【課題】 金属触媒の拡散が困難な酸化膜と容易な窒化膜で二重キャッピング膜を形成し、その上に金属触媒層を形成した後に結晶化することにより、金属触媒が酸化膜を容易に通過できず、少量の金属触媒のみが結晶化に寄与する。これにより結晶粒径が大きい多結晶シリコン層を形成し、これで半導体層を形成し特性が優れた薄膜トランジスタを得る。
【解決手段】 絶縁基板上に形成された半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜、ソース／ドレーン電極を含み、ゲート絶縁膜は１から２０Åの厚さのフィルターリング酸化膜からなる薄膜トランジスタ及びその製造方法。金属触媒の拡散が困難なフィルターリング酸化膜を用いて結晶化に寄与する金属触媒の量を調節し、調節された金属触媒によって多結晶シリコン層の結晶粒の大きさを大きく形成し、多結晶シリコン層に残留する金属触媒の量を最小化して特性が優れた薄膜膜トランジスタを製造できる効果がある。 （もっと読む）

【課題】 Ｈｉｇｈ−ｋ膜を用いてヒステリシスの増加の小さい半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板上に第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を形成した後、０．２体積％以上の濃度の酸素を含む雰囲気中で熱処理を行う。第２の絶縁膜は、高誘電率絶縁膜であるとともに、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との界面で酸化還元反応が起こるのを抑制できる量の酸素を透過する膜厚で形成される。第２の絶縁膜は、膜厚３．０ｎｍ以下、好ましくは２．４ｎｍ以下のＨｆＡｌＯ_ｘ膜とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 粒子衝突による損傷から保護し、かつ低応力な保護膜を形成した保護膜付きマイクロシステム構造体を提供する。
【解決手段】 粉塵の大きさをｄ［ｍ］、粉塵の密度をρ［ｋｇ／ｍ³］、粉塵の衝突速度をｖ［ｍ／ｓ］としたときに、保護膜（６）の少なくとも一部を構成する第１膜（７）は、ナノインデンテーション法にて、Ｂｅｒｋｏｖｉｃｈ ｔｉｐ、荷重０．５ｇｆの条件で測定したときの硬さをＨａ［ｋｇｆ／ｍ²］としたときに、保護膜（６）の膜厚：ｔ［ｍ］、保護膜（６）を構成する材料の降伏歪εＢ［−］に対して、
【数１】


を満たす硬さの物性値となるようにする。 （もっと読む）

本発明はゲート型電界効果デバイスに関し、その製法にも関する。一例では、ゲート型電界効果デバイスはソース/ドレーン領域ペアを含み、チャンネル領域をそれらの間に有している。ゲートはソース/ドレーン領域間でチャンネル領域に近接して受領される。ゲートはソース/ドレーン領域間にゲート幅部を有している。ゲート誘電体はチャンネル領域とゲートに近接して受領される。ゲート誘電体は少なくとも２つの異なる領域をゲートの幅部に沿って有している。これら異なる領域はそれぞれ異なる誘電率ｋを有する２つの異質領域を提供するように異なる材料で提供される。 （もっと読む）