基板上に持ち上がった隣接特徴部により画成されたギャップを充填する方法は、基板を収容するチャンバにシリコン含有プロセスガス流を供給するステップと、上記チャンバに酸化プロセスガス流を供給するステップと、上記チャンバに燐含有プロセスガス流を供給するステップとを備えている。また、この方法は、シリコン含有プロセスガスと、燐含有プロセスガスと、酸化プロセスガスとの間に反応を生じさせることにより、Ｐドープの酸化シリコン膜の第１部分を実質的な適合層としてギャップに堆積するステップも備えている。適合層の堆積は、（シリコン含有プロセスガス＋燐含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比を時間と共に変化させる段階と、適合層の堆積全体にわたり基板の温度を約５００℃未満に維持する段階とを含む。また、この方法は、Ｐドープの酸化シリコン膜の第２部分をバルク層として堆積するステップも備えている。上記膜の第２部分の堆積は、（シリコン含有プロセスガス＋燐含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比をバルク層の堆積全体にわたり実質的に一定に維持する段階と、バルク層の堆積全体にわたり基板の温度を約５００℃未満に維持する段階とを含む。 （もっと読む）

処理領域と、基板支持体と、ガス分配システムと、ガス混合領域と、フェースプレートに固定されたアダプタリングを所望の温度に加熱するように配置された加熱素子と、温度制御排気システムとを備えた装置。また、ビス(第三級ブチルアミノ)シランを蒸発させ、ビス(第三級ブチルアミノ)シランとアンモニアを処理チャンバへ流し、アダプタリングと少なくとも２つのブロッカープレーで画成された追加の混合領域を有する２つの反応種を合わせ、アダプタリングを加熱し、ビス(第三級ブチルアミノ)シランをガス分配プレートを通って処理領域に流す方法と装置。 （もっと読む）

ゼオライトを形成する方法-炭素ドープ酸化物(CDO)混合物誘電材料についてここで説明する。ゼオライト粒子は溶媒中で分散可能である。ゼオライト溶媒溶液はたとえばウエハ又は他の誘電層のように基礎をなす層の上に堆積可能である。少なくともある程度の溶媒はゼオライト薄膜を形成するのに除去可能である。CDOはゼオライト-CDO混合膜/誘電体を形成するのにゼオライト膜中に堆積可能である。ゼオライト-CDO混合物膜/誘電体は固層ゼオライト-CDO混合物誘電体を形成するのに焼成することが可能である。
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ビアの中に有機プラグを形成する方法について記述する。ビアはシリコン含有誘電体を含む集積回路（ＩＣ）構造中に存在する。有機プラグを形成する方法は底部反射防止膜等の有機化合物を塗布することを含む。その有機化合物はビアを占める。そして、その方法は反応装置に一酸化二窒素（Ｎ_２Ｏ）ガスを供給することに進み、そして反応装置中でプラズマを生成する。有機化合物の多くの部分が除去されて、ビアを占める有機プラグを残す。有機プラグは、典型的には、デュアルダマシンプロセスにおいて形成される。 （もっと読む）

半導体基板中の間隙の充填方法、及び蒸着速度均一度の改善方法を提供する。反応室内へ基板及び少なくとも１種の重水素化合物を含むガス混合物を供する。ガス混合物が反応し、層への蒸着及びエッチングが同時に行われて基板上へ所定材料から成る層が形成される。間隙内は所定材料層によって、間隙内の該材料が実質的に空隙のない状態となるように充填される。また、所定材料を、Ｄ_２、ＨＤ、ＤＴ、Ｔ_２及びＴＨから選択される少なくとも１種のガスの存在下で表面上へ蒸着する。蒸着処理中の正味蒸着速度は表面全体においてある程度不均一であるが、この不均一の程度は、実質的に同一な条件下においてＨ２を用いる蒸着中に生ずる不均一の程度よりも明らかに改善される。

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後の堆積、特に原子層堆積（ＡＬＤ）によるゲート絶縁体堆積のための調製において、ゲルマニウム表面（２００）を処理するための方法が提供される。堆積の前に、該ゲルマニウム表面（２００）は、プラズマプロダクトを用いて反応されるか、又は気相反応物を用いて熱的に反応される。表面処理の例は、ＡＬＤ反応物により容易の吸着する酸素ブリッジ、窒素ブリッジ、−ＯＨ、−ＮＨ、及び／又は−ＮＨ_２末端を残す。該表面処理は、該反応物の該ゲルマニウムバルクへの深い浸透を回避するが、核形成を改良する。

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本発明はリンでドープした二酸化ケイ素含有層の形成方法及び集積回路の作製におけるトレンチ分離の形成方法を含む。一実施において、リンでドープした二酸化ケイ素含有層の形成方法は堆積チャンバー中で基板の位置決めをすることを含む。第1及び第2気相反応物をリンでドープした二酸化ケイ素含有層を該基板上に堆積するために有効な条件下で交互の且つ時間を置いたパルスで複数の堆積サイクルで該チャンバー中の該基板へ導入する。該第1及び第2気相反応物の一つはRがヒドロカルビルであるPO(OR)₃であり、そして該第1及び第2気相反応物の他の反応物はRがヒドロカルビルであるSi(OR)₃OHである。 （もっと読む）

【課題】半導体用途における誘電体膜を形成するためのシステム及び方法、特に、混合気化前駆体を用いて基板上に多成分誘電体膜を作製するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は、気化した前駆体の混合物が、原子層堆積（ＡＬＤ）処理における単一パルス段階中にチャンバ内に一緒に存在して多成分膜を形成するような気化前駆体の混合をもたらすためのシステム及び方法を提供する。気化前駆体は、少なくとも１つの異なる化学成分から成り、そのような異なる成分が単層を形成して多成分膜を生成することになる。本発明の更に別の態様では、組成勾配を有する誘電体膜が提供される。 （もっと読む）