半導体パッケージの成形装置
【課題】半導体パッケージの成形装置を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージの成形装置は、少なくとも１つの第１半導体チップが安定して支持される下金型、前記下金型の上部に位置して少なくとも１つの第２半導体チップが安定して支持され、前記下金型と対向する面に前記第１半導体チップの成形空間のための第１キャビティを有する中金型、前記中金型の上部に位置して前記中金型と対向する面に前記第２半導体チップの成形空間のための第２キャビティを有する上金型、前記下金型を貫通して前記第１キャビティと連結される第１供給ポート、前記下金型と前記中金型とを貫通して前記第２キャビティと連結される第２供給ポート、及び前記下金型の下部に位置して前記第１及び第２供給ポートに各々備わり、前記第１及び第２供給ポート内の成形樹脂を加圧して前記第１及び第２キャビティに供給する第１及び第２トランスファー・ラムを有する加圧ユニットを含む。
【解決手段】半導体パッケージの成形装置は、少なくとも１つの第１半導体チップが安定して支持される下金型、前記下金型の上部に位置して少なくとも１つの第２半導体チップが安定して支持され、前記下金型と対向する面に前記第１半導体チップの成形空間のための第１キャビティを有する中金型、前記中金型の上部に位置して前記中金型と対向する面に前記第２半導体チップの成形空間のための第２キャビティを有する上金型、前記下金型を貫通して前記第１キャビティと連結される第１供給ポート、前記下金型と前記中金型とを貫通して前記第２キャビティと連結される第２供給ポート、及び前記下金型の下部に位置して前記第１及び第２供給ポートに各々備わり、前記第１及び第２供給ポート内の成形樹脂を加圧して前記第１及び第２キャビティに供給する第１及び第２トランスファー・ラムを有する加圧ユニットを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージの成形装置に関する。より詳細には、半導体チップを成形樹脂で密封するための成形装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体パッケージを製造するために、ウェハから分離した半導体チップを成形樹脂で密封するモールド封止工程が遂行されることができる。例えば、前記モールド封止工程は、前記半導体チップの半導体素子を外部環境から保護するためにエポキシモールディングコンパウンド（ＥＭＣ；ｅｐｏｘｙ ｍｏｌｄｉｎｇ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）などのような成形樹脂を利用して密封する工程として半導体パッケージの製造において非常に重要な工程である。
【０００３】
従来の半導体パッケージの成形装置は、互いにクランプしてキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）を形成する上部金型及び下部金型を含むことができる。前記キャビティ内には半導体チップが配置され、前記上部金型と前記下部金型とが互いにクランプした状態で前記キャビティに成形樹脂が注入され前記半導体チップを成形することになる。
【０００４】
しかし、前記キャビティは、前記上部金型と前記下部金型とのクランピングによって形成されるので、前記上部及び下部金型の１回のクランピングを通じて成形できる半導体チップの個数は、制限せざるを得ない。従って、従来のモールド封止工程と実質的に同じ作業空間（ｆｏｏｔｐｒｉｎｔ）及び作業時間内で生産性を向上させることのできる新しい成形装置が要求される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−０１２６４５号公報
【特許文献２】特開２０００−１２４２４１号公報
【特許文献３】特開昭５５−０４４７６６号公報
【特許文献４】特開２００７−２５１０９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の一目的は、生産性を向上させることができる半導体パッケージの成形装置を提供することにある。
【０００７】
本発明の他の目的は、前記成形装置を利用して半導体チップを成形する方法を提供することにある。
【０００８】
ただし、本発明の解決しようとする課題は上記言及した課題に限定されるのではなく、本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で多様に拡張することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記本発明の一目的を達成するために、本発明の実施形態に係る半導体パッケージの成形装置は、少なくとも１つの第１半導体チップが安定して支持される下金型、前記下金型の上部に位置して少なくとも１つの第２半導体チップが安定して支持され、前記下金型と対向する面に前記第１半導体チップの成形空間のための第１キャビティを有する中金型、前記中金型の上部に位置し、前記中金型と対向する面に前記第２半導体チップの成形空間のための第２キャビティを有する上金型、前記下金型を貫通して前記第１キャビティと連結される第１供給ポート、前記下金型と前記中金型とを貫通して前記第２キャビティと連結される第２供給ポート、及び前記下金型の下部に位置し、前記第１及び第２供給ポートに各々備われ、前記第１及び第２供給ポート内の成形樹脂を加圧して前記第１及び第２キャビティに供給する第１及び第２トランスファー・ラムを有する加圧ユニットを含む。
【００１０】
例示的な実施形態において、前記中金型は、前記下金型と対向して前記第１キャビティを有する下部中金型及び前記上金型と対向して前記第２半導体チップを支持する上部中金型を含むことができる。
【００１１】
例示的な実施形態において、前記加圧ユニットは、前記下金型の下部に昇降可能なように位置するトランスファー・プレートを含み、前記第１及び第２トランスファー・ラムは、前記トランスファー・プレートから上部に延長するように設置できる。前記トランスファー・プレートは、前記第１及び第２トランスファー・ラムを同時に昇降させることができる。
【００１２】
例示的な実施形態において、前記第２トランスファー・ラムの長さは、前記第１トランスファー・ラムより前記中金型の厚さだけさらに大きいことができる。
【００１３】
例示的な実施形態において、前記第２供給ポートは、前記下金型に貫通して形成される第１ポート及び前記中金型に貫通して形成されて前記第１ポートと連通する第２ポートを含むことができる。
【００１４】
例示的な実施形態において、前記第１供給ポートと前記第１ポートとは、前記下金型の長さ方向中央部で高さ方向に沿って複数個が形成され、前記第２ポートは前記中金型の長さ方向中央部で高さ方向に沿って複数個が形成されることができる。
【００１５】
例示的な実施形態において、前記第１及び第２供給ポートは、互いに交互に配置されることができる。
【００１６】
例示的な実施形態において、前記第１供給ポートの個数と前記第２供給ポートの個数とは、同一であることもできる。
【００１７】
例示的な実施形態において、前記第１半導体チップは前記第１供給ポートを間に置いて少なくとも２つが配置されて、前記第２半導体チップは前記第２供給ポートを間に置いて少なくとも２つが配置されることができる。
【００１８】
例示的な実施形態において、前記第１供給ポート内の成形樹脂は、第１分配ブロックを通じて前記第１キャビティ内に供給されることができる。
【００１９】
例示的な実施形態において、前記第２供給ポート内の成形樹脂は、第２分配ブロックを通じて前記第２キャビティ内に供給されることができる。
【００２０】
例示的な実施形態において、前記半導体パッケージの成形装置は、前記上金型、前記中金型及び前記下金型を各々固定支持する上金型ダイス、中金型ダイス及び下金型ダイスをさらに含むことができる。
【００２１】
例示的な実施形態において、前記上金型ダイスは、昇降ロードに固定され、前記中金型ダイスと前記下金型ダイスとは、前記昇降ロードに沿って昇降して前記上金型、前記中金型及び前記下金型をクランプすることができる。
【００２２】
例示的な実施形態において、前記中金型ダイスは、前記昇降ロードに設置されたストッパーによって移動範囲が制限されることができる。
【００２３】
例示的な実施形態において、前記中金型ダイスは、前記第２半導体チップを前記中金型から分離させる複数個の第１中金型イジェクトピン及び前記第１半導体チップを支持する複数個の第２中金型イジェクトピンを含むことができる。
【００２４】
例示的な実施形態において、前記第１中金型イジェクトピンは、前記昇降ロードに設置されたストッパーの加圧によって上昇して前記第２半導体チップを前記中金型から分離させることができる。
【００２５】
例示的な実施形態において、前記中金型は前記下金型と向き合う下部中金型及び前記上金型と対向する上部中金型を含み、前記中金型ダイスは、前記上部中金型を前記中金型ダイスから上昇させるイジェクトスプリングを含むことができる。
【００２６】
例示的な実施形態において、前記上部中金型には成形が完了した前記第２半導体チップをグリップするための複数個のガイド部が形成されることができる。
【００２７】
例示的な実施形態において、前記上金型ダイスは、前記第２半導体チップを支持する複数個の上金型イジェクトピンを含み、前記下金型ダイスは、前記第１半導体チップを前記下金型から分離させる複数個の下金型イジェクトピンを含むことができる。
【００２８】
前記本発明の一目的を達成するために本発明の実施形態に係る半導体パッケージの成形装置は、下金型、前記下金型の上部に位置する上金型、前記下金型と前記上金型との間に介在して前記下金型とクランプされて、少なくとも１つの第１半導体チップを成形するための第１成形空間を形成し、前記上金型とクランプされて、少なくとも１つの第２半導体チップを成形するための第２成形空間を形成する中金型、前記下金型を貫通して前記第１成形空間と連結される第１供給ポート、前記下金型と前記中金型とを貫通して前記第２成形空間と連結される第２供給ポート、及び前記下金型の下部に位置し、前記第１及び第２供給ポートに各々備わり、前記第１及び第２供給ポート内の成形樹脂を同時に加圧して前記第１及び第２成形空間に供給する第１及び第２トランスファー・ラムを有する加圧ユニットを含む。
【００２９】
前記本発明の他の目的を達成するために、本発明の実施形態に係る成形装置で半導体チップを成形する方法において、前記装置は下金型、上金型、及び前記下金型と前記上金型との間に中金型を含む。前記方法において、前記下金型上に第１半導体チップをロードし、前記中金型上に第２半導体チップをロードする。前記下金型と前記中金型とを共にクランプして前記第１半導体チップ上に第１成形空間を設け、前記中金型と前記上金型とを共にクランプして前記第２半導体チップ上に第２成形空間を設ける。前記下金型を貫通して前記第１成形空間に連結された第１供給ポートから成形樹脂を前記第１成形空間に供給し、前記下金型と前記中金型とを貫通して前記第２成形空間に連結された第２供給ポートから成形樹脂を前記第２成形空間に供給する。前記供給された成形樹脂は固化して前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとを成形する。
【発明の効果】
【００３０】
このように構成された発明に係る半導体パッケージの成形装置は、下金型、上金型、及び前記下金型と前記上金型との間に介在される中金型を含み、前記下金型と前記中金型との間に第１成形空間、及び、前記中金型と前記下金型との間に第２成形空間を設けて、前記第１及び第２成形空間で各々モールド封止工程を同時に遂行することができる。
【００３１】
従って、従来の成形装置に比べて２倍以上に生産性を向上させることができる。また、前記第１及び第２成形空間で互いに相異する半導体チップを同時に成形することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの成形装置を示す断面図である。
【図２】図１の下金型を示す平面図である。
【図３】図１の中金型を示す平面図である。
【図４】図２のＩＶ−ＩＶ’ラインに沿って切断した図１の成形装置の断面図である。
【図５】図３のＶ−Ｖ’ラインに沿って切断した図１の成形装置の断面図である。
【図６】図３のＶＩ−ＶＩ’ラインに沿って切断した図１の成形装置の断面図である。
【図７】図１の半導体パッケージの成形装置を利用して半導体チップを成形するための方法を示す断面図である。
【図８】図１の半導体パッケージの成形装置を利用して半導体チップを成形するための方法を示す断面図である。
【図９】図１の半導体パッケージの成形装置を利用して半導体チップを成形するための方法を示す断面図である。
【図１０】図１の半導体パッケージの成形装置を利用して半導体チップを成形するための方法を示す断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態に係る半導体パッケージの成形装置を示す断面図である。
【図１２】図１１の中金型を示す平面図である。
【図１３】図１１の半導体パッケージの成形装置を利用して半導体チップを成形するための方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
本明細書に開示されている本発明の実施形態に対して、特定の構造的ないし機能的説明は、単に本発明の実施形態を説明するための目的で例示されたものであり、本発明の実施形態は多様な形態で実施することができ、本明細書に説明された実施形態に限定されるものではない。
【００３４】
本発明は多様な変更を加えることができ、種々の形態を有することができるが、特定の実施形態を図面に例示して本明細書に詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示した実施形態に限定しようとするものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるすべての変更、均等物ないし代替物を含むと理解するべきである。
【００３５】
本明細書において、第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するのに使用しているが、これらの構成要素がこのような用語によって限定されるものではない。これらの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使い、例えば、本発明の権利範囲から逸脱しなければ第１構成要素は第２構成要素と称することができ、同様に第２構成要素も第１構成要素と称することができる。
【００３６】
ある構成要素が他の構成要素に「連結されて」いる、または「接続されて」いると言及した場合には、その他の構成要素に直接的に連結されていたり、接続されていることも意味するが、中間に他の構成要素が存在したりする場合も含む。一方、ある構成要素が他の構成要素に「直接連結されて」いる、または「直接接続されて」いると言及した場合には、中間に他の構成要素は存在しない。構成要素の間の関係を説明する他の表現、すなわち「〜間に」と「すぐに〜間に」または「〜に隣接する」と「〜に直接隣接する」等も同様である。
【００３７】
本明細書で使用した用語は、単に特定の実施形態を説明するために使用したものであり、本発明を限定するものではない。単数の表現は文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。また、本明細書で、「含む」又は「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又は、これを組み合わせたものが存在するということを示すものであって、一つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品又は、これを組み合わせたものなどの存在又は、付加の可能性を、予め排除するものではない。
【００３８】
また、別に定義しない限り、技術的あるいは科学的用語を含み、本明細書中において使用される全ての用語は、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、一般的に理解することと同一の意味を有する。一般的に使用される辞書において定義する用語と同じ用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有するものと理解するべきであり、本明細書において明白に定義しない限り、理想的あるいは形式的な意味として解釈してはならない。
【００３９】
以下、図面を参照して、本発明の望ましい実施するための形態の具体例を詳細に説明する。図面の同一構成要素については同一参照符号を使用し、同一構成要素についての重複した説明は省略する。
【００４０】
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの成形装置を示す断面図であり、図２は、図１の下金型を示す平面図であり、図３は、図１の中金型を示す平面図である。図４は、図２のＩＶ−ＩＶ’ラインに沿って切断した図１の成形装置の断面図であり、図５は、図３のＶ−Ｖ’ラインに沿って切断した図１の成形装置の断面図であり、図６は、図３のＶＩ−ＶＩ’ラインに沿って切断した図１の成形装置の断面図である。
【００４１】
図１〜図６を参照すれば、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの成形装置１００は下金型２００、中金型３００、上金型４００、下金型２００を貫通する第１供給ポート２２０、下金型２００と中金型３００とを貫通する第２供給ポート３２０、及び加圧ユニット５００を含む。
【００４２】
上金型４００は下金型２００の上部に位置し、中金型３００は、下金型２００と上金型４００との間に介在する。下金型２００と中金型３００とは、互いにクランプされ、少なくとも１つの第１半導体チップ１０ａ、１０ｂを成形するための第１成形空間を形成する。中金型３００と上金型４００とは、互いにクランプされて、少なくとも１つの第２半導体チップ２０ａ、２０ｂを成形するための第２成形空間を形成する。
【００４３】
従って、下金型２００と中金型３００とがクランプされた状態で前記第１半導体チップ１０ａ、１０ｂは、下金型２００と中金型３００との間で成形される。中金型３００と上金型４００とがクランプした状態で前記第２半導体チップ２０ａ、２０ｂは、中金型３００と上金型４００との間で成形される。
【００４４】
本発明の一実施形態において、下金型２００と中金型３００とは、互いにクランプされて、少なくとも１つの第１半導体チップ１０ａ、１０ｂを成形するための第１キャビティ３１０を形成することができる。中金型３００と上金型４００とは、互いにクランプされて、少なくとも１つの第２半導体チップ２０ａ、２０ｂを成形するための第２キャビティ４１０を形成することができる。
【００４５】
具体的に、前記第１半導体チップ１０ａ、１０ｂは、下金型２００の上部面上に安定して支持されることができる。中金型３００の下部面には第１キャビティ３１０が形成され、下金型２００と中金型３００とがクランプされて前記第１半導体チップ１０ａ、１０ｂの基板上に成形空間を形成することができる。
【００４６】
前記第２半導体チップ２０ａ、２０ｂは、中金型３００の上部面上に安定して支持されることができる。上金型４００の下部面には、第２キャビティ４１０が形成され、中金型３００と上金型４００とがクランプされて前記第２半導体チップ２０ａ、２０ｂの基板上に成形空間を形成することができる。
【００４７】
本発明の一実施形態において、中金型３００は、下部中金型３００ａ及び上部中金型３００ｂを含むことができる。下部中金型３００ａは、下金型２００と対向して前記第１半導体チップ１０ａ、１０ｂの成形空間のための第１キャビティ３１０を具備することができる。上部中金型３００ｂは、上金型４００と対向して前記第２半導体チップ２０ａ、２０ｂを支持することができる。
【００４８】
半導体パッケージの成形装置１００は下金型２００、中金型３００及び上金型４００を各々固定し支持するための下金型ダイス２０２、中金型ダイス３０２及び上金型ダイス４０２を含むことができる。
【００４９】
具体的に、下金型ダイス２０２は、下金型２００を固定し支持することができる。中金型ダイス３０２は、下部中金型３００ａと上部中金型３００ｂとを固定し支持することができる。上金型ダイス４０２は、上金型４００を固定し支持することができる。下金型ダイス２０２、中金型ダイス３０２、及び上金型ダイス４０２は、昇降ロード１１０に沿って相対運動可能なように昇降ロード１１０に連結されることができる。
【００５０】
本発明の一実施形態において、上金型ダイス４０２は、昇降ロード１１０に固定され、中金型ダイス３０２及び下金型ダイス２０２は、昇降ロード１１０に沿って昇降して上金型４００と中金型３００とを互いにクランプし、中金型３００と下金型２００とを互いにクランプすることができる。
【００５１】
具体的に、下金型ダイス２０２が昇降ロード１１０に沿って昇降し中金型ダイス３０２とかみ合わされば、下金型２００と中金型３００とは、互いにクランプすることができる。中金型ダイス３０２が昇降ロード１１０に沿って昇降し上金型ダイス４０２とかみ合わされば、中金型３００と上金型４００とは互いにクランプすることができる。
【００５２】
図２、図４及び図６に図示したように、第１供給ポート２２０は下金型２００を貫通し、第１分配ブロック３３０を通じて第１キャビティ３１０と連結されることができる。
【００５３】
具体的に、第１貫通ホール２０４は、下金型２００を貫通するように形成されて第１供給ポート２２０として使われることができる。また、第１ポート２０６は、第１貫通ホール２０４と隣接するように、下金型２００を貫通するように形成されることができる。
【００５４】
本発明の一実施形態において、複数個の第１貫通ホール２０４が、下金型２００に形成されて、複数個の第１供給ポート２２０を形成することができる。また、複数個の第１ポート２０６が下金型２００に形成されることができる。
【００５５】
第１供給ポート２２０及び第１ポート２０６は、下金型２００の長さ方向中央部で高さ方向に沿って配置されることができる。また、第１供給ポート２２０と第１ポート２０６とは、互いに交互に配列されることができる。第１供給ポート２２０の個数は、第１ポート２０６の個数と同一であることもできる。
【００５６】
２つの第１半導体チップ１０ａ、１０ｂは、第１供給ポート２２０を間に置いて下金型２００の上部面上に安定して支持されることができる。下金型２００と下部中金型３００ａとは、互いにクランプされて、第１半導体チップ１０ａ、１０ｂの成形空間Ｃ１ａ、Ｃ１ｂの第１キャビティ３１０を形成することができる。
【００５７】
図３、図５及び図６に図示された通り、第２供給ポート３２０は、下金型２００と中金型３００とを貫通して第２分配ブロック４３０を通じて第２キャビティ４１０と連結されることができる。
【００５８】
本発明の一実施形態において、第２供給ポート３２０は、第１ポート２０６及び第２ポート３０４を含むことができる。第２ポート３０４は、第１ポート２０６の位置に対応して中金型３００を貫通するように形成され、第２ポート３０４と第１ポート２０６とは、互いに連通して第２供給ポート３２０を形成することができる。
【００５９】
複数個の第２ポート３０４が、第１ポート２０６の位置に対応して中金型３００に形成されることができる。第２ポート３０４は、中金型３００の長さ方向中央部で高さ方向に沿って配置されることができる。従って、下金型２００を貫通する第１ポート２０６及び中金型３００を貫通する第２ポート３０４は、第２供給ポート３２０を形成することができる。
【００６０】
２つの第２半導体チップ２０ａ、２０ｂは、第２供給ポート３２０を間に置いて上部中金型３００ｂの上部面上に安定して支持されることができる。上部中金型３００ｂと上金型４００とは、互いにかみ合わさって第２半導体チップ２０ａ、２０ｂの成形空間Ｃ２ａ、Ｃ２ｂ、すなわち、第２キャビティ４１０を形成することができる。
【００６１】
第１供給ポート２２０及び第２供給ポート３２０は、互いに交互に配列されることができる。第１供給ポート２２０の個数は、第２供給ポート３２０の個数と同一であることもできる。
【００６２】
図６に図示された通り、加圧ユニット５００は、成形樹脂を第１及び第２キャビティ３１０、４１０に供給するための第１及び第２トランスファー・ラム５１０、５２０を含むことができる。第１トランスファー・ラム５１０は第１供給ポート２２０に備わり、第２トランスファー・ラム５２０は第２供給ポート３２０に備わることができる。
【００６３】
具体的に、加圧ユニット５００は、下金型２００の下部に昇降可能なように位置するトランスファー・プレート５０２を含むことができる。複数個の第１トランスファー・ラム５１０は、トランスファー・プレート５０２から上部に延長するように設置されることができる。複数個の第２トランスファー・ラム５２０は、トランスファー・プレート５０２から上部に延長するように設置することができる。従って、トランスファー・プレート５０２は、第１及び第２トランスファー・ラム５１０、５２０を同時に昇降させることができる。
【００６４】
第１及び第２トランスファー・ラム５１０、５２０は、互いに交互に配列されることができる。例えば、第２トランスファー・ラム５２０の長さは、第１トランスファー・ラム５１０より中金型３００の厚さだけさらに大きいこともある。本実施形態において、第２トランスファー・ラム５２０と第１トランスファー・ラム５１０との高さの差は、上部中金型３００ｂの上部面と下部中金型３００ａの下部面との間の距離と実質的に同一であることもできる。
【００６５】
第１トランスファー・ラム５１０は、第１供給ポート２２０内に備わり、第１供給ポート２２０内の成形樹脂を加圧して第１分配ブロック３３０を経て第１キャビティ３１０内に成形樹脂を供給することができる。
【００６６】
具体的に、第１分配ブロック３３０は、円形断面形状の第１供給ポート２２０と第１キャビティ３１０とを互いに連結させることができる。第１供給ポート２２０内部の成形樹脂は、第１トランスファー・ラム５１０の加圧によって第１分配ブロック３３０のカール（ｃｕｌｌ）、ランナー（ｒｕｎｎｅｒ）及びゲート（ｇａｔｅ）を通じて第１キャビティ３１０に流入した後、固化されて前記第１半導体チップの基板上にモールディング部材を形成することができる。
【００６７】
第２トランスファー・ラム５２０は、第２供給ポート３２０内に備わり、第２供給ポート３２０内の成形樹脂を加圧して第２分配ブロック４３０を経て第２キャビティ４１０内に成形樹脂を供給することができる。
【００６８】
具体的に、第２分配ブロック４３０は、円形断面形状の第２供給ポート３２０と第２キャビティ４１０とを互いに連結させることができる。第２供給ポート３２０内部の成形樹脂は、第２トランスファー・ラム５２０の加圧によって第２分配ブロック４３０のカール、ランナー、及びゲートを通じて第２キャビティ４１０に流入した後、固化されて前記第２半導体チップの基板上にモールディング部材を形成することができる。
【００６９】
従って、第１及び第２トランスファー・ラム５１０、５２０は、第１及び第２供給ポート２２０、３２０内に各々備わり、第１及び第２供給ポート２２０、３２０内の成形樹脂を同時に加圧して第１及び第２キャビティ３１０、４１０に各々供給することができる。
【００７０】
図１、図４及び図５に図示された通り、本発明の一実施形態において、下金型ダイス２０２、中金型ダイス３０２、及び上金型ダイス４０２は、前記第１及び第２半導体チップを支持したり、または、分離させたりするための複数個のイジェクトピンを含むことができる。
【００７１】
具体的に、下金型ダイス２０２は、前記第１半導体チップ１０ａ、１０ｂを下金型２００から分離させるための下金型イジェクトピン２４２を含むことができる。下金型イジェクトピン２４２は、下金型２００を貫通するように設置され、下金型イジェクトプレート２４０に連結されることができる。下金型イジェクトプレート２４０は、第１復帰スプリング２４４によって下金型ダイス２０２に弾性的に支持されることができる。
【００７２】
第１ストッパー１２０は、下金型ダイス２０２の下部に設置されて下金型ダイス２０２の移動範囲を制限することができる。また、下金型ダイス２０２があらかじめ設定された高さを下降すると、第１ストッパー１２０は下金型イジェクトプレート２４０を加圧して下金型イジェクトピン２４２を下金型２００の上部面から突出させることができる。従って、成形が完了した第１半導体チップ１０ａ、１０ｂは、下金型イジェクトピン２４２によって下金型２００の上部面から分離されることができる。
【００７３】
中金型ダイス３０２は、前記第２半導体チップ２０ａ、２０ｂを上金型４００から分離させるための複数個の第１中金型イジェクトピン３４２及び前記第１半導体チップ１０ａ、１０ｂを支持するための複数個の第２中金型イジェクトピン３５２を含むことができる。
【００７４】
第１中金型イジェクトピン３４２は、上部中金型３００ｂを貫通するように設置され、第１中金型イジェクトプレート３４０に連結されることができる。第１中金型イジェクトプレート３４０は、第２復帰スプリング３４４によって中金型ダイス３０２に弾性的に支持されることができる。
【００７５】
第２ストッパー１３０は、昇降ロード１１０に固定し設置されて中金型ダイス３０２の移動範囲を制限することができる。また、中金型ダイス３０２があらかじめ設定された高さを下降すると、第２ストッパー１３０は、第１中金型イジェクトプレート３４０を加圧して第１中金型イジェクトピン３４２を上部中金型３００ｂの上部面から突出させることができる。従って、成形が完了した第２半導体チップ２０ａ、２０ｂは、第１中金型イジェクトピン３４２によって上部中金型３００ｂの上部面から分離することができる。
【００７６】
第２中金型イジェクトピン３５２は、下部中金型３００ａを貫通するように設置され、第２中金型イジェクトプレート３５０に連結されることができる。第２中金型イジェクトプレート３５０は、第３復帰スプリング３５４により中金型ダイス３０２に弾性的に支持されることができる。
【００７７】
下金型２００と下部中金型３００ａとがクランプされる時、下金型２００または下金型ダイス２０２は、下部中金型３００ａから突出した第２中金型イジェクトピン３５２の一部と接触して加圧する。従って、第２中金型イジェクトピン３５２の一部は、下部中金型３００ａの内部に入ることになって、他の一部はロードされた前記第１半導体チップ１０ａ、１０ｂと接触して支持することになる。
【００７８】
上金型ダイス４０２は、前記第２半導体チップ２０ａ、２０ｂを支持するための複数個の上金型イジェクトピン４４２を含むことができる。上金型イジェクトピン４４２は、上金型４００を貫通するように設置され、上金型イジェクトプレート４４０に連結されることができる。上金型イジェクトプレート４４０は、第４復帰スプリング４４４によって上金型ダイス４０２に弾性的に支持されることができる。
【００７９】
上部中金型３００ｂと上金型４００とがクランプされる時、上部中金型３００ｂまたは中金型ダイス３０２は、上金型４００から突出した上金型イジェクトピン４４２の一部と接触して加圧する。従って、上金型イジェクトピン４４２の一部は上金型４００の内部に入り、他の一部は、ロードされた前記第２半導体チップと接触して支持することになる。
【００８０】
本実施形態において、前記下金型２００と前記中金型３００との間で２つの第１半導体チップ１０ａ、１０ｂが成形され、前記中金型３００と前記上金型４００との間で２つの第２半導体チップ２０ａ、２０ｂが成形されることができる。しかし、成形される半導体チップの個数及び形態はこれに制限されない。
【００８１】
また、前記トランスファー・ラムの個数及び前記半導体チップを支持及び成形するための前記金型の構造は、前記半導体チップの種類及び前記金型の間に加えられる圧力などによって変わる可能性があることを理解できる。
【００８２】
さらに、前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップは、互いに同じ半導体チップであってもよい。これと異なり、前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップは、互いに違う半導体チップであってもよい。
【００８３】
以下においては、図１の半導体パッケージの成形装置を利用して半導体チップを成形する方法に対して説明する。
【００８４】
図７〜図１０は、図１の半導体パッケージの成形装置を利用して半導体チップを成形するための方法を示す断面図である。
【００８５】
先に、図７を参照すれば、ローダー（ｌｏａｄｅｒ）によって下金型２００上に第１半導体チップ１０ａ、１０ｂがロードされ、中金型３００上に第２半導体チップ２０ａ、２０ｂがロードされる。また、第１及び第２供給ポート２２０、３２０内の第１及び第２トランスファー・ラム５１０、５２０上には、ＥＭＣのような成形樹脂Ｒが各々供給される。
【００８６】
図８を参照すれば、上金型ダイス４０２は、昇降ロード１１０に固定されていて、下金型ダイス２０２及び中金型ダイス３０２は、昇降ロード１１０に沿って上昇して下金型２００、中金型３００及び上金型４００をクランプする。
【００８７】
本発明の一実施形態において、下金型ダイス２０２が上昇して下金型２００と中金型３００とをクランプさせた後、中金型ダイス３０２は、下金型ダイス２０２に載せられた状態で昇降ロード１１０に沿って上昇することができる。
【００８８】
下金型２００と下部中金型３００ａとがクランプされる時、下部中金型３００ａから突出した第２中金型イジェクトピン３５２の一部は、下部中金型３００ａの内部に入ることになって、他の一部はロードされた第１半導体チップ１０ａ、１０ｂと接触して支持することになる。
【００８９】
また、上部中金型３００ｂと上金型４００とがクランプされる時、上金型４００から突出した上金型イジェクトピン４４２の一部は、上金型４００の内部に入ることになって、他の一部はロードされた第２半導体チップ２０ａ、２０ｂと接触して支持することになる。
【００９０】
続いて、加圧ユニット５００のトランスファー・プレート５０２が上昇するということによって、第１及び第２トランスファー・ラム５１０、５２０は同時に上昇する。従って、第１及び第２トランスファー・ラム５１０、５２０は、第１及び第２供給ポート２２０、３２０内の成形樹脂Ｒを同時に加圧して第１及び第２キャビティ３１０、４１０に各々供給することができる。
【００９１】
本発明の一実施形態において、第１供給ポート２２０内部の成形樹脂は、第１トランスファー・ラム５１０の加圧によって第１分配ブロック３３０を通じて第１キャビティ３１０に流入した後、固化されて第１半導体チップ１０ａ、１０ｂを成形することができる。
【００９２】
第２供給ポート３２０内部の成形樹脂は、第２トランスファー・ラム５２０の加圧によって第２分配ブロックを通じて第２キャビティ４１０に流入した後、固化されて第２半導体チップ２０ａ、２０ｂを成形することができる。
【００９３】
図９及び図１０を参照すれば、前記第１及び第２半導体チップ１０ａ、１０ｂ、２０ａ、２０ｂの成形が完了すれば、下金型ダイス２０２及び中金型ダイス３０２は、昇降ロード１１０に沿って下降する。
【００９４】
本発明の一実施形態において、中金型ダイス３０２は、下金型ダイス２０２に載せられた状態で自重によって昇降ロード１１０に沿って下降することができる。
【００９５】
中金型ダイス３０２はあらかじめ設定された高さを下降した後、昇降ロード１１０に設置された第２ストッパー１３０により停止することができる。この時、第１中金型イジェクトピン３４２は、第２ストッパー１３０の加圧によって上部中金型３００ｂの上部面から突出して成形が完了された第２半導体チップ２０ａ、２０ｂを上部中金型３００ｂから分離させることができる。
【００９６】
続いて、下金型ダイス２０２は、下降し続けた後、下金型ダイス２０２の下部に設置された第１ストッパー１２０によって停止されることができる。この時、下金型イジェクトピン２４２は、第１ストッパー１２０の加圧によって下金型２００の上部面から突出して成形が完了した第１半導体チップ１０ａ、１０ｂを下金型２００から分離させることができる。
【００９７】
この後、アンローダー（ｕｎｌｏａｄｅｒ）によって成形が完了した前記第１及び第２半導体チップ１０ａ、１０ｂ、２０ａ、２０ｂがアンロードされ、成形品のゲート及びカール部分が除去される。
【００９８】
上述した通り、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの成形装置は、下金型、上金型、及び、前記下金型と前記上金型との間に介在された中金型を含み、前記下金型と前記中金型との間に第１成形空間、及び、前記中金型と前記下金型との間に第２成形空間を設けて前記第１及び第２成形空間で各々モールド封止工程を同時に遂行することができる。
【００９９】
従って、従来の成形装置に比べて２倍以上に生産性を向上させることができる。また、前記第１及び第２成形空間で互いに相異する半導体チップを同時に成形することができる。
【０１００】
図１１は、本発明の他の実施形態に係る半導体パッケージの成形装置を示す断面図であり、図１２は、図１１の中金型を示す平面図である。本実施形態に係る半導体パッケージの成形装置は、第２半導体チップを分離させるためのイジェクト手段を除いては、図１の実施形態の半導体パッケージの成形装置と実質的に同じ構成要素を含む。従って、同じ構成要素に対しては同じ参照符号で示し、また、同じ構成要素に対して繰り返される説明は省略する。
【０１０１】
図１１及び図１２を参照すれば、本発明の他の実施形態に係る半導体パッケージの成形装置１０１の中金型ダイス３０２は、上部中金型３００ｂを中金型ダイス３０２から上昇させるためのイジェクトスプリング３６０を含むことができる。
【０１０２】
イジェクトスプリング３６０は、上部中金型３００ｂの下部に備わることができる。上部中金型３００ｂと上金型４００とがクランプされる時、上金型４００が上部中金型３００ｂを加圧することができる。従って、上部中金型３００ｂは、中金型ダイス３０２の内部に入ることになり、上部中金型３００ｂの上部面は中金型ダイス３０２の上部面と同一平面にあることになる。
【０１０３】
上部中金型３００ｂと上金型４００とが互いに離れると、上部中金型３００ｂは、イジェクトスプリング３６０によって中金型ダイス３０２から上昇することができる。従って、上部中金型３００ｂの上部面は、中金型ダイス３０２の上部面よりさらに高く位置することになる。
【０１０４】
本発明の他の実施形態において、上部中金型３００ｂには成形が完了した第２半導体チップ２０ａ、２０ｂをグリップするための複数個のガイド部３６２が形成されることができる。
【０１０５】
図１２に図示された通り、複数個のガイド部３６２は、上部中金型３００ｂの外側部に互いに離間して形成されることができる。ガイド部３６２は上部中金型３００ｂの側部に沿って形成され、上部中金型３００ｂ上に安定して支持した前記第２半導体チップ２０ａ、２０ｂの下部側部を露出させることができる。
【０１０６】
上部中金型３００ｂがイジェクトスプリング３６０によって上昇されるということによって、成形が完了した第２半導体チップ２０ａ、２０ｂも上昇され、アンローダーのグリッパ（ｇｒｉｐｐｅｒｓ）はガイド部３６２に沿って上昇して露出された前記第２半導体チップ２０ａ、２０ｂの下部側部と接触して前記第２半導体チップ２０ａ、２０ｂをグリップすることができる。
【０１０７】
前記ガイド部の個数、配置及び構造はこれに制限されず、成形される半導体チップの種類及び成形樹脂の重さなどを考慮して決定される可能性があることが理解できるはずである。
【０１０８】
以下では、図１１の半導体パッケージの成形装置を利用して半導体チップを成形する方法に対し説明することにする。
【０１０９】
図１３は、図１１の半導体パッケージの成形装置を利用して半導体チップを成形するための方法を示す断面図である。
【０１１０】
まず、図７及び図８と同様に、ローダーによって第１及び第２半導体チップ１０ａ、１０ｂ、２０ａ、２０ｂが、下金型２００及び中金型３００上にロードされる。また、第１及び第２供給ポート２２０、３２０内の第１及び第２トランスファー・ラム５１０、５２０上にはＥＭＣのような成形樹脂Ｒが各々供給される。
【０１１１】
上金型ダイス４０２は昇降ロード１１０に固定されていて、下金型ダイス２０２と中金型ダイス３０２とは、昇降ロード１１０に沿って上昇して下金型２００、中金型３００及び上金型４００をクランプする。
【０１１２】
本発明の他の実施形態において、上部中金型３００ｂと上金型４００とがクランプされる時、上金型４００が上部中金型３００ｂを加圧することができる。従って、上部中金型３００ｂは、中金型ダイス３０２内部に入ることになって上部中金型３００ｂの上部面は中金型ダイス３０２の上部面と同一平面にあることになる。
【０１１３】
続いて、第１及び第２トランスファー・ラム５１０、５２０は、第１及び第２供給ポート２２０、３２０内の成形樹脂Ｒを同時に加圧して第１及び第２キャビティ３１０、４１０に各々供給して前記第１及び第２半導体チップを成形する。
【０１１４】
図１３を参照すれば、前記第１及び第２半導体チップ１０ａ、１０ｂ、２０ａ、２０ｂの成形が完了すると、下金型ダイス２０２と中金型ダイス３０２とは昇降ロード１１０に沿って下降する。
【０１１５】
本発明の他の実施形態において、上部中金型３００ｂが上金型４００から落下すると、上部中金型３００ｂはイジェクトスプリング３６０によって中金型ダイス３０２から上昇することができる。従って、上部中金型３００ｂの上部面は中金型ダイス３０２の上部面よりさらに高く位置することになる。
【０１１６】
上部中金型３００ｂがイジェクトスプリング３６０によって上昇されることによって、成形が完了した第２半導体チップ２０ａ、２０ｂも上昇し、アンローダーのグリッパー１４０は上部中金型３００ｂの側部に形成されたガイド部３６２に沿って上昇した前記第２半導体チップをグリップすることができる。また、前記アンローダーの吸着ユニット１４２は、成形品のゲートの部分を吸着することができる。
【０１１７】
従って、前記アンローダーのグリッパー１４０と吸着ユニット１４２とは、前記成形品をグリップして後続工程のために前記成形品を移送することになる。
【０１１８】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は、かかる実施例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然ながら本発明の技術的範囲に属するものと認められる。
【産業上の利用可能性】
【０１１９】
上述した通り、本発明に係る半導体パッケージの成形装置は、下金型、上金型、及び、前記下金型と前記上金型との間に介在する中金型を含み、前記下金型と前記中金型との間に第１成形空間及び前記中金型と前記下金型の間に第２成形空間を設けて前記第１及び第２成形空間に各々モールド封止工程を同時に遂行できる。
【０１２０】
従って、従来の成形装置に比べて２倍以上に生産性を向上させることができる。また、前記第１及び第２成形空間で互いに相異する半導体チップを同時に成形することができる。
【符号の説明】
【０１２１】
１００、１０１ 半導体パッケージの成形装置
１１０ 昇降ロード
１２０ 第１ストッパー
１３０ 第２ストッパー
１４０ グリッパー
２００ 下金型
２０２ 下金型ダイス
２０４ 第１貫通ホール
２０６ 第１ポート
２２０ 第１供給ポート
２４０ 下金型イジェクトプレート
２４２ 下金型イジェクトピン
２４４ 第１復帰スプリング
３００ 中金型
３００ａ 下部中金型
３００ｂ 上部中金型
３０２ 中金型ダイス
３０４ 第２ポート
３１０ 第１キャビティ
３２０ 第２供給ポート
３３０ 第１分配ブロック
３４０ 第１中金型イジェクトプレート
３４２ 第１中金型イジェクトピン
３４４ 第２復帰スプリング
３５０ 第２中金型イジェクトプレート
３５２ 第２中金型イジェクトピン
３５４ 第３復帰スプリング
３６０ イジェクトスプリング
３６２ ガイド部
４００ 上金型
４０２ 上金型ダイス
４１０ 第２キャビティ
４３０ 第２分配ブロック
４４０ 上金型イジェクトプレート
４４２ 上金型イジェクトピン
４４４ 第４復帰スプリング
５００ 加圧ユニット
５０２ トランスファー・プレート
５１０ 第１トランスファー・ラム
５２０ 第２トランスファー・ラム
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージの成形装置に関する。より詳細には、半導体チップを成形樹脂で密封するための成形装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体パッケージを製造するために、ウェハから分離した半導体チップを成形樹脂で密封するモールド封止工程が遂行されることができる。例えば、前記モールド封止工程は、前記半導体チップの半導体素子を外部環境から保護するためにエポキシモールディングコンパウンド（ＥＭＣ；ｅｐｏｘｙ ｍｏｌｄｉｎｇ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）などのような成形樹脂を利用して密封する工程として半導体パッケージの製造において非常に重要な工程である。
【０００３】
従来の半導体パッケージの成形装置は、互いにクランプしてキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）を形成する上部金型及び下部金型を含むことができる。前記キャビティ内には半導体チップが配置され、前記上部金型と前記下部金型とが互いにクランプした状態で前記キャビティに成形樹脂が注入され前記半導体チップを成形することになる。
【０００４】
しかし、前記キャビティは、前記上部金型と前記下部金型とのクランピングによって形成されるので、前記上部及び下部金型の１回のクランピングを通じて成形できる半導体チップの個数は、制限せざるを得ない。従って、従来のモールド封止工程と実質的に同じ作業空間（ｆｏｏｔｐｒｉｎｔ）及び作業時間内で生産性を向上させることのできる新しい成形装置が要求される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−０１２６４５号公報
【特許文献２】特開２０００−１２４２４１号公報
【特許文献３】特開昭５５−０４４７６６号公報
【特許文献４】特開２００７−２５１０９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の一目的は、生産性を向上させることができる半導体パッケージの成形装置を提供することにある。
【０００７】
本発明の他の目的は、前記成形装置を利用して半導体チップを成形する方法を提供することにある。
【０００８】
ただし、本発明の解決しようとする課題は上記言及した課題に限定されるのではなく、本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で多様に拡張することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記本発明の一目的を達成するために、本発明の実施形態に係る半導体パッケージの成形装置は、少なくとも１つの第１半導体チップが安定して支持される下金型、前記下金型の上部に位置して少なくとも１つの第２半導体チップが安定して支持され、前記下金型と対向する面に前記第１半導体チップの成形空間のための第１キャビティを有する中金型、前記中金型の上部に位置し、前記中金型と対向する面に前記第２半導体チップの成形空間のための第２キャビティを有する上金型、前記下金型を貫通して前記第１キャビティと連結される第１供給ポート、前記下金型と前記中金型とを貫通して前記第２キャビティと連結される第２供給ポート、及び前記下金型の下部に位置し、前記第１及び第２供給ポートに各々備われ、前記第１及び第２供給ポート内の成形樹脂を加圧して前記第１及び第２キャビティに供給する第１及び第２トランスファー・ラムを有する加圧ユニットを含む。
【００１０】
例示的な実施形態において、前記中金型は、前記下金型と対向して前記第１キャビティを有する下部中金型及び前記上金型と対向して前記第２半導体チップを支持する上部中金型を含むことができる。
【００１１】
例示的な実施形態において、前記加圧ユニットは、前記下金型の下部に昇降可能なように位置するトランスファー・プレートを含み、前記第１及び第２トランスファー・ラムは、前記トランスファー・プレートから上部に延長するように設置できる。前記トランスファー・プレートは、前記第１及び第２トランスファー・ラムを同時に昇降させることができる。
【００１２】
例示的な実施形態において、前記第２トランスファー・ラムの長さは、前記第１トランスファー・ラムより前記中金型の厚さだけさらに大きいことができる。
【００１３】
例示的な実施形態において、前記第２供給ポートは、前記下金型に貫通して形成される第１ポート及び前記中金型に貫通して形成されて前記第１ポートと連通する第２ポートを含むことができる。
【００１４】
例示的な実施形態において、前記第１供給ポートと前記第１ポートとは、前記下金型の長さ方向中央部で高さ方向に沿って複数個が形成され、前記第２ポートは前記中金型の長さ方向中央部で高さ方向に沿って複数個が形成されることができる。
【００１５】
例示的な実施形態において、前記第１及び第２供給ポートは、互いに交互に配置されることができる。
【００１６】
例示的な実施形態において、前記第１供給ポートの個数と前記第２供給ポートの個数とは、同一であることもできる。
【００１７】
例示的な実施形態において、前記第１半導体チップは前記第１供給ポートを間に置いて少なくとも２つが配置されて、前記第２半導体チップは前記第２供給ポートを間に置いて少なくとも２つが配置されることができる。
【００１８】
例示的な実施形態において、前記第１供給ポート内の成形樹脂は、第１分配ブロックを通じて前記第１キャビティ内に供給されることができる。
【００１９】
例示的な実施形態において、前記第２供給ポート内の成形樹脂は、第２分配ブロックを通じて前記第２キャビティ内に供給されることができる。
【００２０】
例示的な実施形態において、前記半導体パッケージの成形装置は、前記上金型、前記中金型及び前記下金型を各々固定支持する上金型ダイス、中金型ダイス及び下金型ダイスをさらに含むことができる。
【００２１】
例示的な実施形態において、前記上金型ダイスは、昇降ロードに固定され、前記中金型ダイスと前記下金型ダイスとは、前記昇降ロードに沿って昇降して前記上金型、前記中金型及び前記下金型をクランプすることができる。
【００２２】
例示的な実施形態において、前記中金型ダイスは、前記昇降ロードに設置されたストッパーによって移動範囲が制限されることができる。
【００２３】
例示的な実施形態において、前記中金型ダイスは、前記第２半導体チップを前記中金型から分離させる複数個の第１中金型イジェクトピン及び前記第１半導体チップを支持する複数個の第２中金型イジェクトピンを含むことができる。
【００２４】
例示的な実施形態において、前記第１中金型イジェクトピンは、前記昇降ロードに設置されたストッパーの加圧によって上昇して前記第２半導体チップを前記中金型から分離させることができる。
【００２５】
例示的な実施形態において、前記中金型は前記下金型と向き合う下部中金型及び前記上金型と対向する上部中金型を含み、前記中金型ダイスは、前記上部中金型を前記中金型ダイスから上昇させるイジェクトスプリングを含むことができる。
【００２６】
例示的な実施形態において、前記上部中金型には成形が完了した前記第２半導体チップをグリップするための複数個のガイド部が形成されることができる。
【００２７】
例示的な実施形態において、前記上金型ダイスは、前記第２半導体チップを支持する複数個の上金型イジェクトピンを含み、前記下金型ダイスは、前記第１半導体チップを前記下金型から分離させる複数個の下金型イジェクトピンを含むことができる。
【００２８】
前記本発明の一目的を達成するために本発明の実施形態に係る半導体パッケージの成形装置は、下金型、前記下金型の上部に位置する上金型、前記下金型と前記上金型との間に介在して前記下金型とクランプされて、少なくとも１つの第１半導体チップを成形するための第１成形空間を形成し、前記上金型とクランプされて、少なくとも１つの第２半導体チップを成形するための第２成形空間を形成する中金型、前記下金型を貫通して前記第１成形空間と連結される第１供給ポート、前記下金型と前記中金型とを貫通して前記第２成形空間と連結される第２供給ポート、及び前記下金型の下部に位置し、前記第１及び第２供給ポートに各々備わり、前記第１及び第２供給ポート内の成形樹脂を同時に加圧して前記第１及び第２成形空間に供給する第１及び第２トランスファー・ラムを有する加圧ユニットを含む。
【００２９】
前記本発明の他の目的を達成するために、本発明の実施形態に係る成形装置で半導体チップを成形する方法において、前記装置は下金型、上金型、及び前記下金型と前記上金型との間に中金型を含む。前記方法において、前記下金型上に第１半導体チップをロードし、前記中金型上に第２半導体チップをロードする。前記下金型と前記中金型とを共にクランプして前記第１半導体チップ上に第１成形空間を設け、前記中金型と前記上金型とを共にクランプして前記第２半導体チップ上に第２成形空間を設ける。前記下金型を貫通して前記第１成形空間に連結された第１供給ポートから成形樹脂を前記第１成形空間に供給し、前記下金型と前記中金型とを貫通して前記第２成形空間に連結された第２供給ポートから成形樹脂を前記第２成形空間に供給する。前記供給された成形樹脂は固化して前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとを成形する。
【発明の効果】
【００３０】
このように構成された発明に係る半導体パッケージの成形装置は、下金型、上金型、及び前記下金型と前記上金型との間に介在される中金型を含み、前記下金型と前記中金型との間に第１成形空間、及び、前記中金型と前記下金型との間に第２成形空間を設けて、前記第１及び第２成形空間で各々モールド封止工程を同時に遂行することができる。
【００３１】
従って、従来の成形装置に比べて２倍以上に生産性を向上させることができる。また、前記第１及び第２成形空間で互いに相異する半導体チップを同時に成形することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの成形装置を示す断面図である。
【図２】図１の下金型を示す平面図である。
【図３】図１の中金型を示す平面図である。
【図４】図２のＩＶ−ＩＶ’ラインに沿って切断した図１の成形装置の断面図である。
【図５】図３のＶ−Ｖ’ラインに沿って切断した図１の成形装置の断面図である。
【図６】図３のＶＩ−ＶＩ’ラインに沿って切断した図１の成形装置の断面図である。
【図７】図１の半導体パッケージの成形装置を利用して半導体チップを成形するための方法を示す断面図である。
【図８】図１の半導体パッケージの成形装置を利用して半導体チップを成形するための方法を示す断面図である。
【図９】図１の半導体パッケージの成形装置を利用して半導体チップを成形するための方法を示す断面図である。
【図１０】図１の半導体パッケージの成形装置を利用して半導体チップを成形するための方法を示す断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態に係る半導体パッケージの成形装置を示す断面図である。
【図１２】図１１の中金型を示す平面図である。
【図１３】図１１の半導体パッケージの成形装置を利用して半導体チップを成形するための方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
本明細書に開示されている本発明の実施形態に対して、特定の構造的ないし機能的説明は、単に本発明の実施形態を説明するための目的で例示されたものであり、本発明の実施形態は多様な形態で実施することができ、本明細書に説明された実施形態に限定されるものではない。
【００３４】
本発明は多様な変更を加えることができ、種々の形態を有することができるが、特定の実施形態を図面に例示して本明細書に詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示した実施形態に限定しようとするものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるすべての変更、均等物ないし代替物を含むと理解するべきである。
【００３５】
本明細書において、第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するのに使用しているが、これらの構成要素がこのような用語によって限定されるものではない。これらの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使い、例えば、本発明の権利範囲から逸脱しなければ第１構成要素は第２構成要素と称することができ、同様に第２構成要素も第１構成要素と称することができる。
【００３６】
ある構成要素が他の構成要素に「連結されて」いる、または「接続されて」いると言及した場合には、その他の構成要素に直接的に連結されていたり、接続されていることも意味するが、中間に他の構成要素が存在したりする場合も含む。一方、ある構成要素が他の構成要素に「直接連結されて」いる、または「直接接続されて」いると言及した場合には、中間に他の構成要素は存在しない。構成要素の間の関係を説明する他の表現、すなわち「〜間に」と「すぐに〜間に」または「〜に隣接する」と「〜に直接隣接する」等も同様である。
【００３７】
本明細書で使用した用語は、単に特定の実施形態を説明するために使用したものであり、本発明を限定するものではない。単数の表現は文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。また、本明細書で、「含む」又は「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又は、これを組み合わせたものが存在するということを示すものであって、一つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品又は、これを組み合わせたものなどの存在又は、付加の可能性を、予め排除するものではない。
【００３８】
また、別に定義しない限り、技術的あるいは科学的用語を含み、本明細書中において使用される全ての用語は、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、一般的に理解することと同一の意味を有する。一般的に使用される辞書において定義する用語と同じ用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有するものと理解するべきであり、本明細書において明白に定義しない限り、理想的あるいは形式的な意味として解釈してはならない。
【００３９】
以下、図面を参照して、本発明の望ましい実施するための形態の具体例を詳細に説明する。図面の同一構成要素については同一参照符号を使用し、同一構成要素についての重複した説明は省略する。
【００４０】
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの成形装置を示す断面図であり、図２は、図１の下金型を示す平面図であり、図３は、図１の中金型を示す平面図である。図４は、図２のＩＶ−ＩＶ’ラインに沿って切断した図１の成形装置の断面図であり、図５は、図３のＶ−Ｖ’ラインに沿って切断した図１の成形装置の断面図であり、図６は、図３のＶＩ−ＶＩ’ラインに沿って切断した図１の成形装置の断面図である。
【００４１】
図１〜図６を参照すれば、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの成形装置１００は下金型２００、中金型３００、上金型４００、下金型２００を貫通する第１供給ポート２２０、下金型２００と中金型３００とを貫通する第２供給ポート３２０、及び加圧ユニット５００を含む。
【００４２】
上金型４００は下金型２００の上部に位置し、中金型３００は、下金型２００と上金型４００との間に介在する。下金型２００と中金型３００とは、互いにクランプされ、少なくとも１つの第１半導体チップ１０ａ、１０ｂを成形するための第１成形空間を形成する。中金型３００と上金型４００とは、互いにクランプされて、少なくとも１つの第２半導体チップ２０ａ、２０ｂを成形するための第２成形空間を形成する。
【００４３】
従って、下金型２００と中金型３００とがクランプされた状態で前記第１半導体チップ１０ａ、１０ｂは、下金型２００と中金型３００との間で成形される。中金型３００と上金型４００とがクランプした状態で前記第２半導体チップ２０ａ、２０ｂは、中金型３００と上金型４００との間で成形される。
【００４４】
本発明の一実施形態において、下金型２００と中金型３００とは、互いにクランプされて、少なくとも１つの第１半導体チップ１０ａ、１０ｂを成形するための第１キャビティ３１０を形成することができる。中金型３００と上金型４００とは、互いにクランプされて、少なくとも１つの第２半導体チップ２０ａ、２０ｂを成形するための第２キャビティ４１０を形成することができる。
【００４５】
具体的に、前記第１半導体チップ１０ａ、１０ｂは、下金型２００の上部面上に安定して支持されることができる。中金型３００の下部面には第１キャビティ３１０が形成され、下金型２００と中金型３００とがクランプされて前記第１半導体チップ１０ａ、１０ｂの基板上に成形空間を形成することができる。
【００４６】
前記第２半導体チップ２０ａ、２０ｂは、中金型３００の上部面上に安定して支持されることができる。上金型４００の下部面には、第２キャビティ４１０が形成され、中金型３００と上金型４００とがクランプされて前記第２半導体チップ２０ａ、２０ｂの基板上に成形空間を形成することができる。
【００４７】
本発明の一実施形態において、中金型３００は、下部中金型３００ａ及び上部中金型３００ｂを含むことができる。下部中金型３００ａは、下金型２００と対向して前記第１半導体チップ１０ａ、１０ｂの成形空間のための第１キャビティ３１０を具備することができる。上部中金型３００ｂは、上金型４００と対向して前記第２半導体チップ２０ａ、２０ｂを支持することができる。
【００４８】
半導体パッケージの成形装置１００は下金型２００、中金型３００及び上金型４００を各々固定し支持するための下金型ダイス２０２、中金型ダイス３０２及び上金型ダイス４０２を含むことができる。
【００４９】
具体的に、下金型ダイス２０２は、下金型２００を固定し支持することができる。中金型ダイス３０２は、下部中金型３００ａと上部中金型３００ｂとを固定し支持することができる。上金型ダイス４０２は、上金型４００を固定し支持することができる。下金型ダイス２０２、中金型ダイス３０２、及び上金型ダイス４０２は、昇降ロード１１０に沿って相対運動可能なように昇降ロード１１０に連結されることができる。
【００５０】
本発明の一実施形態において、上金型ダイス４０２は、昇降ロード１１０に固定され、中金型ダイス３０２及び下金型ダイス２０２は、昇降ロード１１０に沿って昇降して上金型４００と中金型３００とを互いにクランプし、中金型３００と下金型２００とを互いにクランプすることができる。
【００５１】
具体的に、下金型ダイス２０２が昇降ロード１１０に沿って昇降し中金型ダイス３０２とかみ合わされば、下金型２００と中金型３００とは、互いにクランプすることができる。中金型ダイス３０２が昇降ロード１１０に沿って昇降し上金型ダイス４０２とかみ合わされば、中金型３００と上金型４００とは互いにクランプすることができる。
【００５２】
図２、図４及び図６に図示したように、第１供給ポート２２０は下金型２００を貫通し、第１分配ブロック３３０を通じて第１キャビティ３１０と連結されることができる。
【００５３】
具体的に、第１貫通ホール２０４は、下金型２００を貫通するように形成されて第１供給ポート２２０として使われることができる。また、第１ポート２０６は、第１貫通ホール２０４と隣接するように、下金型２００を貫通するように形成されることができる。
【００５４】
本発明の一実施形態において、複数個の第１貫通ホール２０４が、下金型２００に形成されて、複数個の第１供給ポート２２０を形成することができる。また、複数個の第１ポート２０６が下金型２００に形成されることができる。
【００５５】
第１供給ポート２２０及び第１ポート２０６は、下金型２００の長さ方向中央部で高さ方向に沿って配置されることができる。また、第１供給ポート２２０と第１ポート２０６とは、互いに交互に配列されることができる。第１供給ポート２２０の個数は、第１ポート２０６の個数と同一であることもできる。
【００５６】
２つの第１半導体チップ１０ａ、１０ｂは、第１供給ポート２２０を間に置いて下金型２００の上部面上に安定して支持されることができる。下金型２００と下部中金型３００ａとは、互いにクランプされて、第１半導体チップ１０ａ、１０ｂの成形空間Ｃ１ａ、Ｃ１ｂの第１キャビティ３１０を形成することができる。
【００５７】
図３、図５及び図６に図示された通り、第２供給ポート３２０は、下金型２００と中金型３００とを貫通して第２分配ブロック４３０を通じて第２キャビティ４１０と連結されることができる。
【００５８】
本発明の一実施形態において、第２供給ポート３２０は、第１ポート２０６及び第２ポート３０４を含むことができる。第２ポート３０４は、第１ポート２０６の位置に対応して中金型３００を貫通するように形成され、第２ポート３０４と第１ポート２０６とは、互いに連通して第２供給ポート３２０を形成することができる。
【００５９】
複数個の第２ポート３０４が、第１ポート２０６の位置に対応して中金型３００に形成されることができる。第２ポート３０４は、中金型３００の長さ方向中央部で高さ方向に沿って配置されることができる。従って、下金型２００を貫通する第１ポート２０６及び中金型３００を貫通する第２ポート３０４は、第２供給ポート３２０を形成することができる。
【００６０】
２つの第２半導体チップ２０ａ、２０ｂは、第２供給ポート３２０を間に置いて上部中金型３００ｂの上部面上に安定して支持されることができる。上部中金型３００ｂと上金型４００とは、互いにかみ合わさって第２半導体チップ２０ａ、２０ｂの成形空間Ｃ２ａ、Ｃ２ｂ、すなわち、第２キャビティ４１０を形成することができる。
【００６１】
第１供給ポート２２０及び第２供給ポート３２０は、互いに交互に配列されることができる。第１供給ポート２２０の個数は、第２供給ポート３２０の個数と同一であることもできる。
【００６２】
図６に図示された通り、加圧ユニット５００は、成形樹脂を第１及び第２キャビティ３１０、４１０に供給するための第１及び第２トランスファー・ラム５１０、５２０を含むことができる。第１トランスファー・ラム５１０は第１供給ポート２２０に備わり、第２トランスファー・ラム５２０は第２供給ポート３２０に備わることができる。
【００６３】
具体的に、加圧ユニット５００は、下金型２００の下部に昇降可能なように位置するトランスファー・プレート５０２を含むことができる。複数個の第１トランスファー・ラム５１０は、トランスファー・プレート５０２から上部に延長するように設置されることができる。複数個の第２トランスファー・ラム５２０は、トランスファー・プレート５０２から上部に延長するように設置することができる。従って、トランスファー・プレート５０２は、第１及び第２トランスファー・ラム５１０、５２０を同時に昇降させることができる。
【００６４】
第１及び第２トランスファー・ラム５１０、５２０は、互いに交互に配列されることができる。例えば、第２トランスファー・ラム５２０の長さは、第１トランスファー・ラム５１０より中金型３００の厚さだけさらに大きいこともある。本実施形態において、第２トランスファー・ラム５２０と第１トランスファー・ラム５１０との高さの差は、上部中金型３００ｂの上部面と下部中金型３００ａの下部面との間の距離と実質的に同一であることもできる。
【００６５】
第１トランスファー・ラム５１０は、第１供給ポート２２０内に備わり、第１供給ポート２２０内の成形樹脂を加圧して第１分配ブロック３３０を経て第１キャビティ３１０内に成形樹脂を供給することができる。
【００６６】
具体的に、第１分配ブロック３３０は、円形断面形状の第１供給ポート２２０と第１キャビティ３１０とを互いに連結させることができる。第１供給ポート２２０内部の成形樹脂は、第１トランスファー・ラム５１０の加圧によって第１分配ブロック３３０のカール（ｃｕｌｌ）、ランナー（ｒｕｎｎｅｒ）及びゲート（ｇａｔｅ）を通じて第１キャビティ３１０に流入した後、固化されて前記第１半導体チップの基板上にモールディング部材を形成することができる。
【００６７】
第２トランスファー・ラム５２０は、第２供給ポート３２０内に備わり、第２供給ポート３２０内の成形樹脂を加圧して第２分配ブロック４３０を経て第２キャビティ４１０内に成形樹脂を供給することができる。
【００６８】
具体的に、第２分配ブロック４３０は、円形断面形状の第２供給ポート３２０と第２キャビティ４１０とを互いに連結させることができる。第２供給ポート３２０内部の成形樹脂は、第２トランスファー・ラム５２０の加圧によって第２分配ブロック４３０のカール、ランナー、及びゲートを通じて第２キャビティ４１０に流入した後、固化されて前記第２半導体チップの基板上にモールディング部材を形成することができる。
【００６９】
従って、第１及び第２トランスファー・ラム５１０、５２０は、第１及び第２供給ポート２２０、３２０内に各々備わり、第１及び第２供給ポート２２０、３２０内の成形樹脂を同時に加圧して第１及び第２キャビティ３１０、４１０に各々供給することができる。
【００７０】
図１、図４及び図５に図示された通り、本発明の一実施形態において、下金型ダイス２０２、中金型ダイス３０２、及び上金型ダイス４０２は、前記第１及び第２半導体チップを支持したり、または、分離させたりするための複数個のイジェクトピンを含むことができる。
【００７１】
具体的に、下金型ダイス２０２は、前記第１半導体チップ１０ａ、１０ｂを下金型２００から分離させるための下金型イジェクトピン２４２を含むことができる。下金型イジェクトピン２４２は、下金型２００を貫通するように設置され、下金型イジェクトプレート２４０に連結されることができる。下金型イジェクトプレート２４０は、第１復帰スプリング２４４によって下金型ダイス２０２に弾性的に支持されることができる。
【００７２】
第１ストッパー１２０は、下金型ダイス２０２の下部に設置されて下金型ダイス２０２の移動範囲を制限することができる。また、下金型ダイス２０２があらかじめ設定された高さを下降すると、第１ストッパー１２０は下金型イジェクトプレート２４０を加圧して下金型イジェクトピン２４２を下金型２００の上部面から突出させることができる。従って、成形が完了した第１半導体チップ１０ａ、１０ｂは、下金型イジェクトピン２４２によって下金型２００の上部面から分離されることができる。
【００７３】
中金型ダイス３０２は、前記第２半導体チップ２０ａ、２０ｂを上金型４００から分離させるための複数個の第１中金型イジェクトピン３４２及び前記第１半導体チップ１０ａ、１０ｂを支持するための複数個の第２中金型イジェクトピン３５２を含むことができる。
【００７４】
第１中金型イジェクトピン３４２は、上部中金型３００ｂを貫通するように設置され、第１中金型イジェクトプレート３４０に連結されることができる。第１中金型イジェクトプレート３４０は、第２復帰スプリング３４４によって中金型ダイス３０２に弾性的に支持されることができる。
【００７５】
第２ストッパー１３０は、昇降ロード１１０に固定し設置されて中金型ダイス３０２の移動範囲を制限することができる。また、中金型ダイス３０２があらかじめ設定された高さを下降すると、第２ストッパー１３０は、第１中金型イジェクトプレート３４０を加圧して第１中金型イジェクトピン３４２を上部中金型３００ｂの上部面から突出させることができる。従って、成形が完了した第２半導体チップ２０ａ、２０ｂは、第１中金型イジェクトピン３４２によって上部中金型３００ｂの上部面から分離することができる。
【００７６】
第２中金型イジェクトピン３５２は、下部中金型３００ａを貫通するように設置され、第２中金型イジェクトプレート３５０に連結されることができる。第２中金型イジェクトプレート３５０は、第３復帰スプリング３５４により中金型ダイス３０２に弾性的に支持されることができる。
【００７７】
下金型２００と下部中金型３００ａとがクランプされる時、下金型２００または下金型ダイス２０２は、下部中金型３００ａから突出した第２中金型イジェクトピン３５２の一部と接触して加圧する。従って、第２中金型イジェクトピン３５２の一部は、下部中金型３００ａの内部に入ることになって、他の一部はロードされた前記第１半導体チップ１０ａ、１０ｂと接触して支持することになる。
【００７８】
上金型ダイス４０２は、前記第２半導体チップ２０ａ、２０ｂを支持するための複数個の上金型イジェクトピン４４２を含むことができる。上金型イジェクトピン４４２は、上金型４００を貫通するように設置され、上金型イジェクトプレート４４０に連結されることができる。上金型イジェクトプレート４４０は、第４復帰スプリング４４４によって上金型ダイス４０２に弾性的に支持されることができる。
【００７９】
上部中金型３００ｂと上金型４００とがクランプされる時、上部中金型３００ｂまたは中金型ダイス３０２は、上金型４００から突出した上金型イジェクトピン４４２の一部と接触して加圧する。従って、上金型イジェクトピン４４２の一部は上金型４００の内部に入り、他の一部は、ロードされた前記第２半導体チップと接触して支持することになる。
【００８０】
本実施形態において、前記下金型２００と前記中金型３００との間で２つの第１半導体チップ１０ａ、１０ｂが成形され、前記中金型３００と前記上金型４００との間で２つの第２半導体チップ２０ａ、２０ｂが成形されることができる。しかし、成形される半導体チップの個数及び形態はこれに制限されない。
【００８１】
また、前記トランスファー・ラムの個数及び前記半導体チップを支持及び成形するための前記金型の構造は、前記半導体チップの種類及び前記金型の間に加えられる圧力などによって変わる可能性があることを理解できる。
【００８２】
さらに、前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップは、互いに同じ半導体チップであってもよい。これと異なり、前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップは、互いに違う半導体チップであってもよい。
【００８３】
以下においては、図１の半導体パッケージの成形装置を利用して半導体チップを成形する方法に対して説明する。
【００８４】
図７〜図１０は、図１の半導体パッケージの成形装置を利用して半導体チップを成形するための方法を示す断面図である。
【００８５】
先に、図７を参照すれば、ローダー（ｌｏａｄｅｒ）によって下金型２００上に第１半導体チップ１０ａ、１０ｂがロードされ、中金型３００上に第２半導体チップ２０ａ、２０ｂがロードされる。また、第１及び第２供給ポート２２０、３２０内の第１及び第２トランスファー・ラム５１０、５２０上には、ＥＭＣのような成形樹脂Ｒが各々供給される。
【００８６】
図８を参照すれば、上金型ダイス４０２は、昇降ロード１１０に固定されていて、下金型ダイス２０２及び中金型ダイス３０２は、昇降ロード１１０に沿って上昇して下金型２００、中金型３００及び上金型４００をクランプする。
【００８７】
本発明の一実施形態において、下金型ダイス２０２が上昇して下金型２００と中金型３００とをクランプさせた後、中金型ダイス３０２は、下金型ダイス２０２に載せられた状態で昇降ロード１１０に沿って上昇することができる。
【００８８】
下金型２００と下部中金型３００ａとがクランプされる時、下部中金型３００ａから突出した第２中金型イジェクトピン３５２の一部は、下部中金型３００ａの内部に入ることになって、他の一部はロードされた第１半導体チップ１０ａ、１０ｂと接触して支持することになる。
【００８９】
また、上部中金型３００ｂと上金型４００とがクランプされる時、上金型４００から突出した上金型イジェクトピン４４２の一部は、上金型４００の内部に入ることになって、他の一部はロードされた第２半導体チップ２０ａ、２０ｂと接触して支持することになる。
【００９０】
続いて、加圧ユニット５００のトランスファー・プレート５０２が上昇するということによって、第１及び第２トランスファー・ラム５１０、５２０は同時に上昇する。従って、第１及び第２トランスファー・ラム５１０、５２０は、第１及び第２供給ポート２２０、３２０内の成形樹脂Ｒを同時に加圧して第１及び第２キャビティ３１０、４１０に各々供給することができる。
【００９１】
本発明の一実施形態において、第１供給ポート２２０内部の成形樹脂は、第１トランスファー・ラム５１０の加圧によって第１分配ブロック３３０を通じて第１キャビティ３１０に流入した後、固化されて第１半導体チップ１０ａ、１０ｂを成形することができる。
【００９２】
第２供給ポート３２０内部の成形樹脂は、第２トランスファー・ラム５２０の加圧によって第２分配ブロックを通じて第２キャビティ４１０に流入した後、固化されて第２半導体チップ２０ａ、２０ｂを成形することができる。
【００９３】
図９及び図１０を参照すれば、前記第１及び第２半導体チップ１０ａ、１０ｂ、２０ａ、２０ｂの成形が完了すれば、下金型ダイス２０２及び中金型ダイス３０２は、昇降ロード１１０に沿って下降する。
【００９４】
本発明の一実施形態において、中金型ダイス３０２は、下金型ダイス２０２に載せられた状態で自重によって昇降ロード１１０に沿って下降することができる。
【００９５】
中金型ダイス３０２はあらかじめ設定された高さを下降した後、昇降ロード１１０に設置された第２ストッパー１３０により停止することができる。この時、第１中金型イジェクトピン３４２は、第２ストッパー１３０の加圧によって上部中金型３００ｂの上部面から突出して成形が完了された第２半導体チップ２０ａ、２０ｂを上部中金型３００ｂから分離させることができる。
【００９６】
続いて、下金型ダイス２０２は、下降し続けた後、下金型ダイス２０２の下部に設置された第１ストッパー１２０によって停止されることができる。この時、下金型イジェクトピン２４２は、第１ストッパー１２０の加圧によって下金型２００の上部面から突出して成形が完了した第１半導体チップ１０ａ、１０ｂを下金型２００から分離させることができる。
【００９７】
この後、アンローダー（ｕｎｌｏａｄｅｒ）によって成形が完了した前記第１及び第２半導体チップ１０ａ、１０ｂ、２０ａ、２０ｂがアンロードされ、成形品のゲート及びカール部分が除去される。
【００９８】
上述した通り、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの成形装置は、下金型、上金型、及び、前記下金型と前記上金型との間に介在された中金型を含み、前記下金型と前記中金型との間に第１成形空間、及び、前記中金型と前記下金型との間に第２成形空間を設けて前記第１及び第２成形空間で各々モールド封止工程を同時に遂行することができる。
【００９９】
従って、従来の成形装置に比べて２倍以上に生産性を向上させることができる。また、前記第１及び第２成形空間で互いに相異する半導体チップを同時に成形することができる。
【０１００】
図１１は、本発明の他の実施形態に係る半導体パッケージの成形装置を示す断面図であり、図１２は、図１１の中金型を示す平面図である。本実施形態に係る半導体パッケージの成形装置は、第２半導体チップを分離させるためのイジェクト手段を除いては、図１の実施形態の半導体パッケージの成形装置と実質的に同じ構成要素を含む。従って、同じ構成要素に対しては同じ参照符号で示し、また、同じ構成要素に対して繰り返される説明は省略する。
【０１０１】
図１１及び図１２を参照すれば、本発明の他の実施形態に係る半導体パッケージの成形装置１０１の中金型ダイス３０２は、上部中金型３００ｂを中金型ダイス３０２から上昇させるためのイジェクトスプリング３６０を含むことができる。
【０１０２】
イジェクトスプリング３６０は、上部中金型３００ｂの下部に備わることができる。上部中金型３００ｂと上金型４００とがクランプされる時、上金型４００が上部中金型３００ｂを加圧することができる。従って、上部中金型３００ｂは、中金型ダイス３０２の内部に入ることになり、上部中金型３００ｂの上部面は中金型ダイス３０２の上部面と同一平面にあることになる。
【０１０３】
上部中金型３００ｂと上金型４００とが互いに離れると、上部中金型３００ｂは、イジェクトスプリング３６０によって中金型ダイス３０２から上昇することができる。従って、上部中金型３００ｂの上部面は、中金型ダイス３０２の上部面よりさらに高く位置することになる。
【０１０４】
本発明の他の実施形態において、上部中金型３００ｂには成形が完了した第２半導体チップ２０ａ、２０ｂをグリップするための複数個のガイド部３６２が形成されることができる。
【０１０５】
図１２に図示された通り、複数個のガイド部３６２は、上部中金型３００ｂの外側部に互いに離間して形成されることができる。ガイド部３６２は上部中金型３００ｂの側部に沿って形成され、上部中金型３００ｂ上に安定して支持した前記第２半導体チップ２０ａ、２０ｂの下部側部を露出させることができる。
【０１０６】
上部中金型３００ｂがイジェクトスプリング３６０によって上昇されるということによって、成形が完了した第２半導体チップ２０ａ、２０ｂも上昇され、アンローダーのグリッパ（ｇｒｉｐｐｅｒｓ）はガイド部３６２に沿って上昇して露出された前記第２半導体チップ２０ａ、２０ｂの下部側部と接触して前記第２半導体チップ２０ａ、２０ｂをグリップすることができる。
【０１０７】
前記ガイド部の個数、配置及び構造はこれに制限されず、成形される半導体チップの種類及び成形樹脂の重さなどを考慮して決定される可能性があることが理解できるはずである。
【０１０８】
以下では、図１１の半導体パッケージの成形装置を利用して半導体チップを成形する方法に対し説明することにする。
【０１０９】
図１３は、図１１の半導体パッケージの成形装置を利用して半導体チップを成形するための方法を示す断面図である。
【０１１０】
まず、図７及び図８と同様に、ローダーによって第１及び第２半導体チップ１０ａ、１０ｂ、２０ａ、２０ｂが、下金型２００及び中金型３００上にロードされる。また、第１及び第２供給ポート２２０、３２０内の第１及び第２トランスファー・ラム５１０、５２０上にはＥＭＣのような成形樹脂Ｒが各々供給される。
【０１１１】
上金型ダイス４０２は昇降ロード１１０に固定されていて、下金型ダイス２０２と中金型ダイス３０２とは、昇降ロード１１０に沿って上昇して下金型２００、中金型３００及び上金型４００をクランプする。
【０１１２】
本発明の他の実施形態において、上部中金型３００ｂと上金型４００とがクランプされる時、上金型４００が上部中金型３００ｂを加圧することができる。従って、上部中金型３００ｂは、中金型ダイス３０２内部に入ることになって上部中金型３００ｂの上部面は中金型ダイス３０２の上部面と同一平面にあることになる。
【０１１３】
続いて、第１及び第２トランスファー・ラム５１０、５２０は、第１及び第２供給ポート２２０、３２０内の成形樹脂Ｒを同時に加圧して第１及び第２キャビティ３１０、４１０に各々供給して前記第１及び第２半導体チップを成形する。
【０１１４】
図１３を参照すれば、前記第１及び第２半導体チップ１０ａ、１０ｂ、２０ａ、２０ｂの成形が完了すると、下金型ダイス２０２と中金型ダイス３０２とは昇降ロード１１０に沿って下降する。
【０１１５】
本発明の他の実施形態において、上部中金型３００ｂが上金型４００から落下すると、上部中金型３００ｂはイジェクトスプリング３６０によって中金型ダイス３０２から上昇することができる。従って、上部中金型３００ｂの上部面は中金型ダイス３０２の上部面よりさらに高く位置することになる。
【０１１６】
上部中金型３００ｂがイジェクトスプリング３６０によって上昇されることによって、成形が完了した第２半導体チップ２０ａ、２０ｂも上昇し、アンローダーのグリッパー１４０は上部中金型３００ｂの側部に形成されたガイド部３６２に沿って上昇した前記第２半導体チップをグリップすることができる。また、前記アンローダーの吸着ユニット１４２は、成形品のゲートの部分を吸着することができる。
【０１１７】
従って、前記アンローダーのグリッパー１４０と吸着ユニット１４２とは、前記成形品をグリップして後続工程のために前記成形品を移送することになる。
【０１１８】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は、かかる実施例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然ながら本発明の技術的範囲に属するものと認められる。
【産業上の利用可能性】
【０１１９】
上述した通り、本発明に係る半導体パッケージの成形装置は、下金型、上金型、及び、前記下金型と前記上金型との間に介在する中金型を含み、前記下金型と前記中金型との間に第１成形空間及び前記中金型と前記下金型の間に第２成形空間を設けて前記第１及び第２成形空間に各々モールド封止工程を同時に遂行できる。
【０１２０】
従って、従来の成形装置に比べて２倍以上に生産性を向上させることができる。また、前記第１及び第２成形空間で互いに相異する半導体チップを同時に成形することができる。
【符号の説明】
【０１２１】
１００、１０１ 半導体パッケージの成形装置
１１０ 昇降ロード
１２０ 第１ストッパー
１３０ 第２ストッパー
１４０ グリッパー
２００ 下金型
２０２ 下金型ダイス
２０４ 第１貫通ホール
２０６ 第１ポート
２２０ 第１供給ポート
２４０ 下金型イジェクトプレート
２４２ 下金型イジェクトピン
２４４ 第１復帰スプリング
３００ 中金型
３００ａ 下部中金型
３００ｂ 上部中金型
３０２ 中金型ダイス
３０４ 第２ポート
３１０ 第１キャビティ
３２０ 第２供給ポート
３３０ 第１分配ブロック
３４０ 第１中金型イジェクトプレート
３４２ 第１中金型イジェクトピン
３４４ 第２復帰スプリング
３５０ 第２中金型イジェクトプレート
３５２ 第２中金型イジェクトピン
３５４ 第３復帰スプリング
３６０ イジェクトスプリング
３６２ ガイド部
４００ 上金型
４０２ 上金型ダイス
４１０ 第２キャビティ
４３０ 第２分配ブロック
４４０ 上金型イジェクトプレート
４４２ 上金型イジェクトピン
４４４ 第４復帰スプリング
５００ 加圧ユニット
５０２ トランスファー・プレート
５１０ 第１トランスファー・ラム
５２０ 第２トランスファー・ラム
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの第１半導体チップが安定して支持される下金型と、
前記下金型の上部に位置し、少なくとも１つの第２半導体チップが安定して支持され、前記下金型と対向する面に前記第１半導体チップの成形空間のための第１キャビティを有する中金型と、
前記中金型の上部に位置し、前記中金型と対向する面に前記第２半導体チップの成形空間のための第２キャビティを有する上金型と、
前記下金型を貫通して前記第１キャビティと連結される第１供給ポートと、
前記下金型及び前記中金型を貫通して前記第２キャビティと連結される第２供給ポートと、
前記下金型の下部に位置し、前記第１及び前記第２供給ポートに各々備わり、前記第１及び前記第２供給ポート内の成形樹脂を加圧して前記第１及び前記第２キャビティ内に供給する第１及び第２トランスファー・ラムを有する加圧ユニットと、を含む半導体パッケージの成形装置。
【請求項２】
前記中金型は、前記下金型と対向して前記第１キャビティを有する下部中金型、及び、前記上金型と対向して前記第２半導体チップを支持する上部中金型を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項３】
前記加圧ユニットは、前記下金型の下部に昇降可能になるように位置するトランスファー・プレートをさらに含み、前記第１及び前記第２トランスファー・ラムは、前記トランスファー・プレートから上部に延長するように設置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項４】
前記トランスファー・プレートは、前記第１及び前記第２トランスファー・ラムを同時に昇降させることを特徴とする請求項３に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項５】
前記第２トランスファー・ラムの長さは、前記第１トランスファー・ラムより前記中金型の厚さだけさらに大きいことを特徴とする請求項３に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項６】
前記第２供給ポートは、前記下金型に貫通して形成される第１ポート及び前記中金型に貫通して形成され、前記第１ポートと連通される第２ポートを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項７】
前記第１供給ポート及び前記第１ポートは、前記下金型の長さ方向中央部で高さ方向に沿って複数個が形成され、前記第２ポートは、前記中金型の長さ方向中央部で高さ方向に沿って複数個が形成されることを特徴とする請求項６に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項８】
複数個の前記第１供給ポート及び複数個の前記第２供給ポートは、互いに交互に配置されることを特徴とする請求項７に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項９】
前記第１供給ポートの個数と前記第２供給ポートの個数とは、同一であることを特徴とする請求項７に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項１０】
前記第１半導体チップは、前記第１供給ポートを間に置いて少なくとも２つが配置され、前記第２半導体チップは、前記第２供給ポートを間に置いて少なくとも２つが配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項１１】
前記第１供給ポート内の成形樹脂は、第１分配ブロックを通じて前記第１キャビティ内に供給されることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項１２】
前記第２供給ポート内の成形樹脂は、第２分配ブロックを通じて前記第２キャビティ内に供給されることを請求項１に記載の特徴とする半導体パッケージの成形装置。
【請求項１３】
前記上金型、前記中金型及び前記下金型を各々固定し支持する上金型ダイス、中金型ダイス、並びに下金型ダイスをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項１４】
前記上金型ダイスは昇降ロードに固定され、前記中金型ダイス及び前記下金型ダイスは、前記昇降ロードに沿って昇降して前記上金型、前記中金型及び前記下金型をクランプすることを特徴とする請求項１３に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項１５】
前記中金型ダイスは、前記昇降ロードに設置されたストッパーによって移動範囲が制限されることを特徴とする請求項１４に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項１６】
前記中金型ダイスは、前記第２半導体チップを前記中金型から分離させる複数個の第１中金型イジェクトピン及び前記第１半導体チップを支持する複数個の第２中金型イジェクトピンを含むことを特徴とする請求項１３に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項１７】
前記第１中金型イジェクトピンは、昇降ロードに設置されたストッパーの加圧によって上昇して前記第２半導体チップを前記中金型から分離させることを特徴とする請求項１６に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項１８】
前記中金型は、前記下金型と対向する下部中金型及び前記上金型と対向する上部中金型を含み、前記中金型ダイスは、前記上部中金型を前記中金型ダイスから上昇させるイジェクトスプリングを含むことを特徴とする請求項１３に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項１９】
前記上部中金型には、成形が完了した前記第２半導体チップをグリップするための複数個のガイド部が形成されることを特徴とする請求項１８に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項２０】
前記上部中金型と前記上金型とが互いにクランプされる時、前記上部中金型は前記イジェクトスプリングを加圧して前記中金型ダイス内部に下降し、前記上部中金型の上部面は前記中金型ダイスの上部面と同じ平面上にあり、前記上部中金型が前記上金型から分離する時、前記イジェクトスプリングは前記上部中金型を上昇させて前記上部中金型の上部面は前記中金型ダイスの上部面よりさらに高くなることを特徴とする請求項１８に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項２１】
前記第１キャビティで成形された、前記第１半導体チップの大きさ及び形状のうち、少なくとも１つは、前記第２キャビティで成形された、前記第２半導体チップの大きさ及び形状と異なることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項２２】
下金型と、
前記下金型の上部に位置する上金型と、
前記下金型と前記上金型との間に介在し、前記下金型とクランプされて、少なくとも１つの第１半導体チップを成形するための第１成形空間を形成し、且つ前記上金型とクランプされ、少なくとも１つの第２半導体チップを成形するための第２成形空間を形成する中金型と、
前記下金型を貫通して前記第１成形空間と連結される第１供給ポートと、
前記下金型及び前記中金型を貫通して前記第２成形空間と連結される第２供給ポートと、
前記下金型の下部に位置し、前記第１供給ポート内の成形樹脂を前記第１成形空間に供給し、前記第２供給ポート内の成形樹脂を前記第２成形空間に供給する加圧ユニットと、を含む半導体パッケージの成形装置。
【請求項２３】
前記加圧ユニットは、
前記第１供給ポートに備わって前記第１供給ポート内の前記成形樹脂を加圧して前記成形樹脂を前記第１成形空間に供給する第１トランスファー・ラムと、
前記第２供給ポートに備わって前記第２供給ポート内の前記成形樹脂を加圧して前記成形樹脂を前記第２成形空間に供給する第２トランスファー・ラムと、を含むことを特徴とする請求項２２に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項２４】
下金型、上金型、及び前記下金型と前記上金型との間に中金型を含む成形装置で複数個の半導体チップを成形する方法において、
前記方法は、
下金型上に第１半導体チップをロードし、前記中金型上に第２半導体チップをロードする段階と、
前記下金型と前記中金型とを共にクランプして前記第１半導体チップ上に第１成形空間を設け、前記中金型と前記上金型とを共にクランプして前記第２半導体チップ上に第２成形空間を設ける段階と、
前記下金型を貫通し、前記第１成形空間に連結された第１供給ポートから成形樹脂を前記第１成形空間に供給し、前記下金型と前記中金型とを貫通し、前記第２成形空間に連結された第２供給ポートから成形樹脂を前記第２成形空間に供給する段階と、を含み、
前記供給された樹脂は固化して前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとを成形することを特徴とする成形方法。
【請求項２５】
前記中金型は下部中金型及び上部中金型を含み、前記下部中金型は前記下金型と対向して前記第１成形空間を形成する第１キャビティを含み、前記上部中金型は前記上金型と対向して前記第２半導体チップを支持することを特徴とする請求項２４に記載の成形方法。
【請求項２６】
前記成形された第１半導体チップ及び前記成形された第２半導体チップをアンロードする段階をさらに含み、
前記クランプする段階は、前記上部中金型と前記上金型とを共にクランプする段階と、前記上部中金型によってイジェクトスプリングを加圧して前記中金型を支持する中金型ダイス内部に下降させて前記上部中金型の上部面が前記中金型ダイスの上部面と同じ平面上にあるようにする段階と、を含み、
前記アンロードする段階は、前記上部中金型を前記上金型から分離する段階、及び、前記イジェクトスプリングによって前記上部中金型を上昇させて前記中金型の上部面よりさらに高くなるようにする段階を含むことを特徴とする請求項２５に記載の成形方法。
【請求項１】
少なくとも１つの第１半導体チップが安定して支持される下金型と、
前記下金型の上部に位置し、少なくとも１つの第２半導体チップが安定して支持され、前記下金型と対向する面に前記第１半導体チップの成形空間のための第１キャビティを有する中金型と、
前記中金型の上部に位置し、前記中金型と対向する面に前記第２半導体チップの成形空間のための第２キャビティを有する上金型と、
前記下金型を貫通して前記第１キャビティと連結される第１供給ポートと、
前記下金型及び前記中金型を貫通して前記第２キャビティと連結される第２供給ポートと、
前記下金型の下部に位置し、前記第１及び前記第２供給ポートに各々備わり、前記第１及び前記第２供給ポート内の成形樹脂を加圧して前記第１及び前記第２キャビティ内に供給する第１及び第２トランスファー・ラムを有する加圧ユニットと、を含む半導体パッケージの成形装置。
【請求項２】
前記中金型は、前記下金型と対向して前記第１キャビティを有する下部中金型、及び、前記上金型と対向して前記第２半導体チップを支持する上部中金型を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項３】
前記加圧ユニットは、前記下金型の下部に昇降可能になるように位置するトランスファー・プレートをさらに含み、前記第１及び前記第２トランスファー・ラムは、前記トランスファー・プレートから上部に延長するように設置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項４】
前記トランスファー・プレートは、前記第１及び前記第２トランスファー・ラムを同時に昇降させることを特徴とする請求項３に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項５】
前記第２トランスファー・ラムの長さは、前記第１トランスファー・ラムより前記中金型の厚さだけさらに大きいことを特徴とする請求項３に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項６】
前記第２供給ポートは、前記下金型に貫通して形成される第１ポート及び前記中金型に貫通して形成され、前記第１ポートと連通される第２ポートを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項７】
前記第１供給ポート及び前記第１ポートは、前記下金型の長さ方向中央部で高さ方向に沿って複数個が形成され、前記第２ポートは、前記中金型の長さ方向中央部で高さ方向に沿って複数個が形成されることを特徴とする請求項６に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項８】
複数個の前記第１供給ポート及び複数個の前記第２供給ポートは、互いに交互に配置されることを特徴とする請求項７に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項９】
前記第１供給ポートの個数と前記第２供給ポートの個数とは、同一であることを特徴とする請求項７に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項１０】
前記第１半導体チップは、前記第１供給ポートを間に置いて少なくとも２つが配置され、前記第２半導体チップは、前記第２供給ポートを間に置いて少なくとも２つが配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項１１】
前記第１供給ポート内の成形樹脂は、第１分配ブロックを通じて前記第１キャビティ内に供給されることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項１２】
前記第２供給ポート内の成形樹脂は、第２分配ブロックを通じて前記第２キャビティ内に供給されることを請求項１に記載の特徴とする半導体パッケージの成形装置。
【請求項１３】
前記上金型、前記中金型及び前記下金型を各々固定し支持する上金型ダイス、中金型ダイス、並びに下金型ダイスをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項１４】
前記上金型ダイスは昇降ロードに固定され、前記中金型ダイス及び前記下金型ダイスは、前記昇降ロードに沿って昇降して前記上金型、前記中金型及び前記下金型をクランプすることを特徴とする請求項１３に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項１５】
前記中金型ダイスは、前記昇降ロードに設置されたストッパーによって移動範囲が制限されることを特徴とする請求項１４に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項１６】
前記中金型ダイスは、前記第２半導体チップを前記中金型から分離させる複数個の第１中金型イジェクトピン及び前記第１半導体チップを支持する複数個の第２中金型イジェクトピンを含むことを特徴とする請求項１３に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項１７】
前記第１中金型イジェクトピンは、昇降ロードに設置されたストッパーの加圧によって上昇して前記第２半導体チップを前記中金型から分離させることを特徴とする請求項１６に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項１８】
前記中金型は、前記下金型と対向する下部中金型及び前記上金型と対向する上部中金型を含み、前記中金型ダイスは、前記上部中金型を前記中金型ダイスから上昇させるイジェクトスプリングを含むことを特徴とする請求項１３に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項１９】
前記上部中金型には、成形が完了した前記第２半導体チップをグリップするための複数個のガイド部が形成されることを特徴とする請求項１８に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項２０】
前記上部中金型と前記上金型とが互いにクランプされる時、前記上部中金型は前記イジェクトスプリングを加圧して前記中金型ダイス内部に下降し、前記上部中金型の上部面は前記中金型ダイスの上部面と同じ平面上にあり、前記上部中金型が前記上金型から分離する時、前記イジェクトスプリングは前記上部中金型を上昇させて前記上部中金型の上部面は前記中金型ダイスの上部面よりさらに高くなることを特徴とする請求項１８に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項２１】
前記第１キャビティで成形された、前記第１半導体チップの大きさ及び形状のうち、少なくとも１つは、前記第２キャビティで成形された、前記第２半導体チップの大きさ及び形状と異なることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項２２】
下金型と、
前記下金型の上部に位置する上金型と、
前記下金型と前記上金型との間に介在し、前記下金型とクランプされて、少なくとも１つの第１半導体チップを成形するための第１成形空間を形成し、且つ前記上金型とクランプされ、少なくとも１つの第２半導体チップを成形するための第２成形空間を形成する中金型と、
前記下金型を貫通して前記第１成形空間と連結される第１供給ポートと、
前記下金型及び前記中金型を貫通して前記第２成形空間と連結される第２供給ポートと、
前記下金型の下部に位置し、前記第１供給ポート内の成形樹脂を前記第１成形空間に供給し、前記第２供給ポート内の成形樹脂を前記第２成形空間に供給する加圧ユニットと、を含む半導体パッケージの成形装置。
【請求項２３】
前記加圧ユニットは、
前記第１供給ポートに備わって前記第１供給ポート内の前記成形樹脂を加圧して前記成形樹脂を前記第１成形空間に供給する第１トランスファー・ラムと、
前記第２供給ポートに備わって前記第２供給ポート内の前記成形樹脂を加圧して前記成形樹脂を前記第２成形空間に供給する第２トランスファー・ラムと、を含むことを特徴とする請求項２２に記載の半導体パッケージの成形装置。
【請求項２４】
下金型、上金型、及び前記下金型と前記上金型との間に中金型を含む成形装置で複数個の半導体チップを成形する方法において、
前記方法は、
下金型上に第１半導体チップをロードし、前記中金型上に第２半導体チップをロードする段階と、
前記下金型と前記中金型とを共にクランプして前記第１半導体チップ上に第１成形空間を設け、前記中金型と前記上金型とを共にクランプして前記第２半導体チップ上に第２成形空間を設ける段階と、
前記下金型を貫通し、前記第１成形空間に連結された第１供給ポートから成形樹脂を前記第１成形空間に供給し、前記下金型と前記中金型とを貫通し、前記第２成形空間に連結された第２供給ポートから成形樹脂を前記第２成形空間に供給する段階と、を含み、
前記供給された樹脂は固化して前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとを成形することを特徴とする成形方法。
【請求項２５】
前記中金型は下部中金型及び上部中金型を含み、前記下部中金型は前記下金型と対向して前記第１成形空間を形成する第１キャビティを含み、前記上部中金型は前記上金型と対向して前記第２半導体チップを支持することを特徴とする請求項２４に記載の成形方法。
【請求項２６】
前記成形された第１半導体チップ及び前記成形された第２半導体チップをアンロードする段階をさらに含み、
前記クランプする段階は、前記上部中金型と前記上金型とを共にクランプする段階と、前記上部中金型によってイジェクトスプリングを加圧して前記中金型を支持する中金型ダイス内部に下降させて前記上部中金型の上部面が前記中金型ダイスの上部面と同じ平面上にあるようにする段階と、を含み、
前記アンロードする段階は、前記上部中金型を前記上金型から分離する段階、及び、前記イジェクトスプリングによって前記上部中金型を上昇させて前記中金型の上部面よりさらに高くなるようにする段階を含むことを特徴とする請求項２５に記載の成形方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１２−１８３８２７（Ｐ２０１２−１８３８２７Ａ）
【公開日】平成２４年９月２７日（２０１２．９．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−４６３７１（Ｐ２０１２−４６３７１）
【出願日】平成２４年３月２日（２０１２．３．２）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１２９，Ｓａｍｓｕｎｇ−ｒｏ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月２７日（２０１２．９．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年３月２日（２０１２．３．２）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１２９，Ｓａｍｓｕｎｇ−ｒｏ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
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