【課題】半導体素子をトランスファー成形、封止等する際の樹脂充填性を向上させ、成形後、封止樹脂内におけるボイドの発生を少なくすることができる、半導体封止用樹脂組成物の成形方法を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する半導体封止用樹脂組成物の成形方法であって、成形温度が１６５〜１８５℃の範囲で、成形圧力が４〜６ｋＮの範囲であり、かつ、上記半導体封止用樹脂組成物の成形温度におけるゲル化時間が１５秒以上２７秒以下である。
（Ａ）熱硬化性樹脂。
（Ｂ）硬化剤。
（Ｃ）硬化促進剤。
（Ｄ）無機質充填剤。 （もっと読む）

パッケージ内において、モールド・コンパウンドにより封入されたヒート・スラグが集積回路装置ＩＣを収容する。実施形態の一例では、半導体パッケージ構造が、導電トレース（２３５）及びパッド・ランド（２６５）を有する基板（２００）を備える。導電トレースがパッド・ランド（２６５）を有する。ＩＣ（２３０）が基板（２００）上に搭載される。ＩＣ（２３０）がボンド・パッド（２４５）を有する。導電ワイヤ（２２５）により、ＩＣボンド・パッド（２４５）がパッド・ランド（２６５）に接続され、パッド・ランド（２６５）が導電トレース（２３５）に接続される。所定高さを有するヒート・スラグ（２２０）が基板表面（２００）に配置される。ヒート・スラグは基板に対して機械的に取り付けるための複数の固定脚部（２１０）を含む。ヒート・スラグ内の空洞（２２０ａ）がＩＣを収容する。複数の第一寸法の開口（２１５）がＩＣを取り囲む。第一サイズ開口の一つから形成された第二寸法の開口（２２５）が第一寸法開口より大きい。第二寸法の開口がモールド・コンパウンド（２５）のヒート・スラグ（２２０）の空洞（２２０ａ）内への導入を促す。
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優れた光特性を有する白色LED装置の製造方法が提供される。この方法は、室温で主剤及び硬化剤を混合して、液状エポキシ樹脂調製し、70℃〜1000℃の温度において、1.3〜40.0hPa（１〜30トール）の圧力で、液状エポキシ樹脂を半硬化し、室温で半硬化した液状エポキシ樹脂に、燐光物質を添加し、混合して、燐光物質を有する母剤樹脂を製造し、LEDチップを含む被モールディング部材に、母剤樹脂を供給し、120℃以上の温度において、周囲圧で、母剤樹脂を完全に硬化する。
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【課題】 セラミック基板、フレキシブルシート等を支持基板として回路素子が実装された回路装置がある。しかし、回路装置の小型薄型化した場合に量産性の高い製造方法が確立されていない問題があった。
【解決手段】 分離溝６１により電気的に分離された各搭載部の複数の第１の導電パターン５１と、分離溝６１を埋めて第１の導電パターン５１表面を覆う熱硬化性樹脂層５０Ａと、熱硬化性樹脂層５０Ａ上に設けた第２の導電パターン７１と、回路素子５２を被覆し熱硬化性樹脂層５０Ａと結合した絶縁性樹脂５０Ｂとを備え、分離溝６１と熱硬化性樹脂層５０Ａおよび絶縁性樹脂５０Ｂとの接着強度を向上でき、第１および第２の導電パターン５１、７１で多層配線を回路素子５２の下に配置できる回路装置を実現する。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ接続構造において、半導体素子から配線基板に放熱する際に、半導体素子裏面から配線基板に放熱板などで放熱する構造では、熱の経路が長いため熱抵抗が高くなっていた。
【解決手段】フリップチップ接続に用いられる突起電極を配線基板のサーマルビアの配置と同一に配置し、それらをお互いに接続する。 （もっと読む）