【課題】デバイス特性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の一形態の半導体装置は、第１および第２の領域を有する機能膜と、前記基板の前記第１の領域に設けられ、第１の幅を有する第１の溝と、前記基板の前記第２の領域に設けられ、第１の幅よりも広い第２の幅を有する第２の溝と、前記第１の溝を埋めるように高分子材料を前駆体として形成された第１の絶縁膜と、前記第１の幅を上回る直径を有し、前記第２の溝を埋める微粒子と、前記第２の溝内で前記微粒子間および前記微粒子と前記第２の溝との間隙を埋める前記高分子材料とを前駆体として形成された第２の絶縁膜とを持つ。 （もっと読む）

【課題】ポーラス絶縁層を用いた半導体装置において、当該ポーラス絶縁層を覆うポアシール絶縁層を良好に形成すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、（Ａ）ポーラス絶縁層の表面にトレンチを形成する工程と、（Ｂ）ビニル基を含み−Ｓｉ−Ｏ−を含む構造を備える化学物質を、ポーラス絶縁層の表面上あるいはポーラス絶縁層中に導入する工程と、（Ｃ）当該化学物質の重合を行うことにより、ポーラス絶縁層よりも高密度のポアシール絶縁層をトレンチの表面上に形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁性に優れる均一な絶縁性被膜を有する構造体及びその製造方法、絶縁性被膜を形成することができる樹脂組成物、並びに電子部品を提供する。
【解決手段】本発明の絶縁性被膜を有する構造体の製造方法は、孔部を有する基板に、溶剤を塗布する工程と、樹脂組成物を、この樹脂組成物が孔部内の溶剤と接触するように、基板に塗布する工程と、塗膜を乾燥し、孔部の内壁面及び底面のうちの少なくとも内壁面に樹脂成分を含む被膜１１７、１１８、１１９を形成する工程と、孔部の内壁面及び底面を含む基板の全表面に形成されている被膜を加熱し、樹脂成分の硬化物を含む絶縁性被膜２１７、２１８、２１９とする加熱硬化工程と、基板の表面に形成されている絶縁性被膜２１９及び基板の孔部の底面に形成されている絶縁性被膜２１８を除去し、孔部の内壁面に形成されている絶縁性被膜２１７を残存させる表底面側絶縁性被膜除去工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】孔部の少なくとも内壁面に均一な被膜を形成する方法、この方法を利用した、絶縁膜を有する構造体及びその製造方法並びに電子部品を提供する。
【解決手段】本発明の被膜形成方法は、開口部の面積が２５〜１０，０００μｍ^２であり且つ深さが１０〜２００μｍである孔部を有する基板に、溶剤を塗布する溶剤塗布工程と、樹脂成分及び溶剤を含有し、剪断速度６ｒｐｍにおける粘度Ｖ_１（ｍＰａ・ｓ）と、剪断速度６０ｒｐｍにおける粘度Ｖ_２（ｍＰａ・ｓ）との比（Ｖ_１／Ｖ_２）が、１．１以上の樹脂組成物を、該樹脂組成物が上記孔部内の上記溶剤と接触するように、上記基板に塗布する樹脂組成物塗布工程と、塗膜を乾燥する乾燥工程と、を備え、該孔部の内壁面及び底面のうちの少なくとも該内壁面に上記樹脂成分を含む被膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】電子素子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】工程段階を減らし、インクジェットプリンティングのような経済的な方法を使用して、フッ素化有機高分子のような絶縁層を直接パターニングできる電子素子の製造方法、並びに該製造方法によって形成されるバンク構造を有する電子素子である。 （もっと読む）

【課題】素子構造部にダメージを与えずに側壁スペーサ膜等を除去し、高集積化された高性能な半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被処理基体上にＧｅＣＯＨまたはＧｅＣＨからなる第１の薄膜を形成すると、この第１の薄膜の一部を除去する工程と、第１の薄膜の除去された部位を介して被処理基体に所定の処理を施す処理工程と、第1の薄膜を除去する工程とを備えたことを特徴とする。ＧｅＣＯＨまたはＧｅＣＨからなる側壁スペーサ膜３０を用い、ソース、ドレイン領域形成処理を行った後、これを除去する。 （もっと読む）

【課題】電着法により基板に設けた非貫通穴内部に絶縁層を形成する際に、絶縁層を必要としない基板表面の絶縁層の形成を抑制し、非貫通穴内部に選択的に成膜できる基板処理方法、基板処理装置及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１０に非貫通穴１１を形成し、電着法により非貫通穴１１内部に絶縁層１５を形成する際に基板１０の表面に形成される余剰な絶縁層１５を、摩擦手段１７による摩擦によって除去し、これによって非貫通穴１１内部に選択的に絶縁層１５を成膜する。 （もっと読む）

【課題】低温で、高い耐エッチング性を有し、かつ有機膜に対して高いエッチング選択比を有する膜を形成可能な膜形成用材料、および該膜形成用材料を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】加水分解により水酸基を生成し得る金属化合物（Ｗ）が溶剤（Ｓ）に溶解しており、前記溶剤（Ｓ）が、前記金属化合物（Ｗ）と反応する官能基を有さない沸点１５５℃以上の溶剤（Ｓ１）を含有することを特徴とする膜形成用材料。基板と有機膜とを備えた積層体の前記有機膜上に形成されたパターンを、前記膜形成用材料を用いて被覆し、このパターンをマスクとして前記有機膜のエッチングを行うパターン形成方法。 （もっと読む）

半導体素子が形成された基板上に金属配線を積層し、半導体素子の接続を得る多層配線構造において、多孔質絶縁膜内に微細な金属配線を形成する場合に、リーク電流が発生し隣接する配線間の絶縁性が損なわれたり、隣接する配線間の絶縁耐性が劣化することのない配線構造およびその製造方法を提供する。半導体素子が形成された基板上の金属配線構造において、層間絶縁膜と金属配線との間に、有機物を含む絶縁性バリア層４１３を形成する。この絶縁性バリア層は隣接する配線間のリーク電流を低減し、絶縁信頼性を向上させることができる。
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【課題】 基板に形成される孔部に臨む基板の内壁に塗布材を塗布する際、塗布材の未塗布部の発生を容易に防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 大気圧よりも低い圧力を有するチャンバ内に載置される基板の孔部の開口部をキャップ状に塞ぐように塗布材を供給した後、チャンバ内の圧力を、たとえば参照符５２で示すように段階的に高くすることによって、塗布材が破断しないように調整しながら高め、孔部の開口部をキャップ状に塞ぐ塗布材を孔部の内部に吸引して孔部に臨む基板の内壁に塗布材を塗布する。このようにして、吸引される塗布材を破断させることなく孔部に臨む基板の内壁に塗布することができる。 （もっと読む）

基板（４０、１２５）上におけるケイ素−窒素−含有膜の低温プラズマ化学蒸着のための方法である。前記方法は、プロセスチャンバ（１０、１１０）に基板（４０、１２５）を提供し、リモートプラズマ源（９４、２０５）の反応物ガスを励起し、その後励起された反応物ガスをシラザン前駆体ガスと混合し、及び化学蒸着プロセスで励起したガス混合物から基板（４０、１２５）上にケイ素−窒素−含有膜を堆積する段階を含む。ひとつの実施形態では、前記反応物ガスは、ＳｉＣＮＨ膜を堆積するため窒素含有ガスを含んでよい。また他の実施形態では、前記反応物ガスは、ＳｉＣＮＯＨ膜を堆積するため酸素含有ガスを含んでよい。
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【課題】 半導体素子の保護膜を鉛系ガラスで形成すると焼成温度が高くなった。
【解決手段】 ｎ^＋形半導体領域７とｎ形半導体領域８とｐ形半導体領域９とから成る半導体基体１の傾斜側面１０に、カルボキシル基を有する有機高分子物質の水溶液にアンモニア水を混合したものを塗布し、ベ−キング処理して負電荷を有する保護膜６を形成する。 （もっと読む）