【課題】 信頼性を向上可能な半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体パッケージ１は、パッケージ基板８０、およびパッケージ基板８０の上に実装されるチップ積層体１０を備える。チップ積層体１０とパッケージ基板８０とは、チップ積層体１０の第１半導体チップ１００とパッケージ基板８０との間に配置されるソルダボール１１０を介して電気的に連結される。第１半導体チップ１００の上には第２半導体チップ２００が積層される。第２半導体チップ２００の上面２００ｓは、平坦化されたモールディング膜３５０に覆われることなく露出し、放熱膜４０１と直接接触する。これにより、第１半導体チップ１００および第２半導体チップ２００で発生する熱は、放熱膜４０１を通じて容易に放出することができる。 （もっと読む）

【課題】
ウエハレベルでの積層ウエハ間へのアンダーフィルの充填において、ボイドの発生及びウエハの汚染を防止する。
【解決手段】
ウエハ１００及び１００’の少なくとも一方上に、枠状の流出防止構造体１２０と、該流出防止構造体の内部に配置される１つ以上のガイド構造体１３０とを形成する。これらの構造体１２０、１３０を挟むようにウエハ１００と１００’とを積み重ねた後に、流出防止構造体１２０によって囲まれたウエハ１００と１００’との間の空隙にアンダーフィルを充填する。各ウエハは、半導体チップが形成されたチップ形成領域１１０を有し、流出防止構造体１２０は、チップ形成領域１１０を取り囲み且つ樹脂の注入口２２１及び流出口２２２を有するように形成される。ガイド構造体１３０は、注入口２２１と流出口２２２との間に並列配置された複数の樹脂流路２４１−２４５を形成するように設けられる。 （もっと読む）

【課題】薄い樹脂モールド製品に対して樹脂の充填性を向上させたモールド金型を提供する。
【解決手段】本発明のモールド金型は、複数の半導体チップ３０を実装した半導体実装基板１００の樹脂モールドを行うために用いられるモールド金型であって、半導体実装基板１００を上面側から押さえるように構成された上型５０と、半導体実装基板を下面側から押さえるように構成された下型６０とを有し、上型５０及び下型６０の少なくとも一つには、樹脂モールドにより樹脂２０が充填されるキャビティ５７が形成されており、キャビティ５７には、半導体実装基板１００のカット部位に対応する位置に凹部５８が形成されており、凹部５８の幅は、半導体実装基板１００のカット幅以下である。 （もっと読む）

【課題】モールド金型にワークと共に搬入された樹脂が金型クランプ面からの加熱により硬化が進まないように搬入して金型クランプ時のモールド樹脂の流動性を確保することで成形品質を向上させた樹脂モールド装置を提供する。
【解決手段】プレス部Ｃに備えたモールド金型には、半導体チップ粘着面側に樹脂が供給されたキャリアプレートＫを金型クランプ面より離間させて支持するワーク支持部３７が金型クランプ状態において金型クランプ面より金型内に退避可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】パッケージ厚の減少に従って、益々困難になるレジン注入時のワイヤ流れ対策として、キャビティ厚さ調整機構を有する金型を用いたサイドゲート型のトランスファモールド技術が各種検討されている。しかし、本願発明者らが検討したところによると、従来の方式では、所望のパッケージ厚さを安定的に確保することが困難であることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、キャビティ厚さ調整機構を有する金型を用いたサイドゲート型のトランスファモールドによる半導体装置の製造方法において、キャビティを溶融レジン（封止レジン）で充填した後、キャビティ厚さを減少させ、続いてキャビティ厚さを固定した状態で、ポット内のプランジャをキャビティ内の封止レジンが加圧される方向に移動させ、キャビティ内の封止レジンを加圧した状態でキュアを進行させるものである。 （もっと読む）

【課題】電子部品と回路基板との隙間に存在するボイドを低減して、電子部品の信頼性を向上させる構造体を提供する。
【解決手段】回路基板１０の電極部又は前記電子部品の端子部上に、前記回路基板１０及び前記電子部品の隙間の間隔よりも薄い膜厚の第１の樹脂材を供給する工程と、前記第１の樹脂材を供給した後、前記電子部品の端子部を前記回路基板１０の電極部に接触させたまま、前記回路基板１０の電極部又は前記電子部品の端子部上に配設された半田材３０を第１の温度で溶融して、前記電子部品の端子部を前記回路基板１０の電極部に接続する工程と、前記電子部品の端子部を前記回路基板１０の電極部に接続した後、前記回路基板１０及び前記電子部品の隙間に第２の樹脂材を充填する工程と、前記第２の樹脂材を、前記第１の温度よりも低温である第２の温度で加熱する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】導体層と絶縁層を交互に少なくとも１層以上積み重ねてなる多層配線基板の表層絶縁層上に、フェイスダウン方式で半導体素子を、突起電極を介して接続し、前記半導体素子と前記多層配線基板とのギャップに液状熱硬化樹脂を塗布し突起電極を封止して製造する半導体パッケージの製造方法において、半導体素子実装後に、液状熱硬化樹脂を注入し、半導体素子と多層配線基板のギャップを封止する際、半導体素子下で浸透のむらが生じ、それを起因とする巻き込みボイドが発生する問題がある。
【解決手段】少なくとも該半導体素子が搭載される表層絶縁層上の領域に対しプラズマ放電を利用した表面活性処理を不均一に施すことを特徴とする該半導体パッケージの製造方法。 （もっと読む）

【課題】剥離層の表面上に、良好にパターニングされた絶縁層を形成することができ、かつ、支持体の剥離を容易に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体２７の表面上に第１の剥離層２８を形成する工程と、第１の剥離層の表面上に、第１の剥離層と同温時におけるずり粘弾性率Ｇ´若しくは弾性率Ｅ´が、第１の剥離層より高い第２の剥離層２９を形成する工程と、第２の剥離層の表面上に第１の絶縁層２２を最下層とする配線層を形成する工程と、この配線層の表面上に、半導体チップを載置する工程と、半導体チップをモールド樹脂体２６で封止する工程と、第１の剥離層を加熱し、第１の絶縁層から支持体を剥離する工程と、を具備し、第１の剥離層は、第１の絶縁層から支持体を剥離する温度において、第１の絶縁層から支持体を剥離可能なずり粘弾性率Ｇ´若しくは弾性率Ｅ´を有する熱可塑性樹脂である半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シールド層を切断して個片化する際に、回路基板の切断面にシールド層の切粉や材料が不用意に付着することを回避することができる技術の提供を課題とする。
【解決手段】電子回路モジュールの製造方法は、集合基板２０の各回路基板１１に電子部品１２を実装する電子部品実装工程Ｓ１００と、電子部品１２を封止する封止樹脂層１３を形成する封止樹脂層形成工程Ｓ２００と、封止樹脂層１３及び回路基板１１の一部を切削して第１溝１６を形成する第１溝形成工程Ｓ３００と、第１溝１６に導電性樹脂を充填してシールド層１４を形成するシールド層形成工程Ｓ４００と、回路基板１１の一部を切削して第２溝１７を形成する第２溝形成工程Ｓ５００と、第１溝１６の切削幅よりも狭く、かつ、第２溝１７の切削幅よりも狭い切削幅でシールド層１４を切削することにより、回路基板１１同士を分離して個片化する個片化工程Ｓ６００とを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造に際し、封止体形成後の配線基板の反りを低減できるようにする。
【解決手段】 １つ以上の製品形成部１０１からなる製品エリア１０２ａ、１０２ｂを持つ配線基板であって、前記製品エリアを含むように該配線基板に設定されたモールドエリア１０９ａ、１０９ｂが樹脂で封止される配線基板１００において、前記製品エリアを、その平面的な中心位置が前記モールドエリアの平面的な中心位置から外れるように、偏心させて前記モールドエリア内に配置、形成した。 （もっと読む）

【課題】配線基板に封止部を形成する工程で、配線基板のクランプエリアに歪みが生じるのを防ぐ。
【解決手段】半導体チップが実装される複数の製品形成部５が配置された製品形成エリア６と、製品形成エリア６の外周側に設けられ製品形成部５に実装された半導体チップを覆う封止部が形成される成形エリア１２と、成形エリア１２の外周側に設けられ封止部を形成するための成形金型によって保持されるクランプエリア１３と、製品形成エリア６に設けられ半導体チップと電気的に接続される配線と、成形エリア１２に設けられ複数のドットが配列されてなる第１のベタパターン１６と、クランプエリア１３に設けられ第１のベタパターン１６のドットよりも大きい複数のドットが配列されてなる第２のベタパターン１７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ガラスエポキシ基板11の外面部を樹脂封止成形すると共に、該基板の一部を樹脂成形体の外部に露出する基板の樹脂封止成形方法とその装置を提供する。
【解決手段】基板11の外面部を熱硬化性エポキシ樹脂Ｒにて封止成形するための型構造21・22を備えた樹脂封止成形装置を用いてガラスエポキシ基板11の外面部を樹脂封止成形すると共に、該基板の一部を樹脂封止成形体の外部に露出させようとする型構造21・22の部位に、該基板の露出面13に対して樹脂バリ形成防止用部材23を押圧状に密接させる。また、樹脂バリ形成防止用部材23の先端部に樹脂コーティング層23ａを設ける。 （もっと読む）

【課題】電子部品等が装着された基板を樹脂封止成形した後、電子部品等に悪影響を与えることなく樹脂封止済基板を冷却し、かつ反りを防止する。
【解決手段】本発明は樹脂封止成形した後の樹脂封止済基板２１Aの冷却を行う基板冷却装置である。本発明に係る基板冷却装置を適用した樹脂封止済基板の搬送装置は、樹脂封止済基板２１Aを保持する保持体４０と、保持体４０に設けられて樹脂封止済基板２１Aを吸引する吸引手段と、吸引手段が樹脂封止済基板２１Aを吸引する方向に設けられて樹脂封止済基板２１Aが密着する密着面を有する冷却板３１を有する。吸引手段は、樹脂封止済基板２１Aと密着面との間に閉空間を形成する弾性支持部３２と、閉空間に位置するように冷却板３１に設けられて冷却板３１の厚さ方向に貫通する貫通孔３３aと、貫通孔３３aと吸気経路３３bを通じて閉空間内の空気を吸気する吸気手段３３cとを有する。 （もっと読む）

【課題】
フィルム状樹脂を基材の凹凸に完全に追従させ、その膜厚をより厳密なレベルで均一にする積層装置を提供する。
【解決手段】
仮積層体（ＰＬ１）３１を収容可能な密閉空間形成手段と、上記密閉空間形成手段によって形成された密閉空間Ｚにおいて、非接触状態で仮積層体（ＰＬ１）３１を加圧し、仮積層体（ＰＬ１）３１から本積層体を形成する加圧積層手段（Ｐ１）と有する積層機構（Ｅ１）を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの背面に沿って発生するフラッシュの蓄積を防止した半導体モールディングチャンバーを有する半導体装置の封止システム及び封止方法を提供する。
【解決手段】半導体モールディングチャンバーのシステムと方法が開示される。上モールディング部分１０５と下モールディング部分１０７とを含み、それらの間にモールディングキャビティ３０５を形成し、半導体ウェハ１０１が配置される。半導体モールディングチャンバーは、半導体ウェハの位置を保持、固定する第一組吸引チューブと、キャビティ外部周辺ガスを排出する第二組吸引チューブと、を有する。封止材３０１が、その後、半導体ウェハ上に配置されて、半導体ウェハを封止する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置に関し、ワイヤーフローを防止するとともに、半導体装置の外形サイズを均一にする。
【解決手段】 半導体素子を搭載し、前記半導体素子の電極と基板の配線パターンとをボンディングワイヤで接続し、前記基板の裏面に設けた基板電極に外部端子を接続した封止前基板を樹脂封止する際に、封止装置を用いて圧縮成形封止方法により前記封止前基板を樹脂封止して封止中基板とする第１の樹脂封止工程と、前記封止装置と同じ封止装置を用いてトランスファー封止方法により前記封止中基板を樹脂封止する第２の樹脂封止工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】大きなアース面によるアースシーリングを備えたモジュールを提供すること。
【解決手段】内側ハウジンと外側ハウジングの間に設けられたバスタブ状の合成構成部分を有しており、当該合成構成部分内に、前記内側ハウジングが背面以って組み込まれており、前記合成構成部分は絶縁バスタブと、絶縁バスタブの内面に、少なくともバスタブ底面に形成されたアース面とを有しており、当該アース面は前記電気的構成部分の背面のシーリングを形成する、ことを特徴とするモジュール。 （もっと読む）

【課題】残留気泡の膨張・収縮によって生じるワイヤーの断線を防止した高信頼性の電子機器の製造方法を提供する。
【解決手段】素子電極６に第１の封止樹脂１２ａを素子電極６の配列方向に沿って線状に塗布する。次いで、実装基板２の実装基板電極７に第２の封止樹脂１２ｂを実装基板電極７の配列方向に沿って線状に塗布する。次いで、素子１側に塗布された第１の封止樹脂１２ａと、実装基板２側に塗布された第２の封止樹脂１２ｂの一端部間を繋ぐように第３の封止樹脂１２ｃを塗布する。最後に、前記封止樹脂１２ａ、１２ｂ、１２ｃからなる３辺に囲まれた空間部１３に第４の封止樹脂１２ｄを第３の封止樹脂１２ｃの側面部から、これに対向する位置の開放部へ向かって徐々に塗布する。この動作によって、塗布時に発生する気泡１４を開放部へ追い出しながら塗布できる。 （もっと読む）

【課題】 樹脂封止されるために成形型に配置される封止前基板を、適切に予熱する。
【解決手段】 封止前基板５に装着されたチップを樹脂封止する樹脂封止装置１に、成形モジュール３Ａ〜３Ｄと、各成形モジュール３Ａ〜３Ｄに各々設けられた下型１０と、下型１０に相対向して各々設けられた上型と、各下型１０に設けられ流動性樹脂によって満たされるキャビティ１１と、各成形モジュール３Ａ〜３Ｄまで封止前基板５を搬送する搬送機構９と、搬送機構９に設けられた第１のヒータと、搬送機構９から受け取った封止前基板５をキャビティ１１の上方まで移送して上型の型面に引き渡す移送機構１３と、移送機構１３に設けられた第２のヒータとを備える。第１のヒータは封止前基板５を各成形モジュール３Ａ〜３Ｄまで搬送する過程において、第２のヒータは受け取った封止前基板５を上型の型面に引き渡すまでの過程において、各々封止前基板５を面的に加熱する。 （もっと読む）

【課題】樹脂モールドに先立って被成形品の厚さを精度良く測定することで、キャビティ容積を変更することにより成形品質を向上できる樹脂モールド装置を提供する。
【解決手段】厚さ計測部Ｂは、ローダー２５から半導体チップが基板実装された被成形品１を移載されて保持したまま搬送する搬送プレート９と、当該搬送プレートをＸ−Ｙ方向に走査可能なＸ−Ｙ走査機構１０と、搬送プレート９の搬送路下に被成形品１に対応して配置され、半導体チップを含む基板の総厚を測定する第１レーザー変位計４４と基板のみの厚さを測定する第２レーザー変位計４４を備えている。 （もっと読む）