【課題】拡散ムラの発生を抑制しつつ、製造コストを低減することができる、拡散防止マスクの形成方法およびそれを用いた太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】インクジェット法を用いて、基板１上にシリコン化合物を含むマスクインクを塗布することにより、拡散防止マスクとなるマスク層２を形成する工程と、マスク層２を含む基板１を焼成する工程とを備えている。第１領域５ｂにおけるマスク層２の厚さは、マスク層２がドーパント拡散防止用マスクとして機能するために必要な最低膜厚であるマスク性確保最低膜厚より大きく、第２領域５ａにおけるマスク層２の厚さは、ドーパントの拡散温度の状態におけるマスク層２にクラックが発生しない最大膜厚である耐クラック膜厚より小さく、かつ、マスク層２は第２領域５ａにおいて第１領域５ｂより厚くなるように形成される。 （もっと読む）

【課題】 テンプレートを用いることなく基板に凹凸状のパターンを形成することができるパターン形成装置を提供することを目的とする。
【解決装置】 パターン形成装置（１０）は、基板（ＦＢ）の表面に凹凸状のパターンを形成する。そして、パターン形成装置（１０）は所定のエネルギーに応じて硬化する硬化性材料（ＬＲ）を基板（ＦＢ）の表面に接触させる接触装置（１２）と、パターンに対応するパターン情報に基づいて基板（ＦＢ）の表面と接触した硬化性材料（ＬＲ）に所定のエネルギーを付与し該硬化性材料（ＬＲ）を硬化させる硬化装置（１１）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 凸版反転印刷法による精密パターン形成が可能であり、極めて平滑な表面形状と大気下においても漏れ電流が小さいゲート絶縁膜を形成する絶縁膜形成用インキ組成物を提供する。第二の課題は、該インキ組成物から形成された絶縁膜、及び、該絶縁膜を有する電子素子を提供する。
【解決手段】 樹脂成分、体質成分、有機溶剤、及び、離型剤を含有する絶縁膜形成用インキ組成物であって、樹脂成分がポリビニルフェノール系樹脂を含有し、体質成分／樹脂成分の比が０．０３〜０．１の範囲であることを特徴とする絶縁膜形成用インキ組成物。 （もっと読む）

【課題】薄膜担持体に担持された薄膜材料を基板に転写することで基板に薄膜を形成する薄膜形成装置において、薄膜形成のための減圧を効率的に行うことができ、しかもメンテナンス性に優れた装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバ１の側面を構成する着脱自在のパネル状部材である裏板１６に、処理チャンバ１と真空ポンプとを連通接続するための排気口１６１を設ける。転写ユニットが取り付けられる天板１１および底板１９には排気口およびこれにつながる配管を設けないことにより、メンテナンス性を向上させる。排気口１６１を複数、しかも略等間隔に配することによって、減圧処理時の処理チャンバ内の気圧の不均衡を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ナノスコーピックチップを用いてインクが基板に移される高解像直接パターニング技術の改良。
【解決手段】 本発明は、ディップペン・ナノリソグラフィを用いて、ブロックコポリマーおよび無機前駆体を有する溶液を基板上に付着させる段階を含む、基板上に有機／無機複合ナノ構造を製造する方法を含む。ナノ構造は、1ミクロン未満の幅／直径を有するラインおよび／またはドットのアレイを含む。本発明は、高さ以外のナノスケール直径を有する無機／有機複合ナノスケール領域を含む装置を含む。 （もっと読む）

本製造方法は、厚さ１００ｎｍ未満の金属酸化物活性層を有する半導体装置の製造に用いられ、その上部主要表面および下部主要表面は、下部界面および上部界面を形成するための接合する材料を有する。本製造方法は、金属酸化物活性層のために金属酸化物を選択することにより、および、接合する材料のために特定の材料を選択することにより、下部界面と上部界面との界面相互作用を制御することを含む。さらに、本方法は、下部界面の成分を形成する下部材料の表面処理によって下部界面内の相互作用を制御する段階、および、金属酸化物層上の材料の堆積に先立って実行される金属酸化物フィルムの表面処理によって上部界面の相互作用を制御する段階、の一方または両方の段階を含む。
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【課題】圧電性能に優れた強誘電性酸化物を提供する。
【解決手段】ＡＣＯ_３で表される強誘電性酸化物の最も安定な結晶構造Ｘと、ＢＤＯ_３で表される強誘電性酸化物の最も安定な結晶構造Ｙとが互いに異なる対称性及び分極方向を有し、式（１）を充足する条件で、式（ａ）で表される強誘電性酸化物の組成を決定し、その組成の強誘電性酸化物を製造する。
（Ａ_ｘ，Ｂ_1-ｘ）（Ｃ_ｙ，Ｄ_1-ｙ）Ｏ_３・・・（ａ）
（式（ａ）中、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１。Ａ，Ｂ：Ａサイト元素、Ｃ，Ｄ：Ｂサイト元素、Ｏ：酸素原子、Ａ〜Ｄは各々１種又は複数種の金属元素。）、
｜Ｅ（Ｘ）−Ｅ（Ｙ）｜≦Ｅ・ＰＶ・・・（１）
（式（１）中、Ｅ（Ｘ）及びＥ（Ｙ）はそれぞれ、上記一般式（ａ）で表される強誘電性酸化物の結晶構造Ｘ及びＹの時のエネルギー、Ｐは電場をかける前の自発分極密度ベクトル、Ｅは駆動電場ベクトル、Ｖは基本格子の体積である。Ｅ・ＰはＥとＰの内積である。） （もっと読む）

本発明は、ケイ素半導体デバイスおよび光起電力電池用導電性ペーストに有用なガラス組成物に関する。厚膜導体組成物は、１つ以上の電気機能性粉末と、有機媒体に分散された１つ以上のガラスフリットとを含む。厚膜組成物はまた１つ以上の添加剤を有していてもよい。例示の添加剤としては、金属、金属酸化物または焼成中、これらの金属酸化物を生成することのできる任意の化合物を挙げることができる。 （もっと読む）

【課題】膜厚の厚い絶縁膜を形成することが可能な無機被膜形成用組成物であって、低コストで絶縁膜を形成することが可能な無機被膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】（ａ）無機酸化物微粒子、及び（ｂ）バインダー化合物を含む無機固形分と、（ｃ）溶剤とからなる無機被膜形成用組成物であって、前記（ｂ）バインダー化合物が、ベーマイト型アルミナゾル、又は擬似ベーマイト型アルミナゾルを含む無機被膜形成用組成物。本発明の無機被膜形成用組成物によれば、膜厚の厚い絶縁膜を形成した場合でも、クラックを発生することがない。更に、シリコン基板上に形成された被膜の焼成後において、十分な硬度の絶縁膜を形成することができる。 （もっと読む）

片側裏面コンタクト太陽電池で使用される誘電体コーティング材系が開示される。前記材系は、シリコンベースの太陽電池の同一面上において、相反する極性の電極同士を電気的に絶縁する役目をし、且つ、チタン及びリンを含んでいる。
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【課題】シートフィルムに発生させた張力を安定してシートフィルムに付与することができる薄膜形成装置および薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】薄膜が薄膜形成面に形成されたシートフィルムＦが一対の挟持部ＵＨ，ＤＨにより保持される。第１プレート４に基板Ｗが装着される一方、シートフィルムＦの非薄膜形成面側に第２プレート５が移動方向Ｚに沿って第１プレート４に対向して配設されている。第２プレート５が上昇すると、一対の挟持部ＵＨ，ＤＨに保持されたシートフィルムＦに対して第２プレート５が突き当てられシートフィルムＦに張力が発生する。また、突き上げピン１５が下クランプ５４と係合し、移動方向Ｚにおける下クランプ５４（一対の挟持部）に対する第２プレート５の相対位置が固定される。その結果、シートフィルムＦに発生する張力の大きさが決定されるとともに固定される。 （もっと読む）

実施形態は、材料の前駆体を含有するインクから形体を印刷することに関する。該材料には、電気的活性な材料、例えば、半導体、金属、又はそれらの組合せのほか、誘電体を含む。該実施形態は印刷されるライン又はその他の形体の形状、輪郭及び寸法をより正確に制御できる改善された印刷工程条件を提供する。該組成物（複数可）及び／又は方法（複数可）は、インク中の成分の粘度及び質量負荷を増大させてピンニング制御を改善する。典型的な方法は、従って、材料の前駆体と溶媒とを含むインクを該基板上にパターンとして印刷するステップと、該前駆体を前記パターンとして沈殿させてピンニングラインを形成するステップと、該ピンニングラインによって画定されている該材料の前駆体の形体を形成するために、該溶媒を十分に蒸発させるステップと、該材料の前駆体を該パターン化材料に転化するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ用に低温処理可能なまたは溶液処理または印刷可能なゲート絶縁体として使用でき、また、薄膜トランジスタまたは他のエレクトロニクスデバイス用のステンレス鋼箔の平坦化にも使用できる配合物を提供すること。
【解決手段】１３５℃から２５０℃で硬化し、そのうえ、処理温度の低下にもかかわらず良好なリーク電流密度値（９×１０^-9Ａ／ｃｍ²から１×１０^-10Ａ／ｃｍ²）を与えるゾルゲルシリケート前駆体の特定の組み合わせを含んでなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳトランジスタなどの電子デバイスを形成する方法であって、比較的安価で時間のかからない処理技術の提供。
【解決手段】基板１０上に複数の半導体アイランド３１，３５を形成するステップと、半導体アイランドの第１のサブセット３１上に或いはそれよりも上側に第１の誘電体層６０を印刷するとともに、随意的に半導体アイランドの第２のサブセット３５上に或いはそれよりも上側に第２の誘電体層６５を印刷する。第１の誘電体層６０は第１のドーパントを含み、（随意の）第２の誘電体層６５は第１のドーパントとは異なる第２のドーパントを含む。誘電体層６０，６５、半導体アイランド３１，３５及び基板１０は、第１のドーパントを半導体アイランドの第１のサブセット３１中へ拡散させ、且つ存在する場合には第２のドーパントを半導体アイランドの第２のサブセット３５中へ拡散させるように十分にアニールされる。 （もっと読む）

【課題】溝幅に拘わらず、素子分離溝内に埋め込まれる絶縁膜の窪み、高さの変動などによる素子分離構造の形状劣化を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板３０に、溝パターンを有するマスク部材３２を用いて素子分離用溝３３を形成する工程、過水素化シラザン重合体と溶媒とを含む塗膜から溶媒を揮発させて変換され、素子分離用溝３３の底部からの距離が６００ｎｍ未満の平坦な表面を有するポリシラザン膜３５を、半導体基板３０上に形成する工程、前記ポリシラザン膜３５を、水蒸気を含む雰囲気中で第１の温度に保持する低温熱処理工程、および、前記低温熱処理後の前記ポリシラン膜３５を、水蒸気を含む雰囲気中で前記第１の温度より高い第２の温度に保持して高温熱処理し、酸化シリコン膜３６に変化させる工程を具備する。 （もっと読む）

薄膜キャパシタを形成する方法が提供される。この方法は、第１の電極上の誘電体薄膜のゾル・ゲルパターニング、所望でない誘電体薄膜のリフトオフ除去、及び誘電体薄膜と第２の電極との結合を含む。薄膜キャパシタは、その特性寸法によって定められる直線に沿って、実質的に均一な熱変性されたモルフォロジーを示す。このような薄膜キャパシタを含む計算システムも開示される。
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【課題】低コスト化を図るとともに、生産性の向上を図ることができる構造体の製造方法、構造体、およびデバイスを提供すること。
【解決手段】基板２上に所定のパターンをなす膜３を形成してなる構造体１を製造する方法であって、膜３のパターンと同パターンをなす凹部４３を有する型４を基板２に接合して、型４の凹部４３の内面と基板２とで画成された空間４４を形成する工程と、空間４４に液状材料３Ｌを充填する工程と、液状材料３Ｌを硬化または固化させて、膜３のパターンと同パターンをなす固体膜３Ｓを形成する工程と、型４を基板２から離間させ、固体膜３Ｓを膜３とする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】容易にかつ安価に多層配線構造を構築することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハＷの薄膜担持面に、予めシートフィルムに塗布形成した金属薄膜を押し付け、該金属薄膜を転写する。その金属薄膜に凹凸パターンを型押しすることによって該パターンを転写し、エッチングによって配線１および隣接する配線１間の溝部を形成する。続いて、その上にシートフィルムに塗布形成した絶縁薄膜を押し付け、該絶縁薄膜８を転写する。そして、その絶縁薄膜８に凹凸パターン有するスタンパ３１を押し付けることによって該パターンを転写する。このような転写形成による成膜、凹凸面を有するスタンパを使用したパターンニングおよびエッチングを金属層および絶縁層の双方について繰り返すことによって多層配線構造を構築する。 （もっと読む）

【課題】 精密で微細な膜パターンを得ることができる膜パターンの形成方法、該膜パターンの形成方法により得られた膜パターン、該膜パターンを含む配線構造体、ならびに該配線構造体を含む半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の膜パターンの形成方法は、（ａ）エネルギー硬化型の膜形成用材料を基体上に配置する工程と、（ｂ）凸部および凹部を含むパターンを有するテンプレートを使用して、前記パターンと前記膜形成用材料とを接触させた状態で、該膜形成用材料にエネルギーを付与する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基体上に、シリコン膜及びシリコン酸化膜からなる積層膜を形成する簡易な方法を提供すること。
【解決手段】上記課題は、基体上に、シラン化合物及び溶媒を含有する膜形成用組成物からシリコン膜及びシリコン酸化膜からなる積層膜を形成することを特徴とする、積層膜の形成方法によって達成される。 （もっと読む）