【課題】チャージアップ現象を回避し、電子線描画後の感度変化を抑え、設計通りの寸法のパターン形成が可能であり、且つ、アルカリ現像性を有しながら、高感度、高解像力で、低ラインエッジラフネスの微細なレリーフパターンを得るレジスト帯電防止膜積層体の提供。
【解決手段】支持体上に、（Ｉ）フェノール性水酸基を１分子中に２個以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される１種以上の置換基を有する分子量４００〜２５００のフェノール性化合物（Ａ）と、電子線を照射することによりフッ素原子が結合していないスルホン酸を発生する酸発生剤（Ｂ）、とを含有するネガ型レジスト組成物の全固形分中における前記フェノール性化合物（Ａ）の含有量が７０重量％以上であるネガ型レジスト組成物からなるレジスト膜と、（ＩＩ）帯電防止膜とを少なくとも備える、レジスト帯電防止膜積層体。 （もっと読む）

【課題】 部材に堆積された堆積物を効率的に除去する描画装置を提供する。
【解決手段】 エネルギービーム描画装置は、エネルギービーム源１と基板１２との間に配置され、堆積物が堆積される部材６、１１と、前記堆積物を除去する除去ユニットと、を備える。前記除去ユニットは、前記エネルギービームが照射されることによって、前記堆積物を分解する活性種を前記気体から生成するための触媒１５、１８と、前記部材に気体を供給する気体供給機構１６、１７と、前記堆積物の除去処理を行う場合に前記触媒を前記エネルギービームが照射される第１位置に移動し、前記基板に描画処理を行う場合に前記触媒を前記エネルギービームが照射されない第２位置に移動する移動機構１３、５と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板上にパターニングされた遮光膜、レジスト膜および導電膜を順に積層してなるマスクに荷電粒子ビームを照射して所定のパターンを描画する場合において、効果的に帯電を防ぐことのできるアースピンを提供する。また、複数のアースピンがある場合に、描画対象に応じてアースピンを交換可能な荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板上にパターニングされた遮光膜、レジスト膜および導電膜を順に積層してなるマスクに電子ビームを照射して所定のパターンを描画する電子ビーム描画装置に、導電膜上に接触させて設けるアースピン１０ｃ_２であって、アースピン１０ｃ_２の下端が丸みを帯びて形成される。あるいは、アースピンの下部が下端に向けて先細に形成されるとともに、アースピンの下端が丸みを帯びて形成される。 （もっと読む）

【目的】１回目のパターニングにネガ型レジストを使用した場合でも２回目の描画の際にレジストに帯電する電荷を除去することが可能なマスクの製造方法を提供する。
【構成】基板上に導電性の遮光膜とネガ型の第１のレジスト膜とを順に形成する工程と、遮光膜の層まで貫通するようにアース部材を切り込ませ、電子ビームを用いて基板上に第１のパターンを描画する工程と、描画後に、基板を現像し、第１のレジストパターンを形成する工程と、第１のレジストパターンをマスクとして、遮光膜をエッチングする工程と、エッチング後の遮光膜上に第２のレジスト膜と帯電防止膜とを順に形成する工程と、第１のパターンを描画する際とは異なる位置に基板の上方側から遮光膜の層まで貫通するようにアース部材を切り込ませ、電子ビームを用いて基板上に第２のパターンを描画する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】描画精度の向上と高スループット化とを同時に満足する荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】描画室に内蔵されたステージに第１の試料を載置して電子ビームによる描画処理を行う工程と、第１の試料の次に描画処理を行う第２の試料を、描画室に隣接する位置に配置されたロボット室を介して、ロボット室の周囲に配置された処理室に搬送する工程とを有する。処理室に第２の試料を搬送する間、描画室における第１の試料への電子ビームの照射を停止し、ステージに設けられて電子の反射率が第１の試料と同程度の材料で構成される電子ビーム照射部への照射を行い、処理室に第２の試料を搬送した後は、描画室における第１の試料への電子ビームの照射を再開する。 （もっと読む）

【課題】基板上のレジスト膜に電子線露光を行って所望のレジストパターンを得る基板処理方法において、レジスト膜の帯電の影響を排し、パターンプロファイルの劣化が無い、高精度なレジストパターンを形成する。
【解決手段】基板処理方法を、基板上にレジスト膜を設ける成膜工程と、前記基板上のレジスト膜に所望パターンの電子線露光を行う露光工程とを備え、さらに、前記成膜工程と露光工程との間に、前記レジスト膜上の前記露光がされない非描画領域に導電性のアースパターンを形成するアース形成工程を設けるよう構成する。 （もっと読む）

【目的】同一の基板に繰り返しアース端子を接触させる場合に、パーティクルの発生を抑制する荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法を提供する。
【構成】基板にアース端子を接触させる第１のアース端子接触ステップと、基板からアース端子を離間させる第１のアース端子離間ステップと、基板に、第１のアース端子接触ステップにおける接触位置とずらしてアース端子を接触させる第２のアース端子接触ステップと、基板からアース端子を離間させる第２のアース端子離間ステップと、を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板Ｗａ上に遮光膜Ｗｂとレジスト膜Ｗｃとを順に積層して成るマスクＷに荷電粒子ビームを照射して所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置に設けるアースピンであって、薄膜化した遮光膜にこれを突き破ることなく接触させることができるようにしたものを提供する。
【解決手段】アースピンの下部１３ａが下端に向けて先細に形成されると共に、アースピンの下端が平坦面１３ｂに形成される。好ましくは、アースピンの下部１３ａの横断面形状が、一の字状又は十の字状に形成される。また、アースピンの下端の平坦面１３ｂの面積は、マスクに対する接触圧力が５．１〜５．６×１０^−３Ｎ／μｍ^２になるように設定される。 （もっと読む）

【課題】マスクに荷電粒子ビームを照射して所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、額縁状のフレーム１０ａにアースピン１０ｃを垂設して成るアース体１０をマスクＷにセットして描画を行うものにおいて、マスクにその種類に応じたアース体をセットでき、且つ、スループットの低下も防止できるようにする。
【解決手段】アース体１０用のセット室９に、複数種のアース体１０を保持し、これらアース体１０のうちからマスクＷの種類に応じた１つのアース体１０を選択してマスクＷにセットするセット装置１１を設置する。セット装置１１は、複数種のアース体１０を上下方向の間隔を存して保持する上下複数段の棚部１２ａ，１２ｂを有する保持枠１２と、この保持枠１２を昇降させる昇降手段１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】帯電防止膜が用いられる場合よりも帯電防止膜を塗布・剥離する時間およびコストを削減しつつ、マスク30のレジスト表面30aに照射される荷電粒子ビーム1b1'の描画位置精度を向上させる。
【解決手段】大気圧領域13から真空領域11にマスク30を搬入し、描画室1aのステージ1a1上にマスク30を載置し、荷電粒子銃1b1からの荷電粒子ビーム1b1'によってマスク30のレジスト表面30aにパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置100において、マスク30が真空領域11から大気圧領域13に搬出される前に、マスク30のレジスト表面30aのうち、荷電粒子ビーム1b1'によってパターンが描画された描画済み部分の電荷分布を電荷分布測定手段3b2により測定し、その電荷分布に基づいて荷電粒子ビーム1b1'の描画位置補正量を算出する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム描画においてマスクの接地に用いられるアースピンの材質、形状を最適化し、高い描画精度を得ることが可能なアースピン、アースプレート、荷電粒子描画装置および荷電粒子描画方法を提供する。
【解決手段】本発明によるアースピンは、荷電粒子ビーム描画に供される試料を接地するためのアースピン１２であって、常磁性を示し、試料と接触する接触部１２ｃが曲面を有する。 （もっと読む）

【課題】基板への帯電が抑制可能となっているか否かを描画前に確認できる基板カバーを提供する。
【解決手段】基板カバーは、マスク基板の周縁領域に対応した形状の導電部と、導電部に設けられ、接地可能な電極が導電部から露出する複数の電極部とを有する。電極部１０５ａは、導電部および他の電極部１０５ｂ、１０５ｃと絶縁されており、電極部１０５ａと他の電極部１０５ｂ、１０５ｃとの間に電圧を印加することにより、これらの電極がマスク基板に導通していることを検出できる。電極部は、基板カバー自体を支持する機能も有するため、導電部の荷重が略等分布となるように３箇所に配置されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】確実に絶縁破壊により導通を得ることができるとともに、絶縁破壊により接地用端子を導通させる際のマスクや端子のダメージやパーティクルの発生を抑え、高い描画精度を得ることが可能な荷電粒子描画方法および荷電粒子描画装置を提供する。
【解決手段】本発明による荷電粒子ビーム描画方法は、基板上に導電膜、レジスト膜が順次形成された試料上に、第１の接地用端子と第２の接地用端子を配置し、第１の接地用端子と第２の接地用端子間に、電圧を印加し、電圧を段階的に増大させ、レジスト膜を絶縁破壊することにより、第１の接地用端子と第２の接地用端子間を導通させ、試料を第１の接地用端子および第２の接地用端子により接地し、荷電粒子ビームを照射することにより描画を行う。 （もっと読む）

【課題】マスクブランクスを別の装置で処理する必要がなく、マスクブランクスの接地時に安定した導通を確保しつつ、接地時に発生するマスクブランクス上の異物による問題を解消することができる電子線描画方法、電子線描画装置及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】基板及び遮光膜を有するマスクブランクスを形成し、マスクブランクス上にレジストを塗布形成し、形状の異なる第１及び第２端子をマスクブランクスの接地に用いてパターニングを行うことを特徴とする電子線描画方法。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系あるいはＧａＡｓ系ＦＥＴ用エピでは、バッファ層耐圧を向上させるために最近ではバッファ層に高抵抗のエピを用いる傾向にある。しかし、微細ゲートのパターニングのための電子ビーム露光によるリソグラフィーの際、チャージアップ現象が生じるという問題がある。
【解決手段】金属配線によって電子が放電する経路を形成する。すなわち、ＦＥＴを作製するウエハ上の各チップの周辺部のスクライブラインあるいはエッチカットする部分に相当する部分に金属配線を配し、電子線にとってウエハ上で陽極あるいは接地導体となる部分とその金属配線が金属で接続されており、さらにチップ内においてＦＥＴのソース電極がチップ周辺の金属配線と金属で接続されるようにした。 （もっと読む）

【課題】化学増幅系レジストにおけるかぶりや膜減り現象防止に優れた帯電防止剤、該帯電防止剤を用いた帯電防止膜及び被覆物品を提供することを目的とする。
【解決手段】水溶性導電性高分子、溶媒及び水溶性高分子を含む帯電防止剤。特定の水溶性高分子、特に、ポリビニル構造を有する特定の水溶性高分子を水溶性導電性高分子と併用することにより、安価で簡単にレジストへの塗布性を付与できる界面活性剤を用いても、塗布性を維持しながら、レジストへの影響（レジストの溶解やレジストの現像の結果生じるレジストのかぶりや膜べり現象）を抑止できる。界面活性剤を含有させることにより塗布性を向上させた帯電防止剤は、化学増幅系レジスト、および非化学増幅系レジストに対するミキシング抑制に効果がある。 （もっと読む）

【課題】化学増幅系レジストにおけるかぶりや膜減り現象防止に優れた帯電防止剤、該帯電防止剤を用いた帯電防止膜及び被覆物品を提供することを目的とする。
【解決手段】水溶性導電性高分子、溶媒及び水溶性高分子を含む帯電防止剤。特定の水溶性高分子、特に、ポリビニル構造を有する特定の水溶性高分子を水溶性導電性高分子と併用することにより、安価で簡単にレジストへの塗布性を付与できる界面活性剤を用いても、塗布性を維持しながら、レジストへの影響（レジストの溶解やレジストの現像の結果生じるレジストのかぶりや膜べり現象）を抑止できる。界面活性剤を含有させることにより塗布性を向上させた帯電防止剤は、化学増幅系レジスト、および非化学増幅系レジストに対するミキシング抑制に効果がある。 （もっと読む）

【課題】電気的導通が不連続な被加工基板に対し、荷電粒子線を照射してパターン形成を行う場合、電界の発生を抑止しつつ、かつ、レジストの解像性を損なうことなく、微細なパターンを精度よく形成する手段を提供する。
【解決手段】被加工基板１０の裏面に当たる第２の面１０ｂに導電膜１２を形成し、当該導電膜１２と導通ピン１５を接触させることで、荷電粒子線１４の照射による蓄積電荷に対抗する電荷を導電膜１２に発生させ、電界による荷電粒子線の偏向を抑止する。 （もっと読む）

ＩＴＯ電子ビームレジストの合成方法が提供される。このＩＴＯ電子ビームレジストの合成方法は、塩化インジウム四水和物と塩化スズ二水和物とを２−エトキシエタノールに溶解させて合成する。また、ＩＴＯパターンの形成方法が提供される。このＩＴＯパターンの形成方法は、ＩＴＯ電子ビームレジストを合成する段階と、基板上に合成されたＩＴＯ電子ビームレジストをコーティングし、ＩＴＯ電子ビームレジスト膜を形成する段階と、ＩＴＯ電子ビームレジスト膜を、電子ビーム描画装置を利用してパターニングし、ＩＴＯ電子ビームレジストパターンを形成する段階と、ＩＴＯ電子ビームレジストパターンを熱処理し、ＩＴＯパターンを形成する段階とを含む。
（もっと読む）

【課題】帯電防止膜剥離時の剥離残りが防止され、現像後の面内均一性に優れたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】パターン形成方法が、レジスト膜を半導体基板上に形成する工程、前記レジスト膜上に帯電防止膜を形成する工程、前記レジスト膜に対して電子線を露光する工程、温度３０℃以上３５℃以下の剥離液を用いて前記帯電防止膜を剥離する工程、および前記レジスト膜に対して現像を行い所定のパターンを形成する工程とを含む。 （もっと読む）