【課題】複雑な工程を要さず、１回の成形工程で所定の外形形状と電子部品の品質を確保できる樹脂封止成形品の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】電子部品１１に当接しない距離で成形品外形面Ａよりも天面が金型キャビティの中心側に突き出しているスリーブピン１２と冷媒により冷却されているセンターピン１３ａ〜１３ｄを備え、下側保持材１４ａ，１４ｂと上側保持材１５ａ，１５ｂをインサートすることにより冷却され寸法収縮する。寸法収縮しているため、樹脂封止後の熱膨張により保持材１４ａ，１４ｂ，１５ａ，１５ｂと封止樹脂４０との境界面は締まりばめとなり、境界面の密着力が高くなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接合材料を微細ピッチで供給し電気的な接続が可能な電子部材を提供することを目的とする。
【解決手段】回路基板に設けられた一つ以上の接続端子に対して、電子部材に設けられた一つ以上の電極が接合層を介して電気的に接合され、前記接合層は焼結銀を主体として構成され、前記接合層と接していない電極表面の全面あるいは一部が酸化銀の粗化層であり、当該酸化銀の粗化層の厚さは４００ｎｍ以上５μｍ以下であり、前記酸化銀の層の最表面は１μｍより小さい曲率半径となっていることを特徴とする電子部品。 （もっと読む）

【課題】 フリップチップ実装により多段積層された半導体装置の複数のギャップに、ボイドを発生させることなく均一にアンダーフィル樹脂を充填することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 実施形態に係る半導体装置の製造方法では、フリップチップ実装により基板上に複数の半導体チップを形成する。前記基板上にアンダーフィル樹脂を、常温で少なくとも前記複数の半導体チップのうち最上段の半導体チップにおける底面の高さまで塗布する。前記アンダーフィル樹脂を加熱することにより、前記基板と前記半導体チップの間および前記複数の半導体チップ間のギャップにアンダーフィル樹脂を充填する。前記アンダーフィル樹脂を硬化する。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル液を用いたときと同等の効果が得られ基板と半導体チップ間の充填方法を実現する。
【解決手段】プリント基板３３の複数の電極部にハンダバンプ３９を形成し、この複数のハンダバンプを介して半導体チップ４１をプリント基板に搭載する。その際、プリント基板のハンダバンプが形成された面側を覆うアンダーフィル用の熱可塑性のフィルム３０を準備する。このフィルムは、ハンダバンプ部分が取り除かれているとともに半導体チップが搭載される部分の周縁部が突起状に形成されており、フィルムでプリント基板を覆った後にフィルムを基板に貼り合せ、次いで半導体チップをプリント基板に搭載してリフロー炉に搬送し、このリフロー炉において加熱および加圧ＨＰして、ハンダバンプを溶融する。 （もっと読む）

【課題】ワークをクランプする際に、キャビティ駒がワーク当接面の傾斜に追従してクランプしてワークを破損することなくクランプすることが可能なモールド金型を提供する。
【解決手段】上型キャビティ凹部３の底部を形成するスイベル駒４が昇降かつ傾動可能に支持されており、スイベル駒４は、ワーク当接面と反対面に凸状球面部４ｃが形成されており、対向するガイド駒１６の凹状球面部１６ｃにガイドされて傾動する。 （もっと読む）

【課題】封止体が形成された基板（組み立て体）の反りを抑制する。
【解決手段】多数個取り基板１０に貫通孔１０ｅ，１０ｆを形成し、かつ成形金型の下型に下面ゲート側キャビティや下面エアベント側キャビティが形成されたことで、多数個取り基板１０の上面１０ａ側の本体封止部１７ａやゲート側周辺封止部１７ｂだけでなく、下面１０ｂ側にもゲート側下面封止部１８ａやエアベント側下面封止部１８ｂが形成され、これにより、基板の下面１０ｂ側にも熱膨張または熱収縮による応力を発生させることができ、基板の両面において発生する応力のバランスを取って多数個取り基板１０の反りを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの成形装置を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージの成形装置は、少なくとも１つの第１半導体チップが安定して支持される下金型、前記下金型の上部に位置して少なくとも１つの第２半導体チップが安定して支持され、前記下金型と対向する面に前記第１半導体チップの成形空間のための第１キャビティを有する中金型、前記中金型の上部に位置して前記中金型と対向する面に前記第２半導体チップの成形空間のための第２キャビティを有する上金型、前記下金型を貫通して前記第１キャビティと連結される第１供給ポート、前記下金型と前記中金型とを貫通して前記第２キャビティと連結される第２供給ポート、及び前記下金型の下部に位置して前記第１及び第２供給ポートに各々備わり、前記第１及び第２供給ポート内の成形樹脂を加圧して前記第１及び第２キャビティに供給する第１及び第２トランスファー・ラムを有する加圧ユニットを含む。 （もっと読む）

【課題】種々の配置の回路基板に対応し得る、少ない樹脂量で実現できる封止方法を新たに見出して、電子回路装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電子部品１３を搭載した回路基板１２を収容する筐体１１に液状化した樹脂材料３０を導入し、導入した樹脂材料３０の表面をカバー部材２０で覆って押し込み、部分的に樹脂材料３０を押し上げた後に硬化させる、電子回路装置の製造方法であって、上記カバー部材２０は、電子部品１３を搭載した回路基板１２を覆うように形成され、回路基板１２に搭載した最も背の高い電子部品１３に対応する位置に液状化した樹脂材料３０が通過し得る孔を有しており、樹脂材料３０の表面を当該カバー部材２０で押し込むことにより液状化した樹脂材料３０が電子部品１３を封止するとともに上記孔から余剰の樹脂材料３０が流出するよう構成されている、上記の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂の帯電を防止する電子部品の製造方法およびその方法により製造された電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品の製造方法は、実装基板１０上に弾性表面波素子２０を実装する工程と、実装基板１０上に実装された弾性表面波素子２０を覆うように封止樹脂４０を形成する工程と、封止樹脂４０の表面にプラズマ処理を行なう工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体部品を実装する基板自体の反りを低減させると共に、効果的にシールド機能を実現させることができる安価なモジュール部品を提供する。
【解決手段】本発明に係るモジュール部品１００は、ランド・配線パターン３が形成された基板２に半導体部品１が実装され、基板２の表面に半導体部品１を被覆して設けられた樹脂５と、樹脂５の表面に積層された金属プレート７と、基板２のランド・配線パターン３と金属プレート７とを電気的に接続する導電性ペースト８と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】半田付け工程を行う必要がなく、材料コストを効果的に低減するとともに製造工程の簡素化を図ることができる半導体パッケージ構造の製造方法を提供する。
【解決手段】能動面２０ａを有し、能動面に複数の導電バンプ２００が設けられたチップ２０と、表面にアンダーフィル２１０が設けられた基材２１と、を提供する工程と、チップの能動面をアンダーフィルに結合させることにより各導電バンプをアンダーフィルに埋設させる工程と、基材を除去することによりアンダーフィルを露出させる工程と、チップをアンダーフィルによりパッケージ基板に結合させることでチップを各導電バンプによりパッケージ基板に電気的に接続させる工程と、を備える半導体パッケージ構造の製造方法。アンダーフィルをチップの能動面に結合させた上で、アンダーフィルをパッケージ基板に設けるようにした。 （もっと読む）

【課題】電極間の位置ずれを抑制できる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】接続構造体１の製造方法は、電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２上に、ディスペンサーを移動させながら、異方性導電ペーストをディスペンサーから塗布して、異方性導電ペースト層を形成する工程と、異方性導電ペースト層の少なくとも一部の領域を、除去装置により除去する工程と、異方性導電ペースト層上に、電極４ｂを下面４ａに有する第２の接続対象部材４を積層する工程と、異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層３を形成する工程とを備える。除去装置により除去する前の異方性導電ペースト層３Ａにおいて、第１の領域を除去装置１４により除去するか、又は塗布量が多い第２の領域を除去装置により除去する。 （もっと読む）

【課題】第１，第２の接続対象部材の接続信頼性を高めることができる接続構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１の製造方法は、第１の接続対象部材２上に、熱硬化性成分を含む硬化性組成物を直線状に塗布して、硬化性組成物層を形成する工程と、硬化性組成物層上に、第１の接続対象部材２よりも小さい第２の接続対象部材４を積層する工程と、硬化性組成物層を加熱して本硬化させて、硬化物層３を形成する工程とを備える。本発明に係る接続構造体１の製造方法では、塗布方向と直交する方向における硬化性組成物層の中央部３ｘの最小厚み（μｍ）をＴとしたときに、塗布方向と直交する方向における硬化性組成物層の中央部３ｘの外側の縁部３ｙの最大厚み（μｍ）が１．１Ｔ以上、１．６Ｔ以下になるように、かつ縁部３ｙが盛り上がった形状になるように、硬化性組成物を直線状に塗布する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の反りを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、半導体チップが搭載され、前記半導体チップが熱硬化性の樹脂で覆われた配線基板を、第１の温度で前記樹脂を熱硬化して第１の成型品を製造し、第１の成型品の反りの向きと量を測定し、反りの向きと量を減らすような第２の温度を選定し、半導体チップが搭載され、前記半導体チップが熱硬化性の樹脂で覆われた配線基板を、前記第２の温度で前記樹脂を熱硬化して第２の成型品を製造する。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンク付き半導体パッケージを一体製作できる製造方法を提供する。
【解決手段】モールド用金型２０の内側下面には、ヒートシンク１３のフィンと密着して嵌合する形状の支持台２１が形成されている。ヒートシンク１３には、半導体デバイス１１が実装された基板１２が仮止めされる［工程Ｂ］。基板１２が仮止めされたヒートシンク１３は、フィンが形成されている側を下にして支持台２１に嵌め込まれる［工程Ｃ］。次に、ピストン３１によって注入口３２からモールド樹脂３３が注入され、半導体デバイス１１がモールドされると共に、基板１２とヒートシンク１３とが接着される［工程Ｄ］。このときにかかるモールド注入圧は、ヒートシンク１３と支持台２１との嵌合で生じる高い剛性力により、フィンの変形に影響を及ぼさない。 （もっと読む）

【課題】電子部品の圧縮成形用金型３（上型３ａ、下型３ｂ）を搭載した成形ユニット４を所要複数個、有する電子部品の樹脂成形装置１において、各成形ユニット４における成形温度（成形ユニットの成形温度及び樹脂成形型の成形温度）を効率良く均等にする。
【解決手段】所要複数個の成形ユニット４（４Ａ、４Ｂ、４Ｃ）を一列に配置した電子部品の樹脂成形装置において、各成形ユニット４間に及び一列に配置した成形ユニット群７
の両側に、断熱手段（樹脂板２０、真空断熱部材３０）を設けて構成する。成形ユニット４に断熱手段（樹脂板２０、真空断熱部材３０）を設けた状態で、成形装置１に設けた成形ユニット４の圧縮成形用金型３で基板２に装着した電子部品を圧縮成形する。 （もっと読む）

【課題】リリースフィルムの破れを可及的に防止できる成形金型を提供する。
【解決手段】型開閉方向に形成された収納孔１６および収納孔１６に続く拡径孔１７を有するクランパ１８と、クランパ１８の収納孔１６内に収納されたキャビティブロック２０とを有し、キャビティ凹部２４が、キャビティブロック２０の底面２０ａ、段差壁面１６ａおよび拡径孔１７の内壁面１７ａをキャビティ面とする空間で形成され、キャビティ凹部２４に連通して、キャビティ凹部２４に沿って供給されるリリースフィルム３８をキャビティ凹部２４面に吸着する吸引孔４０が形成された成形金型において、キャビティブロック２０の底面２０ａの周縁部に、キャビティ凹部２４内方向に突出して、キャビティ凹部２４の深さを浅くする突周部５０が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子部品と基板との間の接続を樹脂によって強固に補強できる電子機器の製造方法を提供する。
【解決手段】一つの実施の形態に係る電子機器の製造方法によれば、前記電子機器は、基板と、前記基板に設けられた複数のパッドと、前記基板と対向する底面を有した部品本体と、前記部品本体の底面に配置された複数の端子と、前記部品本体の底面に配置されるとともに加熱されることで酸化膜を除去する熱硬化性の樹脂と、を備えた電子部品と、を具備する。まず、前記電子部品を前記基板に載置し、前記基板に載置された前記電子部品を加熱して前記樹脂を軟化させ、軟化した前記樹脂を流動させて前記電子部品と前記基板との間に存在するガスを外に押し出すとともに、前記樹脂を前記電子部品と前記基板との間に充填し、前記電子部品をさらに加熱することで、前記電子部品と前記基板との間に充填された前記樹脂を硬化させる。 （もっと読む）

【課題】大きさ及び重量の少なくとも一方が等しい粒状樹脂を計数及び／又は計量することにより、キャビティ容量に見合った樹脂量をキャビティ毎に供給して低コストでメンテナンス性を改善し高い成形品質を維持できる圧縮成形方法及び圧縮成形装置を提供する。
【解決手段】大きさ及び重量の少なくとも一方が均一に成形された粒体樹脂６を型開きしたモールド金型１に形成されたキャビティ凹部３ｂのキャビティ容量に応じて計数及び／又は計量されてキャビティに供給する樹脂供給工程と、モールド金型１にキャビティ凹部３ｂと対応する位置にワークＷを保持してモールド金型１をクランプする工程と、キャビティ凹部３ｂ内に供給されて溶融した樹脂６を所定樹脂圧に保圧して加熱硬化させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の歩留の向上を図る。
【解決手段】上金型１４と下金型１５で一対を成す樹脂成形金型１３の上金型１４において、キャビティ１４ａの注入ゲート１４ｄに対向する第２隅部１４ｆの内周面１４ｂの断面の半径を、他の隅部の内周面１４ｂの断面の半径より大きくすることで、樹脂注入時に樹脂中に含まれるボイド１２をキャビティ１４ａの第２隅部１４ｆに滞留させることなくエアベント１４ｈに押し出すことができ、これにより、キャビティ内でのボイド１２の発生を抑制して半導体装置の外観不良の発生を抑制できる。 （もっと読む）