【課題】リーク電流の低減と、フォトダイオードの開口率を向上させることができる光電変換装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体からなる領域１０２を有する隣接する一対のフォトダイオードの間に設けられた第２導電型の半導体からなるチャネルストップ層１０５と、前記チャネルストップ層１０５の上に設けられた素子分離用絶縁膜１０３と、前記フォトダイオードの表面に設けられ前記素子分離用絶縁膜より薄い絶縁膜１０４と、を有する光電変換装置において、前記フォトダイオードと前記絶縁膜１０４との界面と、前記チャネルストップ層１０５と前記素子分離用絶縁膜１０３との界面が、同一レベルの平面上にあり、前記第１導電型の半導体領域１０２と前記チャネルストップ層１０５とが互いに接している。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗の低減を図ることができる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】
ｎ型の基板１０と、基板１０上に積層されたｎ型の第１半導体層１１と、第１半導体層１１上に積層されたノンドープの光吸収層１２上に積層され、Ａｌを含有するｐ型の第２半導体層１３と、第２半導体層１３上に積層されたキャップ層１４と、を備え、キャップ層１４の一部が第２半導体層１３を露出するようにエッチングされ、第２半導体層１３の露出面から基板１０側の界面まで第２半導体層１３の一部が酸化されることで、Ａｌ酸化物を含有する酸化領域１５に囲まれたｐ型の半導体領域１３ａが形成されていることにより、ｐｉ接合面を露出させずに受光部を形成することで、エッチングに起因した結晶欠陥がｐｉ接合面に発生することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】入射光パワーが高い場合において、優れた応答速度を確保できる半導体受光装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体基板２０上にｎ型エピタキシャル層５が形成される。また、ｎ型エピタキシャル層５を貫通して半導体基板２０に至るｐ型低濃度拡散層７及びｐ型高濃度拡散層８が形成される。ｎ型低濃度拡散層９は、ｎ型エピタキシャル層５を介してｐ型低濃度拡散層７及びｐ型高濃度拡散層８と対向して形成される。ｎ型高濃度拡散層１０は、ｎ型エピタキシャル層５及びｎ型低濃度拡散層９を介して、ｐ型低濃度拡散層７、ｐ型高濃度拡散層８及び半導体基板２０と対向して形成される。ｎ型高濃度拡散層１０は、ｎ型低濃度拡散層９よりも不純物濃度が高い。受光領域の外側においては、ｐ型拡散層４上にアノード電極１２、ｎ型高濃度拡散層１０上にカソード電極１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】工程数を削減して、低コストで、２種類以上の受光素子を有する半導体装置が得られる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１８上に制御回路用トランジスタ２０のアクティブ領域を形成し、制御回路用トランジスタ２０を形成する前に、フォトダイオード２２、２４を構成する、Ｎ型ウェル３６、４４及びＰ型ウェル３８、４６等の形成を行う。半導体基板１８上にＮ型ウェル３６、４４等を形成する際、フォトレジスト等が形成されるが、これらはアクティブ領域を位置決め基準として半導体基板１８上に形成される。したがって、高い精度で、Ｎ型ウェル３６、４４及びＰ型ウェル３８、４６等が半導体基板１８上に形成される。また、半導体基板１８上に予め位置決めマークを形成する必要がないため、工程数を削減して、低コストで半導体装置１０を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも受光感度が向上し高速応答できるフォトダイオード及びそれを備えた集積化受光素子を提供する。
【解決手段】フォトダイオード２０は、Ｎ型及びＰ型のうちの一方である第１の導電型の半導体基板１と、半導体基板１上に形成されＮ型及びＰ型のうちの他方である第２の導電型の半導体層２と、半導体層２に半導体基板１とは離間して形成された第１の導電型の第１の拡散層３と、半導体層２に半導体基板１及び第１の拡散層３とは離間して形成された第２の導電型の第２の拡散層４と、を有する。そして、半導体基板１，第１の拡散層３に外部から電圧Ｖｄｄ，Ｖｋを印加することにより半導体層２に空乏層６０を発生させる。 （もっと読む）

【課題】基板に垂直に形成されたフォトゲートを備えて光受光領域を拡張した距離測定センサ及びそれを備える立体カラーイメージセンサを提供する。
【解決手段】基板に第１不純物をドーピングして形成され、光を受けて光電荷を発生する光電変換領域と、前記基板に第２不純物をドーピングし、前記光電変換領域を挟んで互いに対向するように離隔して形成され、前記光電荷を集め保存する第１及び第２電荷保存領域と、前記第１及び第２電荷保存領域にそれぞれ対応して前記基板に所定の深さで形成される第１及び第２トレンチと、前記第１及び第２トレンチ内にそれぞれ形成される第１及び第２垂直フォトゲートとを有する。 （もっと読む）

【課題】クロストークを効率的に抑制することが可能であると共に、容易に製造することが可能なフォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】フォトダイオードアレイ１は、ｎ型の半導体基板３と、半導体基板３の表面３ａ側に並んで形成されており、半導体基板３とのｐｎ接合１１によりフォトダイオード１３を構成する複数のｐ型半導体領域７と、半導体基板３の表面３ａ側において、隣接するｐ型半導体領域７間に形成されていると共に、半導体基板３よりも不純物濃度が高く設定されているｎ型半導体領域９と、を備えている。改質領域２０は、裏面３ｂとｐ型半導体領域７との間の所定位置に集光点Ｆを合わせてレーザ光Ｌａを照射することによって形成されており、半導体基板３とｐ型半導体領域７とのｐｎ接合１１から広がる空乏層１９の内部に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体光検出素子の表裏を貫通する電極用孔を形成することなく、表裏を電気的に接続し、高密度に配置可能な半導体光検出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 一方の面に正及び負の電極６，７を備え、他方の面を光入射面とする半導体光検出素子１であって、一方の面の正負の電極のいずれかと電気的に接続し、素子の少なくとも1つの側面において、他方の面に向かって中途まで形成された1つの導電層８１と、他方の面側の半導体層と電気的に接続し、1つの側面と隣接する少なくとも１つの他の側面において、一方の面に向かって中途まで形成された１つの他の導電層８２とを有し、１つの側面と１つの他の側面との間の隅部において、１つの導電層８１と１つの他の導電層８２とが直接接続していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レンズ間領域を縮小化し、かつ隣接画素への入射光の入り込みを防止して、混色の防止を可能にする。
【解決手段】入射光を光電変換して電気信号を出力する複数のセンサ部１２のそれぞれに該入射光を集光する集光レンズ５１を備えた固体撮像装置１であって、前記集光レンズ５１は光路方向に略角柱状で光入射側が凸レンズ形状を成し、前記集光レンズ５１と、前記集光レンズ５１に隣接する集光レンズ５１との間に溝５３が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードのＰ型高濃度拡散層上及びＮ型高濃度拡散層上にシリサイド層を形成する場合におけるフォトダイオードの品質を安定化させる。
【解決手段】フォトダイオード１が、支持基板上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された素子形成領域と、素子形成領域を囲む素子分離領域とを有するシリコン半導体層と、素子分離領域に形成された素子分離層９と、素子形成領域に形成されたＰ型高濃度拡散層１２と、素子分離層９に接する素子形成領域に形成されたＮ型高濃度拡散層１４と、Ｐ型高濃度拡散層１２とＮ型高濃度拡散層１４との間に位置する素子形成領域に、ＰＮいずれか一方の型の低濃度拡散層１５と、Ｐ型高濃度拡散層１２およびＮ型高濃度拡散層１４の上部に、それぞれ低濃度拡散層１５とＰ型高濃度拡散層１２との境界１６、及び低濃度拡散層１５とＮ型高濃度拡散層１４との境界１６から離間させて形成されたシリサイド層１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ２次相互変調歪を抑制した上で、高い量子効率、低い素子容量を実現することができる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】 ｎ型バッファ層２と、ｎ型ＩｎＧａＡｓ受光層３と、ｎ型窓層４と、ｎ型窓層４からＩｎＧａＡｓ受光層３に届くように形成されたｐ型領域５と、ｐ型領域に電気的に接続されるｐ部電極１５ａとを備えるアナログ伝送用のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の受光素子において、バッファ層のｎ型キャリア濃度が１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子に太陽電池を設けることによって、レンズで光エネルギーを効率的に集め、コンパクトで低コストの発電装置を提供する。
【解決手段】被写体光を受光する感光画素２４、２６を有する受光セル２２が、所定のピッチで複数配列されている。また、複数配列された受光セル２２同士の間に、撮像レンズ１４から取り込まれた光を受光する太陽電池２８が設けられている。これにより、１つの素子で、撮像と発電の２つの機能を発揮することができる。また、撮像レンズ１４を介して集光した光を太陽電池２８が受光することにより、効率的に光エネルギーを集めることができるので、太陽電池２８の表面積を小さくすることが可能である。よって、コンパクトで低コストの発電装置を構築することができる。 （もっと読む）

アバランシェフォトダイオードが、高品質電気光学的活性基板と、活性基板に接着されたハンドル基板と、アバランシェ電流利得を生成するための高電界領域を含む、高品質電気光学的活性基板内に形成されたアバランシェフォトダイオード活性エリアとを含む。活性基板に接着されたハンドルウェハを使用することにより、本発明のアバランシェフォトダイオードは、所望の電気特性を減少させることなしに、より厚さおよび強度がある。
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【課題】 高速応答性が向上した半導体受光素子および量産性に適したその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の主面とその反対側の第２の主面とを有するｎ型の半導体基板１と、第２の主面上に位置するｎ型部電極１３と、基板１の第１の主面の上に位置するｎ型の受光層３と、受光層上に位置する窓層４とを備え、窓層および受光層にわたって形成されたｐ型領域８と、ｐ型領域の窓層から受光層にいたり、ｐ型領域の受光層３とオーミック接触するｐ型部電極７とを備える。 （もっと読む）

【課題】飽和を抑制しダイナミックレンジの低下を抑制する。
【解決手段】シリコンからなる光電変換層１０に絶縁層１１を介して再結合電極１２と第１待避電極１３と第２待避電極１４とが設けられる。再結合電極１２と第１待避電極１３と第２待避電極１４とにそれぞれ電圧を印加すると、光電変換層１０にはそれぞれ再結合領域、第１待避領域、第２待避領域となるポテンシャル井戸が形成される。光電変換層１１は受光光量に応じた個数の電子とホールとを生成する。再結合電極１２に印加する電圧の極性を交互に切り換えると、再結合領域から第２待避領域にホールを移動させるとともに再結合領域に電子を集積する第１集積期間と、再結合領域から第１待避領域に電子を移動させるとともに再結合領域にホールを集積する第２集積期間とが交互に生じる。再結合後のキャリアが受光出力になる。 （もっと読む）

【課題】 高感度で、特に赤外波長に対する遠赤外線のクロストークが少ないCMOSイメージセンサを提供する。
【解決手段】 本発明のCMOSイメージセンサは、基板と、基板上のエピタキシャル層と、光を受容するための、エピタキシャル層内に拡がる複数のピクセルと、基板内に発生したキャリアがエピタキシャル層に移動するのを防ぐための、基板とエピタキシャル層の間の水平方向の障壁層と、エピタキシャル層内の電子の横方向への拡散を防ぐための、複数のピクセルの隣接するもの同士の間の複数の横方向の障壁層との少なくとも１つとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 スパイクによる短絡などを生じさせることなく、不純物拡散層の深さを低減することができ、波長がたとえば４００〜４５０ｎｍ程度またはそれ以下と短い光に対して優れた感度を有する受光素子を安定して製造することのできる受光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｎ型不純物拡散層２７として、受光部４０に深さｄ２の受光用半導体層２６を形成し、電極部４１に受光用半導体層２６の深さｄ２よりも大きい深さｄ１（ｄ１＞ｄ２）の補償拡散層２５を形成した後、補償拡散層２５に電気的に接続されるようにＮ側電極３８を形成する。これによって、Ｎ側電極３８を形成する際にスパイクが生じた場合であっても、Ｎ側電極３８とＰ型エピタキシャル層２２との短絡を防ぐことができるので、受光に使用される受光用半導体層２６の深さｄ２を、スパイクによる短絡などを生じさせることなく低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 赤外域の光に対して高い感度を有する固体撮像装置において、その空乏化領域の深さの低減化を図ることができるようするものである。
【解決手段】 シリコン半導体による受光センサ部１を有する固体撮像装置であって、受光センサ部１の光電変換素子を構成する空乏化領域を構成する第１導電型のウエル領域１３の受光面側にβ−ＦｅＳｉ_２等のシリコンに比しバンドギャップが小さく赤外領域に高い吸収性を有する金属シリサイド層２０を設ける。 （もっと読む）

【課題】 電荷蓄積領域の実効面積を犠牲にすることなく単位画素の微小化を可能とする固体撮像素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に所定の開口を有するハードマスクを形成する工程と、前記基板に前記開口側に一部延長し、該延長部分が主要部分と異なる不純物濃度を有する前記画素を構成する第１導電型の電荷蓄積領域を形成する工程と、前記電荷蓄積領域の延長部分の、少なくとも一部の第１導電型不純物濃度を、前記電荷蓄積領域の主要部分の形成とは独立に制御する工程と、前記開口下に形成された前記拡散層に接するように、前記開口内に前記絶縁膜を形成する工程とによって固体撮像素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】ブルーミング及び混色の発生と、フォトダイオードにおける最大電子数及び感度の減少とを同時に抑制し得る固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換部３２と、信号電荷を検出する信号検出部３３とが形成されたｎ型の半導体基板３０を備える固体撮像装置を用いる。光電変換部３２にフォトダイオード１２を備えておき、半導体基板３０に、光電変換部３２及び信号検出部３３と半導体基板３０の厚み方向において重なるｐウェル３１を形成する。ｐウェル３１は、最も表層側にある界面３１ａが、フォトダイオード１２の表層側の界面１６ａよりも下層に位置するように形成する。好ましくは、ｐウェル３１の不純物プロファイルがフォトダイオード１２の不純物プロファイルに重ならないようにする。このとき、フォトダイオード１２とｐウェル３１との間にはノンドープ領域５０が存在する。 （もっと読む）