【課題】ＣＢＤ法によるバッファ層の成膜において、密着性の良好なバッファ層を、粒子状固形物の生成を抑制し、生産性良く製造する。
【解決手段】基板１０上に、下部電極層２０と、化合物半導体を主成分とする光電変換半導体層３０と、バッファ層４０と、透光性導電層５０が順次積層された光電変換素子１（１’）におけるバッファ層４０の製造方法において、光電変換半導体層３０上に金属塩水和物を含む前駆体層４０Ｒを塗布成膜する工程（Ａ）と、前駆体層４０Ｒを不溶化処理する工程（Ｂ）と、不溶化処理された基板１０の少なくとも前駆体層４０Ｐ側の表面を、硫黄源を含むアルカリ性の反応液Ｌ１（Ｌ２）に浸漬させて、バッファ層４０を化学浴析出法により形成する工程（Ｃ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来困難とされていた、シランカップリング試薬を用いて、水素終端化処理されたシリコン基板の表面修飾を極めて効率的に行う手段を開発し、センシング電極や有機エレクトロニクス素子の材料として有用な、新たな表面修飾半導体シリコン基板を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
ドーパント処理されたＮ−またはＰ−型シリコン基板を、酸化処理せず、水素終端化処理されている状態でシランカップリング試薬による表面処理を行い、表面修飾半導体シリコン基板を得る。また、この方法によれば、自己集合膜（ＳＡＭ）に匹敵するようなシランカップリング試薬の高密度単分子膜による修飾も可能である。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブが分散媒体中に均一に分散されており、成膜性および成形性に優れ、かつ、簡便な方法で基板に塗工することができる組成物、ならびに該組成物から形成されたカーボンナノチューブ含有膜を提供する。
【解決手段】本発明に係る組成物は（Ａ）カーボンナノチューブと、（Ｂ）金属塩およびオニウム塩から選ばれる少なくとも一種と、を含有する組成物であって、前記組成物中の前記（Ａ）成分の濃度Ｍ_Ａ（質量％）および前記（Ｂ）成分の濃度Ｍ_Ｂ（質量％）がＭ_Ｂ／Ｍ_Ａ＝２．０×１０^−４〜４．０×１０^−２である。 （もっと読む）

【課題】使用する有機溶媒に限定されることなく、かつ、ドロップキャスト法で製膜した有機半導体薄膜のようにゆっくりと時間をかけて製膜して、結晶性に優れた有機半導体薄膜を、基板の表面自由エネルギーによらず、自由に形成する方法を提供する。
【解決手段】固体基板と、剥離性表面を有する弾性材からなるフィルム又は板との間に、薄膜形成用溶液をはさみ、該溶液中の溶媒を乾固させることにより前記固体基板の表面に有機薄膜を形成させることにより、ドロップキャスト法に見られた収縮を防ぐとともに、ドロップキャスト法ようにゆっくりと時間をかけて製膜することが可能であり、かつ、基板の表面自由エネルギーを問わず有機薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】その表面だけが配向制御された有機半導体薄膜、プラズマ処理に比べて有機半導体に対する損傷を抑えることが可能な有機半導体の配向制御方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の表面に配向層を有する有機半導体薄膜、及び有機半導体からなる薄膜に中性粒子ビームを照射することにより有機半導体の配向制御を行う有機半導体薄膜の配向制御方法である。 （もっと読む）

【課題】液相成長にて形成したＧａＮ単結晶などのＩＩＩ族元素窒化物結晶を原料液の中から短時間で取り出すことができる結晶製造方法を提供する。
【解決手段】処理容器６内に坩堝１を収納させ、前記坩堝１を前記処理容器６内に入れる前、あるいは、入れた後に、前記処理容器６内に固体原料処理液７を流入させ、前記坩堝１内には種基板２と、前記種基板２上に生成された結晶基板１０と、前記種基板１および前記結晶基板１０を覆った固体原料３とが収納された状態とし、前記処理容器６内に、超音波発生手段８から発射された超音波１１を与える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体特性（移動度、ｏｎ／ｏｆｆ比、閾値（Ｖｔｈ））の向上、生産効率の向上にあり、またこれを用いた薄膜トランジスタのばらつき低減にある。
【解決手段】基板上に形成した半導体前駆体層に加熱処理を行って金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法において、前記加熱処理と同時に半導体前駆体層に電磁波を照射することを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガリウム及びナトリウムが含まれる融液に窒素ガスを供給することにより窒化ガリウム基板を製造する方法において、坩堝出し入れにかかわる作業性が向上しうる基板製造装置を提供する。
【解決手段】加圧及び加熱された処理容器６の内部に載置された坩堝１０内において種基板２０を融液３０に浸漬することによって上記種基板２０上に結晶基板を形成する基板製造装置であって、上記処理容器６の底部６ａ１，６ｂ１が、上記坩堝１０を載置可能であると共に下方に向けて取り外し可能とする。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物の育成後にフラックスを安全に除去できるフラックス処理装置を提供する。
【解決手段】フラックス法にてIII族窒化物結晶を育成した後に、その反応容器107を処理溶液218に浸漬してフラックスを除去する処理を行うフラックス処理装置を、処理溶液218を入れる処理容器301と、同処理溶液218についての温度センサー219および温度調整器221とを有し、温度センサー219による測定結果をもとに温度調整器221を介して処理溶液218の温度を所定の温度領域に制御するように構成する。 （もっと読む）

【課題】
多孔質成長基板表面の磨耗を抑制しながら多孔質成長基板表面に付着した酸化シリコン粉末を効率よく除去する装置、および、シート状基板の作製方法を提供する。
【解決手段】
ロールブラシと、多孔質成長基板を前記ロールブラシのブラシ毛に接触させながら移動させることができる基板移動手段と、を有し、ブラシ毛の線径が０．３ｍｍ以下であることを特徴とする多孔質成長基板クリーニング装置を用いることにより、多孔質成長基板表面の磨耗を抑制しながら多孔質成長基板表面に付着した酸化シリコン粉末を効率よく除去する。この多孔質成長基板クリーニング装置により清掃された多孔質成長基板の表面をシリコン融液に浸漬して前記多孔質成長基板の表面にシリコン状シート基板を成長させることにより、シート状基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】動作効率や静電耐圧性能の高い半導体光素子を提供する。
【解決手段】フラックス法により混合フラックスとIII族元素とを攪拌混合しながらIII族窒化物系化合物半導体結晶を結晶成長させて製造した光素子基板１０１はＳｉドープの厚さ約３００μｍのｎ型ＧａＮ結晶から成り、その上には、アンドープIn_0.1Ga_0.9N から成る層とアンドープGaN から成る層とを交互に２０ペア積層することによって構成された膜厚９０ｎｍの多重層１０５が形成されており、その上には、アンドープＧａＮから成る障壁層とアンドープIn_0.2Ga_0.8N から成る井戸層とが順次積層された多重量子井戸層１０６が形成されている。また、Ｍｇドープのｐ型Al_0.2Ga_0.8N から成るｐ型層１０７の上には、アンドープのAl_0.02Ga_0.98N から成る層１０８を形成した。ｐ側の電極は、ｐ型ＧａＮ層１１１の上に積層したＩＴＯからなるＩＴＯ電極１２０で構成した。 （もっと読む）

【課題】 不純物である酸素を低減させ、赤色発光ダイオードを高輝度かつ高い歩留りで製造できるＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法及びＬＥＤ用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】 基板上に、ＡｌＧａＡｓ活性層、ＡｌＧａＡｓクラッド層を液相エピタキシャル法により順次形成するシングルヘテロ接合構造のエピタキシャルウェハを製造する方法において、エピタキシャル層成長前に成長炉内温度を２５０℃程度に約２時間保持し、その間に真空引き及びＨ₂ パージを連続的に行うことで原料溶液及びグラファイト成長治具の純化を行った後、成長させるようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】 耐剥離性に優れ、かつ、高い秩序性、結晶性、電気伝導特性を有する有機薄膜、該薄膜を作製するための化合物及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 式（Ｉ）の分子にシリル基が置換された有機シラン化合物。分子（Ｉ）をハロゲン化し、シラン誘導体を反応させる上記有機シラン化合物の製法。該有機シラン化合物分子が、基板側にシリル基が、膜表面側に分子（Ｉ）部分が位置するように、配列された有機薄膜。
【化１】


（ｘ１およびｘ２は１≦ｘ１、１≦ｘ２および２≦ｘ１＋ｘ２≦８を満たす；ｙ１およびｚ１は２〜８；ｙ２およびｚ２は０〜８；該骨格は疎水基が置換されてよい）。 （もっと読む）

【目的】裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法にあって、ＣＢＤ法によりバッファ層を形成するに際して、溶液の混合および温度を制御することによって光吸収層の界面へのｎ型ドーパントの拡散とバッファ層の形成の最適化を図って接合性の良い特性の安定したｐｎ接合を得ることができるようにする。
【構成】光吸収層の界面へｎ型ドーパントを拡散させる第１の工程と、表面反応律速領域による第１のバッファ層６１を形成する第２の工程と、供給律速領域による第２のバッファ層６２を第１のバッファ層に重ねて形成する第３の工程とをとるようにする。 （もっと読む）