【課題】 トランジスタを形成する際に、そのトランジスタの下方に形成されている膜が受ける熱的ダメージを低減することができる半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 第１絶縁膜３７の上に遮蔽膜３８を形成する工程と、遮蔽膜３８の上に第２絶縁膜３９と非晶質半導体膜４０とを順に形成する工程と、非晶質半導体膜４０にエネルギービームを照射し、少なくとも薄膜トランジスタのチャネルとなる部分の非晶質半導体膜４０を溶融して多結晶半導体膜４１にする工程と、上記チャネルの上の多結晶半導体膜４１上にゲート絶縁膜４３ａとゲート電極４４ａとを順に形成する工程と、ゲート電極４４ａの横の多結晶半導体膜４１にソース／ドレイン領域４１ａを形成し、該ソース／ドレイン領域４１ａ、ゲート絶縁膜４３ａ、及びゲート電極４４ａでTFT６０を構成する工程と、を有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】 紫外線領域の波長を有するレーザに対して耐久性の高いマスクを提供する。
【解決手段】 本発明の投影マスクは、紫外線領域の波長を有する第１のレーザを通過させる投影マスクであって、遮光部の材質がアルミニウムと高融点金属を含む組成の合金であることを特徴とする。高融点金属は、タングステンまたはモリブデンが好ましい。また、本発明の半導体デバイスの製造方法は、基板上に形成された半導体膜にレーザを照射して結晶化する製造方法において、紫外線領域の波長を有する第１のレーザを通過させる投影マスクであって、遮光部の材質がアルミニウムと高融点金属を含む組成の合金である投影マスクにより第１のレーザの照射領域を限定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 結晶のサイズが大きく表面の平坦性が高い半導体結晶薄膜の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】 基板上に形成された半導体薄膜１１にレーザを照射して半導体結晶薄膜を製造する方法であって、主レーザビームから形成される第１種のスリットビーム群１１１と、第１種のスリットビーム群１１１を含む照射領域を有する副レーザビーム１２０とを用いて、半導体薄膜１１を結晶化させることにより半導体結晶薄膜を形成する工程と、主レーザビームから形成される第２種のスリットビーム群１１２を用いて、半導体結晶薄膜に生じたリッジの高さを低減する工程とを含む半導体結晶薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】粒径均一性に優れた大粒径の多結晶シリコンを得るためのレーザ光の照射処理を高速に行うことが可能なレーザ処理方法、およびこの処理方法に用いるレーザ照射装置を提供する。
【解決手段】第１の周期ΔＴでパルス発振されるレーザ光Ｈを、第１の周期ΔＴ毎にさらに第２の周期Δｔに分割して発振させる。このレーザ光Ｈの照射領域ａが、処理を行う基板表面において略均一となるように、基板表面を略等速度ｖで移動させながら、基板表面に対してレーザ光Ｈを照射する。基板表面には、発振させたレーザ光を複数の光束に分割して互いに干渉させることによって発生させた周期的な光パターンＨｐを照射する。また、基板表面は、光パターンの周期方向に略等速度で移動させる。 （もっと読む）

【課題】 量産に適した平面表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 周辺部領域を非晶質半導体膜５１とし、それ以外の領域を多結晶半導体膜５２とした基板２０に対して、非晶質半導体膜５１に連続発振固体ＹＶＯ₄レーザ第二高調波を照射し、レーザ光が照射された領域のみを多結晶化してアライメントマーク５７,５８,５９,６０・・を形成する。その後、多結晶半導体膜５２の所望の領域に同一レーザを線状に整形して異なるエネルギ密度で走査しながら照射し、照射部分を横方向成長多結晶半導体膜に変換する。これにより、非晶質と多結晶の反射率の差によるアライメントマークと駆動回路が形成される領域のみを横方向成長多結晶膜に同一レーザ源を用いて形成できる。 （もっと読む）

【課題】光電変換層がアモルファスシリコンで形成されていると、アモルファスシリコン内の高密度の局在準位（ギャップ準位）が画質悪化の要因となる。
【解決手段】素子チップの上部に光電変換層２０を積層してなる積層型固体撮像素子において、光電変換層２０を単結晶シリコンで形成することで、光電変換領域内のギャップ準位を大幅に低減し、当該ギャップ準位に起因する残像や暗電流を改善する。 （もっと読む）

【課題】従来技術の問題点を解決したレーザ加工方法及びレーザ加工装置に製造方法を提供する。
【解決手段】レーザを用いたレーザアニール方法およびレーザアニール装置において、光路中にホモジナイザ５、光変調素子６、受光素子７を配し、受光素子７により、光変調素子６にて発生した回折光を遮光することにより、装置に対するダメージを低減することが出来る。また受光素子７が光強度測定機能、もしくは光電変換機能を具備することにより、光軸３が正常な範囲の光強度を有するかどうかを判断することが出来、また受光した光エネルギーを、再度装置で使用することも可能となる。 （もっと読む）

基板１０上に半導体薄膜１４を形成する工程と、半導体薄膜又は半導体薄膜上に、半導体薄膜の結晶成長を阻害する部分１６を帯状に形成する工程と、結晶成長を阻害する部分の長手方向に交差する方向に連続波のエネルギービーム１８を走査することにより、半導体薄膜を結晶化する工程とを有している。結晶成長を阻害する部分に交差するようにエネルギービームを走査するため、エネルギービームの照射領域が結晶成長を阻害する部分に交差する際に、結晶成長が引き継がれるのを阻害することができる。従って、島状にパターニングされていないベタ状の半導体薄膜を結晶化する場合であっても、膜の剥がれを防止しつつ、高い歩留りで良好な結晶を有する半導体薄膜を形成することができる。
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【課題】 所定の平面上に形成される光強度分布を、１回の光照射および物性変化の評価に基づいて迅速に且つ正確に測定する。
【解決手段】 光変調素子（１）により結像光学系（３）の像面またはその近傍の所定の平面に第１方向に沿って変化する第１光強度分布を測定する測定方法。可視化シフタ（１１）により所定の平面において第１方向と直交する第２方向に沿って単調に変化する第２光強度分布を形成し、第２光強度分布と第１光強度分布との合成光強度分布を、所定の平面に設定されて入射光の強度に応じて物性が変化する物性変化部材（１２）上に形成する。そして、物性変化部材の物性変化の二次元情報に基づいて第１光強度分布を測定する。 （もっと読む）

【課題】 表面に非晶質シリコン膜が形成された基板の全面を、予め多結晶シリコン膜にすることなく、大きなシリコン結晶粒が得られるレーザアニール方法を提供する。
【解決手段】 レーザアニール方法は、（ａ）表面に非晶質シリコン膜が形成された基板に、パルスレーザ光を照射して、シリコン結晶粒を形成する工程と、（ｂ）前記工程（ａ）で形成されたシリコン結晶粒に接する領域を起点とし、連続波レーザ光を第１の方向に走査して、前記非晶質シリコン膜上において、該シリコン結晶粒を種結晶とするシリコン結晶粒を、該第１の方向に成長させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 アニール結果物の品質低下を防止することができるレーザアニール装置及びレーザアニール方法を提供する。
【解決手段】ガラス板３１上にアモルファスシリコン膜３２を形成した被処理基板３は、波長５３２ｎｍの処理用レーザ光Ｌの一部を吸収し、一部を透過させる性質をもつ。被処理基板３を、御影石からなるプレート本体５１の表面に、処理用レーザ光Ｌの照射によって御影石よりも損傷を受けにくいアルミナからなる層５２を形成した真空チャックプレート５上に載置する。真空チャックプレート５上に載置された被処理基板３に、処理用レーザ光Ｌを入射させ、処理用レーザ光Ｌが入射した領域のアモルファスシリコンを多結晶化する。 （もっと読む）

【課題】相変化不揮発性メモリセル用の相変化材料に関し、素子作成プロセス中に前記相変化材料近傍において剥離などの破壊を生じさせない初期結晶化を行い、書き換えの初期から特性を安定させる結晶化装置を提供する。
【解決手段】 大出力レーザによる加熱結晶化を行う。シリコンウェハ８の搬送は、１方向の搬送を基本とする。その搬送方向に垂直な方向にレーザヘッド６を往復運動させてレーザ照射する。回転運動を加えてもよい。ウェハ受け９周辺部にウェハを位置決めする立ち上がり部分が有り、その一部に横からウェハを持ち上げる操作部が入る切り欠きを持つ。レーザスポット面積と照射時間を所定の範囲内とする。装置の一部が真空製膜装置の中にあってもよい。 （もっと読む）

【課題】 ２種類のレーザを用いて基板温度を制御することによって、従来のレーザアニール法に比べて大きな結晶粒の多結晶半導体膜を得ることを可能にし、半導体膜内での結晶粒長さのばらつきを小さくして所望の領域全体を効率よく結晶化させる。
【解決手段】 半導体デバイスの製造方法は、基板上に形成された半導体膜をレーザ光照射によって結晶化する過程において、基板に吸収される第一のレーザ光を照射する工程と、半導体膜に吸収される第二のレーザ光を照射する工程と、半導体膜に対してレーザ光を相対的に走査してレーザ照射を繰り返すことによって結晶化された領域を拡大する工程とを含み、基板と半導体膜において所望の温度が得られるようにレーザ光強度が変調されることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板内を効率よく利用してビーム幅以上の大きさのパネルを製造するため、薄膜トランジスタの閾値がパネル内で異なることを許容して製造コストを下げることができる表示装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】特定の画素ライン上の薄膜トランジスタの閾値と他の画素ラインの薄膜トランジスタの閾値の差を補償するため、特定の画素と他の画素ラインで異なる駆動回路を持つ。あるいは駆動電圧を個別に調整可能とする。 （もっと読む）

本発明は、第１の基板上に金属膜、絶縁膜及び非晶質半導体膜を順に形成し、前記金属酸化物膜及び前記非晶質半導体膜を結晶化し、該結晶化された半導体膜を活性領域に用いて第１の半導体素子を形成した後、前記第１の半導体素子上に粘着材を用いて支持体を接着し、前記金属膜と前記絶縁膜との間で剥離し、前記剥離された絶縁膜に第２の基板を接着したのち、前記第１の粘着材を除去して前記支持体を剥離し、前記第１の半導体素子上に非晶質半導体膜を形成し、該非晶質半導体膜を活性領域に用いる第２の半導体素子を形成することを特徴とする。
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【課題】 ＳＬＳ法によって２種類のレーザ光の照射で結晶化を繰り返す工程において、基板蓄熱の影響によって成長する結晶長が各照射ショットによって異なる。
【解決手段】 絶縁体基板上に形成された半導体膜をレーザ光照射によって結晶化する過程を含む半導体デバイスの製造方法において、絶縁体基板または溶融状態の半導体膜に吸収される波長を有する第一のレーザ光を照射する工程と、半導体膜に吸収される波長を有する第二のレーザ光の照射によって半導体膜を溶融させた後に結晶成長させる工程と、半導体膜をレーザ光に対して相対的に走査してレーザ光照射を繰り返すことにより結晶化された領域を拡大する工程とを含み、第二のレーザ光の照射ごとに基板走査速度を変化させることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】基板への熱的負荷を小さく抑えた半導体薄膜のアニール処理に好適に用いることが可能なレーザ処理装置を提供する。
【解決手段】処理対象となる基板Ｗを載置するステージ１と、半導体レーザ発振器からなる光源部３と、光源部３から発振されたレーザ光Ｌｈのビーム径を整形するビーム整形部５と、ビーム整形部５で整形されたレーザ光Ｌｈを所定方向に走査させながらステージ上に載置された基板Ｗに対してレーザ光Ｌｈを照射する走査部７とを備えた。 （もっと読む）

本発明は剥離工程を簡略化し、且つ大型基板に対する剥離・転写を均一に行う方法を提供する。本発明は剥離工程における第１の接着剤の剥離と、第２の接着剤の硬化と、を同時に行って、作製工程を簡略化することを特徴とする。また本発明は、半導体素子の電極まで形成された被剥離層を所定の基板に転写するタイミングを工夫することを特徴とする。特に大型基板に複数の半導体素子を形成した状態で剥離を行う場合、圧力差を利用して基板を吸着して剥離を行うことを特徴とする。
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【課題】ＭＯＳ集積回路と受動素子の複合デバイスが可能で、半導体装置のサイズ並びに製造コストも低減できるＳＯＩ基板を提供すること。
【解決手段】多角形の断面を有するファイバー１と、ファイバー１の少なくとも一面上で成膜後に結晶化された半導体薄膜３とを有するファイバーＳＯＩ基板５であって、ファイバー１の表面には、ファイバー１の線方向に延び且つ幅方向に間隔をおいて複数配置される溝８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの結晶質半導体層における活性領域に含まれる触媒元素の濃度を十分に低減させ、そのような装置を、工程数を増やす事なく、かつ低コストに製造する事を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１０は、チャネル領域７、ソースおよびドレイン領域９を含む結晶質領域を有する半導体層１３と、半導体層１３の少なくともチャネル領域７、ソースおよびドレイン領域９の上に形成されたゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３を介してチャネル領域７に対向するように形成されたゲート電極５とを有し、半導体層１３は、ソースおよびドレイン領域９よりも高い濃度で触媒元素を含むゲッタリング領域１１をさらに有し、ゲッタリング領域１１の上のゲート絶縁膜３は、ゲート絶縁膜３のうち少なくともゲート電極５と半導体層１３との間に位置する部分よりも薄い。 （もっと読む）