【課題】 長時間の手作業を要することなく、再利用可能な部材にて、所望の領域に防湿材のマスキングを行う高周波モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】 一方の面に高周波回路を形成し他方の面に高周波回路の地導体パターンを有する基板１に電子部品を載置する工程と、所定の肉厚を有する弾性部材４３を基板１側に貼り付けた硬質部材４２を基板１の両面に配置する工程と、高周波回路及び地導体パターンが弾性部材４３と密接するように両側から硬質部材４２で基板１を挟み込んで弾性部材４３を圧縮させる工程と、基板１に防湿材を塗布する工程と、防湿材を塗布した後に硬質部材４２を除去する工程と、地導体パターンに導電性の筐体１１を当接させる工程とを備え、軟質部材４３と密接していた領域を除いて防湿材を基板１に選択的に付着させると共に地導体パターンと筐体１１とを導通させて高周波接地するようにした。 （もっと読む）

【課題】樹脂で封止した圧接型の半導体装置を良好に製造することができる半導体装置の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ７２、７３を一対のエミッタ面ＤＣＢ基板７４及びコレクタ面ＤＣＢ基板７５で挟み、これらを樹脂７６で封止した半導体モジュール７１を製造する半導体製造装置１において、一対のエミッタ面ＤＣＢ基板７４及びコレクタ面ＤＣＢ基板７５の間に半導体チップ７２、７３を非接合状態で配置したワークが配置され樹脂７６を充填するキャビティ３３が形成された開閉可能な一対の上型９及び下型１１と、上型９及び下型１１の一方にキャビティ３３内に進入してワークを押圧する可動コア３９と、を備え、可動コア３９でワークを押圧してエミッタ面ＤＣＢ基板７４とコレクタ面ＤＣＢ基板７５のそれぞれと半導体チップ７２、７３を圧接しつつキャビティ３３に樹脂７６を注入して封止する構成とした。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのファインピッチ化に対応し、アンダーフィル用樹脂内のボイドの発生を極力削減し、信頼性の高いフリップチップ実装を実現した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップの一面に２次元的に配列された複数の電極を、基板上の対応する導電性領域に接合するステップＳ１０２と、半導体チップの一面と基板との間に液状化されたアンダーフィル用樹脂を注入するステップＳ１０３と、一定の圧力下においてアンダーフィル用樹脂をガラス転移温度以上の温度で溶融しキュアするステップＳ１０４とを有する。これにより、アンダーフィル用樹脂内のボイドを消滅させる。 （もっと読む）

【課題】大型基板に複数の半導体素子が実装された半導体実装基板を樹脂封止する際の気泡の抱き込みを防いで成形品質を向上させ、金型に吸着保持する基板の位置決めやハンドリングがし易い樹脂封止装置を提供する。
【解決手段】上型１は、上型ベース３に固定された上型チェイス４にキャビティ凹部１７の中心位置に向けて上型インサート５が下方に凸となるように予め弾性的に撓ませて上型チェイス４に組み付けられ、型締めされると上型インサート５が樹脂圧力により平坦状に押し戻されて上型チェイス４の側壁に囲まれて位置決めされ、封止樹脂２５が硬化縮小後においても上型インサート５の撓みによりクランプ圧を作用し続ける。 （もっと読む）

【課題】 配線基板に搭載された複数の半導体素子を溶融樹脂により封止する際、金型のサイズを大きくすることなく、当該金型のキャビティの樹脂注入辺（樹脂注入ゲートが設けられている側の辺）と対向する辺の近傍に於いて、溶融樹脂の逆流（還流）によって半導体素子に接続されたボンディングワイヤのワイヤループが変形してしまうことを、防止・抑制する。
【解決手段】 一方の主面に半導体素子３１が搭載された配線基板３０を、前記配線基板３０の一方の主面に対応するキャビティが配設された樹脂封止用金型５０内に配置する工程、及び 前記キャビティ内に封止用樹脂７０を注入して、前記配線基板３０の一方の主面を樹脂封止する工程を含む半導体装置の製造方法は、前記キャビティ内への封止用樹脂７０の注入の際、前記配線基板３０に選択的に配設された貫通孔４１を介して、封止用樹脂７０の一部を前記配線基板３０の他方の主面側に導くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路基板の下面のグランドパターンと金属膜との電気的な接続信頼性が高いモジュール部品を提供する。
【解決手段】第１の回路基板１０４と、第１の回路基板１０４の上に実装された部品１０８と、第１の回路基板１０４の上であって、部品１０８を封止した封止部１０９と、第１の回路基板１０４の側面と封止部１０３の周囲を覆う金属膜１０１とを備え、金属膜１０１は、第１の回路基板１０４の側面に露出した配線１０６と電気的に接続されるとともに、第１の回路基板１０４の下面外周のうち、二辺以上に設けた第１のグランドパターン１１０上にあって、第１の回路基板１０４の外側から内側に向かって薄くした構成である。 （もっと読む）

【課題】実装基板上で半導体チップが封止されたパッケージ内の電気信号を容易に観測できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、実装基板１１上で半導体チップ１２を封止するモールド部材１３を備える。半導体チップ１２上には、第１のボンディングパッド１４が形成されている。第１のボンディングパッド１４には、モールド部材１３に全体が封止された正規のボンディングワイヤ１５の一端１５ａと、ダミーボンディングワイヤ１７の一端１７ａとが共通に接続されている。ダミーボンディングワイヤ１７の他端１７ｂが、モールド部材１３の表面に露出している。 （もっと読む）

【課題】基板表面をプラズマ処理する場合において、アンダーフィルのブリード現象が抑制されたフリップチップ型の半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】有機材料製の基板上に設けられた電極部と半導体素子のバンプ電極とを電気的に接続しつつ該基板上に該半導体素子を配置する工程、該基板表面をプラズマ処理する工程、および、該基板と半導体素子との間のギャップにアンダーフィルを充填した後、該アンダーフィルを加熱硬化させることにより該ギャップを封止する工程をこの順に実施することを含むフリップチップ型の半導体装置の製造方法であって、
前記プラズマ処理後の前記基板において、前記半導体素子の外縁からの距離が少なくとも２．５ｍｍ以内の領域の表面凹凸の山頂部平均間隔をＳｍとする時、前記アンダーフィルが、平均粒径が前記Ｓｍ値の１０％以下の絶縁性粒子を１〜４０ｗｔ％含有することを特徴とするフリップチップ型の半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子回路モジュールにシールド材を貼り付けるのに際し、シート状樹脂の固着効果を得、且つ、更なる小型化・低背化を図るのに好適な貼付装置を提供する。
【解決手段】被貼付部材を載置するためのステージ１１と、各々が独立した弾性部材によって伸縮自在に支持される複数のピン９が植設され、ステージに対向して配置され、ステージに接離する方向に可動するヘッド８により、シールド材３である絶縁性樹脂シート２を被貼付部材に対して加圧し、その絶縁性樹脂を電子部品６，７の形状等に沿って充填し、電子部品の間にて硬化させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、生産性の向上した電気・電子モジュール及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】電子回路基板５には、電子部品５Ａが装着される。電子回路基板５は、金属ベース１に搭載される。金属端子３は、電子回路基板の電子回路５Ａに接続される。電子回路基板５は、熱硬化性の樹脂８により封止される。コネクタは、樹脂モールドされたハウジング部１１と、ハウジング部１１と別体で構成されるとともに、金属端子３を固定整列するための樹脂モールドされた端子保持部品９とから構成される。 （もっと読む）

【課題】樹脂層と樹脂絶縁層との密着性を改善することにより、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を製造することが可能な部品内蔵配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】配線基板は、収容工程、樹脂層形成工程、固定工程及び絶縁層形成工程などを経て製造される。収容工程では、収容穴部９０内に部品１０１を収容する。樹脂層形成工程では、樹脂層９２で収容穴部９０の内壁面９１と部品側面１０６との隙間を埋める。固定工程では、樹脂層９２を硬化させて部品１０１を固定する。絶縁層形成工程では、第２主面１３上及び第２部品主面１０３上に樹脂絶縁層３４を形成する。なお、固定工程後かつ絶縁層形成工程には、樹脂層９２の表面９４を活性化する表面活性化工程を行う。 （もっと読む）

【課題】成形金型を使用して樹脂封止工程の歩留まりを比較的安価に高めることができる半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】被成形品から半導体装置を製造する製造装置は、前記被成形品を型締めして溶融樹脂を注入して成形する成形金型１４２と、大気圧プラズマ処理によって成形金型１４２のパーティング面を疎水性に改質する大気圧プラズマ処理装置１６０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】回路基板とリードフレームの端子が直接に接合された回路基板を、モールド樹脂によって封止してなるモールドパッケージにおいて、モールド成型後にリードフレームの端子と回路基板とを電気的に接合できるようにする。
【解決手段】一面に電子部品２０が搭載された回路基板１０における他面に、端子４０を接合し、モールド樹脂５０は、回路基板１０の他面における端子４０と回路基板１０との接合部６０が当該モールド樹脂５０より露出する形状に成型されたものとし、このモールド樹脂５０より露出する接合部６０にて、端子４０と回路基板１０とを電気的および機械的に接続する。 （もっと読む）

【課題】反りが防止された半導体装置を製造工程を増やさず、かつ、熱膨張係数の異なる樹脂間にボイドや剥離を発生させずに製造する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板を準備する工程と、前記配線基板の一面上に、半導体チップ８を搭載する工程と、キャビティ１５に液状の封止樹脂を備えて、前記液状の封止樹脂の上部にフィラー材２０を散布する工程と、前記封止樹脂に前記配線基板の一面側を浸漬する工程と、前記封止樹脂を硬化して封止体２２を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低コストでシステムおよび半導体装置の小型化ができる半導体装置の製造方法を提供し、さらに鉛フリーはんだによる接合を採用しても信頼性への悪影響を抑制できる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】棒状電極端子が、回路パターン又は半導体素子上に直立するように、該棒状電極端子の一端を該回路パターン又は該半導体素子上に接合する。その後該棒状電極端子の長手方向に可動であるスリーブを、該棒状電極の長手方向の長さより該棒状電極と該スリーブからなる構造の長さの方が長くなるように該棒状電極端子の他端に装着する。そして型締めと同時に該スリーブを該棒状電極端子に圧入する。圧入後にキャビティ内にモールド樹脂を充填する。該モールド樹脂を充填する際には該上金型内壁と該スリーブが接触する。 （もっと読む）

【課題】成形金型を使用した樹脂封止後に不要樹脂の除去を容易にすることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、樹脂封止前に、配線が形成され、電子部品１７が搭載された基板１０の表面のランナー部１４に、マスク２０を介して疎水性ガスを利用した疎水性大気圧プラズマ処理を行ってランナー部１４を疎水性に改質したことを特徴する。 （もっと読む）

【課題】導電性接着剤を介して基板と電子部品とを接続したものを、密着寄与剤を介してモールド樹脂で封止してなる電子装置において、導電性接着剤がガラス転移点以上になったとしても、導電性接着剤を介した電子部品と基板との電気的な接続抵抗値の上昇を抑制する。
【解決手段】電子部品２０の周囲に位置する密着寄与剤５０の内部に存在するボイドの径を１０００００μｍ₂以下とするか、もしくは、電子部品２０の周囲に位置する密着寄与剤５０の膜厚を２０ｕｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の配線基板の薄型化が進み配線基板の機械的剛性が低くなると、熱応力により配線基板が容易に変形し、半導体チップの側面と封止樹脂との界面およびアンダーフィル材の側面と封止樹脂との界面に曲げ応力がかかり剥離する問題がある。
【解決手段】有機材料を絶縁層とする配線基板と、前記配線基板にフリップチップ実装により搭載されている半導体チップと、前記配線基板と前記半導体チップとの間の隙間に充填されているアンダーフィル材と、前記配線基板と前記半導体チップを覆う封止樹脂と、からなる半導体装置において、前記アンダーフィル材は、前記半導体チップの側面全体に濡れ上がっており、その端部が前記配線基板外周に向かって裾をひくフィレット形状であって、前記半導体チップ側面から前記フィレット端部までの距離が、前記配線基板と半導体チップの離間距離の25倍以上の長さであることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ＰＣＢをモジュール基板とするモジュールの信頼性を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】Ｐｂフリー半田による単体チップ部品４３、集積チップ部品４４および半導体チップＩＣ２の半田接続は、ヒートブロックを用いた２８０℃未満の温度の加熱処理により行い、高融点半田による半導体チップＩＣ１の半田接続は、ホットジェットを用いた２８０℃以上の温度の加熱処理により行う。これにより、熱によるＰＣＢ３８の損傷、例えばソルダーレジストの焦げやプリプレグのコア材からの剥離を生ずることなく、高融点半田を用いて半導体チップＩＣ１をＰＣＢ３８に半田接続できるので、半導体チップＩＣ１を強い接続強度でＰＣＢ３８上に搭載することができる。 （もっと読む）

【課題】樹脂シートの汎用性が高く、得られるパッケージ端面の形状が一定で、装置の小型化が可能な半導体素子の封止方法、および、コストの低減と品質の向上が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップ１１が搭載された回路基板１０を準備する工程、回路基板の平面形状よりもやや大きな開口部を有する枠体４に、半導体封止用樹脂シート１を張設した状態で、半導体封止用樹脂シートの封止樹脂層３を、回路基板の半導体チップ搭載面の凹凸、隙間に埋め込み、封止樹脂層面を回路基板面に接触させる工程、および回路基板を封止樹脂層とともに半導体チップ毎に切断する工程を含み、封止樹脂層面を回路基板面に接触させる工程後などに、封止樹脂層の熱硬化を行う工程を含む。 （もっと読む）