【課題】簡便な手法で優れたパッシベーション特性を有する半導体基板用パッシベーション膜を形成可能な半導体基板用パッシベーション膜形成用材料を提供する。
【解決手段】半導体基板用パッシベーション膜形成用材料を、アニオン性基又はカチオン性基を有する高分子化合物と、分散媒と、金属アルコキシドとを含んで構成する。 （もっと読む）

【課題】従来困難とされていた、シランカップリング試薬を用いて、水素終端化処理されたシリコン基板の表面修飾を極めて効率的に行う手段を開発し、センシング電極や有機エレクトロニクス素子の材料として有用な、新たな表面修飾半導体シリコン基板を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
ドーパント処理されたＮ−またはＰ−型シリコン基板を、酸化処理せず、水素終端化処理されている状態でシランカップリング試薬による表面処理を行い、表面修飾半導体シリコン基板を得る。また、この方法によれば、自己集合膜（ＳＡＭ）に匹敵するようなシランカップリング試薬の高密度単分子膜による修飾も可能である。 （もっと読む）

【課題】ポリマーアロイに配向性の高い相分離構造のパターンを短時間で形成することのできるパターン形成方法及びポリマーアロイ下地材料を提供する。
【解決手段】基板上に自己組織化単分子膜とポリマー膜を積層する工程と、エネルギー線を照射することにより前記ポリマー膜と前記自己組織化単分子膜を化学結合させ、ポリマー表面層を前記自己組織化単分子膜上に形成する工程と、相分離構造のパターンを有するポリマーアロイを前記ポリマー表面層上に形成する工程と、を含むパターン形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】良好な生産性をもって、膜質や膜厚、結晶性を制御できる有機薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】アントラセン、テトラセンおよびペンタセンなどのアセン系多環芳香族炭化水素を始めとした種々の有機半導体の有機薄膜を製造するにあたって、溶質溶解温度および溶質溶解圧力で前記有機溶質を超臨界二酸化炭素溶媒相に溶解させて超臨界溶質溶解相を得る溶質溶解工程と、当該超臨界溶質溶解相をノズルから基板上に噴射して当該基板上で前記有機溶質を析出させて有機薄膜を形成する噴射工程とを行う。溶質溶解温度は溶媒の臨界温度以上、溶質溶解圧力は１０ＭＰａ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層における膜亀裂を減少させる方法を記載する。
【解決手段】 方法には、基板上に第一誘電体膜を堆積させるステップと、膜上でエッチングを行うことにより第一誘電体膜の最上部を除去するステップとが含まれるのがよい。方法には、また、エッチングされた第一膜の上に第二誘電体膜を堆積させるステップと、第二誘電体膜の最上部を除去するステップとが含まれるのがよい。更に、方法には、第一誘電体膜と第二誘電体膜をアニールして、誘電体層を形成するステップが含まれるのがよく、第一誘電体膜と第二誘電体膜から最上部を除去することにより誘電体層における応力レベルが低下している。 （もっと読む）

本発明は、官能化されたケイ素及び／又はゲルマニウム表面、このようなテーラーメイドで官能化されたケイ素及び／又はゲルマニウム表面の調製方法、このようなテーラーメイドで官能化されたケイ素及び／又はゲルマニウム表面の表面に結合した有機材料を調製するための使用、及び工業デバイスにおける使用に関する。該Ｓｉ及び／又はＧｅ表面は、窒化ケイ素表面、炭化ケイ素表面、窒化ゲルマニウム表面、炭化ゲルマニウム表面、及びシリコンゲルマニウム表面を含む。 （もっと読む）