【課題】荷電粒子露光装置を提供する。
【解決手段】粒子ビーム投影処理装置において、投影システム（１０３）を使用して、ターゲットステージによって位置保持されたターゲット（４１）に、パターン決定手段（１０２）で提供されたパターンを撮像するために、ターゲット（４１）が、高エネルギー荷電粒子のビーム（ｐｂ）によって照射され、ターゲット自体以外の要素は、投影システムの光学素子の後方のビームの経路を遮断しない。ターゲット空間から投影システムへの汚染を低減するために、保護隔壁（１５）が、投影システムとターゲットステージとの間に設けられ、パターン化されたビームの経路を囲む中央開口部を有し、この場合、少なくとも、中央開口部を規定する隔壁の部分は投影システム（１０３）の後方のフィールドフリースペース内に配置される。 （もっと読む）

【課題】 球面収差の小さい磁場レンズを備えた荷電粒子線装置および高集積度の半導体デバイスのパターン寸法を精度良く製造することが出来るデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】第１の磁場レンズ６０２ａの光軸方向の下側に隣接される第２の磁場レンズ６０２ｂを有し、第１の磁極１０２の下端側開口１０２ｂのボア径Ｄ１Ｌは、第１の磁極１０２の上端側開口１０２ａのボア径Ｄ１Ｕ、第２の磁極１０３の上端側開口１０３ａのボア径Ｄ２Ｕ、および、第２の磁極１０３の下端側開口１０３ｂのボア径Ｄ２Ｌのいずれよりも大きいことを特徴とする荷電粒子線装置およびその荷電粒子線装置を用いたデバイス製造方法。 （もっと読む）

【課題】広い面積の荷電ビームを偏向器により偏向したときにスループットの高い露光装置およびデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の荷電ビームが縮小光学系により加速、収束、偏向作用を受けて試料上に照射される露光装置において、前記試料の直上に位置する前記縮小光学系の内部あるいは直下において対向して一対設けられる電極を有し、電界を発生する静電偏向器と、前記試料の直上に位置する前記縮小光学系の内部あるいは直下において前記一対の電極を内側に挟んで対向して一対設けられるコイルを有し、磁界を発生する磁界偏向器と、を有し、前記複数の荷電ビームが前記一対の電極の間を通過し、前記複数の荷電ビームが配列される方向と前記電界の方向および前記磁界が平行に重畳するように前記静電偏向器および前記磁界偏向器は設けられる。 （もっと読む）

【課題】 伝送線路型ブランキング装置及び電子ビーム露光装置に関し、高速動作と偏向能力を電子ビーム露光装置に必要な範囲で両立させる。
【解決手段】 特性インピーダンスが均一である伝送線路を成している一対のブランキング電極１，２の電子ビーム５に偏向電場を加える主要部分を電子ビーム５に沿う方向が長手方向となる形状にするとともに、伝送線路を進行する偏向電磁場が電子ビーム５の進行方向と対向して反平行に進行するように電源４と終端抵抗３を配置する。 （もっと読む）

【課題】 荷電ビーム露光装置の偏向収差を低減する偏向器アレイ、その偏向器アレイを有する露光装置およびデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 偏向器アレイを構成する偏向器の電極の配列の向きを変えることにより、偏向器アレイを構成する偏向器の中心同士の間の距離の最小値に対して電極の長さを長くし、奇数列の偏向器と偶数列の偏向器２００ａが、電極２１３ａの長手方向に１個づつ互いにずれて配置され、最も近くに配置される偏向器２１３ａの中心同士を結ぶ方向と、荷電ビームが偏向される方向３００とが垂直以外に形成される。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子発生源からの出力を容易に変えることを可能にして、荷電粒子発生源のエネルギーの利用効率を高める光学系、その光学系を用いる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】荷電ビームを発生する荷電粒子発生源１０１と、コンデンサーレンズ１０２と、複数個の同じ開口を有するアパーチャーアレイ１０３と、コンデンサーレンズ１０２とアパーチャーアレイ１０３との間の少なくとも２段の荷電ビームレンズアレイ１１１ａ，１１３ａとを有する光学系を構成する。各荷電ビームレンズアレイ１１１ａ，１１３ａの間でクロスオーバーを形成し、コンデンサーレンズ１０２に近い側の荷電ビームレンズアレイ１１１ａの開口をアパーチャーアレイ１０３の開口よりも大きい直径にする。 （もっと読む）

【課題】 所望パターンを効率的かつ高い信頼性のもとに露光できるラスタースキャン荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 荷電粒子線をラスタースキャンして基板上の複数のピクセルから成るパターンを露光する荷電粒子線描画方法において、前記パターンのエッジに位置する前記複数のピクセルのドーズ指令信号が異なる前記複数のパターンを描画する描画ステップと、前記複数のパターンの線幅を測定する測定ステップと、前記異なるドーズ指令信号と前記異なるドーズ指令信号に対応する前記測定ステップの測定結果とに基づいて前記ドーズ指令信号の補正値を決定する補正値決定ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】 所望パターンを効率的かつ高い信頼性のもとに露光できるラスタースキャン荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 荷電粒子線をラスタースキャンしながら、照射をオンオフすることにより、パターンを描画する荷電粒子線描画方法において、線幅を測定する対象の前記パターンを描画する第１の描画工程と、前記第１の描画工程の後に前記パターンの描画位置を前記線幅の測定方向に移動して前記第１の描画工程を実行する第２の描画工程と、前記第１の描画工程及び前記第２の描画工程において固定された前記パターンからの荷電粒子線量を測定する測定工程と、測定された前記荷電粒子線量と前記描画位置とに基づいて前記描画パターンの線幅を決定する線幅決定工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】レンズアレイの枚数を少なくして小型化を図り、かつ高精度化といった各種条件を高いレベルで実現する荷電粒子線レンズアレイ、露光装置、及びデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】複数の荷電粒子線の電子光学特性を制御する荷電粒子線レンズアレイにおいて、上層電極（第一電極）３０３、中層上電極（第二電極）３０４、中層下電極（第三電極）３０５、下層電極（第四電極）３０６の４枚一組から成り、前記上層電極（第一電極）３０３と前記下層電極（第四電極）３０６を電気的にグランドに接地し、前記中層上電極（第二電極）３０４と前記中層下電極（第三電極）３０５には、それぞれ逆相の電圧を印加する。この荷電粒子線レンズアレイ３０１を露光装置に適用し、かつデバイス製造方法に適用する。 （もっと読む）

電荷を帯びた粒子のビームでターゲット（４１）を露光するための荷電粒子露光装置（１００）は、照明システム（１０１）は、パターン画定手段に対する照明ビームの入射の方向を変動させるように構成された偏向手段（４０１）を含み、パターン画定手段（２０）は照明ビームの形状を所望のパターンにし、投影光学システム（１０３）は、パターン画定手段で画定されたビーム形状の画像をターゲット（４１）上に投影し、投影光学システムは、例えばパターン画定手段にパターンを読み込むプロセス中にブランクアウトするために、すなわちビームレットをその非偏向経路から充分な角度だけ傾けるように偏向手段（４０１）が作動したときに、開口を有しかつ前記開口の外側を通るビームの通過を阻止するように構成されたブロッキングアパーチャ手段（２０４）を含む。 （もっと読む）

【課題】 高速に位置合わせ可能な描画システムを提供する。

【解決手段】 位置合わせマークを電子ビームEBの走査範囲に移動させ、位置合わせマークを電子ビームEBで走査し、位置合わせマークからの反射電子を検出することを繰り返す電子ビーム照射機構230、反射電子が検出される毎に電子ビーム照射機構230の動作と並行して反射電子の信号を解析し、位置合わせマークの実測位置を算出する位置算出モジュール23、及び実測位置及び位置合わせマークの設計位置の差に従って、電子ビームEBの描画位置を補正する補正モジュール30を備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な制御で高いスループットが得られる電子線描画装置、電子線描画方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半アレイ状に配置された複数のマイクロエミッタ型電子銃２０と、マイクロエミッタ型電子銃にそれぞれ接続された複数の電荷蓄積部１０と、電荷蓄積部に電荷を書き込み可能な電荷書込回路と、マイクロエミッタ型電子銃から放出される電子線を被処理体に照射する電子光学系とを備え、電荷書込回路は描画する電子線パターンに応じて電荷蓄積部に電荷を蓄積し、それぞれの電荷蓄積部に蓄積された電荷量に応じた電子線を、それぞれに接続されたマイクロエミッタ型電子銃から一括して放出することにより被照射体に電子線パターンを照射する。 （もっと読む）

本発明は、白黒の書き込み方式、即ち１つの格子セルへの書き込みまたは非書き込みを使用し、複数の前記格子セルを有する格子の上でパターンを分割することによって、ウェハのようなターゲット面上に前記パターンを発生させるためのプローブ形成リソグラフィシステムであって、前記パターンは、１つの前記格子セルのフィーチャよりも大きなサイズの複数のフィーチャを有し、前記格子セルの各々において、前記プローブは、オンまたはオフに切り替えられ、前記ターゲット上のプローブは、１つの前記格子セルよりも十分に大きな表面積を覆っており、また、前記白黒の書き込みの位置依存分布が、１つのフィーチャ内で、このようなシステムに基づく方法と同様に、前記プローブのサイズの範囲内に与えられるシステムに関する。
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【課題】 描画中の解像度の変動を抑える。
【解決手段】 マルチビーム荷電粒子線装置において各ビームが描画する微小フィールドサイズを描画パターンサイズの偶数倍にしない為に、微小フィールドサイズを変更する手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】 小型化、高精度化といった各種条件を高いレベルで実現する。
【解決手段】 複数の荷電粒子線レンズを二次元配列してなる荷電粒子線レンズアレイにおいて、全レンズに同一電圧を供給したときに各レンズのパワーが少なくとも２種類に分かれるように設定する。レンズが基板に形成した開孔からなる場合、開孔の直径を２種類以上に設定する。 （もっと読む）

荷電粒子ビーム曝露システムは、シフトレジスタ（７５）によって制御される開孔（５３）のグループを有するブランキング開孔配列（３１）を有し、シフトレジスタへの異なる入力（Ｃ）は、異なる数の開孔に影響を与える。開孔を横断する荷電粒子ビームレットは、シフトレジスタのクロック信号に同期して荷電粒子感受性基板にわたってスキャンされる。 （もっと読む）

【課題】少ない電子線の照射量で高いコントラストの露光を行わせ、かつ高精度にウェーハ上にパターンを形成させると共に、高精度な検査を行う。
【解決手段】パターン形成時は、近接効果補正処理を行い、かつ電子線の露光特性の逆特性を有するフィルタ処理結果で電子線を露光する。また、パターンの検査時は、形成したパターンのエッジ周辺を求めるフィルタ結果で電子線を照射する。 （もっと読む）

【課題】マルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法において、高アスペクト比の貫通孔を精度及び歩留まり良く形成できる方法を提供する。
【解決手段】表裏面が｛１１０｝結晶方位のシリコン基板２１に、異方性エッチングにより、側壁面が｛１１１｝結晶方位となるように平行四辺形状で且つアスペクト比４以上の貫通孔２３を形成、次にシリコン基板２１の表面及び貫通孔２３の側壁面に絶縁膜２２、レジスト３７を形成、次に形成したレジストレジストパターン３８を利用して貫通孔２３の側壁面の対向面に偏向電極用金属膜２４ａ、この偏向電極用金属膜２４ａからシリコン基板２１の表面に延びる配線用金属膜２５ａをそれぞれ形成、次にレジストパターン３８を除去後、偏向電極用金属膜２４ａ及び配線用金属膜２５ａ上にそれぞれ金属膜２４ｂ、２５ｂをめっきして偏向電極２４及び配線２５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子ビーム露光装置の調整方法及び荷電粒子ビーム露光装置に関し、成形開口板の照射領域がブランキングの際に動かないという条件と、光源の像の光軸方向の位置が動かないという条件とを満たしながら、照射レンズの強度を変えて材料面上におけるビーム収束角が調節できるように、即ちビーム電流密度が調節できるようにすること。
【解決手段】 荷電粒子ビーム１が照射される成形開口板３より光源４側に配置された多段のレンズ１９〜２１と、多段のブランカー１４，１５と、該多段ブランカー１４，１５の連動比を選択すると共に、多段レンズ１９〜２１のレンズ強度とその比を変えて主面位置と像側焦点位置を調整する調整手段と、偏向支点を成形開口板の位置に合わせて、その状態で前記多段ブランカー１４，１５により荷電粒子ビームを偏向してブランキングを行なうブランキング手段とを設ける。 （もっと読む）

【課題】 ブランキングをかけたときに、漏れる電子線の少ない電子銃を提供する。
【解決手段】 カソード部材２が、周辺の保持部材３に、その電子放出面２ａと前記保持部材３との間に間隙部ができるように保持されている電子銃１であって、前記間隙部に隣接する前記カソード部材２の電子放出面２ａ、及び前記保持部材３の、前記カソード部材の電子放出面に隣接する表面３ａのうち少なくとも一方の、前記間隙部に隣接する部分に、窪み２ｂ、３ｂ、又はアール部、面取り部が設けられていることを特徴とする電子銃。 （もっと読む）