【課題】実施形態は、発光素子と受光素子との間に挿入される絶縁フィルムの位置ズレを抑制し、製造歩留りを向上できる半導体装置の製造方法および冶具を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、リードフレームに固着された半導体チップを樹脂で覆う工程と、冶具のベース部に設けられたポケットにフィルム状の部材を載置する工程と、前記冶具の可動部に前記リードフレームを固定し、前記可動部を前記ポケット側に移動させることにより、前記リードフレームの前記半導体チップが固着された部分を前記ポケットに被せ、前記樹脂と、前記部材と、を接触させる工程と、前記リードフレームを前記ポケットに被せた状態で、前記樹脂を硬化させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】金属細線流れによる不良を防ぐことができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】ＩＧＢＴ１を電力用リード４上に固着し、ＩＧＢＴ１を制御する制御用半導体素子３を制御用リード５上に固着し、制御用リード５と制御用半導体素子３を金属細線１１により接続する。ＩＧＢＴ１と制御用半導体素子３との間において制御用リード５上に保護部材１４を固着する。これらの構成をキャビティ１９内に配置する。ＩＧＢＴ１側からキャビティ１９内に樹脂１６を注入する。この際に、保護部材１４がキャビティ１９の天井に接するため、ＩＧＢＴ１側から制御用半導体素子３側に向かう樹脂１６の横方向の流れは保護部材１４により防止される。従って、樹脂１６は、ＩＧＢＴ１側から制御用リード５の下側に流れた後に、制御用リード５の間隙２１を通って制御用リード５の下側から上側に流れて制御用半導体素子３及び金属細線１１を封止する。 （もっと読む）

【課題】電気的特性がより向上した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】封止金型５内で、第一の半導体素子１が搭載された第一の金属基板２の一部に、第二の半導体素子３が搭載された第二の金属基板４の一部を、接合材料６を介して押圧しつつ、封止金型５内にモールド樹脂１０を充填させる充填工程と、モールド樹脂１０を硬化するとともに、接合材料６を用いて第一の金属基板２の一部２０と第二の金属基板４の一部４１の間を接合する硬化接合工程とを備えた、半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】内蔵した異なるスイッチング素子に接続された制御端子同士が互いに接触することを防ぐことができる半導体モジュール及びこれを用いた電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換回路の一部を構成する複数のスイッチング素子１１を樹脂部１２によって一体的にモールドしてなる半導体モジュール１。複数のスイッチング素子１１には、それぞれ複数の制御端子１３からなる制御端子群１３０が接続されている。複数の制御端子群１３０は、樹脂部１２から同一方向に突出している。一つの制御端子群１３０に属する制御端子１３は、同一方向に屈曲するベンド部１３１を備えている。隣り合う制御端子群１３０は、互いの並び方向と直交する方向に屈曲するベンド部１３１を制御端子１３に設けてなる。 （もっと読む）

【課題】発光素子パッケージの樹脂塗布装置、及びこれを用いる発光素子パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】内部に液状樹脂が充填される樹脂貯蔵手段１１と、上記樹脂貯蔵手段１１下部に結合されて樹脂が吐出される樹脂吐出手段１２を含む樹脂塗布部１０と、樹脂塗布のとき上面に発光素子パッケージ５０が配置される領域を有し、上記配置される発光素子パッケージ５０と電気的に接続されるように構成された支持部２０と、上記樹脂塗布部１０と上記支持部２０には両端子が接続され、電圧を印加する電圧印加部４０と、上記樹脂塗布部１０及び上記支持部２０にそれぞれ電気的に接続され、上記樹脂塗布部１０と上記発光素子パッケージ５０の接触を電気信号で感知する感知部３０とを含む発光素子パッケージの樹脂塗布装置１００及びこれを用いる発光素子パッケージ５０の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】長手方向の一端部に対して他端部を低く位置させるように折り曲げ加工を施してなる一対の端子板の各一端部に、半導体チップを電気接続した上で、一対の一端部及び半導体チップをモールド樹脂により封止し、一対の端子板の他端部を前記モールド樹脂から互いに逆向きに突出させてなる半導体装置を、リードフレームにより製造しても、半導体装置を省電力で駆動することを可能とし、かつ、大型の半導体チップを設けることができるようにする。
【解決手段】導電性板材に、他端部２１，３１を長手方向に配列した一対の端子板２，３、及び、これら一対の他端部２１，３１に接続されて一対の端子板２，３を一体に連結する枠体部４を形成してなり、一対の端子板２，３の一端部２２，３２を、導電性板材の面方向に沿って端子板２，３の長手方向に直交する幅方向に配列した半導体装置製造用のリードフレーム１を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来の圧接型の半導体装置と比較して簡素な構造で半導体素子を位置決めすることができ、半導体素子の絶縁性及び耐圧性を確保しつつ、耐熱性に優れると共に製造コストが低減された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置Ｓは、半導体素子９と、これを挟持するエミッタ端子１ａ、ゲート端子１ｂ、及びコレクタ端子２ａとの外周を覆うように硬化性樹脂３が付与されると共に、エミッタ端子１ａ、ゲート端子１ｂ、及びコレクタ端子２ａ（電極端子）には、これらの電極端子を位置決めする係止部（窪み部１ｅ，２ｅ）が設けられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル樹脂を塗布すべき領域が狭い場合、不所望な領域にまでアンダーフィル樹脂が流出しないようにするため、アンダーフィル樹脂を複数回に分けて塗布するようにされるが、アンダーフィル樹脂を複数回に分けて塗布すると、アンダーフィルが施されるたとえばＩＣチップの下の隙間にボイドが生じることがある。
【解決手段】アンダーフィル樹脂８を複数回に分けて塗布するに際して、Ｎ回目（Ｎ≧２）のアンダーフィル樹脂塗布工程を、（Ｎ−１）回目までに塗布されたアンダーフィル樹脂８によって形成されたフィレット１１が最小化する前に実施する。好ましくは、Ｎ回目のアンダーフィル樹脂塗布工程において、アンダーフィル樹脂８を、（Ｎ−１）回目までに塗布されたアンダーフィル樹脂８上に塗布するようにする。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールの小型化、高信頼性、実装強度および実装信頼性の向上を実現させる。
【解決手段】半導体モジュール１は、配線基板２と、配線基板２の上面２ａ上に搭載された電子部品３と、配線基板２の下面２ｂ上に搭載された電子部品４と、配線基板２の下面２ｂ上に搭載されたリード５と、電子部品４およびリード５を含む配線基板２の下面２ｂを覆う封止樹脂６とを有している。リード５は、接合材１０を介して電極パッド１３ｂに接続される第１部分２１と、第１部分２１から屈曲する第２部分２２と、第２部分２２から屈曲する第３部分２３とを有しており、第３部分２３は、第１部分２１よりも配線基板２の下面２ｂの周縁部側に位置し、かつ第１部分２１よりも配線基板２の下面２ｂから遠い位置に配置されている。リード５は、第３部分２３が封止樹脂６の主面６ａおよび側面６ｂのそれぞれから露出して、外部接続用端子として機能する。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体モジュールの成形封止方法及びそれによる電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品の成形方法であって、能動素子１が実装されたリードフレーム３と、受動素子２が実装された基板５とが接続端子６で平行に連結した２層構造１０を、金型８内部にセットする段階と、封止樹脂を、前記リードフレームと同一方向から前記金型に注入して、前記２層構造にボイドの発生を防止するように、前記封止樹脂が、前記２層構造がセットされた前記金型内部に流入する段階とからなる。 （もっと読む）

【課題】リードフレームのアイランドを、ヒートシンクの一面に絶縁シートを介して積層したものを、モールド樹脂で封止してなるモールドパッケージにおいて、アイランドサイズを増大化することなく、金型に可動ピンを設けることなく、適切にモールド樹脂による封止が行えるようにする。
【解決手段】絶縁シート２０として、そのガラス転移点がモールド樹脂４０の成形温度未満である樹脂よりなるものを用い、金型２００のキャビティ２３０の内面に、モールド樹脂４０より露出させるヒートシンク１０の他面を密着させるとともに、吊りリード３３におけるアイランド３１側とは反対の他端部を金型２００におけるキャビティ２３０の外側の部位で支持することにより、吊りリード３３の弾性力によってアイランド３１をヒートシンク１０の一面に押し付けた状態にて、モールド樹脂４０による封止を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ構造を提供する。
【解決手段】半導体パッケージ構造１００は、複数のリードを有し、各リードは内リード１０２と外リード１０４とからなるキャリア１０１と、内リードの底部表面上のチップ２００と、電気接続構造３００と、モールドコンポーネント４００と、からなる。内リードが、チップの上表面水平箇所から階段状の段差部を外向けに彎折する。外リードは、内リードから水平に外に延伸し、これにより、外リードとチップが高度差を形成する。この高度差は、パッケージ工程中で、進入した粒子が同時に、リードとチップに接触して、チップ内の素子の電気導通を干渉するのを防止し、パッケージ後のチップの電気的信頼度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】リードフレームの変形や位置ずれが生じることなく、樹脂成形部品の厚み増加を抑制することが可能な樹脂成形部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一次成形品１０は、第１リードフレーム１および第２リードフレーム２と一次成形樹脂部３とが一体化して形成されている。さらに、一次成形樹脂部３と第１リードフレーム１および第２リードフレーム２とが分離することを防止するために、第１リードフレーム１および第２リードフレーム２の外面には、一次成形樹脂部３からの第１リードフレーム１の離反、および、一次成形樹脂部３からの第２リードフレーム２の離反を防止するために掛け止め部５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は好適な溝（モールドロック）を安定的に形成すると共に、円滑な樹脂封止が可能の半導体装置の製造方法および樹脂封止半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体チップと、表面に積載される前記半導体チップの周囲に溝を有するフレームと、半導体チップと共に前記フレームを封止すべく、当該フレームの表面側から供給されて成る樹脂と、を備えた樹脂封止半導体装置の製造方法において、溝はフレームの縁周に沿って下準備溝を形成する工程と、下準備溝において外周側の溝内壁の頂部を対向する内周側の溝内壁に近接させるべく、前記下準備溝が形成された前記フレームの外周を押圧する工程と、によって形成し、押圧工程において、フレームの表面縁周に面取りを同時的に施す。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、さらなるコスト低減を図る。
【解決手段】リードフレーム５の少なくとも一部を埋設した状態のモールド樹脂体６が、半導体チップ２，３を搭載する底壁部３１と、該底壁部３１の周縁部から立設した周壁部３２とを備える箱型に形成されるとともに、前記リードフレーム５に、半導体チップ２，３の裏側に配置されるシールド板部１２と、該シールド板部１２又は前記半導体チップ２，３のいずれかに接続状態で前記底壁部３１の裏面に露出する複数の実装用外部端子部とを備え、前記周壁部３２の上端面３２ａに半導体チップ２，３の上方を覆う蓋体７が固着されてなり、前記蓋体７が導電性材料により構成されるとともに、前記周壁部３２の上端面３２ａに、前記シールド板部１２から周壁部３２内を経由して立ち上げられたアーム部１３の先端部１３ａが露出され、その露出端部に前記蓋体７が電気接続状態に固定されている。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂の樹脂漏れを防止して工程不良を低減し歩留まり良く高精度の樹脂封止部（光結合半導体装置）を形成することができる光結合半導体装置用リードフレームおよび光結合半導体装置製造方法提供する。
【解決手段】第１素子用リードフレーム１０の第１素子用フレーム枠部１１および第２素子用リードフレーム２０の第２素子用フレーム枠部２１を重ね合わせたときに第１素子用タイバー１２は、第２素子用フレーム枠部２１が有する溝部２５に嵌め込まれる。第１素子用タイバー１２は樹脂封止部３０側の側面に溝部２５に対向する第１凸部１６を有すし、溝部２５は第１素子用タイバー１２に対向する側面に第１凸部１６と噛み合う凹部２６を有する。 （もっと読む）

【課題】 アイランドから連続する延在部を折り曲げてコレクタ電極として利用することにより、実装面積を縮小でき、且つ耐湿性を維持できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 アイランド１２上に半導体ペレット１０が固着され、半導体ペレット１０の電極パッド１１にポスト電極１５が接着され、アイランド１２の延在部１２ａをポスト電極１５と同程度の高さまで折り曲げたリードフレームを用意し、金型でモールドする際は、離型シートを採用して、電極の頭部が露出するようにする。 （もっと読む）

【課題】金属ベースの厚さのばらつきがあっても、樹脂封止において樹脂漏れを生じることがなく、封止（防水）信頼性の高い電気電子モジュールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】部品を搭載実装される回路基板５と、前記回路基板５を取り付けられる金属ベース１を封止樹脂にて一体封止する電気電子モジュールであって、溶融樹脂による封止成形時に、前記金属ベース１が成形金型に型締めされる部分と成形金型との間に、型締力によって変形する追従部材が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 リードフレームやトランスファーモールドで実現する半導体装置は、材料を捨てる部分が多く環境負荷を少なからず与えている。本発明は、環境に負荷のかからない半導体装置および半導体モジュールを提供する事である。
【解決手段】 巻き取られた板状リード２０を用意し、プレスする事で板状リード５を用意し、これを保持する事により、半導体素子に固着する。
これにより無駄の多いリードフレームの用意する事がなくなるため、環境負荷の低減を実現できる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の組み立てのモールド工程において半導体チップのクラックや樹脂残りを防止する。
【解決手段】樹脂成形金型の下金型のキャビティの底面から上金型のキャビティの天井面までの距離を、ダイパッド５の下面５ｂからプレート端子９の上面９ａまでの距離と同じか、またはそれ以下とし、かつプレート端子９とダイパッド５の間の半導体素子１ａ，１ｂ上にＵ字型の弾性体１０を配置することにより、モールド工程において金型クランプ圧力による負荷を弾性体１０の弾性変形によって緩和することができ、半導体素子１ａ，１ｂにかかる負荷を低減して半導体素子１ａ，１ｂにクラックが形成されることを防止できる。 （もっと読む）