【課題】半導体の凝固方法を提供する。
【解決手段】ドーパントを含む第一の半導体チャージ１２０から溶融半導体１０３のバスを形成する段階と、溶融半導体１０３の凝固段階とを含み、更に、ドーパントを含む補充半導体チャージ１２０を溶融半導体１０３のバスに添加する一つ以上の段階を、凝固中に実施することを含む。補充半導体チャージ１２０は固体状または液体状である。また、電子アクセプタードーパントはホウ素原子であり、電子ドナードーパントはリン原子である。 （もっと読む）

【課題】スクリーン印刷のような低コストプロセスが適用可能で、かつ高いセル効率を得ることができる、低価格の板状シリコン、その製造方法、下地板および太陽電池を提供する。
【解決手段】シリコン融液に下地板１を接触させて、該下地板表面上にシリコン結晶を成長させるための下地板の加工部材であって、凹凸形状部３を下地板上に形成可能な刃７を有する直線加工部材６を用いて、下地板１の頂部表面を６０°の角度を付けられた２つの直線状に切削することにより、凹凸形状部を形成することができる。例えば、互いに６０度の角をなす２方向（α１，β１方向）への直線状加工を行うことで作製した下地板１の凸部４の形状は四角錐となり、前記２方向（α１，β１）と互いに６０度の角をなす方向（γ１）にも直線状加工を施すことで、六角錐形状の凸部４を持つ下地板１が作製可能である。 （もっと読む）

【解決手段】窒素ドープされた多結晶シリコンおよび該多結晶シリコンからなる多結晶シリコン基体。好ましくは、赤外吸収スペクトルにおいて、９６３±５ｃｍ^-1および／または９３８±５ｃｍ^-1の波数位置にピークを有する。ならびに、窒素含有シリコン融液を調製する工程を含む多結晶シリコン基体の製造方法、および上記基体を用いた光電変換素子。
【効果】窒素ドープされた多結晶シリコン基体を用いた光電変換素子は、従来と比較して変換効率が高く、コストパフォーマンスが高い。 （もっと読む）

【課題】背面場の形成に悪影響を与えない、商業的規模での製造に適用可能な改良されたプロセスを提供する。
【解決手段】第１ドーパントを含む半導体ウェハ１０の前面上に、第１ドーパントとは反対の導電率タイプのドーパントを含む第１層１５を形成する工程と第１層上方で前面上に表面コーティング３０を堆積させる工程と表面コーティングを堆積させた後、前面に溝を形成する工程と第１ドーパントとは反対の導電率を有するドーパントで溝をドーピングする工程と第１ドーパントとは反対の導電率タイプを有するドーパントの少なくとも実質的に全部を除去するようにウェハの背面を処理する工程と背面場４５を形成する工程と背面上方にバック電気接点５０を形成する工程と導電性物質を溝に添加してフロント電気接点４０を形成する工程とを具備する光起電力電池を製造する方法。 （もっと読む）

液体供給材料、例えばシリコンのメルトプールから連続的に結晶リボンを製造する装置及び方法。シリコンは、溶融され且つ成長トレイ内へ流されて液体シリコンのメルトプールを提供する。当該メルトプールからチムニーを介して上方へ熱を流れさせることによって、熱が受動的に除去される。熱の損失をチムニーを介して生じさせながら、シリコンを液体相に保つために、成長トレイに熱が同時に適用される。熱がチムニーを介して失われるときに、シリコンが“凍結”（すなわち、凝固）し始め且つテンプレートに付着するように、テンプレートがメルトプールと接触せしめられる。当該テンプレートは、次いで、メルトプールから引き出されて結晶シリコンの連続するリボンが製造される。 （もっと読む）

本発明は、当初、0.2 ppma〜10 ppmaのホウ素と0.1 ppma〜10 ppmaのリンを含有する珪素供給原料から、太陽電池用のウエファーを製造するための、指向的に凝固させたチョクラルスキー、フロートゾーン又は多結晶質珪素インゴット又は薄いシート又はリボンを製造する方法に関する。珪素供給原料のホウ素含有量がリン含有量より大きい場合には、溶融珪素に非連続的に、連続的に又は実質的に連続的にホウ素を添加して、指向的凝固プロセス中、溶融珪素中のホウ素含有量をリン含有量より高く保持することにより、p−型材料として凝固する、指向的に凝固させたインゴット又は薄いシート又はリボンの部分を伸長させる。珪素供給原料のリン含有量がホウ素含有量より大きい場合には、溶融珪素に非連続的に、連続的に又は実質的に連続的にリンを添加して、指向的凝固プロセス中、溶融珪素中のリン含有量をホウ素含有量より高く保持することにより、n−型材料として凝固するインゴット又は薄いシート又はリボンの部分を伸長させる。 （もっと読む）

【課題】外部手段を利用しない、従って引上げ構造及び引上げ操作自体を簡明にする半導体材料層のデポジッティング方法と、これに用いる、半導体材料の薄層で被覆するべきカーボンリボンを提供する。
【解決手段】本発明による、カーボンリボン（５４）への半導体材料層のデポジッティング方法では、カーボンリボンを溶融した半導体材料の槽液（１２）を通して略垂直上方に通過させることによりカーボンリボンの両面（５８、６０）の少なくとも片面を半導体材料層（７２、７４）で被覆する。本発明によれば、各リム（６８、７０、９８、１００）を形成するように、カーボンリボンの両面の少なくとも片面の両端部は突出形状に形成されている。 （もっと読む）

半導体材料（４０、４２）の少なくとも１つのリボンを引き上げる方法であって、互いに間隔を置いて配置された２つの平行なフィラメント（２４、２６）が連続する方法で半導体材料の溶融生成物の表面を通して垂直方向上向きに通過し、リボン（４０、４２）がフィラメントの間で実質的に前記表面に位置する毛細管流の凹凸面（ｍｅｎｉｓｃｕｓ）から形成される方法。本発明によると、支持ストリップ（２２）がフィラメント（２４、２６）の間に介在してフィラメントによって画定された平面に含まれ、支持ストリップ（２２）がフィラメントと同じ速度で連続する方法で溶融半導体材料の溶融生成物の表面を通して垂直方向上向きに通過し、半導体材料（４０、４２）のリボンが支持ストリップの２つの面の一方に形成されて記面によって支持される。本発明は、光電池を製造するための多結晶シリコンリボンを作るのに使用することができる。 （もっと読む）

表面と裏面とを有する基板を提供する工程と、１００ｎｍより厚い膜厚を有する誘電体層を裏面に堆積する工程と、誘電体層の上に、水素化されたＳｉＮを含む保護層を堆積する工程と、誘電体層と保護層とを通るバックコンタクトを形成する工程とを含む、例えば太陽電池のような光起電装置の製造方法が記載される。また、表面と裏面とを有する基板を提供する工程と、裏面上に誘電体層スタックを堆積する工程であって、誘電体スタックは、誘電体層のサブスタックを含み、サブスタックは厚さが１００ｎｍより厚く、また誘電体層スタックは厚さが２００ｎｍより厚くなる工程と、誘電体層スタックを通るバックコンタクトを形成する工程とを含む、例えば太陽電池のような光起電装置の製造方法が記載される。例えば太陽電池装置のような対応する光起電装置が記載される。
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【課題】 被印刷基板の凹凸面に追従してペースト層を均一な厚さで形成することができるスクリーン印刷方法およびその方法を用いて製造された太陽電池を提供する。
【解決手段】 規則的な凹凸部が形成されている凹凸面を有する被印刷基板にペースト材料を塗布するスクリーン印刷法であって、規則的な凹部を形成する線Ｌｋ（またはＭｋ）とスクリーンマスクを形成する線材Ｘｋ（またはＹｋ）とが一致しないように被印刷基板の前記凹凸面上にスクリーンマスクを配置して、前記凹凸面上にペースト材料を印刷することを特徴とするスクリーン印刷方法。 （もっと読む）

本発明は、複合リボン（２０）を形成するカーボンリボン（１０）上で連続的に堆積される半導体材料の少なくとも１つの層に光電池を形成する光電池の製造方法に関し、前記層はカーボンリボンと接触する面と反対側に自由面（２２、２４）を有している。本発明によると、前記層上の前記光電池の光発電機能を付与するために、カーボンリボンを除去する前に前記半導体材料の層に前記自由面（２２、２４）から少なくとも１つの処理（２８）が施される。本発明は、光電池の製造における生産性を増大させることを可能にし、その電池は非常に薄くすることができる。 （もっと読む）

融解物から結晶性または多結晶ボデーを成長させる方法および装置が説明される。ここで、融解物は毛管付着によってメサ型るつぼのエッジ特徴へ保持される。結果の融解物面の境界外形は、融解物面から成長するリボンが平坦なボデーとして成長する誘導効果を生じる。更に、融解物プールのサイズは、これらのエッジをリボンの近くへ持ってくることによって大幅に縮小され、材料コストおよびプロセスに関連づけられた電力コストを低減する。
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【課題】 大きさがコンパクトで、高品質なシリコンウエハを得ることのできる薄板製造装置を提供する。
【解決手段】 薄板製造装置３０には、第１開閉扉３７によって連通／遮断される第１および第２チャンバ３２ａ，３２ｂと、第１または第２チャンバ内に収容され、シリコンの融液を貯留する２つの坩堝３１ａ，３１ｂと、坩堝を第１チャンバと第２チャンバと間で自在に移動させることのできる坩堝移動手段３６と、第１チャンバ内に設けられ、下地基板３３を着脱自在に保持し、下地基板を坩堝内の融液に浸漬する浸漬手段３５とが、備えられる。浸漬手段は、坩堝移動手段によって第１チャンバ内で並列になるように配置される２つの坩堝のうちから選択される１つの坩堝に下地基板を浸漬し、下地基板の結晶生成面で多結晶シリコンウエハを凝固成長させる。 （もっと読む）

本発明は、一体化した電界（「ドリフト電界」）によって標的電荷キャリアをｐ−ｎ遷移へと移送するシリコン薄膜の製造方法について記載している。結晶化の速度を変化させ、液状シリコンにドーピング物質を前もって導入することによって、薄膜の厚さに渡ってシリコン中のドーピングプロファイル中に勾配が作られるように、結晶化プロセスを実施することができる。ドーピングプロファイルのこの勾配が、電界を生じさせる。様々な薄膜キャスティング技術を用いて、このように比較的簡単なやり方で、太陽電池の製造に適した薄膜を作製することができる。 （もっと読む）

本発明によれば、線形溶融ゾーンからの成長によって半導体リボンを連続的に製造するための方法が提供される。溶融ゾーンの生成は、前記材料を融解させるだけの十分に強烈な直流電流又は交流電流を好ましくは前記材料の電極を使用してリボンの表面に平行に、且つ、成長の方向に直角に印加することによって達成される。溶融ゾーンは、原料が融解する１つ以上のリザーバからの液体状態の材料の移動によって供給される。前記電極及び前記１つ以上のリザーバは、前記材料によってのみ構成されることが好ましく、それにより異物による汚染が回避される。本発明は、例えば光起電性用途のためのシリコン・リボン製造産業に適用することができる。

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【課題】本発明は、縦の両面（43、44）と縦方向の両エッジ(41、42)を有する平面であり細長い可動式支持材(4)上に、多結晶シリコンを主成分とした層を析出させる装置に関する。
【解決手段】溶融シリコン槽(2)、槽に少なくとも一部が浸され槽の平衡な液面に対し長さ方向に垂直になるよう設計された支持材(4)を含んだるつぼと、少なくとも1つのエッジ制御要素(5、5´)と、を備え、各エッジ制御要素は、二つの縦方向のエッジ（41、42）のうちの一つの近傍で垂直に設置されている。
各エッジ制御要素には壁面があり、その壁面（51から53´）が縦方向エッジ近くに縦の挿入口を形成している。それぞれの挿入口は、縦方向のエッジ付近で毛管現象により槽(2)のレベルが上昇できるよう槽(2)の一部に浸漬させる。
挿入用壁面と呼ばれる縦の面のうちの一つの一部に面した壁面(51から52´)のうち、少なくとも1つは平面であることが、この装置の特徴である。
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