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Fターム[5F061BA04]の内容

半導体又は固体装置の封緘、被覆の形成 (9,309) | 素子の搭載部材形式 (1,888) | 基板搭載形 (1,068) | プリント回路基板搭載形 (325)

Fターム[5F061BA04]に分類される特許

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【課題】集合基板に反り、うねり、厚みバラツキ等が発生している場合であっても、封止樹脂層形成後の封止樹脂層と集合基板との合計厚みが均一な電子部品モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品モジュールの製造方法であって、集合基板1に粘着性シート2を貼り付け、集合基板1の所定位置に切り込み部3を形成して、切り込み部3を形成した集合基板1の電子部品を実装した面を樹脂にて封止して封止樹脂層4を形成して、電子部品モジュールの間にて封止樹脂層4の天面から切り込み、電子部品モジュールの側面部を形成して、封止樹脂層4の天面及び電子部品モジュールの側面部を覆う導電性樹脂層7を形成して、電子部品モジュールの間にて、電子部品モジュールの側面部を形成する幅に比べて狭い幅で導電性樹脂層7の天面から切り込み、電子部品モジュールに個片化する。 (もっと読む)


【課題】発光素子を封止する樹脂材料の塗布量にばらつきが生じた場合に、樹脂層の厚さのばらつきを抑えることができ、光の輝度、色度等にムラが発生することを防止できる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】撥油パターン2を形成する撥油パターン形成工程と、モールド樹脂材料15をインターポーザ配線基板1上の撥油パターン2に囲まれた領域内に滴下して塗布する、モールド樹脂塗布工程とを含み、撥油パターン2の幅をWとし、モールド樹脂塗布工程におけるモールド樹脂材料15の塗布量をVとし、当該塗布量のばらつきをΔVとしたとき、WおよびVは、モールド樹脂材料15の実際の塗布量がV−ΔVの場合にモールド樹脂材料15が撥油パターン2上に乗り上げており、かつ、モールド樹脂材料15の実際の塗布量がV+ΔVの場合にモールド樹脂材料15が撥油パターン2より外側に広がらないように設定される。 (もっと読む)


【課題】基板に実装した電子部品を被覆するシールドケースを有する半導体装置の製造工数を低減することができる製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、電子部品が実装された複数の基板11を、基板載置装置50に載置する基板保持工程と、天板部31と天板部31の外縁から天板部31に対して略垂直に伸びる側板部32a,32cとを有するシールドケース30が連結部35で連結されたケース連結体34を、ケース搬送装置55にて吸着固定するケース保持工程と、ケース搬送装置55を変位させ、各シールドケース30によって各電子部品を被覆し、この状態で各シールドケース30と各基板11とを接続する接続工程と、接続工程の後に、ケース連結体34を連結部35で切断して各半導体装置に分割する分割工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】環状オレフィンモノマーを開環メタセシス重合して得られる熱硬化性架橋環状オレフィン樹脂を含み、封止材、プリプレグ、接着剤に使用される樹脂との十分な離型性を有するフィルムを提供する。
【解決手段】熱硬化性架橋環状オレフィン樹脂フィルムを、環状オレフィンモノマー、極性基変性ハロゲン化炭化水素、必要に応じて熱可塑性環状オレフィン重合体水素添加物を含む重合性組成物を開環メタセシス重合して得る。重合性組成物は、環状オレフィンモノマー及び熱可塑性環状オレフィン重合体水素添加物の合計質量100質量部に対して0.1〜6質量部の極性基変性ハロゲン化炭化水素を含むと共に、40質量部以下の熱可塑性環状オレフィン重合体水素添加物を含む。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置を回路基板に実装する電子装置の製造において環境負荷を軽減するとともに、電子装置の耐衝撃性及び接続信頼性を確保する。
【解決手段】 電子装置の製造方法は、回路基板110上に加熱により発泡する第1の樹脂部141’を形成する工程と、第1の樹脂部の上方に第2の樹脂部142’を形成する工程と、第2の樹脂部の上方に、接合材132を備える半導体装置120を配置する工程とを有する。この製造方法は更に、接合材132と回路基板110とを接合し、回路基板110と半導体装置120とを電気的に接続する端子130を形成する工程を有する。端子130を形成する工程における加熱により、気泡141bを内包した第1の樹脂部141が形成されるとともに、第1の樹脂部の膨張に伴う第2の樹脂部142’の移動により、端子130の周囲を覆う第2の樹脂部142が形成される。 (もっと読む)


【課題】 デバイスを破壊するおそれなしにアンダーフィル材の充填を容易にする。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、第1の基体11と第2の基体12の間に充填される充填材16に対して親和性を示す被覆層15を、第1の基体及び第2の基体の互いに対向する面の少なくとも一方の面上に形成し、その後、第1の基体と第2の基体との間に充填材を充填する。 (もっと読む)


【課題】MAP方式の半導体装置製造方法において、一つの配線基板から得られる複数の製品について製品毎の成形状態のばらつきを低減させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、配線基板10上に複数の半導体チップ9を搭載する工程と、配線基板10の半導体チップ9が搭載された側に全ての半導体チップ9を一括して覆う絶縁性の樹脂をモールドする工程と、複数の半導体チップ9が搭載された配線基板10を切断して複数の製品に個片化する工程と、を有する。そして、樹脂をモールドする工程が、トランスファーモールド装置の金型キャビティ3内に、複数の半導体チップ9が搭載された配線基板10を配置し、該金型キャビティ3内に、フィラーが添加された第1のレジンタブレット12の樹脂と、該第1のレジンタブレット12のフィラー添加量よりも多い量のフィラーが添加された第2のレジンタブレット13の樹脂とを連続して注入する。 (もっと読む)


【課題】小型かつセンサ感度の高い半導体装置を簡単かつ低コストで製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、配線基板101と、センサ機能領域103を有する半導体素子102と、センサ機能領域103を覆う樹脂106と、封止樹脂107とを備える半導体装置100の製造方法であって、半導体素子102が搭載された配線基板101を上金型104に保持させる配線基板保持工程と、第1樹脂材料の一部を柱状に成形して保持させる樹脂保持工程と、配線基板保持工程及び樹脂保持工程の後、上金型104と下金型105とを、センサ機能領域103と柱状に成形された第1樹脂材料とが当接するようにクランプすることにより第1樹脂層を形成する樹脂形成工程と、樹脂形成工程の後、上金型104と下金型105との隙間に第2樹脂材料を充填することにより第2樹脂層を形成する封止樹脂形成工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、製造コストが安価で、封止樹脂層の信頼性が向上する、封止樹脂層から導電性ポストの一部が露出した電子部品モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明に係る電子部品モジュール1の製造方法は、回路基板11の一方の面に電子部品12、13を実装し、回路基板11の一方の面、及び/又は回路基板11の一方の面に実装した電子部品12、13の上に、少なくとも1つの導電性ポスト14を形成し、回路基板11の一方の面に、電子部品12、13及び導電性ポスト14を覆う半硬化状態の封止樹脂層15を形成する。封止樹脂層15の天面に弾性部材16を載置し、弾性部材16を介して封止樹脂層15を押圧して導電性ポスト14の一部を弾性部材16に埋め込み、封止樹脂層15から弾性部材16を剥離し、封止樹脂層15に熱を加えて硬化する。 (もっと読む)


【課題】半導体素子のサイズによらずに気泡の混入確率が低減されたモジュールの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明のモジュールの製造方法は、絶縁層の一の面に導体のパターンが形成された配線板と、導体上にバンプを介してフェイスダウンで実装された機能素子とを備え、配線板の機能素子が実装された位置の、機能素子の投影面よりも小さく、かつ、バンプが導体に接合された部位よりも内側の領域に、絶縁層の厚さ方向に沿って開口部が形成されており、機能素子及び配線板間の隙間と、開口部とが封止樹脂によって封止されているモジュールの製造方法であって、配線板の導体上に、バンプを介して機能素子を実装する実装工程と;機能素子及び配線板間の隙間と、開口部とを、封止樹脂によって封止する樹脂封止工程と;を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】反り等の発生を抑制した半導体パッケージを効率良く製造することができる半導体パッケージの製造装置を提供する。
【解決手段】下金型31に対して上金型32を型締めした状態において、第1の位置に内側金型33を位置させることによって、第1のキャビティ空間を形成し、この第1のキャビティ空間に第1のモールド樹脂を充填した後、第2の位置に内側金型33を移動させることによって、第2のキャビティ空間を形成し、この第2のキャビティ空間に第2のモールド樹脂を充填する。これにより、1つの製造装置30でパッケージ基材20に実装された半導体チップ3を第1のモールド樹脂で覆う工程と、この第1のモールド樹脂を第2のモールド樹脂で覆う工程とを行うことができる。 (もっと読む)


【課題】集合基板から個々の電子回路モジュールを製造する場合であっても、回路基板の側面を充分にシールドすることができる技術の提供を課題とする。
【解決手段】電子回路モジュールの製造方法は、集合基板20の下面を溝形成用ダイシングテープ30に貼り付ける貼付工程S100と、集合基板20の上面側から、分離予定ライン15に沿って封止樹脂層13及び回路基板11を切削するとともに、溝形成用ダイシングテープ30の一部を切削することにより、封止樹脂層13と回路基板11と溝形成用ダイシングテープ30との間に溝16を形成する溝形成工程S110と、溝16に導電性樹脂を充填して、封止樹脂層13の上面及び側面、回路基板11の側面に、導電性樹脂のシールド層14を形成するシールド層形成工程S120と、集合基板20に複数配列された電子回路モジュール10を個々の電子回路モジュールとして個片化する個片化工程S130とを備える。 (もっと読む)


【課題】金属ワイヤの不良を低減することができる半導体装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】接続端子4を有する基板2と、基板2上に配置された半導体素子3と、半導体素子3と接続端子4とを接続する金属ワイヤ5と、半導体素子3および金属ワイヤ5を封止する封止樹脂9とを備える。封止樹脂9の表面に配置された放熱用金属板10を備え、放熱用金属板10は、半導体素子3と相対する位置に凸部12を有する。 (もっと読む)


【課題】 常圧下または減圧下で信頼性の高い実装基板の樹脂封止方法を提供する。
【解決手段】 電子部品4が実装された実装基板1をケース2内において樹脂7により樹脂封止する実装基板1の樹脂封止方法であって、前記実装基板1に気泡発生防止具を設けることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の信頼性を向上すると共に半導体装置の小型化を図る。
【解決手段】複数の半導体チップ22が積層された積層体30が配置された高圧容器内に、アンダーフィル材料24が混合された超臨界流体を供給する供給工程と、超臨界流体を供給しながら高圧容器内の積層体30を加熱し、複数の半導体チップ22の間に浸透したアンダーフィル材料24を重合反応によって硬化させて、複数の半導体チップ22の間にアンダーフィル材料24を充填する充填工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 常圧下または減圧下で信頼性の高い樹脂封止方法を提供する。
【解決手段】 基板本体3に電子部品4が実装された実装基板1をケース2内において樹脂8で封止する実装基板の樹脂封止方法であって、樹脂8を、常圧、又は減圧下で傾斜部5を介してケース2内へ充填することを特徴としている。また、前記傾斜部5は、前記ケース2の側壁2bと前記実装基板1の端部との間の樹脂充填スペースSに設置されている。 (もっと読む)


【課題】半導体装置製造時の封止工程で生じ得る樹脂バリに起因した搬送異常等の不具合の発生を抑制する。
【解決手段】封止工程において、チップ20aが配設された基板10a上に、チップ20aを封止する第1樹脂部30aと、第1樹脂部30aに連結された第2樹脂部40aとが形成された成形品1aを得る。その成形品1aから、第2樹脂部40aを分離すると共に、基板10aの縁部11aを分離する。封止工程で縁部11aに樹脂バリが発生していても、その樹脂バリは、縁部11aと共に除去される。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の実装信頼性を向上させる。
【解決手段】上金型14と下金型で一対を成す樹脂成形金型の上金型14において、その第1のキャビティ14aのゲート14dが形成された第2の辺14f側に複数の第2のエアベント14jが設けられたことで、第1のキャビティ14aにゲート14dを介して封止用樹脂3を注入した際に、ゲート14dに対向する第1の辺14e側の第1のエアベント14iに向かう直進的な封止用樹脂3の流れに加えて、ゲート14d側の第2のエアベント14jに向かう封止用樹脂3の流れを形成することができ、これにより、封止用樹脂3中に含まれるフィラーの分布の均一化を図る。 (もっと読む)


【課題】配線基板と樹脂封止部との密着性を確保しつつ、実装の際の信頼性も確保することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、配線基板2となる原基板に設けられた貫通孔に、溶融樹脂を注入し硬化させて形成された樹脂充填部6と、樹脂充填部6が形成された原基板に所定の配線パターン22が形成された配線基板2と、配線基板2に搭載された半導体素子3と、半導体素子3を封止する樹脂封止部4とを備えている。予め樹脂充填部6を形成しておくことで、貫通孔に隙間無く樹脂を注入することができるので、実装の際の信頼性を確保することができる。 (もっと読む)


【課題】多段に積層された半導体チップを搭載する半導体装置において、最上層の半導体チップの反りを抑制し、信頼性を向上可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、(a)基台10上に第1半導体チップ11bと第1半導体チップ11b上に第2半導体チップ11cをずらして積層する工程と、(b)第1及び第2半導体チップ11b,11cの電極と外部電極を接続するボンディングワイヤ12を形成する工程と、(c)第2半導体チップ11cの前記第1半導体チップ11bから迫り出した突出部分20上に、支持体13を形成する工程と、(d)支持体13をモールド金型に接触させ、基台10と前記モールド金型の間に空間を形成する工程と、(e)空間内に封止樹脂14を形成する工程とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


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