処理領域と、基板支持体と、ガス分配システムと、ガス混合領域と、フェースプレートに固定されたアダプタリングを所望の温度に加熱するように配置された加熱素子と、温度制御排気システムとを備えた装置。また、ビス(第三級ブチルアミノ)シランを蒸発させ、ビス(第三級ブチルアミノ)シランとアンモニアを処理チャンバへ流し、アダプタリングと少なくとも２つのブロッカープレーで画成された追加の混合領域を有する２つの反応種を合わせ、アダプタリングを加熱し、ビス(第三級ブチルアミノ)シランをガス分配プレートを通って処理領域に流す方法と装置。 （もっと読む）

本発明は、低温プロセスを用いてｈｉｇｈ−ｋ誘電体膜内に窒素の取り込み（例えば窒化物形成）を促進する。更に、本発明は、原位置法、すなわちｈｉｇｈ−ｋ誘電体膜の形成及び膜の窒化物形成が従来の後処理技術とは対照的に膜の堆積中に同じプロセスチャンバ内で実施される方法を提供する。別の態様では、半導体デバイス内のゲート誘電体層として用いるための多層材料の堆積方法が提供される。 （もっと読む）

アミノ置換ジシラン化合物に基づいた新規な種類の揮発性液体前駆体を用いて、基板の表面上に窒化シリコンの誘電体材料を形成する。この種類の前駆体は、当該技術分野に内在する高い堆積温度の問題及び望ましくない副生成物の形成を克服するものである。別の態様においては、基板上に窒化シリコン膜を堆積させる方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板（１２）に形成され、シリコン酸化物およびそれの異なる程度の窒化（１８Ｄと１８Ｅ）で構成されたＰＦＥＴゲート誘電体層（１６）およびＮＦＥＴゲート誘電体層（１４）でそれぞれ覆われたＰＦＥＴ領域およびＮＦＥＴ領域を有するＣＭＯＳ半導体（１０）材料を形成する方法を提供すること
【解決手段】シリコン基板（１２）にＰＦＥＴ領域（１６）およびＮＦＥＴ領域（１４）を設け、その上にＰＦＥＴおよびＮＦＥＴゲート酸化物層を形成する。ＰＦＥＴ領域の上のＰＦＥＴゲート酸化物層の窒化を行って、ＰＦＥＴ領域の上のＰＦＥＴゲート酸化物層に、第１の濃度レベルの窒素原子を有する、ＰＦＥＴ領域の上のＰＦＥＴゲート誘電体層（４２）を形成する。ＮＦＥＴゲート酸化物層の窒化を行って、第１の濃度レベルと異なる濃度レベルの窒素原子を有する、ＮＦＥＴ領域の上のＮＦＥＴゲート誘電体層（４０）を形成する。ＮＦＥＴゲート誘電体層（４０）およびＰＦＥＴゲート誘電体層（４２）は、同じ厚さを有することができる。 （もっと読む）

半導体構造体を作製する方法は、基板上に酸化物層を形成する段階と、酸化物層上に窒化ケイ素層を形成する段階と、各層をＮＯ中でアニールする段階と、各層をアンモニア中でアニールする段階とを含む。酸化物層と窒化ケイ素層とを併せた等価酸化膜厚は、最大２５オングストロームである。 （もっと読む）

【課題】バッチタイプ処理システムにおいて順次ガス露出処理によって基板上に金属含有膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】バッチタイプ処理システムの処理チャンバーに基板を供給し、基板を加熱し、金属含有前駆体ガスのパルスと反応ガスのパルスを処理チャンバーに順に流し、これらの流し処理を所望の膜特性を有する金属含有膜が基板上に形成されるまで繰り返す。この方法によって、ＨｆＯ_２やＺｒＯ_２などの酸化金属膜、Ｈｆ_ｘＯ_ｚＮ_ｗやＨｆ_ｘＯ_ｚＮ_ｗなどの酸窒化金属膜、Ｈｆ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚやＺｒ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚなどのケイ酸金属膜、Ｈｆ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚＮ_ｗやＺｒ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚＮなどの窒素含有ケイ酸金属が形成できる。 （もっと読む）

【課題】 調整可能な光学的性質およびエッチング特性を有する材料を堆積させる方法と装置の提供。
【解決手段】 プラズマ増強化学蒸着によって基板に調整可能な光学的およびエッチング耐性特性を有する膜を堆積させる方法およびシステムに関するものである。チャンバは、プラズマソースと、ＲＦ電源に結合された基板ホルダとを有する。基板は、基板ホルダに配置される。ＴＥＲＡ層は、基板に堆積される。ＴＥＲＡ層の少なくとも一部分の堆積速度が、ホルダの基板にＲＦ電力が印加されていないときより早くなるように、ＲＦ電源によって提供されるＲＦ電力は、選択される。 （もっと読む）

少なくとも１種のジュウテリウム置換窒素化合物と水素同位体を含まない１または２以上の珪素含有化合物からのジュウテリウム置換窒化珪素含有材料作製方法を提供する。適するジュウテリウム置換窒素化合物として例えばＮＨ_２Ｄ、ＮＨＤ_２及びＮＤ_３を用い、適する珪素含有化合物として例えばＳｉＣｌ_４及びＳｉ_２Ｃｌ_６を用いる。本発明に従って得られるジュウテリウム置換窒化珪素含有材料は例えばトランジスタ装置中へ組み入れることができ、これにより得られたトランジスタ装置をＤＲＡＭセル中に用い、さらに得られたＤＲＡＭセルを電子システム中に用いることができる。

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【課題】半導体用途における誘電体膜を形成するためのシステム及び方法、特に、混合気化前駆体を用いて基板上に多成分誘電体膜を作製するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は、気化した前駆体の混合物が、原子層堆積（ＡＬＤ）処理における単一パルス段階中にチャンバ内に一緒に存在して多成分膜を形成するような気化前駆体の混合をもたらすためのシステム及び方法を提供する。気化前駆体は、少なくとも１つの異なる化学成分から成り、そのような異なる成分が単層を形成して多成分膜を生成することになる。本発明の更に別の態様では、組成勾配を有する誘電体膜が提供される。 （もっと読む）

【課題】下層のポリシリコン膜を酸化させることなく、酸素アニールによりＨＴＯ膜を十分に改質させ、電気的にリークが少ないトンネル酸化膜を形成する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ポリシリコン膜からなる第１フローティングゲート１６上に、窒化膜２６又は酸窒化膜２８を介してＨＴＯ膜を成膜し、酸素アニール処理を施して、トンネル酸化膜１８（ＨＴＯ膜）を形成する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 被処理体の表面に、ＳｉＣｌ₄ とＮＨ₃ を原料ガスとして熱ＣＶＤ法によりシリコンナイトライド膜を成膜する。これにより、絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜を形成する。 （もっと読む）