【課題】電子ビーム描画装置を含む半導体製造システムにおいて、地震発生時に電子ビーム描画を中止することなく、段ズレ等による描画パターンの品質低下の無い高品質なパターン描画が可能な半導体製造システムを提供する。
【解決手段】地震情報を受信する受信装置と、電子ビーム描画装置とを含む半導体製造システムであって、上記受信装置が、緊急地震情報を受信する受信部と、震度と到達時間を計算する計算部と、一定の震度以上の主要動を予測検出した際のみに電子ビーム描画装置へ地震対策指示の信号を出力する信号出力部と、を備え、上記電子ビーム描画装置が、出力信号を受信する信号受信部と、出力信号に基づいて一定の震度以上の主要動到達前に所定の動作を完了してから、装置の運転を一時停止する地震対策実行部と、一定時間経過後に、運転動作を再開する復帰実行部と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】描画中に放電箇所を特定することのできる電子ビーム描画装置および電子ビーム描画装置の診断方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置は、電子ビームを放出する電子銃１００と、電子銃１００に電子の加速電圧を印加する高圧電源１０８と、電子銃１００の内部の圧力変動と、高圧電源１０８の電圧変動とをそれぞれ演算し、圧力変動が所定の圧力変動値以上である時刻と、電圧変動が所定の電圧変動値以上である時刻とをデータ出力する演算部１１１と、演算部１１１から出力されたデータを受け取り、圧力変動が生じた時刻と電圧変動が生じた時刻とが一致している場合にログＡとしてこの時刻を記録し、電圧変動が生じた時刻に対応する圧力変動のデータがない場合にログＢとしてこの時刻を記録する記録部１１２とを有する。電子銃１００の内部の圧力は真空計１１０によって測定する。 （もっと読む）

【目的】荷電粒子ビームの偏向位置でのドリフト量を、短時間で評価する荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【構成】ステージ上に固定される複数の基準マークに荷電粒子ビームを照射し、基準マーク各々の基準位置情報を取得する基準位置情報取得工程と、ステージに載置される試料に荷電粒子ビームを照射し、試料にパターンを描画する第１の描画工程と、ステージを静止した状態で荷電粒子ビームを偏向させることにより、基準マークに順次荷電粒子ビームを照射し、基準マーク各々の評価位置情報を取得する評価位置情報取得工程と、評価位置情報と基準位置情報とを比較する比較工程と、比較工程の結果から荷電粒子ビームの偏向状態でのビーム位置のドリフト量を算出するドリフト量算出工程と、試料に荷電粒子ビームを照射し、試料にパターンを描画する第２の描画工程と、を有する荷電粒子ビーム描画方法。 （もっと読む）

【目的】パターン分割領域まで分割領域を設定しない場合でも、誤ったサイズでショット分割されず、かつ微小図形の発生を抑制する描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、チップデータ内の各図形パターンデータを入力し、図形パターン毎に、ショット図形に分割された際の、分割後の各ショット図形のサイズおよび図形パターン内での配列位置が識別可能なショット分割イメージ情報を生成するショット分割処理部１２と、メッシュ領域毎に、当該メッシュ領域内に配置される分割後の各ショット図形を割り当てる割当処理部１４と、メッシュ領域毎に、割り当てられたショット図形数から当該メッシュ領域内を描画する際のショット数を演算するショット数演算部１６と、各メッシュ領域のショット数に基づいて、当該チップを描画するための描画時間を予測する描画時間予測部２４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リカバー処理に掛かる時間を短縮することでスループットの向上を図ることのできる荷電粒子ビーム描画装置及び描画方法を提供する。
【解決手段】移動可能なステージ６１上に載置される試料にパターンを描画する描画部２と、荷電粒子ビームの偏向を制御する偏向制御部３２と、ステージの移動を制御するステージ制御部３６と、両者に対する制御を行う制御計算機３１、から構成される制御部３と、を備え、偏向制御部３２は、描画データを格納するバッファメモリ３２ｂと、バッファメモリ３２ｂから転送される描画データを格納するＦＩＦＯ３２ｃと、ＦＩＦＯ３２ｃへの描画データの転送量を判断した結果、バッファメモリ３２ｂへの描画データの格納が設定量に足りない場合に、ステージ制御部３６に対してステージ６１の停止を指示するとともに、ステージ６１を前記試料に対する描画の対象とされる位置にまで戻すリカバー処理を行う判定部３２ｄとを備える。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上を図ることのできる荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】高い描画精度が必要とされないパターンの描画中に処理室への他の基板の搬送が必要となった場合、描画処理を続けた状態で搬送処理を並行して行う。また、描画室への基板の搬送と、処理室への基板の搬送とを同時に行う場合、描画室への基板の搬送が終われば、処理室への基板の搬送が終えてない状態であっても描画を行う。但し、この状態で描画するパターンは、高い描画精度が必要とされないパターンとする。さらに、高い精度が必要とされるパターンの描画処理中に、処理室への基板の搬送が必要になった場合には、かかるパターンの描画を中断し、搬送が終了するまで高い精度が必要とされないパターンの描画を行う。 （もっと読む）

【課題】最終的に半導体基板に転写されるパターンの寸法誤差をより低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板に形成される予定の所望のパターンのパターン領域を複数の小領域に分割する工程（Ｓ１０２）と、小領域毎に、パターン寸法誤差がより小さくなる、転写用の照明光の形状と、転写する際に用いるマスク上に形成される、所望のパターンのうち当該小領域分を示す部分パターンが補正されたマスクパターンのパターン形状との組み合わせを取得する工程（Ｓ１０４〜Ｓ１０９）と、小領域毎に、組み合わせの形状の照明光でマスクパターンを半導体基板に転写することによって、分割された全ての小領域の部分パターンを順に多重露光する工程（Ｓ１２０，Ｓ１２２）と、多重露光された半導体基板上に前記所望のパターンを形成する工程（Ｓ１２６）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】データ転送速度を効率的に並列化し、描画のスループットを向上させる装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、送信側ユニット内に配置され、複数の処理データを略均等なデータ量になるように複数のグループに振り分ける振り分け処理部４０と、各グループに振り分けられた少なくとも１つの処理データが描画処理順序に対して降順に送信されるように複数のグループの処理データを並列に送信する複数の送信部５０，５２と、受信側ユニット内に配置され、他とは異なるグループの処理データが記憶されるように、並列に送信されてきた複数のグループの処理データを記憶する複数のメモリ７０，７１と、グループにかかわり無く描画処理順に複数の処理データを複数のメモリから読み出し、出力するデータ順番制御部９０と、描画処理順に出力された各処理データに基づいて、試料に荷電粒子ビームでパターンを描画する描画部１５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】描画精度が劣化せず、同時に高いスループットを確保できる荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】レイアウトデータを記憶するレイアウトデータ記憶部１０６と、図形を試料の所定位置に描画するための位置補正情報を記憶する位置補正情報記憶部１０７と、複数の主領域を描画領域内に設定する主領域設定部１４１と、主領域に従属し主領域に隣接する副領域を設定する副領域設定部１４２と、主領域と副領域に図形を分配する図形分配部１４３と、図形をサブフィールドに分配する図形変換部１４４と、サブフィールドの位置を位置補正情報に基づき補正する位置補正部１４５と、位置補正されたサブフィールドと描画データストライプとの対応付けを行う対応付け部１４６と、サブフィールドに分配された図形をショットデータに変換するショット変換部１４７と、前記試料上に順次荷電粒子ビームを照射し描画を行う描画部１０２を有する。 （もっと読む）

【課題】マルチカラムで多重描画を行なう際の描画時間をより短縮可能な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、試料を配置するステージ１０５と相対移動しながら、電子ビーム２００，３００を用いて試料にパターンを描画する複数のカラム２２０，３２０と、パターンが描画される試料１０１の描画領域が複数のカラムの中心間距離よりも小さい幅で短冊状に仮想分割された複数のストライプ領域で構成されるストライプ層を多重描画回数分作成するストライプレイヤ作成部５０と、を備え、複数のカラムがそれぞれ担当する描画対象領域がそれぞれ異なるストライプ層を構成する複数のストライプ領域全面になるように、複数のカラムが、同時期に、試料のチップ領域に描画を行う。 （もっと読む）

【課題】ステージの連続移動方向により直交方向に生じる位置誤差に起因するフォトマスクの精度悪化を抑制可能な荷電粒子ビーム描画装置、及び描画方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置は試料を設置するためのステージ（１２２）と、ステージ上の試料の描画領域に荷電粒子ビームを照射してパターンを描画する描画部（１１１）と、荷電粒子ビームが描画領域内の所定の位置に照射されるよう、ステージの移動動作と描画部の描画動作を制御する制御部（１１２）とを備える。制御部は、荷電粒子ビームが描画領域の個々の第１ストライプ領域内の一端側から他端側へと順に照射されるよう、上記移動動作と上記描画動作を制御する第１の描画制御部（２２１）と、荷電粒子ビームが描画領域の個々の第２ストライプ領域内の一端側から他端側へと順に照射されるよう、上記移動動作と上記描画動作を制御する第２の描画制御部（２２２）とを備える。 （もっと読む）

【目的】レジストヒーティングによる影響を抑制することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、レジストが塗布された描画対象となる試料の描画領域が仮想分割された複数の小領域のそれぞれの小領域内に配置される複数の図形パターンの各パターンデータであって、図形パターン毎に、当該図形パターンが所属する小領域内でさらに複数のグループの１つに振り分けられるための振り分け識別子が定義された各パターンデータを記憶する記憶装置１４０と、グループ毎に描画順序が並ぶように、各小領域に当該小領域に配置される各パターンデータを割り当てるＳＦ割当部５６と、電子ビームを用いて、グループ毎に、各小領域に当該小領域に配置される各図形パターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】主偏向アンプの安定性を正確に評価することのできる方法を提供する。また、主偏向アンプの安定性を正確に評価することにより、高い精度で描画可能な荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】主偏向器の偏向幅で定められる主偏向領域２００の所定位置に電子ビームを照射し、所定時間後に、主偏向領域２００を構成する下地材料とは反射率の異なる材料からなる評価用マーク１００に対し、下地と評価用マーク１００の両方にかかる位置に電子ビームを照射して反射電子を電流値として検出し、電流値の変動量を基に主偏向アンプを評価する。 （もっと読む）

【課題】試料の表面形状を正確に測定して高い精度で描画することのできる荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】高さ測定部４０において、光源４１から照射される光Ｌｉをマスク２上で投光レンズ４２によって収束させた後、マスク２上で反射した光Ｌｒを受光レンズ４３を介して受光素子４４に入射させる。受光素子４４で光の位置が検出されると、信号処理部６０を経て、高さデータ処理部７０で高さデータＨｒが作成される。光Ｌｒの光量が閾値以上であれば、高さデータＨｒを偏向制御部３０へ送る。一方、光Ｌｒの光量が閾値より小さい場合には、描画前に取得した高さデータマップＨｍから、対応する座標の高さデータを偏向制御部３０へ送る。偏向制御部３０は、高さデータ処理部７０から送られた高さデータに基づいて、電子ビーム光学系１０の調整を行う。 （もっと読む）

【課題】偏向領域のサイズにかかわらず、電子ビームの照射位置について正確な評価が可能な電子ビーム描画装置と電子ビーム描画装置の評価方法を提供する。
【解決手段】パターン１０１をショットした後、これに隣接するパターン１０２をショットする。次に、ラインパターンＬ２に隣接するラインパターンＬ３に移動させて、パターン１０３をショットし、次いで、これに隣接するパターン１０４をショットする。次に、再び、ラインパターンＬ２にショット位置を移動させて、パターン１０５をショットし、次いで、これに隣接するパターン１０６をショットする。その後、またラインパターンＬ３に移動して、パターン１０７をショットし、パターン１０７に隣接するパターン１０８をショットする。同様にして、パターン１８０までショットする。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線による描画動作に支障を与えることなく、ストッピングアパーチャに堆積される汚染物質を効率よく除去する。
【解決手段】 荷電粒子線描画装置は、荷電粒子線を偏向するブランキング偏向器１８と、前記ブランキング偏向器で偏向された荷電粒子線を遮断するストッピングアパーチャ１９と、前記ストッピングアパーチャに堆積された堆積物を分解する活性種を気体から生成するための触媒２４と、前記触媒に前記気体を供給する供給機構２５と、を備える。前記堆積物を除去する除去動作では、前記荷電粒子線描画装置は、前記供給機構によって前記気体を前記触媒に供給しながら、パターンを描画する描画動作では前記荷電粒子線が照射されない領域に前記荷電粒子線を照射することによって、少なくとも前記領域に位置する前記触媒によって前記気体から前記活性種が生成され、該生成された活性種により前記堆積物を分解して除去する。 （もっと読む）

【課題】既に行った描画処理の再現と同等な装置制御が可能な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、電子ビームを用いて、試料にパターンを描画する描画部１５０と、既に完了した過去の描画処理について過去の描画処理中に取得された環境データを記録した環境データ履歴を記憶する記憶装置１４２と、環境データ履歴を入力し、環境データ履歴に記録された環境データを現在の環境データとしてデータ処理する環境データ処理部３２と、環境データ履歴に記録された環境データを用いて、過去の描画処理の再現となるように、試料に対する描画位置を補正する補正部２０と、補正されたことにより過去の描画処理の再現となる試料の描画位置にパターンを描画するように現在の描画処理を制御する描画処理制御部１４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 描画精度とスループットとの両立の点で有利な描画装置を提供する。
【解決手段】 複数の荷電粒子線でパターンを基板にショット領域ごとに描画する描画装置は、基板を保持し移動可能なステージと、複数の荷電粒子線を前記基板に投影する投影系と、前記基板に形成されたマークに前記投影系を介して入射した荷電粒子線により飛来する荷電粒子を検出して前記マークの位置を計測する計測器と、制御部とを備える。前記制御部は、あるショット領域に対する描画動作の開始から当該ショット領域に対する描画動作の終了までの間に、前記複数の荷電粒子線の中の少なくとも１つの荷電粒子線を用いて前記計測器により前記マークの位置を計測し、前記計測器の計測結果から前記複数の荷電粒子線の前記基板上における入射位置を補正するように前記ステージ及び前記投影系の少なくとも一方を制御する。 （もっと読む）

【課題】ローディング効果による寸法変動量と描画されたレジストの経過時間による寸法変動量とを合わせて補正する描画装置、及び描画方法を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、近接効果補正係数と基準照射量との第１の組と、近接効果密度毎の裕度と、放置時間に起因するパターンの寸法変動量とを用いて、近接効果密度毎の荷電粒子ビームの第１の照射量を演算する照射量演算部４４と、第１の照射量を、裕度と寸法変動量とをパラメータとせず近接効果補正係数と基準照射量とをパラメータとする照射量演算式を用いてフィッティングして、近接効果補正係数と基準照射量との描画位置毎の第２の組を取得する近接効果補正係数及び基準照射量演算部５０と、第２の組を用いて荷電粒子ビームの第２の照射量を演算する照射量演算部５６と、描画位置毎に、演算された第２の照射量の荷電粒子ビームを用いて、試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高精度な描画位置にビームを照射可能な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、描画対象となる基板１０１の位置を検出する測定部５２と、基板を配置するＸＹステージ１０５と、検出された基板の位置を用いて、基板とステージとの相対位置を演算する相対位置演算部５３と、演算された相対位置から得られる補正量を用いて、パターンの描画位置を補正する補正部７２と、ステージ上に基板を配置した状態で、荷電粒子ビームを用いて基板上の補正された描画位置にパターンを描画する描画部１５０と、を備える。 （もっと読む）