【課題】少なくとも一つの活性有機層を備えた電子構成要素を製造する。
【解決手段】有機構成要素を巻回プロセスにて製造し得る方法を最初に開示する。連続的な製造方法は、活性半導体層の活性領域が、製造プロセスの任意の時点にて未保護の溶媒、及び／又は溶媒蒸気に露出されない利点を有している。それによって、高品質の有機構成要素を製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 撮像性能の向上に適した撮像素子の新たな構造を提供する。
【解決手段】 撮像素子は、第１チップ、および第２チップを備える。この第１チップには、受光画素、および貫通配線とが形成される。複数の受光画素は、受光面に配列され、入射光に応じた電気信号を生成する。貫通配線は、受光画素の電気信号を受光面の反対面へ伝達する。一方、第２チップには、読み出し回路が形成される。読み出し回路は、貫通配線を介して電気信号を読み出して画像信号として出力する。この撮像素子は、上記の第１チップの反対面と、上記の第２チップの読み出し回路とが対向する向きに配置され、貫通配線と読み出し回路との端子間が電気的に接合される。 （もっと読む）

【課題】
読み出し回路を備えた第一基板と受光素子を備えた第二基板をバンプ接続した量子型赤外線熱感知デバイスにおいて、HgCdTe等で構成された第二基板に影響を与えることなくシリコン基板等で構成された第一基板と、第二基板の熱膨張係数の違いに起因する隣接バンプ間の接触を防止する。
【解決手段】
量子型撮像素子は、読み出し回路を備えた第一基板と、前記第一基板とフリップチップボンディング（FCB）によって電気的に接続された、受光素子を備えた第二基板と、前記第一基板と前記第二基板をFCBによって電気的に接続する導体バンプ群と、各バンプの周囲を囲むように存在し、前記第一基板側にのみ固定され、前記第二基板との間に空隙を設けた絶縁壁とを有する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディング用金属電極の有機物電極からの剥離が抑制された新規な構造の半導体紫外線受光素子を提供する。
【解決手段】半導体紫外線受光素子は、ＩＩ族酸化物半導体またはＩＩＩ族窒化物半導体で形成された半導体層３と、半導体層３上に形成された紫外線透過性の有機物電極５と、半導体層３上に、有機物電極５の外側に形成された絶縁層と、有機物電極上から絶縁層上に延在し、絶縁層上方にボンディング領域を確保するワイヤーボンディング用金属電極６とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、破壊電圧及び感度を高め、永久光電流を抑制して、ＳＮ比、ｏｎ／ｏｆｆ比及び応答速度を高めた紫外光検出デバイス及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物薄膜からなり、紫外光照射面３５を有する紫外光検出層２２と、前記紫外光検出層２２の一面２２ａに形成された絶縁部２３と、絶縁部２３の一面２３ａに形成された第１及び第２の電極部３１、３２と、を有する紫外光検出デバイス１１であって、絶縁部２３がＩＩ−ＶＩＩ族化合物である紫外光検出デバイスを用いることによって前記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】量子型光検知器の活性層の抵抗を確実に制御できるようにし、歩留まりを向上させる。
【解決手段】量子型光検知器を、活性層２と、活性層を挟むコンタクト層３，４と、コンタクト層に設けられた電極９，１０と、活性層の少なくとも一の側面に設けられた第１絶縁膜１３（１３Ａ）と、第１絶縁膜を介して活性層の側面に設けられ、活性層の抵抗を制御するのに用いる第１抵抗制御用電極１４（１４Ａ）とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの表面に接着層を介してガラス基板を貼り合わせる半導体装置において、フォトダイオード上に形成された絶縁膜の窪み部に気泡を内包しないように接着層を充填する事が課題となる。
【解決手段】その上部に層間絶縁膜からなる窪み部１９を有するフォトダイオード４０とＮＰＮバイポーラトランジスタ３０等からなる光電子集積回路が形成された半導体チップ５０において、一般的にはフォトダイオード４０上の窪み部１９領域及びダイシング領域２１以外を遮光膜１７で被覆する。本発明では、更に窪み部１９から該窪み部１９の外側に向かって延在する遮光膜１７の開口路２０を形成することにより課題の解決を図った。 （もっと読む）

【課題】波長６００ｎｍ以上の赤色領域の吸光度を制御することができる光電変換素子、及び該光電変換素子を用いて色再現性が向上した撮像素子を提供すること。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極間に配置された光電変換層とを含む光電変換素子であって、前記光電変換層がｐ型半導体化合物と二種類以上の異なる無置換フラーレンを含む光電変換素子。該光電変換素子を含む撮像素子。 （もっと読む）

【課題】耐湿性を向上させることができる光半導体装置を得る。
【解決手段】絶縁性の台座の上面にチップが配置されている。絶縁性の台座の上面にチップを囲むように低電圧電極１９が配置されている。チップは、第１導電型半導体層１３と、第１導電型半導体層の上面の一部に形成された第２導電型半導体領域１４と、第１導電型半導体層及び第２導電型半導体領域の上面を覆う表面保護膜１５と、第１導電型半導体層に接続された第１電極１６と、表面保護膜に設けられた開口を介して第２導電型半導体領域に接続され、第１電極よりも低い電圧が印加される第２電極１７と、を有する。低電圧電極は、第１電極よりも低い電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】微細化しても高いＳＮ比を得ることを可能にする。
【解決手段】第１導電型の半導体基板上に設けられた複数の画素２０１であって、それぞれが半導体基板の第１面側から入射する光を信号電荷に変換し蓄積する第２導電型の半導体領域２０１ａを有する複数の画素２０１と、半導体基板の第１面と反対の第２面側に設けられ、画素に蓄積された信号電荷を読み出すための読み出し回路と、半導体領域の光が入射する側の面上に周期的に設けられた微細金属構造２５０と、微細金属構造と半導体領域との間に設けられた絶縁膜２３６ａと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体基板と透光板との接合強度を維持し、反りの発生を抑制し、かつ、歩留まりおよび設計の自由度を維持した状態で小型化が可能な光学デバイスおよびその製造方法ならびに電子機器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の光学デバイスは、受光素子２１ａが一表面に形成された半導体基板１と、受光素子２１ａを覆うように半導体基板１上に設けられた透光板４とを備え、半導体基板１と透光板４とは、半導体基板１の受光素子２１ａが形成された受光部２ａ上において、部分的に接合される。 （もっと読む）

【課題】容易且つ高精度に製造することができる光検知器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光検知器の一態様には、下部電極１と、下部電極１上方に形成された活性層２と、活性層２上方に形成された上部電極３と、上部電極３上方に形成された回折部４と、回折部４を覆う反射膜５と、が設けられている。回折部４には、複数の量子ドットが結合して構成された複数の結合ドット４ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】光電素子および、容易かつ低コストで製造可能な、多数の光電素子を有する装置並びに、光電素子に対する容易な製造方法を提供すること
【解決手段】アクティブゾーンおよびラテラル方向のメイン延在方向を有する半導体機能領域を含んでいる形式のものにおいて、当該半導体機能領域は、前記アクティブゾーンを通る少なくとも１つの孔部を有しており、当該孔部の領域内に接続導体材料が配置されており、当該接続導体材料は、前記アクティブゾーンから、少なくとも孔部の部分領域において電気的に絶縁されている、ことを特徴とする光電素子。 （もっと読む）

【課題】高い均一性を備える銀薄膜を熱処理により凝集させて凸凹を形成する場合、温度や表面状態により、一箇所に凝集し、銀薄膜が無くなってしまう領域と、銀が「だま」状に集中してしまう場所ができてしまう場合がある。この場合、本来の目的である乱反射領域にはならず、不良品となる課題がある。
【解決手段】多結晶ＩＴＯ層２０ａを積層し、フォトリソグラフ工程によりレジストマスクを形成した後、多結晶ＩＴＯ層２０ａを例えば塩酸系のエッチング液を用いてエッチングする。ここで、レジストマスクに覆われた部分は配線層として機能する。この場合粒界から選択的にエッチングが進行し、特定の面方位のグレインが残り、エッチングマスクとして機能する残渣２０ｂが形成される。この残渣２０ｂをマスクとして第２層間絶縁層１９をドライエッチングすることでテクスチャー構造を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】印加電圧を増加させることなく、各フォトダイオードからの出力を増加することが可能なフォトダイオードアレイの提供。
【解決手段】アレイの構造は、半導体基板１Ｎとキャパシタ用電極Ｅ２との間に絶縁層Ｌを介してキャパシタＣ１が形成されている。また、Ｎ型の半導体基板１ＮとＰ型の第１半導体領域１ＰＡとの間に、ＰＮ接合が構成されることで、フォトダイオードＤ１が形成され、半導体基板１Ｎは第１電極Ｅ１に電気的に接続され、第１半導体領域１ＰＡは、第２半導体領域１ＰＢを介して、表面電極Ｅ３に接続されている。これらのフォトダイオードＤ１とキャパシタＣ１とは並列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】受光／電荷蓄積層を積層した固体撮像素子であって、固体撮像素子全体の面積を小さくすることができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子は、（Ａ）半導体層12に形成され、Ｍ層（但し、Ｍ≧２）の受光／電荷蓄積層21,22,23が積層されて成る受光／電荷蓄積領域20、（Ｂ）半導体層12に形成された電荷出力領域40、（Ｃ）受光／電荷蓄積領域20と電荷出力領域40との間に位置する半導体層12の部分から構成された導通／非導通制御領域50、並びに、（Ｄ）導通／非導通制御領域50における導通／非導通状態を制御する導通／非導通・制御電極60を備えており、第ｍ層目の受光／電荷蓄積層と第（ｍ＋１）層目の受光／電荷蓄積層［但し、１≦ｍ≦（Ｍ−１）］との間には、受光／電荷蓄積層の電位を制御するための第ｍ番目の電位制御電極31,32が設けられている。 （もっと読む）

【課題】珪素系ＰＩＮ−ＰＤの暗電流を減らすため、ＰＩＮ−ＰＤのＩ層を挟むＰ層、またはＮ層に炭素を加えバンドギャップを大きくし、Ｉ層からの暗電流を抑える方法では、炭化珪素と珪素とでは２５％程度格子定数が異なっており、珪素中に炭素を添加することで大きな応力が生じ、この応力により欠陥が発生し暗電流が増える。また、側面からのリークを下げるのみでは、暗電流を抑制は限定的なものとなる。
【解決手段】ＡｌＮｄを用いたＰＩＮ−ＰＤ１０の第１導電層２０をエッチング液で処理しテクスチャー構造を作り、さらにこの工程で生成されたＡｌＮｄ酸化物を下バリア層２１として用いる。この際、第１半導体層２２と第１導電層２０との間はＦＮ電流により電荷が伝達される。ＦＮ電流が少ない黒状態では下バリア層２１の微分抵抗は高く、暗電流の通過を阻止する。白状態では微分抵抗は低くなり、光電流は通過するので、画像のＳＮ比が上がる。 （もっと読む）

【課題】低い不純物濃度の領域を有する場合や、ゲート絶縁膜中またはゲート電極の表面に電荷が発生した場合であっても、光電流が低下しない薄膜ＰＩＮダイオード素子を提供する。
【解決手段】薄膜ＰＩＮダイオード素子は、ｐ型不純物（ボロンなど）が注入されたｐ領域Ｐ、ｎ型不純物（リンなど）が注入されたｎ領域Ｎ、および各領域に挟持されたｉ領域Ｉを有する半導体島１と、ｐ領域Ｐに接続されたアノード電極２と、ｎ領域Ｎに接続されたカソード電極３と、ｐ領域Ｐとｉ領域Ｉの境界上にゲート絶縁膜１１を介して配置されたゲート電極５と、ｎ領域Ｎとｉ領域Ｉの境界上にゲート絶縁膜１１を介して配置されたゲート電極６と、各ゲート電極５、６上に層間膜１２を介して配置されたゲート電極７とを有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極を有する薄膜ＰＩＮダイオード素子における暗電流を低減して低い照度の検出を可能にする。
【解決手段】薄膜ＰＩＮダイオード素子は、ｐ型不純物（ボロンなど）が注入されたｐ領域Ｐ、ｎ型不純物（リンなど）が注入されたｎ領域Ｎ、および各領域に挟持されたｉ領域Ｉを有する半導体島１と、ｐ領域Ｐに接続されたアノード電極２と、ｎ領域Ｎに接続されたカソード電極３と、ｉ領域Ｉにオーバーラップする主要部５を含むゲート電極６と、を有し、半導体島１のエッジ１００が、ゲート電極６にオーバーラップするエッジ部分１０１を含み、エッジ部分１０１の長さが、主要部５のｐ領域Ｐからｎ領域Ｎに向かう方向の長さ５Ｌより長い。 （もっと読む）

【課題】光電変換層が劣化することを防止して、素子性能の低下を防止することができる光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像装置を提供する。
【解決手段】基板と、該基板の上方に形成された下部電極１２と、下部電極１２の上方に形成された光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂと、光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂの上方に形成された上部電１４極とを含む光電変換素子１を有する画素が複数配列され、各画素の光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂが上部電極１４で封止され、隣り合う画素の上部電極１４が電気的に接続されている。 （もっと読む）