【課題】配線の信号伝播性能向上を絶縁被膜の誘電率分布の均一化によって実現することを課題とする。
【解決手段】アルコキシシランを加水分解して得られたシリカからなる、平均粒径が１０００Å以下であって、粒径の３σが平均粒径の２０％以下である第一の微粒子と、平均粒径が１第一の微粒子の１／３以下で、粒径の３σが第二の微粒子の平均粒径の２０％以下である第二の微粒子とを含有し、半導体デバイスに用いるに好ましい被膜形成用塗布液。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＧ膜のＳｉ原子と有機基（例えばＣＨ３基）やＨ基の結合がアッシング時に切れるのを抑制して誘電率を低く抑える。
【解決手段】低誘電率の有機又は無機ＳＯＧ膜にパターン化レジスト膜をマスクとしてエッチングを行って配線溝を形成し、この後、枚葉式ダウンストリーム型のプラズマアッシング装置を用いて、酸素ガスプラズマによるアッシング処理を例えば１．２Ｔｏｒｒの圧力雰囲気下で施してレジスト膜を除去し、この後配線溝にバリヤメタル形成後、Ｃｕを電界メッキ法にて埋設して配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＧ膜のＳi原子と有機基（例えばＣＨ₃基）やＨ基の結合がアッシング時に切れるのを抑制して誘電率を低く抑える。
【解決手段】 低誘電率の有機又は無機ＳＯＧ膜にパターン化レジスト膜をマスクとしてエッチングを行って配線溝を形成し、この後、枚葉式ダウンストリーム型のプラズマアッシング装置を用いて、酸素ガスプラズマによるアッシング処理を例えば１．２Torrの圧力雰囲気下で施してレジスト膜を除去し、この後配線溝にバリヤメタル形成後、Ｃuを電界メッキ法にて埋設して配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造体の製造工程のＳＯＧ膜のエッチバック工程で、第１の金属配線を露出しない構造とする。
【解決手段】表面に段差２３のある絶縁膜１上に選択的に第１の金属配線２を形成し、この第１の金属配線２上にメタル系絶縁膜であるチタン酸化膜３を形成する。その露出面に第１のＰ−ＴＥＯＳ膜４を形成する。チタン酸化膜３の直上を除く第１のＰ−ＴＥＯＳ膜４の表面にＳＯＧ膜５を形成し、チタン酸化膜３上とＳＯＧ膜５上に第２のＰ−ＴＥＯＳ膜６を形成する。最後に第２のＰ−ＴＥＯＳ膜６上に第２の金属配線７を形成して、多層配線構造体が完成する。ここでは２層の金属配線２、７を例に上げたが、さらに多層の配線構造体の場合も、同様に各膜を積層することで製作できる。 （もっと読む）