【課題】生産性および信頼性を向上することができる半導体装置の製造方法、ブロック積層体及び逐次積層体を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、逐次積層工程と、個片積層体を得る工程と、基材接合工程とを含む。逐次積層工程では、ブロック積層体２Ｂを得る。このブロック積層体は、複数の半導体部品が配列された半導体ブロック１０Ｂ、１２Ｂ、１４Ｂ、１６Ｂ同士が半田接合されていない状態で積層されたブロック積層体である。個片積層体を得る工程では、ブロック積層体から、積層された半導体部品の端子１２１間が半田接合され、かつ積層された半導体部品の単位に切断された個片積層体を得る。 （もっと読む）

【課題】電子部品７を樹脂封止成形した樹脂パッケージ９と圧縮型３との離型時において樹脂パッケージ９に欠けやクラックが発生するのを確実に防止する。
【解決手段】樹脂成形用キャビティ４の開口周縁部に設けた成形部２ａにて樹脂封止済基板６ａにおける樹脂パッケージ周縁部分９ａを支持固定させると共に、この状態で圧縮型３を樹脂パッケージ本体部分９ｂから離反させる第一離型工程を行い、次に、キャビティ開口周縁部の成形部２ａと樹脂パッケージ周縁部分９ａとを離反させる第二離型工程を行う。更に、第一離型工程において、キャビティ４の内外通気経路３ｂを連通接続状態に設定するキャビティ内外通気経路３ｂの連通接続工程を行って、キャビティ４内の真空状態を解除する。 （もっと読む）

【課題】フィルムを用いたモールドにおいて静電破壊を防止し、かつ封止部の外観品質および製品の信頼性の向上を図る。
【解決手段】上型１１および下型１２と、チップ組み立て体７をフレーム整列部１６にセットするローダ部１３と、モールド樹脂の充填後の型開き完了後、チップ組み立て体７を把持して下型１２上の下側フィルム９からチップ組み立て体７を剥離させ、かつチップ組み立て体７をフレーム収納部１４まで搬送するフレーム取り出し部１７と、モールドを終えたチップ組み立て体７を収納するフレーム収納部１４と、上側フィルム８および下側フィルム９の除電を行うフィルム除電部２５と、モールド金型１０の除電を行う金型除電部と、モールド後のチップ組み立て体７を除電する製品除電部２７とからなり、フィルム、モールド金型１０および製品を除電してモールドを行って静電破壊を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの成形装置を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージの成形装置は、少なくとも１つの第１半導体チップが安定して支持される下金型、前記下金型の上部に位置して少なくとも１つの第２半導体チップが安定して支持され、前記下金型と対向する面に前記第１半導体チップの成形空間のための第１キャビティを有する中金型、前記中金型の上部に位置して前記中金型と対向する面に前記第２半導体チップの成形空間のための第２キャビティを有する上金型、前記下金型を貫通して前記第１キャビティと連結される第１供給ポート、前記下金型と前記中金型とを貫通して前記第２キャビティと連結される第２供給ポート、及び前記下金型の下部に位置して前記第１及び第２供給ポートに各々備わり、前記第１及び第２供給ポート内の成形樹脂を加圧して前記第１及び第２キャビティに供給する第１及び第２トランスファー・ラムを有する加圧ユニットを含む。 （もっと読む）

【課題】予めモールド金型内に供給されて溶融したキャビティ内樹脂とポット内樹脂同士を溶融結合させることで樹脂の流動量が少なくワークに与える負荷が少ないうえに所定の樹脂圧に保圧して高い成形品質を維持することができる樹脂モールド方法を提供する。
【解決手段】モールド樹脂を型開きしたモールド金型１の下型キャビティ凹部１１ａとポット９に対して各々供給し下型キャビティ凹部１１ａに対応する位置にワークＷを供給してモールド金型１を型閉じすることによりワークＷをクランプし、溶融したポット内樹脂１６をトランスファ成形により下型キャビティ凹部１１ａへ圧送りすることで溶融したキャビティ内樹脂１５に所定樹脂圧を加えながら加圧硬化させる。 （もっと読む）

【課題】硬化後の、可視光から近紫外光の反射率が高く、耐熱劣化性やタブレット成形性に優れ、なおかつトランスファー成形時にバリが生じ難い熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびに当該樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填剤、（Ｅ）白色顔料および（Ｆ）カップリング剤を含む熱硬化性光反射用樹脂組成物であって、成形温度が１００℃〜２００℃、成型圧力２０ＭＰａ以下、６０〜１２０秒の条件でトランスファー成形した時に生じるバリ長さが５ｍｍ以下であり、かつ熱硬化後の、波長３５０ｎｍ〜８００ｎｍにおける光反射率が８０％以上であることを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびに当該樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】モールド金型に複数列に設けられたポット配置に合わせて複数列に整列して樹脂タブレットを迅速に供給する。
【解決手段】送り出し機構１４は、樹脂タブレットｔを順送する送り出し部２４ａ、２４ｂを有している。ホルダ機構１５は、第１および第２列を有して整列して配置され、樹脂タブレットｔを保持する複数の保持穴２３ａ、２３ｂを有している。受け渡し機構１５は、送り出し機構１４から送り出された樹脂タブレットｔを載置して搬送し、送り出し部２４ａ、２４ｂのそれぞれに対応するシフトステージ４４ａ、４４ｂを有している。シフトステージ４４ａ、４４ｂが、送り出し部２４ａ、２４ｂのそれぞれからの樹脂タブレットｔを、送り出し部２４ａ、２４ｂ間のピッチＰ２から保持穴２３ａ、２３ｂ間のピッチＰ１に変換する。 （もっと読む）

【課題】回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を確実に行うことができるようにする。
【解決手段】接着剤注入領域５０Ａを有する回路構成体５０が収納されたチャンバ１０Ａをパージして、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａに放出されたガスをチャンバ１０Ａから排出する。チャンバ１０Ａ内を減圧して、回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａへの接着剤４４ａの注入を開始させる。 （もっと読む）

【課題】樹脂の量の少ない樹脂封止厚みの薄い場合でも樹脂封止不良を回避し、更に樹脂封止のための時間を短縮可能とする。
【解決手段】基板１０２上に搭載された半導体チップ１０４を樹脂１０６と共に金型１１４のキャビティに配置させて、金型１１４の減圧・加熱を行い半導体チップ１０４に圧縮圧力を加え樹脂封止する樹脂封止装置１００において、最低速切換位置Ｙ５から加速位置Ｙ６への駆動速度Ｖ５を、金型１１４の型締めにおいて最も遅くし、ファーストタッチ位置Ｙ３から低速切換位置Ｙ４への駆動速度Ｖ３、低速切換位置Ｙ４から最低速切換位置Ｙ５への駆動速度Ｖ４、及び加速位置Ｙ６から保圧位置Ｙ７への駆動速度Ｖ６を、最低速切換位置Ｙ５から加速位置Ｙ６への駆動速度Ｖ５よりも速くしている。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの製造プロセスにおける静電破壊を防止することが必要とされている。
【解決手段】半導体パッケージ製造装置は、半導体チップを搭載した基板５０を吸引固定する金型２０と、金型１０とを具備する。基板５０は、半導体チップの内部回路と導通する導通部分を備える。金型２０は、電気的に接地された導電性端子３１を備える。金型１０及び金型２０に基板５０が挟まれた状態で、半導体チップを封入するモールド樹脂７０が金型１０により成型される。金型１０及び金型２０を相対的に遠ざけてモールド樹脂７０を金型１０から離型する間、導電性端子３１は基板５０の導通部分に接触し続ける。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板が外部に導出された半導体装置の樹脂封止において、ＦＰＣ基板上のバリを抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】可撓性基板の引き出し部に流動を抑制された第１の封止樹脂を接触させながら、易流動性を示す第２の封止樹脂により可撓性基板搭載面以外を樹脂封止する。 （もっと読む）

【目的】ＬＥＤチップを囲繞する封止部材の表面に微細な凹凸を良好に形成する方法を提供すること。
【構成】半導体チップを囲繞する封止部材の表面に微細凹凸を形成する方法であって、前記封止部材を型成形する際に、金型の封止部材付形面に微細凹凸を有するシートを介在させ、該シートの微細凹凸を前記封止部材の表面へ転写する、ことを特徴とする封止部材の表面へ微細凹凸を形成する方法とする。 （もっと読む）

【課題】 チップが装着された基板の端面と成形型の内側面との間に流動性樹脂が浸入することに起因する樹脂ばりの発生を、簡単な機構を使用して抑制する。
【解決手段】 キャビティ１６が設けられた上型２と、上型２に対向する下型１とが設けられている。下型１の型面における基板２０が配置される所定の領域９において、基板２０の右側の端面が押し当てられる下型１の内側面１０とは反対側に、斜面１２を有するガイドピン１１が設けられ、ガイドピン１１の根元には適当な硬度と適当な弾性とを有する弾性部材からなるＯリング１３がはめ込まれている。基板２０は、左側の端面がガイドピン１１の斜面１２に沿って下降した後に所定の領域９に配置される。この状態において、圧縮されたＯリング１３によって基板２０の左側の端面が押圧されることにより、基板２０の右側の端面が下型１の内側面１０に向かって押し当てられる。 （もっと読む）

【課題】光源等が実装される基板への樹脂体の形成に関して、作業に要する時間及び工数の削減を図り生産性を高める。
【解決手段】リフレクタ樹脂及び封止樹脂を吐出するディスペンサのヘッド３２には、リフレクタ樹脂を吐出する第１吐出口４３と、封止樹脂を吐出する第２吐出口５３とが設けられている。第１吐出口４３は円環形状を有している。また、第２吐出口５３は、第１吐出口４３の内側に設けられている。そして、基板等にリフレクタ樹脂及び封止樹脂を形成する際には、ヘッド３２を基板等に接触させ、第１吐出口４３からリフレクタ樹脂を吐出しながら、第２吐出口５３から封止樹脂を吐出する。これにより、ＬＥＤチップ等が実装される基板に対するリフレクタ及び封止部材の形成を単一工程で行うことができる。 （もっと読む）

【課題】成形用樹脂を一様にキャビティ空間に供給して樹脂封止を行うことができ、樹脂封止品の樹脂封止部は常にムラのない状態に仕上げること。
【解決手段】粒状成形用樹脂１２０Ａ，Ｂを粒径範囲毎に貯留するストッカ１３０Ａ，Ｂと、ストッカ１３０Ａ，Ｂの粒状成形用樹脂１２０Ａ，Ｂ貯留量と、電子部品２４０の樹脂封止に要する粒状成形用樹脂１２０Ａ，Ｂの使用量とに基づき、ストッカ１３０Ａ，Ｂ内からの粒状成形用樹脂１２０Ａ，Ｂの供給量の比率どうしを所定の比率となるよう算出する成形用樹脂供給量算出手段ＰＣと、算出供給量に基づき、粒状成形用樹脂１２０Ａ，Ｂを取り出す成形用樹脂取り出し手段と、粒状成形用樹脂１２０Ａ，Ｂを積載する積載手段１６０と、積載手段１６０を積載位置と金型位置との間で往復動させ、粒状成形用樹脂１２０Ａ，Ｂを下金型２３０に投入する投入手段と、を有している。 （もっと読む）

【課題】素子搭載基板に機械的ダメージを作用させることなく樹脂を十分に加圧でき、且つ、封止層の基板法線方向の厚みを精緻に設定することが可能な電子部品の製造方法および製造装置の提供。
【解決手段】回路素子が実装された素子搭載基板１の素子搭載面に樹脂シート３を載置する。次に、この素子搭載基板を、チャンバ室５１内に設けた下側プレート５２Ｂに配置するとともに、チャンバ室に設けた上側プレート５２Ａに素子搭載基板の素子搭載面を対向させる。次に、このチャンバ室の内部気圧を上昇させて、素子搭載基板と上側プレート５２Ａとで厚みを制御しながら樹脂シートを加圧流動させる。次に、加圧流動した樹脂シートを加熱硬化させる。 （もっと読む）

【課題】電子回路モジュールにシールド材を貼り付けるのに際し、シート状樹脂の固着効果を得、且つ、更なる小型化・低背化を図るのに好適な貼付装置を提供する。
【解決手段】被貼付部材を載置するためのステージ１１と、各々が独立した弾性部材によって伸縮自在に支持される複数のピン９が植設され、ステージに対向して配置され、ステージに接離する方向に可動するヘッド８により、シールド材３である絶縁性樹脂シート２を被貼付部材に対して加圧し、その絶縁性樹脂を電子部品６，７の形状等に沿って充填し、電子部品の間にて硬化させる。 （もっと読む）

【課題】成形金型を使用して樹脂封止工程の歩留まりを比較的安価に高めることができる半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】被成形品から半導体装置を製造する製造装置は、前記被成形品を型締めして溶融樹脂を注入して成形する成形金型１４２と、大気圧プラズマ処理によって成形金型１４２のパーティング面を疎水性に改質する大気圧プラズマ処理装置１６０と、を有する。 （もっと読む）

成型装置でモールド用タブレットを選別してプレサイザに供給するモールド用タブレット選別及び供給装置に関し、タブレットが挿入されて収容される複数の収容溝が円周方向に沿って一定の間隔に形成され、回動手段によって垂直な軸を中心に一定の角度ずつ回転しつつ収容溝内に挿入されたタブレットの位置を一定の角度ずつ可変させる回転ブロックと、前記回転ブロックの収容溝内側にタブレットを供給するタブレット供給ユニットと、前記回転ブロックの収容溝内に収容されているタブレットの不良有無を検査する検査ユニットと、前記回転ブロックの収容溝内に収容されている良品と判定されたタブレットを上側のプレサイザに搬送するタブレット搬送ユニットと、前記回転ブロックの収容溝内に収容されている不良品と判定されたタブレットを収容溝から引き出して除去する不良除去ユニットを含んで構成される。
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【課題】離型シートを利用して半導体装置を樹脂封止する際に、封止用樹脂成分による金型汚れを抑えることにより、生産性の向上を可能とする半導体封止装置の製造方法およびこれにより得られる外観が良好な半導体封止装置を提供することを目的とする。
【解決手段】成形用金型内の所定位置に配置された半導体装置の被封止面と前記被封止面と対向する前記成形用金型内面に配置された離型シートとの間に、エポキシ樹脂成形材料を注入封止する工程を少なくとも含む半導体封止装置の製造方法であって、前記エポキシ樹脂成形材料として、（Ａ）ビフェニルエポキシ樹脂、（Ｂ）軟化点が７０℃以上であるフェノールアラルキル樹脂、（Ｃ）硬化促進剤および（Ｄ）無機質充填剤を必須成分として含有するエポキシ樹脂成形材料を用いることを特徴とする半導体封止装置の製造方法およびこれにより得られる半導体封止装置。 （もっと読む）