【課題】 トランジスタを形成する際に、そのトランジスタの下方に形成されている膜が受ける熱的ダメージを低減することができる半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 第１絶縁膜３７の上に遮蔽膜３８を形成する工程と、遮蔽膜３８の上に第２絶縁膜３９と非晶質半導体膜４０とを順に形成する工程と、非晶質半導体膜４０にエネルギービームを照射し、少なくとも薄膜トランジスタのチャネルとなる部分の非晶質半導体膜４０を溶融して多結晶半導体膜４１にする工程と、上記チャネルの上の多結晶半導体膜４１上にゲート絶縁膜４３ａとゲート電極４４ａとを順に形成する工程と、ゲート電極４４ａの横の多結晶半導体膜４１にソース／ドレイン領域４１ａを形成し、該ソース／ドレイン領域４１ａ、ゲート絶縁膜４３ａ、及びゲート電極４４ａでTFT６０を構成する工程と、を有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】光電変換層がアモルファスシリコンで形成されていると、アモルファスシリコン内の高密度の局在準位（ギャップ準位）が画質悪化の要因となる。
【解決手段】素子チップの上部に光電変換層２０を積層してなる積層型固体撮像素子において、光電変換層２０を単結晶シリコンで形成することで、光電変換領域内のギャップ準位を大幅に低減し、当該ギャップ準位に起因する残像や暗電流を改善する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＬＳ法によって２種類のレーザ光の照射で結晶化を繰り返す工程において、基板蓄熱の影響によって成長する結晶長が各照射ショットによって異なる。
【解決手段】 絶縁体基板上に形成された半導体膜をレーザ光照射によって結晶化する過程を含む半導体デバイスの製造方法において、絶縁体基板または溶融状態の半導体膜に吸収される波長を有する第一のレーザ光を照射する工程と、半導体膜に吸収される波長を有する第二のレーザ光の照射によって半導体膜を溶融させた後に結晶成長させる工程と、半導体膜をレーザ光に対して相対的に走査してレーザ光照射を繰り返すことにより結晶化された領域を拡大する工程とを含み、第二のレーザ光の照射ごとに基板走査速度を変化させることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ集積回路と受動素子の複合デバイスが可能で、半導体装置のサイズ並びに製造コストも低減できるＳＯＩ基板を提供すること。
【解決手段】多角形の断面を有するファイバー１と、ファイバー１の少なくとも一面上で成膜後に結晶化された半導体薄膜３とを有するファイバーＳＯＩ基板５であって、ファイバー１の表面には、ファイバー１の線方向に延び且つ幅方向に間隔をおいて複数配置される溝８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して、結晶性半導体膜を形成するとともに該結晶性半導体膜から触媒元素を除き、その後逆スタガ型薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】 厚さによって濃度と分布が変化する金属触媒を含むキャッピング層パターンを利用して結晶化工程を実施し、非晶質シリコン層とキャッピング層パターンの界面に形成されるシードの密度及び位置を制御して、結晶粒の大きさと均一度を向上させ、一回の結晶化工程で所望の大きさ及び均一度の多結晶シリコンを所望の位置に選択的に形成し、特性が優秀で、所望の特性を有する薄膜トランジスタを形成する。
【解決手段】 基板と、基板上に形成され、金属触媒が所定の分布で含まれ所定の高さ及び幅のキャッピング層パターンを利用し、キャッピング層下部の非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に結晶化し、結晶粒の大きさが相異なる複数個の半導体層、及び半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜及びソース／ドレイン電極を含んで構成された薄膜トランジスタ製造方法。 （もっと読む）

【課題】 基板を損傷させることなく単結晶化領域を拡大させることができ、工業的生産性に優れた半導体薄膜の製造方法および半導体薄膜の製造装置を提供する。
【解決手段】 前駆体半導体薄膜に吸収される波長を有する主パルスレーザおよび副パルスレーザを時間的および空間的に重ね合わせて前駆体半導体薄膜に照射して多結晶半導体薄膜を製造する方法であって、主パルスレーザの照射開始後に複数の副パルスレーザからなる副パルスレーザ列を照射し、主パルスレーザの照射が完了した後に副パルスレーザ列の照射を完了させる半導体薄膜の製造方法とこの製造方法を実施するために用いられる半導体薄膜の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】 製造プロセスが簡単になり、低温多結晶シリコン素子の特性が向上する低温多結晶シリコン素子の製作方法を提供。
【解決手段】 基板１０にバッファ層１１を形成し、ａ−Ｓｉ：Ｈ層を成長させ、水素を除去後レーザによりａ−Ｓｉを多結晶シリコン１２に転換する。エッチングにより多結晶シリコンアイランドを形成した後、ゲート酸化層１３と金属層を形成し、エッチングによりゲート電極１４とデータライン１５とを形成する。ゲート電極をマスクとしてイオン注入を行いソース領域１６とドレーン領域１７を形成する。そしてパッシベーション層１８を形成し、エッチングによりパッシベーション層１８にコンタクトホールを形成し、コンタクトホールに透明導電性材料Ａを充填することにより、ソース領域１６とドレーン領域１７とデータライン１５との接続を完成する。 （もっと読む）

【課題】 結晶粒の大きさ及び結晶が成長する位置、方向を調節して素子特性を向上させて、均一な値を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の方法は基板上に非晶質シリコーン層を形成する段階、非晶質シリコーン層上にギャッピング層を形成する段階、ギャッピング層上に金属触媒層を形成する段階、金属触媒層にレーザービームを選択的に照射して金属触媒を拡散させる段階及び非晶質シリコーン層を結晶化する段階を含むことを特徴とする。ＳＧＳ法を利用して非晶質シリコーン層を結晶化することにおいて、レーザービームの選択的な照射を介して金属触媒の均一な低濃度拡散制御を可能なようにして、結晶粒の大きさ及び結晶が成長する位置、方向を調節して素子特性を向上させて、均一な値を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する利点がある。 （もっと読む）

【課題】 金属触媒の拡散が困難な酸化膜と容易な窒化膜で二重キャッピング膜を形成し、その上に金属触媒層を形成した後に結晶化することにより、金属触媒が酸化膜を容易に通過できず、少量の金属触媒のみが結晶化に寄与する。これにより結晶粒径が大きい多結晶シリコン層を形成し、これで半導体層を形成し特性が優れた薄膜トランジスタを得る。
【解決手段】 絶縁基板上に形成された半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜、ソース／ドレーン電極を含み、ゲート絶縁膜は１から２０Åの厚さのフィルターリング酸化膜からなる薄膜トランジスタ及びその製造方法。金属触媒の拡散が困難なフィルターリング酸化膜を用いて結晶化に寄与する金属触媒の量を調節し、調節された金属触媒によって多結晶シリコン層の結晶粒の大きさを大きく形成し、多結晶シリコン層に残留する金属触媒の量を最小化して特性が優れた薄膜膜トランジスタを製造できる効果がある。 （もっと読む）

【課題】 本発明は絶縁基板上にゲート電極及びゲート絶縁膜を形成して、ゲート絶縁膜上に非晶質シリコーン層を形成した後、ギャッピング層及び金属触媒層を形成して、熱処理して非晶質シリコーン層を多結晶シリコーン層で形成した後、エッチング阻止層及びソース／ドレイン領域とソース／ドレイン電極を形成してＳＧＳ結晶化法で結晶化されたチャネル領域を有するボトムゲート構造の薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタ及びその製造方法は絶縁基板と；基板上に形成されたゲート電極と；ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と；ゲート絶縁膜上に形成されて、ＳＧＳ結晶化法で結晶化された多結晶シリコーン層；及び基板上の所定領域に形成されたソース／ドレイン領域及びソース／ドレイン電極を含んで構成された薄膜トランジスタ及びその製造方法に技術的特徴がある。 （もっと読む）

【課題】 結晶核からの十分なラテラル方向の結晶成長を実現して大粒径の結晶化半導体膜を生成することのできる結晶化装置。
【解決手段】 非単結晶半導体膜（５）に所定の光強度分布の光束を照射して結晶化する結晶化装置。所定の周期で配置されて互いにほぼ同じパターンを有する複数の単位領域からなる位相変調素子（１）と、この位相変調素子と非単結晶半導体膜との間に配置された結像光学系（３）とを備えている。位相変調素子の単位領域は、一定の位相を有する基準面と、単位領域の中心近傍に配置されて基準面に対して第１位相差を有する第１位相領域と、その近傍に配置されて基準面に対して第１位相差とほぼ同じ位相差を有する第２位相領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ホモジナイザに起因する熱レンズ効果の発生を抑えて、加工対象上の結像パターンの歪みや解像度の低下を回避することのできるレーザ加工装置。
【解決手段】 ホモジナイザ（２ｃ）を介して照度の均一化されたレーザ光でマスク（１）を照明するための照明光学系（２：２ａ〜２ｅ）と、マスクと被加工物（３）との間に配置された結像光学系（４）とを備えている。照明光学系は、ホモジナイザとマスクとの間に配置されて入射光を拡散させるためのビームディフューザ（２ｅ）を有する。 （もっと読む）

【課題】水蒸気アニールによる半導体薄膜の処理を行う場合であっても導電型によらずにしきい値電圧を確保できる薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板３１上にＴＦＴ４０、４３を形成し、これらを覆う状態で少なくとも最下層を構成する膜中に水酸基が含有されない層間絶縁膜４０を形成する。その後、水分雰囲気中において熱処理を行うことによりＴＦＴ４０、４３を構成する半導体薄膜３４のダングリングボンドに酸素または水素を結合させると共に、層間絶縁膜４０の緻密化を図る。層間絶縁膜４０は、例えば窒化シリコンからなる。 （もっと読む）

【課題】 結晶核からの十分なラテラル方向の結晶成長を実現して大粒径の結晶化半導体膜を生成することのできる結晶化装置。
【解決手段】 所定の周期で配置されて互いに同じパターンを有する複数の単位領域からなる位相変調素子（１）と、該位相変調素子を介した光束を２つの非干渉性の光束に分割するための光束分割素子（２）と、位相変調素子と非単結晶半導体膜との間に配置された結像光学系（４）とを備えている。位相変調素子の単位領域は、基準面と、中心近傍に配置されて基準面に対して第１位相差を有する第１位相領域と、その近傍に配置されて基準面に対して第１位相差とは絶対値が等しく且つ符号の異なる第２位相差を有する第２位相領域とを有する。隣り合う２つの単位領域の間では、基準面は互いに同じ位相差を有し、第１位相領域および第２位相領域は基準面に対して互いに反転した位相差を有する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタ等の半導体装置において半導体膜のエッジ部分における電界集中を回避して信頼性を向上させることを可能とする技術を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁基板(10,11)の上に半導体膜(12)を島状に形成する第１の工程と、半導体膜(12)のエッジ部を含んで半導体膜(12)を第１の絶縁膜(13)で覆う第２の工程と、半導体膜(12)上部の第１の絶縁膜(13)を該半導体膜のエッジ部を避けて開口する第３の工程と、少なくとも絶縁膜(13)の開口部の半導体膜(12)上に第１の絶縁膜(13)よりも相対的に薄い厚さの第２の絶縁膜(14)を形成する第４の工程と、第２の絶縁膜(14)上に電極配線膜(18)を形成する第５の工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 ３次元的に方位制御された多結晶膜を形成して、キャリア移動度が十分高い高性能な薄膜半導体装置を作製する。
【解決手段】 （１）基板上に多結晶膜を形成し、（２）多結晶膜に互いに異なる２方向からのイオン注入を行うことによって、イオン注入方向の結晶方位がチャネリング方位である結晶粒ｂのみを３次元的に制御して残し、それ以外の結晶方位の結晶格子を破壊してアモルファス領域ｅとする。（３）３次元的に制御された結晶粒ｂおよび、それ以外の非晶質膜を熱処理して、３次元的に制御された結晶粒ｂをシードとして結晶化させることにより、３次元的に制御された結晶粒のみからなる多結晶膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】加工対象物の表面の測定時点と加工時点とが同一でなくても、また前記加工対象物の表面に微細な塵埃が付着していても、レーザー（アニール）加工ができるレーザー加工装置を得ること。
【解決手段】本発明のレーザー加工装置１は、レーザー変位計３に所定の間隔を開けて追従するレーザ加工手段４を用い、レーザー変位計３で加工対象物Ｗであるアモルファスシリコン層Ｗａの異なる表面の測定位置における高さを順次測定し、高さデーターを収集し、その収集した高さデーターを加工してレーザ加工手段４のレーザービームＬｂをアモルファスシリコン層Ｗａの前記測定位置の表面にフォーカス或いはオフセットさせて、アモルファスシリコン層Ｗａをアニールできるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】表示装置の画素用ＴＦＴ、駆動回路用高速動作ＴＦＴに適した特性の異なるＴＦＴを有す半導体装置の提供。
【解決手段】 前記絶縁性基板２１上方に配置され、アモルファスシリコン層を出発材料とし、エキシマレーザ照射で多結晶化した第１の多結晶シリコン層２４ｂと、ＣＷレーザ照射で多結晶化した第２の多結晶シリコン層２４ｃと、第１の島状多結晶シリコン層２４ｂ上に形成され、第１および第２の絶縁層２５，２７を含む積層の第１のゲート絶縁膜と、第２の島状多結晶シリコン層２４ｃの少なくとも一部の上に形成され、前記第１および第２の絶縁層２５、２７のいずれか一方を含んで形成された第２のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成された第１及び第２のゲート電極２８、２６と、を有し、第１及び第２のチャネル領域は、異なる不純物ドーピング濃度を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 比較的安価に製造が可能で且つ色収差が実質的に発生することのない位相シフタ。
【解決手段】 位相シフタ（１）は、第１の格子ピッチ（ｐ）を有する一群の反射型回折格子（１０）と、これらの一群の反射型回折格子の中に形成されて第１の格子ピッチと異なる第２の格子ピッチ（ｐ’）を有する１つの反射型回折格子（１１）とを備えている。第２の格子ピッチは第１の格子ピッチの約半分に設定され、回折格子はブレーズド格子である。また、位相シフタは、たとえばレプリカ生成技術により形成されている。 （もっと読む）