本発明は、ナノワイヤが配置される基板上で独立して明確に規定され制御された向きを有するナノワイヤを備える装置を製造するために使用することができるナノワイヤを整列させる方法を提供する。この方法は、ナノワイヤ（１）を用意する工程と、ナノワイヤ（１）の集団に電界（Ｅ）を印加する工程とを備え、それによって、前記ナノワイヤの電気双極子モーメントがこれらのナノワイヤを前記電界（Ｅ）に沿って整列させる。好適には、前記供給及び整列させる工程中、前記ナノワイヤを流体中に分散させる。整列時、前記ナノワイヤを固定することができ、好適には、基板（２）上に堆積させることができる。前記電界は、前記堆積に利用することができる。前記ナノワイヤ（１）に導入されたｐｎ接合又は他の正味電荷は、前記整列及び堆積工程をアシストすることができる。前記方法は、実質的に任意の基板材料への例えばロールツーロールプロセスの連続加工に適しており、粒子アシスト成長に適した基板に限定されない。
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半導体材料の物品の製造方法には、その物品のための目標厚さを選択するステップと次に、鋳型の外部表面上に半導体材料の固体層を形成するために有効な潜没時間だけ溶融半導体材料中に鋳型を潜没させるステップとが関与し、ここで固体層の厚さは目標厚さと実質的に等しい。潜没時間は、鋳型の組成、鋳型の厚さおよび初期鋳型温度を含めた特定の属性を有する鋳型のための固体層厚さと潜没時間の関係のプロットから決定される遷移時間に実質的に等しくなるように選択される。遷移時間ひいては潜没時間は、特定の鋳型のための固体層厚さ対潜没時間の曲線における固体層厚さの最大値に対応する。
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【課題】多結晶化を抑制してＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶を製造する、ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶の製造方法は、以下の工程を備えている。るつぼ６内に、原料９、１０と封止剤１２とドーパント１１とを配置する。原料９、１０を溶融して融液を生成し、融液を固化させることにより、ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶を成長させる。配置する工程では、封止剤１２の軟化点よりも融点の低い元素を含み、かつ封止剤１２の軟化点よりも高い融点を有する化合物をドーパント１１として配置する。 （もっと読む）

【課題】メルト析出物によるエピタキシャル層の表面欠陥の低減を図った発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面側に基板２を保持した基板ホルダー３上に、前記一方の面側に対向して原料溶液Ｌａ，Ｌｂを収納した原料ホルダー５を設け、基板ホルダー３をスライドして原料溶液Ｌａ，Ｌｂに基板２を接触させ、基板２上にエピタキシャル層を成長させる発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法において、基板ホルダー３の前記一方の面側であり基板ホルダー３に保持した基板２のスライド方向に、原料溶液Ｌａ，Ｌｂが降温中に基板ホルダー３との界面に析出した析出物を除去する析出物除去溝７ａ，７ｂを形成し、降温を開始した後、基板ホルダー３をスライドし、析出物除去溝７ａ，７ｂに析出物を落として除去した後、基板２上にエピタキシャル層を成長させる方法である。 （もっと読む）

【課題】発光特性および色純度が画期的に向上したナノ結晶を提供する。
【解決手段】化合物半導体から構成されるナノ結晶コアと、前記ナノ結晶コアの周囲に形成される非半導体物質から構成されるバッファ層と、を含むことを特徴とするナノ結晶とその製造方法およびそれを含む電子素子を提供する。 （もっと読む）

電子デバイスにおいて使用するためのエクスサイチュでドープされた半導体輸送層を製造する方法であって：コロイド溶液において表面有機配位子を有する半導体ナノ粒子の第一の組を成長させ;コロイド溶液において表面有機配位子を有するドーパント材料ナノ粒子の第二の組を成長させ;該半導体ナノ粒子の第一の組と該ドーパント材料ナノ粒子の第二の組の混合物を表面に付着させ、そこではドーパント材料ナノ粒子より多くの半導体ナノ粒子が存在し；該ナノ粒子の第一および第二の組の表面から該有機配位子がボイルオフするように、該付着したナノ粒子の混合物を第一アニーリングし；該半導体ナノ粒子が融合して連続的な半導体層を形成し、且つ該ドーパント材料原子が該ドーパント材料ナノ粒子から該連続的な半導体層に拡散するように、該付着した混合物を第二アニーリングすること、を含んでなる、方法。 （もっと読む）

【課題】薄板製造装置で連続して薄板を製造すると、融液を保持する坩堝の内壁上に融液の材料を主成分とする凝固物が形成される。該凝固物は薄板の製造を妨げるため、該凝固物を確実に溶融し、薄板を継続的に製造することができる薄板製造装置および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】該凝固物を溶融するための凝固物溶融機構を備える薄板製造装置および、該凝固物を溶融するための凝固物溶融工程を含む薄板製造方法に関する。該凝固物溶融機構は、融液に浸漬することで融液面の高さを上げ凝固物の少なくとも一部を融液で覆うことが可能な体積を有する体積物と、体積物を融液に浸漬するための体積物浸漬機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】 冷却体の表面に溶湯の一部を凝固析出させて析出板を形成する際に、冷却体表面に均一な厚みの析出板を形成することができる冷却体、ならびにそれを用いる析出板製造装置および析出板の製造方法を提供する。
【解決手段】 冷却体１を構成する基体部２１の一方の表面部２１ａを、厚み方向２９に垂直な仮想平面４０に対して傾斜する傾斜部分を有するように、たとえば凹曲面状に形成する。冷却体１を用いることによって、たとえば、溶湯の表面が凸状になる場合であっても、溶湯に浸漬されている時間を冷却体１の一方の表面部である基体部２１の一方の表面部２１ａ全体にわたって均一にすることができる。したがって、基体部２１の一方の表面部２１ａに形成される析出板の厚みを均一にすることができる。 （もっと読む）

複数の半導体デバイスを有する電子的な基板を得るための方法および装置が、説明される。ナノワイヤ薄膜が、基板上に形成される。ナノワイヤ薄膜は、動作電流レベルを達成するのに十分なナノワイヤの密度を有するように形成される。複数の半導体領域が、ナノワイヤ薄膜に画定される。コンタクトが、半導体デバイス領域において形成され、それによって、電気的な接続を複数の半導体デバイスに提供する。さらに、ナノワイヤを製造するための様々な材料、ｐ型ドーピングナノワイヤおよびｎ型ドーピングナノワイヤを含む薄膜、ナノワイヤヘテロ構造、発光ナノワイヤヘテロ構造、ナノワイヤを基板上に配置するためのフローマスク、ナノワイヤを成膜するためのナノワイヤ噴霧技術、ナノワイヤにおける電子のフォノン散乱を減少または除去するための技術、および、ナノワイヤにおける表面準位を減少させるための技術が、説明される。
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