【課題】多段に積層された半導体チップを搭載する半導体装置において、最上層の半導体チップの反りを抑制し、信頼性を向上可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、（ａ）基台１０上に第１半導体チップ１１ｂと第１半導体チップ１１ｂ上に第２半導体チップ１１ｃをずらして積層する工程と、（ｂ）第１及び第２半導体チップ１１ｂ，１１ｃの電極と外部電極を接続するボンディングワイヤ１２を形成する工程と、（ｃ）第２半導体チップ１１ｃの前記第１半導体チップ１１ｂから迫り出した突出部分２０上に、支持体１３を形成する工程と、（ｄ）支持体１３をモールド金型に接触させ、基台１０と前記モールド金型の間に空間を形成する工程と、（ｅ）空間内に封止樹脂１４を形成する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子部品の位置ずれおよび変形を低減するとともに、封止成形品の特性を向上させる。
【解決手段】プリント基板１が成形金型のキャビティ１０内に配置される工程と、プリント基板１が配置されたキャビティ１０内に液状の封止樹脂が流入される工程と、封止樹脂が固化される工程とを備えている。液状の封止樹脂が流入される工程においては、プリント基板１の上面側を液状の封止樹脂が流動する上面側流路１２、および、プリント基板１の下面側を液状の封止樹脂が流動する下面側流路１３が形成されている。プリント基板１には、上面側流路１２と下面側流路１３との液状の封止樹脂の流体抵抗の差を低減するために、上面側流路１２または下面側流路１３の一部の流路面積を減少させる障壁部材６が表面上に固定されている。 （もっと読む）

【課題】ワイヤー流れを最小限に抑えつつ、より高い効率、より低い温度及びより少ない浪費を有する電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】ａ）シリコーンダイ装着接着剤組成物を基板に塗布すること、ｂ）ダイ装着接着剤組成物を硬化させて、ダイ装着接着剤７０４を形成すること、ｃ）ダイ装着接着剤の表面をプラズマ処理すること、ｄ）半導体ダイの表面をプラズマ処理すること、ｅ）半導体ダイのプラズマ処理された表面をダイ装着接着剤のプラズマ処理された表面と接触させること、ｆ）半導体ダイを基板の表面にワイヤーボンドすること、ｇ）半導体ダイがオーバーモールド７０１されるように、ステップｆ）の製造物上に硬化性液体シリコーン組成物を射出成形すること、及びｈ）ダイ装着接着剤の反対側の基板の表面上にはんだボール７０６を形成することを含む、液体射出成形を用いて電子部品７００を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】回路チップ等の電子素子を位置精度良く配置することができ、かつ、工程基板を容易に剥離することのできる電子基板の製造方法を提供する。
【解決手段】溶解性または膨潤性の剥離層２が設けられた工程基板１の剥離層側に機能性膜３を形成する工程と、工程基板の機能性膜上に配線パターン４を形成する工程と、配線パターンに電子素子５を接続固定する工程と、硬化型樹脂７を用いて電子素子を封止する工程と、剥離層を溶解または膨潤させて、工程基板を剥離する工程とを備えた電子基板１０の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
鉛フリー半田に用いられるような２６０℃程度の高温半田リフロー処理によっても耐半田クラック性に優れた熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】
繊維状支持基材に熱硬化樹脂を含浸させてなる樹脂支持体と半導体素子とを熱硬化性接着剤組成物を用いて所定の加熱条件Ａにて接着する工程と、前記工程により接着された支持体と半導体素子とを所定の加熱条件Ｂにて封止用樹脂組成物により封止する工程と、前記工程により封止された後、熱処理する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、所定の反り評価試験における前記熱硬化性接着剤組成物の反り量１が所定の条件式を満たすものである熱硬化性接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】接着剤を用いずに、放熱板を封止樹脂に固定する。
【解決手段】半導体装置は、配線基板１０と、配線基板１０の表面に固着された半導体素子１２と、配線基板１０と半導体素子１２とを電気的に接続する金属線１３と、配線基板１０、半導体素子１２及び金属線１３を封止する封止樹脂１８と、封止樹脂１８に圧着された放熱板１４とを備えている。放熱板１４の表面及び放熱板１４の側面の一部は、封止樹脂１８から露出している。 （もっと読む）

【課題】薬液を気化させることなくプラスチックモールドへと噴き付けて開封することができるプラスチックモールド開封装置及び開封方法を提供する。
【解決手段】プラスチックによりモールドされたサンプルに薬液を噴射し溶解して開封するためのプラスチックモールド開封装置であって、前記薬液を供給する薬液供給用定量ポンプと、不活性ガスを供給する不活性ガス供給用定量ポンプと、前記薬液と前記不活性ガスとをその内部で混合する配管と、前記配管で前記不活性ガスと混合された前記薬液を前記サンプルに噴射する薬液噴射部とを備えることを特徴とするプラスチックモールド開封装置。 （もっと読む）

【課題】配線基板の外部端子取り付け面にストレスを与えずに一括封止後の配線基板を分割する。
【解決手段】主面に複数のデバイス領域が形成された多数個取り基板７を準備し、前記複数のデバイス領域それぞれに半導体チップを固定し、前記半導体チップ固定後、前記複数の半導体チップを一括で樹脂封止して一括封止部８を形成し、一括封止部８および多数個取り基板７をダイシングにより前記デバイス領域ごとに分割し、前記分割後、ブラシによってそれぞれの封止部の表面を擦り、その後、各半導体装置を一旦トレイのポケットに収納し、さらに、前記トレイから各半導体装置を個片搬送することにより、一括封止後の基板分割時に一括封止部８の表面を真空吸着してダイシングすることにより、多数個取り基板７の外部端子取り付け面にストレスを与えずに分割することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は特性の信頼性の良好なモジュールを提供する。
【解決手段】樹脂基板２２に実装された半導体素子２４が埋設された樹脂部２５と、この樹脂部２５の表面を覆うシールド金属膜２６とを有した高周波モジュール２１の製造方法であり、樹脂槽６３の上方に半導体素子２４が下方を向く方向で樹脂基板２２を載置し、樹脂槽６３へ投入された樹脂２５ａが流動可能となるまで軟化させる軟化工程７１と、樹脂基板２２下面を樹脂２５ａの液面へ接触させる浸漬工程７２と、樹脂２５ａを樹脂基板２２と半導体素子２４との間の隙間へ強制的に流入させる圧縮流入工程７３と、樹脂２５ａを硬化する硬化工程７４と、シールド金属膜２６を形成する工程とを有し、このシールド金属膜２６を形成する工程ではスパッタによって樹脂部２５の表面に金属薄膜を形成する。これにより、樹脂部２５内の残留応力を小さくでき、シールド金属膜２６のストレスを小さくできる。 （もっと読む）

【課題】本発明は特性のばらつきの小さいモジュールを提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、この課題を解決するため樹脂基板２２に実装された半導体素子２４が埋設された樹脂部２５と、この樹脂部２５の表面を覆うシールド金属膜２６とを有した高周波モジュール２１の製造方法であり、樹脂槽６３の上方に半導体素子２４が下方を向く方向で樹脂基板２２を載置し、樹脂槽６３へ投入された樹脂２５ａが流動可能となるまで軟化させる軟化工程７１と、その後で樹脂基板２２下面を樹脂２５ａの液面へ接触させる浸漬工程７２と、その後で樹脂２５ａを樹脂基板２２と半導体素子２４との間の隙間へ強制的に流入させる圧縮流入工程７３と、その後で樹脂２５ａを硬化する硬化工程７４と、その後でシールド金属膜２６を形成する工程とを有したものである。これにより、樹脂部２５内の残留応力を小さくでき、変形を小さくできる。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高く、かつ、基板設計における設計自由度の高い電子装置および電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】主面に電極が形成された電子素子１１と、一方の面は配線パターン１２ａが形成され、他方の面はパッド電極１６を含んでいるインターポーザ基板１２と、一方の面にパッド電極１９を含んでいるマザー基板１８とを含み、電子素子１１の電極と配線パターン１２ａとが、第１のバンプ１３を介して電気的に接続されて接続部が形成されることで、電子素子１１がインターポーザ基板１２上に対面した状態で実装され、接続部が、封止樹脂１４で封止され、パッド電極１６およびパッド電極１９とが、第２のバンプ１７を介して電気的に接続されて接続部が形成されることで、インターポーザ基板１２がマザー基板１８上に実装され、電子素子１１とインターポーザ基板１２との接続領域が、パッド電極１６のピッチ間に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クリーニング作業が容易で生産性が高く、歩留まりの良い樹脂封止金型装置を提供する。
【解決手段】樹脂封止金型装置は、半導体装置を表面実装した基板を挟持して樹脂封止する上，下金型３０，１０のうち、下金型１０に設けたキャビティ２１に連通路２４を介して連通するように樹脂溜まり部２３を設けるとともに、前記樹脂溜まり部２３にトランスファーピン２６を上下動可能に設けてある。特に、前記樹脂溜まり部２３のうち、前記連通路２４から、前記トランスファーピン２６に直接押し出された封止樹脂材が前記連通路２４を通過できない距離だけ離れた位置に、前記トランスファーピン２６を設けてある。 （もっと読む）

【課題】基板上にバンプを介して半導体素子を搭載し、半導体素子における基板側に放熱板を設けるとともに、半導体素子と基板との間にアンダーフィルを充填してなる半導体装置において、アンダーフィル内のボイド発生を極力防止する。
【解決手段】基板１０の一面上にバンプ３０を介して半導体素子２０を搭載し、半導体素子２０における基板１０側の一面に放熱板４０を設けるとともに、半導体素子２０の一面と基板１０との間にアンダーフィル６０を充填してなる半導体装置において、基板１０の一面から他面へ貫通する貫通穴１１を設け、放熱板４０を、貫通穴１１に対して貫通穴１１の内面と隙間を有した状態で挿入するとともに、基板１０の他面より突出させ、放熱板４０と貫通穴１１の内面との隙間を、アンダーフィル６０注入用の注入口１２とし、この注入口１２を介して基板１０と半導体素子２０との間にアンダーフィル６０を充填する。 （もっと読む）

【課題】 電子部品間の干渉を防止するシールドを有し、かつより低背化することが可能な回路モジュールを提供する。
【解決手段】 回路モジュール１は、電子部品１１が実装されたプリント基板１０と、該プリント基板１０のグランドパターン１０ｇに取付けられた複数の導電チップ部品１２と、プリント基板１０上に実装された電子部品１１及び導電チップ部品１２を覆うように形成されるとともに、上面と導電チップ部品１２とを繋ぐ貫通孔２１が厚み方向に形成された樹脂封止部材２０と、樹脂封止部材２０の外表面に塗布されるとともに、貫通孔２１に充填された導電性ペーストにより形成されたシールド層３０とを備える。隣り合う２つの貫通孔２１の間隔Ｘは、遮断する信号の波長の１／２又は１／４に設定される。 （もっと読む）

【課題】簡便な設備にて確実に電子部品をシールドすることができるとともに、シールドに用いる導電性樹脂の塗布量を削減することにより製造コストを低減することが可能な電子部品モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】複数の電子部品により複数の電子部品モジュールが形成された集合基板１０を絶縁樹脂１４にて一括封止し、電子部品モジュールの境界部分にて、封止した絶縁樹脂１４の天面から、集合基板１０の内部まで切り込み部を形成する。天面及び切り込み部の開口側を覆うように導電性樹脂１８を塗布するとともに、集合基板１０の周縁部まで導電性樹脂１８を連続して塗布することで切り込み部内部の空間を密閉した後、集合基板１０に対し等方圧プレスで圧力及び熱を加えて導電性樹脂１８を硬化させた後、集合基板１０を分断して電子部品モジュールに個片化する。 （もっと読む）

【課題】圧縮成形用の成形型を用いて、成形前基板に装着された所要複数個の半導体チップを樹脂材料によって樹脂封止する際に、樹脂封止工程における生産性の向上を図る。
【解決手段】樹脂封止成形装置１は、一対の圧縮成形用の成形型５において所定の数の成形前基板１７を配置し、該成形前基板１７に装着された所要複数個のチップ１５を各別に且つ略同時に圧縮成形して樹脂封止する。また、樹脂封止成形装置１は、インユニットとアウトユニットとの間において一対の圧縮成形用の成形型５を有するプレスユニット７を所要数だけ連結した構成を有する。 （もっと読む）

【課題】混色性が良好で色むらが少なく発光効率に優れ、且つ、特性が均一で高性能なＬＥＤ光源装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にＬＥＤ素子を実装する工程（Ｍ２）と、第１の蛍光体を含む第１の樹脂部材をＬＥＤ素子を被覆して塗布する工程（Ｍ３）と、ＬＥＤ素子を自発光させることによりＬＥＤ素子周りの第１の樹脂部材を部分的に硬化させる工程（Ｍ４）と、第１の樹脂部材の内の未硬化部分を除去することで第１の蛍光体層を形成する工程（Ｍ５）とを有し、この蛍光体層を形成する工程を繰り返すことで、ＬＥＤ素子を被覆する複数の異なる蛍光体層を任意の厚みで積層できる製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】インサート品の変形を抑制するトランスファ成形による成形法および成形品を提供する。
【解決手段】トランスファ成形による成形法は、金型５内のキャビティ５ａにおいてインサート品３を封止するトランスファ成形による成形法であって、キャビティ５ａ内でインサート品３の表面を覆うことでキャビティ５ａ内でインサート品３の表面が露出しないように第１樹脂１をキャビティ５ａ内に注入する工程と、第１樹脂１が注入された後、注入する際の粘度が第１樹脂１より高い第２樹脂２をキャビティ５ａ内に注入する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップとその他の電子部品との間隔が小さくなりこれらが近接する場合であっても半導体チップを封止するアンダーフィルのフィレットの外縁部が電子部品に接触することを防止し、高密度なフリップチップ実装が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ２とインターポーザ７との間をアンダーフィル９で封止した半導体装置であって、半導体チップ２の端面部３の少なくとも一部に、水平方向よりもインターポーザ７側に向く面を有する水平方向の幅Ｗ₁が１０〜１００μｍの切込部４を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止パッケージの一括モールドによる成形時において、成形硬化樹脂とサブストレートの熱膨張係数の差により一括樹脂封止基板の中央部分が持ち上げられて、次工程に悪影響を及ぼすことを防止する。
【解決手段】半導体装置の製造方法であって、後の工程で個々の半導体装置に個片化される複数のデバイス領域（１４）を有する支持部材（１１）を一括樹脂封止する工程と、前記樹脂封止後の支持部材（１１）に対して、少なくとも一方向のダイシングラインに沿って、封止樹脂（１２）を貫通して前記支持部材（１１）の一部に至る溝（１３）を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）