段】 多重量子井戸構造の受光層３と、受光層のＩｎＰ基板１と反対側に位置する拡散濃度分布調整層４とを備え、受光層のバンドギャップ波長が１．６５μｍ〜３μｍであり、拡散濃度分布調整層のバンドギャップエネルギがＩｎＰよりも小さく、不純物元素の選択拡散によって受光素子ごとにｐｎ接合を形成し、選択拡散された受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高移動度と対環境安定性を兼ね揃えた半導体および半導体素子を提供する。また可視光領域に受光感度を有する半導体および半導体素子を提供する。
【解決手段】 金属酸窒化物から構成され、前記酸窒化物がＩｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌから選択される少なくとも１つの元素と、Ｚｎと、を含み、且つ、前記酸窒化物中のＮ／（Ｎ＋Ｏ）で表されるＮの原子組成比率が、７原子％以上８０原子％以下であることを特徴とする酸窒化物半導体。 （もっと読む）

半導体構造を製造する方法を開示する。方法は、誘電体層に少なくとも１つのトレンチを形成して、半導体基板の一部を露呈させる工程と、少なくとも１つのトレンチの少なくとも底部に、シリコンゲルマニウムバッファ層を形成する工程と、シリコンゲルマニウムバッファ層の上にゲルマニウムシード層を形成する工程と、ゲルマニウムシード層の上にゲルマニウム層を形成する工程とを備える。さらに半導体構造を開示する。半導体構造は、半導体基板と、半導体基板の上に形成される誘電体層と、誘電体層に形成されて、半導体基板の一部を露呈させる少なくとも１つのトレンチと、少なくとも１つのトレンチの少なくとも底部に形成されるシリコンゲルマニウムバッファ層と、シリコンゲルマニウムバッファ層の上に形成されるゲルマニウムシード層と、ゲルマニウムシード層の上に形成されるゲルマニウム層とを備える。 （もっと読む）

【課題】禁制帯幅および導電型のうちの少なくとも一つを応用目的に応じて正確に制御できて、実用に足る、半導体、ｐ型半導体、半導体接合素子、ｐｎ接合素子、および光電変換装置を提供すること。
【解決手段】硫化鉄に、Ｍｇ、Ｚｎ、または、Ｉａ族元素を混ぜることにより、半導体を作製する。また、この半導体を用いて、半導体結合素子または光電変換装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】感度および応答速度がともに優れたシリコン系の受光素子を提供する。
【解決手段】シリコン原子を主成分とする母体半導体と、格子点サイトの前記シリコン原子と置換されるｎ型ドーパントＤと、前記ｎ型ドーパントＤに最近接の格子間サイトに挿入される異種原子Ｚとを含み、前記異種原子Ｚは前記ｎ型ドーパントＤとの電荷補償により電子配置が閉殻構造となっている光電変換層を有することを特徴とする受光素子。 （もっと読む）

【課題】検出可能な赤外線の帯域が広い量子ドット型光半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】ＧａＡｓ半導体基板５１の上に、バッファ層５２、下部電極層５３、第１の赤外線吸収層５４ａ、第２の赤外線吸収層５４ｂ及び上部電極層５５を形成する。第１及び第２の赤外線吸収層５４ａ，５４ｂはいずれも量子ドットと、量子ドットを覆うキャップ層と、量子ドットにより導入された歪みを回復させる中間層とを複数積層して形成されている。第１及び第２の赤外線吸収層５４ａ，５４ｂの量子ドットはいずれもＩｎＡｓにより形成されており、中間層はいずれもＡｌ_0.5Ｇａ_0.5Ａｓにより形成されている。また、第１の赤外線吸収層５４ａのキャップ層はＡｌ_0.15Ｇａ_0.85Ａｓにより形成され、第２の赤外線吸収層５４ｂのキャップ層はＡｌ_0.2Ｇａ_0.8Ａｓにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップを利用した撮像装置において、結晶性の問題を解消する。
【解決手段】化合物半導体である混晶系の組成比を変えることでバンドギャップを制御する。たとえばＡｌＧａＩｎＰ系混晶やＳｉＧｅＣ系混晶やＺｎＣｄＳｅ系混晶やＡｌＧａＩｎＮ系混晶にすることで格子不整Δａの絶対値を小さくする。Ｓｉの格子定数より大きいＧｅをＳｉＣに混ぜるなどによって、格子不整の絶対値を小さくし、結晶性を高くする。また、ＳｉとＳｉＣまたはＳｉＧｅＣ系層の界面に、厚み１０ｎｍ程度以下の超格子層を１層以上入れることで、結晶性をさらに高くする。 （もっと読む）

【課題】短波長紫外線検出器として有用なＡｌＮ結晶もしくはＡｌ組成比が高いＡｌＧａＮ結晶においては、Ｐ型、Ｎ型のいずれの導電性においても低抵抗化が困難なため正常なオーミック特性が得られず、良好な感度を有する紫外線検出器が実現できなかった。
【解決手段】バンドギャップの大きい半導体を光吸収層とし、光により励起されたキャリアを半導体層の横方向に走行させ、部分的に形成されている低抵抗層に導き、本低抵抗層に形成されている電極部から光電流を取り出すことにより、短波長紫外線を高感度で検出する。たとえばキャリア濃度の低いＡｌＮ結晶層もしくはＡｌＧａＮ結晶層に逆バイアスを印加し、空間電荷領域を横方向に広げることにより、広い光感度領域が得られ高感度な受光素子が得られる。 （もっと読む）

フォトトランジスタは、障壁（２６）によってソース（２８）から離隔された活性領域（２４）を持つ。ドレイン（２０）は、活性領域（２４）から水平方向に離隔される。前記活性領域への入射光が、電子−正孔対を生成する。正孔が前記障壁に蓄積され、電子に対する実効障壁高を調節する。次いでゲートリセット電圧がゲート（４）に印加され、前記障壁を低下させて正孔が脱出することを可能とする。
（もっと読む）

【課題】低価格で高感度なシリコンベースのゲルマニウム含有感光装置を用いた長波長入射光の検出器と検出方法。
【解決手段】 光検出器（１００）は、入射光に応答して出力電流信号を生成する構成でゲルマニウムを含む第１のフォトトランジスタ（１０２）と、第１のフォトトランジスタに電気的に結合し基準電流信号を生成する第２のフォトトランジスタ（１０４）と、第２のフォトトランジスタを覆って入射光を遮蔽して前記基準電流信号を前記入射光から独立させる不透明層とを備える。第１、第２のフォトトランジスタはシリコンーゲルマニウム吸光領域を備え、入射光は出力電流と基準電流とから検出される。 （もっと読む）