【課題】置換基を有するフタロシアニン誘導体が酸により分解すること無く、代表的な有機半導体たる無置換フタロシアニン及び置換基を有するフタロシアニンからなるワイヤー状結晶、特にワイヤーの幅（短径）が１００ｎｍ以下のナノサイズの細線状の構造を有し、そのワイヤーの短径に対する長さの比率（長さ／短径）が１０以上であるフタロシアニンナノワイヤーの製造法を提供すること。
【解決手段】無置換フタロシアニンのみを酸に溶解させた後に、貧溶媒に析出させて得られた微細化無置換フタロシアニンを、置換基を有するフタロシアニン誘導体と混合し、溶媒中、もしくは溶媒蒸気雰囲気下に置くことで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】製作誤差や熱変形があっても、容易に組立でき、駆動軸の円滑な回転を可能とする結晶成長装置の提供。
【解決手段】複数の容器に囲まれ、加熱加圧雰囲気下で窒素ガスとＮａ／Ｇａ混合融液３とを反応させて該混合融液３に浸漬された種基板２上にＧａＮ結晶を成長させる反応容器１０と、複数の容器を挿通して設けられた駆動軸４１を軸周りに回転させて混合融液３を攪拌する攪拌装置４０と、を有する窒化ガリウム製造装置１であって、圧力容器３０と断熱容器２０との間において、第１駆動軸４１Ａと第２駆動軸４１Ｂとを偏心可能に、且つ、一体回転可能に軸方向で接続する軸継手６０を有するという構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】基材の導電層との密着性に優れた多孔質の酸化亜鉛膜を容易に、かつ、効率よく形成する。
【解決手段】酸化亜鉛膜形成装置１では、析出部２において電解析出により樹脂基板９の導電層上に酸化亜鉛を含む析出物が形成され、樹脂基板９は塗布部４へと搬送される。そして、導電層上に酸化亜鉛の微粒子および溶媒を含む液状またはペースト状の膜形成材料が塗布され、その後、導電層上の膜形成材料から溶媒が揮発により除去される。これにより、樹脂基板９の導電層との密着性に優れた多孔質の酸化亜鉛膜を容易に、かつ、効率よく形成することができる。 （もっと読む）

【課題】高品質の有機薄膜を、効率よく得る半導体デバイス用有機薄膜の作製装置およびこの装置も用いた半導体デバイス用有機薄膜の作製方法を提供する。
【解決手段】被製膜基板３０表面に、有機分子からなる単分子層を、化学結合を介して少なくとも１層積層し、有機薄膜を形成させるための半導体デバイス用有機薄膜の作製装置であり、前記装置は、前記被製膜基板３０を保持するための基板ステージ３１１と、前記有機分子を含有する流体を前記装置内に導入する手段３３と、前記化学結合を形成させる際に生じる副生成物を前記装置から除去する手段３２２と、前記装置内の流体を排出する手段３４とを備える。 （もっと読む）

【課題】
多孔質成長基板表面の磨耗を抑制しながら多孔質成長基板表面に付着した酸化シリコン粉末を効率よく除去する装置、および、シート状基板の作製方法を提供する。
【解決手段】
ロールブラシと、多孔質成長基板を前記ロールブラシのブラシ毛に接触させながら移動させることができる基板移動手段と、を有し、ブラシ毛の線径が０．３ｍｍ以下であることを特徴とする多孔質成長基板クリーニング装置を用いることにより、多孔質成長基板表面の磨耗を抑制しながら多孔質成長基板表面に付着した酸化シリコン粉末を効率よく除去する。この多孔質成長基板クリーニング装置により清掃された多孔質成長基板の表面をシリコン融液に浸漬して前記多孔質成長基板の表面にシリコン状シート基板を成長させることにより、シート状基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】 昇温時のＺｎドーパントのＺｎ拡散を防止し、安定したＺｎドーパントを供給すること及びｎ型層への飛入を防止することで、従来よりも少ないＺｎチャージ量で結晶性のよい発光ダイオードを製造することを可能にする。
【解決手段】 成長用基板１を収容する基板ホルダ１２と、原料溶液溜１５を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダ１３とを対向させ且つ相対的に摺動可能としたエピタキシャル成長装置を用いて、化合物半導体のエピタキシャル層を成長させる発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法において、上記原料溶液溜１５の一つに仕切板２０、３０を挿入して原料溶液を上下三層に区切り、この仕切板２０、３０を引き抜くことで、各室の原料溶液を下層に落としてエピタキシャル成長に使用する。 （もっと読む）

【課題】 アルカリ金属の拡散が防止された半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 III族元素窒化物結晶基板１３の上にIII族元素窒化物結晶層１８が積層されたIII族元素窒化物半導体デバイスにおいて、前記基板１３が、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を含む融解液（フラックス）中において、窒素含有ガスの前記窒素とIII族元素とを反応させて結晶化させることにより製造されたものであり、前記基板１３上に、前記基板１３における前記基板１３中の不純物の拡散係数よりも小さい、前記基板１３中の不純物の拡散係数を有する薄膜層１５を形成する。 （もっと読む）