半導体装置の製造方法は、基板の上に流動性を有する絶縁性物質よりなる流動性膜を形成する工程と、押圧部材の平坦な押圧面を前記流動性膜に押圧して流動性膜の表面を平坦化する工程と、押圧面を流動性膜に押圧した状態で流動性膜を第１の温度に加熱して表面が平坦化されている流動性膜を固化することにより、表面が平坦な固化膜を形成する工程と、表面が平坦な固化膜を前記第１の温度よりも高い第２の温度に加熱して固化膜を焼成することにより、表面が平坦な焼成膜を形成する工程とを備え
ている。
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島状の層間絶縁膜をソース線とゲート線が交差する領域に選択的に形成する。例えば、インクジェット法を用いて絶縁材料を含む液体をゲート線とソース線が交差する領域若しくは保持容量が形成される領域に滴下することにより、フォトリソグラフィー工程を削減し、ＴＦＴ作製プロセス中において使用するマスク枚数を減らすことが可能となる。
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【課題】膜原料となるダイヤモンド微粒子など微粒子液状組成物は粘度が低く、増粘材なしではスピン塗布機での膜形成が困難である。
【解決手段】ダイヤモンド微粒子や銀微粒子のコロイド状液状組成物を、微細且つ複数あるノズルから液滴状で塗出する方法により、低粘度でも均一膜厚に、しかも重ね塗りにより膜厚を制御して塗布することができた。乾燥させてから重ね塗りするとポーラス構造の密度を低くすることができる。ここではリーク電流、絶縁破壊電圧は十分実用に耐え、比誘電率２．８の低誘電率膜を製造することができた。 （もっと読む）

本発明は、微細粒のアルカリ土類金属チタン酸塩並びにアルカリ土類金属化合物と二酸化チタン粒子との反応によるその製造方法に関する。前記二酸化チタン粒子は５０ｍ²／ｇより高いＢＥＴ表面積を有する。前記二酸化チタン粒子は極めてわずかな含有量の硫酸塩、塩化物及び炭素を有することができる。この反応は７００℃未満の温度で行うことができる。前記アルカリ土類金属チタン酸塩は５〜１００ｍ²／ｇのＢＥＴ表面積を有することができる。有利にこれは結晶格子中にヒドロキシル基を有しない。前記アルカリ土類金属チタン酸塩は、マイクロエレクトロニクス素子の製造のために使用することができる。
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【課題】 粒子衝突による損傷から保護し、かつ低応力な保護膜を形成した保護膜付きマイクロシステム構造体を提供する。
【解決手段】 粉塵の大きさをｄ［ｍ］、粉塵の密度をρ［ｋｇ／ｍ³］、粉塵の衝突速度をｖ［ｍ／ｓ］としたときに、保護膜（６）の少なくとも一部を構成する第１膜（７）は、ナノインデンテーション法にて、Ｂｅｒｋｏｖｉｃｈ ｔｉｐ、荷重０．５ｇｆの条件で測定したときの硬さをＨａ［ｋｇｆ／ｍ²］としたときに、保護膜（６）の膜厚：ｔ［ｍ］、保護膜（６）を構成する材料の降伏歪εＢ［−］に対して、
【数１】


を満たす硬さの物性値となるようにする。 （もっと読む）

基材と、誘電体材料の転写層とを含んでなる熱的に画像形成可能なドナー素子を熱に曝す工程を含んでなる、熱転写プロセスによって充填誘電体材料のパターンを基材上に形成する方法を開示する。照射パターンは、誘電体材料層の部分が、電子デバイスが形成されている基材上に転写されるように、基材上に形成すべき所望のパターンの画像である。充填誘電体材料は、薄膜トランジスタのゲート電極上にパターン化することができる。パターン誘電体材料は、また、相互接続のための絶縁層を形成してもよい。このプロセスでの使用のためのドナー素子も開示する。熱転写プロセスでの使用のための薄膜トランジスタおよびドナー素子を形成するための方法も開示する。
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