【課題】結晶シリコンにおける再結合の低減に依存せずに開放電圧を増大し得る太陽電池を提供する。
【解決手段】、太陽電池１０は、ｐｎ接合を有する結晶Ｓｉ層５０と、結晶Ｓｉ層５０の第１主面５０ａｓ上に形成された半導体層６０とを備える。半導体層６０は、結晶Ｓｉ層５０の半導体層６０と接触している部分の導電型と同じ導電型を有する。太陽電池１０への光照射時の開放電圧は、結晶Ｓｉ層５０内における電子の擬フェルミ準位とホールの擬フェルミ準位との準位差と異なる。 （もっと読む）

【課題】光吸収層としてＣＺＴＳ系化合物を用いた光電素子において、変換効率を向上させること。
【解決手段】Ｎａを含む基板表面に下部電極を形成する下部電極形成工程と、前記下部電極の上にＣｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物系化合物半導体からなる光吸収層を形成する光吸収層形成工程と、Ｎａ−Ｏ系粒子を溶解可能な溶媒を用いて、前記光吸収層を洗浄する洗浄工程とを備えた光電素子の製造方法、及び、このような方法により得られる光電素子。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の裏面上にｐ側、ｎ側の両電極の取出構造を有する太陽電池において、貫通孔内におけるリークや短絡の発生を抑制することにより向上した光電変換効率を得ることのできる太陽電池及び太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】
太陽電池１０において、スルーホール２６は、受光面に設けられた第１の開口２６ａと、裏面に設けられた第２の開口２６ｂとを有しており、受光面と平行な投影面上において、第１の開口２６ａ内には、第１のＴＣＯ薄膜２４が形成され、第２の開口２６ｂ内には、第２のＴＣＯ薄膜２５が形成されており、第１の開口２６ａと第２の開口２６ｂとは互いに重なっておらず、第１のＴＣＯ薄膜２４と第２のＴＣＯ薄膜２５とは電気的に絶縁されている。 （もっと読む）

【課題】欠陥の低減ができ、表面の平坦性を向上させることができ、しかも、製膜温度の低温下を可能とした、薄膜太陽電池の光吸収層の製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池を構成する、入射光によりキャリアを生成する光吸収層について、X、YおよびZの各成分を、MBE装置２０内において、基板１０に形成されている裏面電極１１上に蒸着して、XYZ₂の化合物膜を形成する際に、X、YおよびZの各成分の各凝集エネルギのうち、最も高い凝集エネルギより高い光子エネルギを、光照射装置３０を用いて与えることができる波長の光を照射する。 （もっと読む）

【課題】低電圧でありながら高出力の光起電薄膜モジュールを提供する。
【解決手段】光起電モジュール１０は、互いに連結された複数のサブモジュール１１、１２、１３を有する。サブモジュール１１、１２、１３の各々は、透明は受光面電極層１５、半導体層１６及び裏面電極層１７を有し、また、各々の層には分離線１８、１９、２０が形成されており、サブモジュールを直列に接続することによって帯状の光起電セルＣが形成される。２つの隣接したサブモジュール１１、１２又は１２、１３の外側のセルＣｎ、Ｃ１は、電流を取り出すための、共用のタップ・セルＣｎ、Ｃ１に構成されており、また、２つの隣接したサブモジュール１１、１２又は１２、１３には、分離線１８、１９、２０が、共用のタップ・セルを境にして鏡面対称に形成されている。 （もっと読む）

【課題】より経済的であり、特に高価でない設備用途を可能にする、反りの少ない基板用キャリアを有する被覆設備を提供する。
【解決手段】基板キャリア１は、ガラス−セラミックから作られた板２から本質的に成る。ガラス−セラミック材は、これまでに使用されてきたＣＦＣ材料より高価でなく、短期間で配送される。また、ガラス−セラミック材は、耐熱性があり、低密度、低熱膨張を兼備した高い弾性係数を有し、弾性係数の温度依存性は、ＣＦＣ材料より低いので、加熱中の反りが少ない。 （もっと読む）

クラスタツールを用いて、ｎドープシリコン、ｐドープシリコン、真性非晶質シリコン、及び真性微結晶シリコンから太陽電池パネルを形成するための方法及び装置を開示する。本発明のクラスタツールは、少なくとも１つのロードロックチャンバと少なくとも１つの搬送チャンバを備えている。複数のクラスタを使用する場合、少なくとも１つのバッファチャンバがクラスタ間に存在し得る。搬送チャンバには、複数の処理チャンバが取り付けられている。わずか５つ〜１３個もの処理チャンバが存在し得る。

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【課題】 基板を効率的に搬送可能とし、基板の処理効率を向上させる。
【解決手段】 処理チェンバーと、処理チェンバーに基板を搬出入する基板の搬送機構とを備えた基板の処理装置において、前記基板の搬送機構が、基板１０をセットする少なくとも４個のセット部が周方向に均等間隔に設けられ、一方向に間欠回転されて、前記各々のセット部に対応する配置に設けられたステージＳ１〜Ｓ９間で順次基板３０を搬送する回転テーブル５０、および基板３０に処理を施す処理チェンバー５２ａ〜５２ｆを備えた処理部Ｅと、該回転テーブル５０との間で基板３０を移載する移載機構部Ｄとを備え、前記ステージが、前記移載機構部Ｄとの間で基板３０を移載する移載用のステージＳ１〜Ｓ３と、前記基板３０に処理を施す処理ステージＳ４〜Ｓ９とからなり、前記処理チェンバー５２ａ〜５２ｆが、前記処理ステージＳ４〜Ｓ９において前記回転テーブル５０の上方に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）