【課題】ＯＨ基を含有するシリコン酸化膜から、ＴＦＴの性能である界面特性や絶縁性のため、及び基板を安価なものにするため低温で作製するため、低温で簡便な方法でＯＨ基を減少させる方法を提供する。
【解決手段】基板上に低温形成された、ＯＨ基を含有するシリコン酸化膜を有機溶媒に接触・浸漬させる工程と、その後、前記シリコン酸化膜を低温加熱する熱アニール処理を加える工程と、を有することを特徴とするシリコン酸化膜からのＯＨ基除去法。 （もっと読む）

【課題】強誘電特性及び圧電特性の劣化が抑制され、リーク特性が改善された強誘電体及び圧電体を提供する。
【解決手段】ＢｉＦｅＯ₃を主成分とする強誘電体及び圧電体１３は、ＢｉＦｅＯ₃の複数のＦｅサイトが、Ｔｉと、Ｍｎ、Ｎｉ及びＣｕのいずれかとに元素置換されている。ＢｉとＦｅとＴｉとＭｎ、Ｎｉ及びＣｕのいずれかとからなるターゲットにパルスレーザを照射することで、基板１１上に、ＢｉとＦｅとＴｉとＭｎ、Ｎｉ及びＣｕのいずれかとを堆積させることにより、ＢｉＦｅＯ3を主成分とする強誘電体又は圧電体１３の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体の製造し、光電変換効率に優れる太陽電池、燃料電池を提供すること。
【解決手段】半導体材料２２の表面２３にレーザー光２４を照射することで、表面２３に二酸化チタンの層が形成されるとともに、ナノオーダーの酸化膜が成長して半導体２１の薄膜が完成する。前記半導体材料は純チタン又はチタンをコーティングした材料である。シリコンや化合物、さらには電解溶液や色素ゲルを使用することなく、従来と全く異なる方法で製造することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化処理ガスと光照射とを用いた酸化プロセス系に供された基板の最表面温度を測定する。
【解決手段】酸化処理ガスと光照射とを用いた酸化プロセス系に供されている基板に形成された酸化膜の膜厚の測定結果に基づき基板の表面温度を測定する。前記酸化処理ガスとしては酸素ガス等の酸化性ガスが挙げられる。前記酸化膜の膜厚は楕円偏光解析法またはＸ線光電子分光法が例示される。前記酸化プロセス系内では基板を中空に配置させると、光が直接当たらない基板表面の表面温度測定に適用できる。 （もっと読む）

【課題】簡易にしかも安価に作製することができるアモルファスカーボン薄膜作製方法を提供する。
【解決手段】超臨界流体セル６の流体層５内に二酸化炭素及び炭化水素を封入し超臨界状態を形成する工程と、流体層５内に紫外波長のレーザー光を照射する工程と、を含むアモルファスカーボン薄膜作製方法。 （もっと読む）

【課題】簡単な操作と装置により、高い歩留りや大きい形成速度でトレンチアイソレーションを形成する方法を提供すること。
【解決手段】下記式（２）
（Ｈ_２ＳｉＯ）_ｎ（ＨＳｉＯ_１．５）_ｍ（ＳｉＯ_２）_ｋ・・・・・・・（２）
（ここで、ｎ＋ｍ＋ｋ＝１としたとき、ｎは０．２以上、ｍは０〜０．８で、ｋは０〜０．２である）
で示される、シリコーン樹脂を含有する組成物を基板上のトレンチ内が充填されるように基板上に塗膜を形成し、次いで熱および／または光処理を行いトレンチ内に埋込まれたシリコーン樹脂を二酸化ケイ素膜に変換するトレンチアイソレーションの形成方法。 （もっと読む）

【課題】 光学窓のクリーニング効果を従来よりもさらに高めて、メインテナンス周期を飛躍的に増大させることができる真空処理装置を提供すること。
【解決手段】 真空処理装置は、真空処理室１０と、真空処理室１０の壁部１２に配置された透光性部材２２を有する光学窓２０と、真空処理室の内側にて透光性部材２２の周縁側に配置された、第１開口１４を有する接地電極１２と、真空処理室１０の外側にて透光性部材２２の周縁側に配置された、第１開口１４と対向する第２開口３２を有するＲＦ電極３０とを有する。真空処理室１０内に処理用ガスが導入され、ＲＦ電極３０及び接地電極１２間の電界によってプラズマを生成し、負の自己バイアス電位Ｖｆに帯電された透光性部材２２をプラズマ中のイオンによりスパッタしてクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉ基板を含む被処理基体において、周縁部から発生する被処理基体への金属汚染を抑制可能な周縁部処理方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法が提供される。
【解決手段】 シリコン系基板１１を含む被処理基体１０の周縁部の局所的加熱及び周縁部への反応種の選択的供給の少なくとも一方により、周縁部での酸化速度を、シリコン系基板１１の表面における自然酸化膜３３の酸化速度より高くし、周縁部に沿って、自然酸化膜３３の厚さよりも厚い酸化膜３１を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマによる影響が抑制できる範囲でより迅速にゲート絶縁膜が形成できる下層絶縁層の膜厚条件を提案する。
【解決手段】ソース領域１０６の上及びここからドレイン領域１０７の上の領域にかけて、膜厚５０ｎｍ程度のアモルファスシリコン膜を形成し、これを結晶化させ、この後、原子層成長方法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＡＬＤ）により膜厚１〜７ｎｍ程度に酸化シリコンを堆積することで、下層絶縁膜１０９が形成された状態とする。この後、プラズマＣＶＤ法で、上層絶縁層１１０が形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】 基材表面上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、基材が複雑な構造部を有する場合においても、簡便なプロセスで均一な金属酸化物膜を得ることが可能であり、さらに結晶性に優れた金属酸化物膜を得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、基材表面に、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を接触させることにより金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記基材表面と上記金属酸化物膜形成用溶液とを接触させる際に、光を照射することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】基板とこの基板に形成される酸化膜との間に界面バッファー層として働く高品質な酸化膜を形成すること。
【解決手段】所定の波長のレーザー光をパルス発振可能な光源１４１と、基板１０が格納される反応炉１１と、反応炉１１内において所定の雰囲気を構成させるガスを導入するための導入管１２と、反応炉１１内のガスを排出するための排出管１３と、所定の波長でパルス発振されたレーザー光を導入する石英窓１４と、反応炉１１内において基板１０を移動可能に支持する移動手段１５と、基板１０を加熱するための赤外線を導入する石英窓１６とを備え、光源１４１は１５８ｎｍより長い波長でパルス発振し、前記雰囲気は１０^-20ｃｍ²以上の吸収断面積を有すると共に前記レーザー光の光吸収反応によって励起状態の酸素原子が０．５以上の収率で発生するガス分子からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細な形状を有する半導体領域の形成方法を提供する。バラツキの少ない半導体装置の作製方法を提供する。また、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体膜の一部にレーザ光を照射し、絶縁層を形成した後、該絶縁層をマスクとして半導体膜をエッチングして、所望の形状を有する半導体領域を形成した後、該半導体領域を用いる半導体装置を作製する。本発明では、公知のレジストを用いたフォトリソグラフィー工程を用いずとも、所定の場所に微細な形状を有する半導体領域を形成することが可能である。 （もっと読む）