【解決手段】本願は複数の荷電粒子ビームレットを用いる対象表面にパタンを転送する荷電粒子マルチビームレットリソグラフィシステムに関する。システムはビーム生成器、ビームブランカアレイ、保護構造及び投影システムを含む。ビーム生成器は荷電粒子ビームレットを生成すべく配置される。ビームレットブランカアレイはパタンに従ってビームレットをパタニングすべく配置される。ビームレットブランカアレイは調整器及び感光素子を含み感光素子は光線を運ぶパタンデータを受信し光線を電気信号に変換する。感光素子は受信パタンデータを調整器に提供するために調整器に電気的に接続される。保護構造は調整器によって生成される電場から感光素子の近くで生成される電場を保護する導電材の保護構造であって保護構造はある電位でセットされるように配置される。投影システムは対象表面にパタニングされたビームレットを投影するために配置される。 （もっと読む）

【課題】 エンハンストインテグリティー投影レンズアセンブリを提供することである。
【解決手段】 本発明は下流方向に位置づけられる画像平面上へ多数の荷電粒子ビームレットを導くための投影レンズアセンブリモジュール、および、このような投影レンズアセンブリを組立てる方法に関する。特に、本発明は、エンハンスト構造的完全性を有し、および／または、その最も下流の電極の配置精度を増加させたモジュラ投影レンズアセンブリを開示する。 （もっと読む）

【課題】マルチプルビームを備えた荷電粒子光学システムを提供する。
【解決手段】本発明はマルチプルビーム荷電粒子光学システムに関し、それは、複数の荷電粒子小ビームを生成するための荷電粒子源と、前記荷電粒子源からの前記荷電粒子小ビームをターゲットに向けて方向付けるための荷電粒子光学素子を備え、各荷電粒子小ビームは小ビーム中心線を規定し、前記荷電粒子光学素子は一つ以上の静電レンズアレイを備え、おのおのは、複数の静電小レンズを生成するための二つ以上のアレイ電極を備え、各小レンズは、対応する荷電粒子小ビームを集中させるように構成され、各小レンズは小レンズ光学軸を規定し、前記一つ以上の静電レンズアレイの少なくとも一つは一つ以上の軸外静電小レンズを備え、前記対応する荷電粒子小ビームの前記小ビーム中心線は、その小レンズ光学軸から距離を置いて前記軸外静電小レンズを通過する。
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【課題】荷電粒子ビームを使用する粒子ビーム露光装置用のマルチビーム偏向器アレイ手段を提供する。
【解決手段】マルチビーム偏向器アレイ手段は、膜領域と埋設されたＣＭＯＳ層とを備える全体的にプレート形状を有し、前記膜領域は、到来粒子ビームに向かって対向する第１側と第１側の反対側に設けられる第２側とを備え、前記粒子ビームから形成される対応するビーム要素が通過可能な各アパーチャから成るアパーチャアレイと、前記電極の少なくとも１つと関連する各アパーチャと前記ＣＭＯＳ層を介して制御される前記電極とから成る電極アレイと、を備える。前記電極が柱状であり、マルチビーム偏向器アレイ手段の本体から完全に独立して立設され、かつ前記電極が、ボンディング接続部によって、前記マルチビーム偏向器アレイ手段の本体の一方側に接続される。 （もっと読む）

【課題】ターゲット上にイメージされる構造物の安定度を増す。
【解決手段】粒子マルチビーム構造型装置の露光ステップにおいて、多数のビームレットによってパターン化された粒子ビームを生成するパターン定義手段を通して指向され、鏡筒によって投影される。鏡筒は、少なくとも１つの制御可能な偏向手段を前記ターゲット表面に備え、該ターゲット上の名目上の位置に、ビーム画像を形成する。前記ビーム画像は、露光ステップの間の該ターゲットに関して、該ビーム画像の該名目上の位置を変化させることによって、異なる位置にそれぞれ移動される。前記制御可能な偏向手段によって、該ビーム画像の実際の位置は、前記各露光ステップ内において、名目上の位置と一致する中心位置の周りの画像面内の位置の分布を実現する位置の集合を通して、可変である。こうすることによって、ビーム画像全体を通して均一な追加的なぼけを導入する。 （もっと読む）

【課題】 偏向器等の素子に欠損がある場合においても、スループットの低下を抑えつつ、所望のパターンを形成可能な荷電粒子線描画装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の荷電粒子線描画装置は、複数の開口を用いて複数の荷電粒子線を形成可能なアパーチャアレイと、複数の主素子と、前記主素子と異なる複数の補助素子とを含む素子アレイと、前記複数の主素子の欠損に関する情報を取得し、該情報にもとづいて前記素子アレイを制御する制御部とを備え、前記制御部は、欠損がない場合には前記主素子のみを用い、欠損がある場合には欠損がある主素子を使用せずに、かつ前記補助素子を使用するように、前記素子アレイを制御することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】照射リソグラフィシステム用の複数開口を有するマルチビーム・デフレクタアレー装置を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳウェハから始まり、下の回路層が機能しない領域エッジで、ウェハブランクの第一側に、少なくとも一対の平行でかつバルク材料層へ達する溝を生成する段階、溝の側壁と底部を保護する段階、導電充填材料を溝へ蒸着させ、これにより電極１１２として用する充填材料のカラムを生成する段階、電極上部へ金属接点手段を取り付ける段階、カラムが開口１１０側壁上に互いに対向して配置されるように、上記領域に跨って伸びる電極間の開口を構築する段階、からなる。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィシステムを提供することである。
【解決手段】 パターンをターゲットの表面に転写するマスクレスリソグラフィシステムであって、複数の小ビームを発生するための少なくとも１つのビーム発生装置と、小ビームの大きさを変調するための複数のモジュレータを備えた変調手段と、モジュレータの各々を制御する制御ユニットとを備え、制御ユニットは、それぞれの小ビームの大きさを制御するために、パターンデータを発生し、前記モジュレータにパターンデータを伝送し、この制御ユニットがパターンデータを記憶するための少なくとも１つのデータ記憶装置と、データ記憶装置からパターンデータを読み取るための少なくとも１つの読み取りユニットと、データ記憶装置から読み取られたパターンデータを少なくとも１つの被変調光ビームに変換するための少なくとも１つのデータ変換装置と、少なくとも１つの被変調光ビームを前記変調手段に伝送するための少なくとも１つの光伝送装置とを備えている。 （もっと読む）

【課題】マスクなし粒子多重ビーム加工装置において、画像形成戦略を単純化し、かつ、実際の不鮮明の影響を受けないグレーレベルデータへのポリゴン構造からの単純なマッピングを可能にする方法を提供する。
【解決手段】粒子ビームが、走査方向に沿って連続速度で移動するターゲット上へ、所望のパターンに従って規則的アレイを生成するパターン画定システムを通して投影される。一連の均一に時間を計った露光ステップ中にビーム像が走査方向に沿ってターゲットとともに移動し、ビーム像の位置がターゲットに対して変化する。各露光ステップ中にターゲットは、隣接した画像要素の相互距離より大きい距離をカバーする。連続露光ステップにおけるビーム像の位置は一連の交錯配置グリッドに対応し、各露光ステップの後、ビーム像は、走査方向を横切る構成要素を概ね含む位置の変化によって、異なる配置グリッドと関連する位置へシフトされ、循環する。 （もっと読む）

【課題】ターゲット上にパターン形成すべき像の適切な露光を可能にすることを目的とする。
【解決手段】複数の露光段階における荷電粒子のビームを利用してターゲットの基板表面上にパターンを形成するための方法に関し、ビームは、パターン形成ビームへと分割され、基板とパターン画定手段の間に相対運動が生じる。これにより、パターン形成粒子ビームが基板表面全面で端から端まで有効に移動し、各露光段階で基板表面上の像要素を露光し、ターゲット上の像要素は、ビームレットに対して複数回、つまり特定のシーケンスに従って、複数の露光段階で何回か露光される。像要素の露光段階のシーケンスは、パターンの露光中、マルチビーム露光装置の光学カラム内の電流変動を小さくする目的で、特定のルールに従って一回の露光段階からその後の露光段階まで非線形に構成される。 （もっと読む）

第１のアパーチャを備えた第１の導電プレート（５１）と、第１のアパーチャとほぼアライメントされた第２のアパーチャを備えた第２の導電プレート（５２）と、第１の導電プレートに第２の電圧より低い第１の電圧を、第２の導電プレートに第２の電圧を供給するための電圧供給部と、第１の導電プレートを第２の導電プレートから分離するための絶縁構造体（５７）とを具備する静電レンズである。絶縁構造体は、第１の導電プレートと接触している第１の部分（５７Ａ）と、第２の導電プレートと接触している第２の部分（５７Ｂ）とを有し、第１の部分は突出部分（５７Ｃ）を有し、第２の部分は絶縁構造体のエッジに凹み部分を有し、これら突出部分と第２の導電プレートとの間にギャップが形成されている。
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【課題】粒子ビーム露光装置で、帯電した粒子のビームで照射され、ビームが複数のアパーチャを介してのみ通過することを可能にすることによって、ターゲット上にパターンを画定するためのデバイス内の改良されたアパーチャ配置を提供する。
【解決手段】アパーチャを透過するビームの形状および相対的配置を画定する同一の形状の複数のアパーチャを有するアパーチャアレイと、アパーチャを透過し、それらによって画定された選択されたビームレットの通過をスイッチオフするためのブランキング手段とを備える。アパーチャは、わずかな偏差だけ規則的配置から偏移した配置に従ってアパーチャアレイ手段上に配置され、粒子ビーム露光装置によって生じた歪みを調整し、アパーチャおよび対応する開口部を介してターゲット上に照射される電流を調整することができるように、アパーチャアレイのアパーチャのサイズは、アパーチャアレイに全体にわたって異なる。 （もっと読む）

【課題】結像システムを提供する。
【解決手段】複数のビームレットを使用してターゲット（１１）を露光するための荷電粒子マルチビームレットシステム。システムは、荷電粒子ビーム（２０）を生成するための荷電粒子ソース（１）と、生成ビームからビームレット（２３）の群を規定するためのビームレット開口アレイ（４Ｄ）と、ビームレット（２３）を制御可能に無効化するためのブランカーのアレイを備えているビームレットブランカーアレイ（６）と、ブランカーによって偏向されたビームレット（２３）を無効化するためのビームストップアレイ（８）と、開口のアレイを備えているビームストップアレイ（８）を備えており、各ビームストップ開口はブランカーの一つ以上に対応しており、さらにターゲットの表面にビームレットを投影するための投影レンズ系（１０）のアレイを備えている。
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【課題】アパーチャアレイの照射損傷を抑え、小型化を実現できるブランキングアパーチャアレイ装置を提供する。
【解決手段】粒子ビームを生成し、アパーチャアレイ手段（２０３）およびブランキング手段（２０２）を用いて粒子ビームを多数のビームを生成するパターン描画手段を通して方向づけ、残りの全部が全体としてパターン化された粒子ビーム（ｐｂ）を形成する。そして、パターン化された粒子ビーム（ｐｂ）を基板表面に投射して、開口したアパーチャのイメージを形成する。アパーチャのサブセットが、露光時間の何分の一の間開口し、かつ該露光時間の残りの時間中は閉じられており、それに伴って基板表面の画素の露光の閾値より低い値において部分露光が生じ、該閾値が、全露光時間中開口しているアパーチャによって生じる全露光に対応する値よりも低いかあるいは等しくなっている。 （もっと読む）

【課題】 低エミッタンスおよび均質な電流分布を持つ１組の粒子ビームレットを生成するマルチビーム源を提供する。
【解決手段】 エネルギ荷電粒子の複数のビームレット（１１２）を発生するためのマルチビーム源（１０１）は、荷電粒子の照明ビームを発生する照明システム（１０２）と、ビームの方向に見て照明システムの後に配置され、かつ照明ビームから複数のテレセントリックまたは均質なビームレット（１１２）を形成するように適応されたビーム形成システム（１０３）とを含む。前記ビーム形成システム（１０３）は、ビーム分割手段と電気ゾーン装置（１０９）とを含む。前記電気ゾーン装置は、異なる静電電位を印加されかつしたがってビームレットに影響を及ぼすように適応された複数の略平面状部分電極から構成される、複合電極（１１０）を含む。 （もっと読む）

【課題】 容易に実行可能なＰＤ構成を用いて、高いスループットレートをもたらす方法を提供すること。
【解決手段】 複数のアパーチャを有するパターン決定手段を用いて荷電粒子のビームをターゲット（４０）にマスクレスで照射し、所定の軸に対して横に、上記パターン決定手段に対して相対移動している（ｖ）ターゲット上に、上記パターン決定手段における上記アパーチャのイメージを形成する方法において、上記イメージの位置を、上記ターゲットの相対移動の距離が上記ターゲットにおいて測定される上記イメージの幅（ｗ）の倍数以上である画素露光期間の間、上記ターゲットに沿って移動させるようにし、上記画素露光期間の後に、上記ビームのイメージの位置を変化させるようにし、この位置の変化は上記ビームのイメージの上記位置の移動をほぼ補うものである。 （もっと読む）

【課題】 アレイ化されたブランキング偏向器の駆動速度を高めてスループット、精度、線幅制御性を改善する露光装置及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 マルチビームをブランキングするアレイ化されたブランキング偏向器を有する露光装置において、ブランキング偏向器を構成する電極（偏向電極）１０１に偏向用の電圧を与えるスイッチング素子１０３を、偏向電極１０１と同一基板１０２に設ける。アレイ化されたブランキング偏向器に直接電圧をかけずにスイッチング素子１０３を介して電圧の印加を制御する。 （もっと読む）

【課題】粒子ビーム露光装置におけるパターン規定デバイスのレイアウトを、廉価な最新のプロセスによる製造に適するレイアウトになるように改善する。
【解決手段】荷電粒子のビームｌｂを使用する粒子ビーム露光装置に用いられ、薄膜領域を有するプレート形状の多重ビーム偏向器アレーデバイスに関し、薄膜領域が、入射する荷電粒子のビームに面する第１の面５０４と、それぞれが荷電粒子のビームから形成された対応するビーム要素を通過させるアレー状の開口部と、それぞれが少なくとも一つの開口部に付随された複数の窪み部５１２と、アレー状の電極５１１とを備え、開口部のそれぞれが少なくとも電極５１１の一つに付随され、電極５１１のそれぞれが窪み部５１２に配置され、電極は、開口部を通過する荷電粒子が所望の経路に沿って進むことができる無偏向状態、荷電粒子が所望の経路から偏向される偏向状態を実現する。 （もっと読む）

【課題】 マルチビームが試料面に対して垂直になるようにランディング角を高精度に調整することができる露光装置、及びその露光装置を用いたデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 電子線が通過する際に平行ビーム化する集束レンズ１１２と、平行ビームが通過する際にマルチビーム化するアパーチャアレイ１１３と、マルチビームの個別の通過の際にオンオフ用偏向を行うブランカーアレイ１１５と、マルチビームが個別に通過する２段配置の偏向器を有するマルチアライナー１１６，１１７と、マルチビームを一括して偏向する一括偏向器１１９と、マルチビームが流入されるブランキング絞り１２０と、マルチビームを個々に試料面に結像させる電子光学系１３０，１３１とを有する。ブランキング絞りに流入するマルチビームの電流の検出に基づき、マルチアライナー１１６，１１７により試料面に対してマルチビームが垂直になるようランディング角を調整する。 （もっと読む）

【課題】多段偏向における電子ビームの描画を高精度で高スループット化する。
【解決手段】電子ビームを複数段の偏向器で偏向して試料面上にパターンを描画する電子ビーム描画装置であって、描画するパターンの領域を主偏向で偏向可能なサブフィールドに位置決めし、サブフィールド単位で副偏向によりパターンを描画する電子ビーム描画装置において、第１のフレーム描画領域と、幅Ｃだけ移動させた領第２のフレーム描画領域からなるストライプごとに描画を行うものであって、第１のサブフィールド描画領域と、第２のサブフィールド描画領域を交互に描画するものであって、サブフィールドの一辺の幅がＨである場合に、０＜Ｃ＜Ｈであることを特徴とする電子ビーム描画装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）