回路構成体の接着剤注入装置および回路構成体の接着剤注入方法
【課題】回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を確実に行うことができるようにする。
【解決手段】接着剤注入領域５０Ａを有する回路構成体５０が収納されたチャンバ１０Ａをパージして、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａに放出されたガスをチャンバ１０Ａから排出する。チャンバ１０Ａ内を減圧して、回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａへの接着剤４４ａの注入を開始させる。
【解決手段】接着剤注入領域５０Ａを有する回路構成体５０が収納されたチャンバ１０Ａをパージして、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａに放出されたガスをチャンバ１０Ａから排出する。チャンバ１０Ａ内を減圧して、回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａへの接着剤４４ａの注入を開始させる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、回路構成体の接着剤注入装置および回路構成体の接着剤注入方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
３次元半導体集積回路を形成する方法として、集積回路が形成された複数の半導体ウエハを、相互に間隙を設けて積層し、この間隙に接着剤を注入して、１つの３次元集積半導体ウエハを構成する方法が知られている。この方法により作成される３次元集積半導体ウエハは、隣接する半導体ウエハの間に、各半導体ウエハの集積回路に接続された接続用バンプを設け、隣接する半導体ウエハの接続用バンプ同士を接合して形成される。
【０００３】
そして、積層半導体ウエハの間隙への接着剤の注入は、積層半導体ウエハをチャンバ内に配置し、チャンバ内を真空にした状態で、積層半導体ウエハの接着剤注入口を接着剤に浸し、チャンバ内を大気圧に戻すことにより行われる。
この場合、積層半導体ウエハの間隙の圧力は大気圧より低いので、チャンバ内を大気圧にすることにより、真空差圧と毛細管作用によって接着剤が積層半導体ウエハの間隙に注入されるのである（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２６１００１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、半導体ウエハは製造後の保管時に、周囲のガスを吸収する。このため、上記の方法で、積層半導体ウエハの間隙に接着剤を注入する工程において、各半導体ウエハから吸収されたガスが放出され、この放出ガスによって、積層半導体ウエハの間隙の圧力が上昇する。この積層半導体ウエハの間隙の圧力の上昇のために、接着剤を積層半導体ウエハの間隙の全領域に完全に注入することが困難であった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の回路構成体の接着剤注入装置は、接着剤注入領域を有する回路構成体および接着剤が収納された接着剤容器を収納するチャンバと、回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバの外部に導出する放出ガス排出手段と、チャンバ内を減圧する減圧手段と、回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を行う接着剤注入手段と、放出ガス排出手段によりチャンバ内ガスを排出し、減圧手段によりチャンバ内を減圧した後、回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を開始させる制御手段と、を具備することを特徴とする。
また、本発明の回路構成体の接着剤注入装置は、接着剤注入領域を有する回路構成体を収納するチャンバおよび回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバの外部に導出する放出ガス排出手段を有する排気室と、排気室から搬送された回路構成体の接着剤注入領域の少なくとも一部を接着剤に接触させて接着剤を注入する接着剤注入室と、を具備することを特徴とする。
【０００７】
本発明の回路構成体の接着剤注入方法は、チャンバ内に配置された回路構成体の接着剤注入領域内を、チャンバ内と共に減圧した後、接着剤注入領域への接着剤の注入を開始する回路構成体の接着剤注入方法において、チャンバ内を減圧して接着剤の注入を開始する前の工程であって、回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバの外部に導出する放出ガス排出工程を備えていることを特徴とする。
また、本発明の回路構成体の接着剤注入方法は、回路構成体から接着剤注入領域に放出されたガスを第１のチャンバの外部に導出する工程と、第２のチャンバ内を減圧して回路構成体の接着剤注入領域の少なくとも一部に接着剤を接触する工程および第２のチャンバ内の圧力を上昇して回路構成体の接着剤注入領域に接着剤を注入する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスがチャンバの外部に導出されるので、接着剤注入領域への接着剤の注入が確実になる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】この発明の回路構成体の接着剤注入装置の第１実施形態を示し、接着剤の注入前の状態を示す断面図。
【図２】図１に示された回路構成体の接着剤注入装置において、接着剤を注入する状態を示す断面図。
【図３】図１に示された回路構成体の接着剤注入装置の回路ブロック図。
【図４】回路構成体を形成する方法を説明するための分解図。
【図５】回路構成体の断面図。
【図６】接着剤の注入完了状態を示す回路構成体の断面図。
【図７】回路構成体の周囲を封止した状態を示す、回路素子体の一部の平面図。
【図８】この発明の回路構成体の接着剤注入方法の第１実施形態を示すフローチャート。
【図９】チャンバ内圧力と時間の関係を示すチャンバ内圧力時間関係図。
【図１０】チャンバ内圧力と時間の関係を示し、図９とは別の例を示すチャンバ内圧力時間関係図。
【図１１】チャンバ内圧力と時間の関係を示し、図９とはさらに別の例を示すチャンバ内圧力時間関係図。
【図１２】図８の回路構成体の接着剤注入方法に係る第１実施形態の変形例を示すフローチャート。
【図１３】チャンバ内圧力と時間および加熱温度と時間の関係を示すチャンバ内圧力および加熱温度時間関係図。
【図１４】チャンバ内圧力と時間および温度と時間の関係を示し、図１３とは異なる他の例を示すチャンバ内圧力および加熱温度時間関係図。
【図１５】この発明の回路構成体の接着剤注入方法の第２実施形態を示すフローチャート。
【図１６】この発明の回路構成体の接着剤注入方法の第２実施形態の変形例に係り、チャンバ内圧力と時間および温度と時間の関係を示すチャンバ内圧力および加熱温度時間関係図。
【図１７】図１６とは別の例を示すチャンバ内圧力および加熱温度時間関係図。
【図１８】この発明の回路構成体の接着剤注入方法の第２実施形態の変形例に係るフローチャート。
【図１９】この発明の回路構成体の接着剤注入装置の構成を示す装置断面の概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
チャンバ内を減圧して接着剤の注入を開始する前に、回路構成体からチャンバ内に放出されたガスをチャンバの外部に導出することにより実現した。
【００１１】
（第１実施形態）
以下、この発明の回路構成体の接着剤注入装置および回路構成体の接着剤注入方法の第１実施形態について説明する。
図１および図２は、この発明の回路構成体の接着剤注入装置の第１実施形態を示す断面図であり、図１は、接着剤を注入する前の状態を示し、図２は接着剤を注入している状態を示す。
注入装置１０は、壁部１０Ｂを有し、壁部１０Ｂに周囲を囲まれて外部と密閉することが可能なチャンバ１０Ａを有する。チャンバ１０Ａ内には、台１１、軸１２、昇降駆動部１３からなる昇降機構１５が設けられている。軸１２は支持部１２から繰出しおよび引込みが可能であり、軸１２に一体に設けられた台１１は、上昇および下降が可能である。また、チャンバ１０Ａ内には、ヒータ１６が設けられている。
【００１２】
注入装置１０には、壁部１０Ｂを貫通してチャンバ１０Ａ内を真空にする真空排気系２０、チャンバ１０Ａ内にガスを導入するガス導入系３０および接着剤を導入する接着剤導入系４０が設けられている。
真空排気系２０は、配管２１、排気停止弁２２、排気流量調整弁２３および真空ポンプ２４を備える。真空ポンプ２４を駆動し、排気停止弁２２、排気流量調整弁２３を開くことにより、配管２１を介してチャンバ１０Ａ内を減圧することができる。
ガス導入系３０は、配管３１、導入停止弁２２、導入流量調整弁３３を有する。導入停止弁３２および導入流量調整弁３３を開き、不活性ガスを外部よりチャンバ１０Ａ内に導入することができる。
【００１３】
接着剤導入系４０は、配管４１、供給停止弁４２、供給流量調整弁４３を有する。
４５は、接着剤４４が収容された接着剤槽であり、接着剤導入系４０の配管４１の一端４１ａは、接着剤槽４５に収容された接着剤４４の中まで延出されている。配管４１の他端４１ｂは、チャンバ１０Ａ内に導入されている。
昇降機構１５の台１１上には、接着剤４４ａが収納された接着剤容器４６が搭載されている。図示はしないが、配管４１にはポンプ等の供給装置が接続されており、供給停止弁４２および供給流量調整弁４３を開いて、接着剤槽４５に収容された接着剤４４を、チャンバ１０Ａ内に配置された接着剤容器４６内に供給することが可能である。
【００１４】
接着剤容器４６の上方には、回路構成体５０が配置されている。回路構成体５０は、ホルダ１７により支持されている。ホルダ１７は、図示しないが、注入装置１０の壁面１０Ｂに取付けられた固定部材によりチャンバ１０Ａ内の所定の位置に保持され、これにより、回路構成体１０を昇降機構１５の上方の所定の位置に保持する。
回路構成体５０は、図７に、その一部を拡大した平面図に図示されるように、外周のほぼ全体にシール材５２が設けられ、また、外周の一部にシール材５２が設けられていない注入口５１が形成されている。
【００１５】
図４および図５は、回路構成体５０の構造および形成方法を説明するための断面図である。
回路構成体５０は、回路素子体５３、５４、５５を積層して構成されている。回路素子体５３は、シリコンウエハなどの半導体基板５６を有し、その半導体基板５６の上面側に、ゲートＧ、ドレインＤおよびソースＳを有するＭＯＳ型トランジスタ５７および接続端子部５７ａを含む集積回路が形成されている。
回路素子体５４および５５は、それぞれ、シリコンウエハ等の半導体基板５６Ａ上にゲートＧ、ドレインＤおよびソースＳを有するＭＯＳ型トランジスタ５７を含む集積回路が形成されている。また、回路素子体５４および５５には、半導体基板５６Ａの主面に垂直な方向に形成された複数の接続配線５８が形成されている。各接続配線５８は半導体基板５６Ａの底面より下方に突き出す接続端子部５８ａを有している。
【００１６】
回路素子体５４、５５は、回路素子体５３と同様に、半導体基板５６上に集積回路を形成した後、半導体基板５６の底面を研磨またはエッチング等、適宜な方法で除去し、接続配線５８を形成して得られる。
そして、回路素子体５３上に回路素子体５４を、接続端子部５７ａと５８ａとを位置合わせして搭載して両端子部を接合し、また、回路素子体５４上に回路素子体５５を、両部材の接続端子部５８ａを位置合わせして接合する。
【００１７】
このようにして、図５に図示されるように、回路構成体５０は、回路素子体５３―５４の間および５４−５５の間に、接続端子部５７ａおよび接続端子部５８ａが介在されることに起因した間隙を有し、この間隙が、接着剤注入領域５０Ａとなる。
この後、回路構成体５０の周囲に、注入口５１が開口されたシール材５２を形成する。封止構造は、回路構成体５０を樹脂中に浸漬した後、注入口５１となる部分を除去して形成する、または、印刷、インクジェット法等により、注入口５１を有するシール材５２を形成する、あるいは、接着剤シールを貼り付ける等、適宜な方法で形成することができる。
【００１８】
接着剤４４ａが収納された接着剤容器は、回路構成体５０の下方に位置する図１に図示された状態から、昇降機構１５により上昇して、図２に図示された回路構成体５０の注入口５１に接触することが可能であり、この状態で、回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内に接着剤４４ａが注入される。
【００１９】
図３は、図１に示された回路構成体の接着剤注入装置の回路ブロック図である。
制御部８１は、真空排気系２０の真空ポンプ２４の駆動をする真空駆動部８２の動作タイミングを制御する。さらに、排気停止弁２２を開閉し、排気流量調整弁２３の開閉量を調整する真空排気系８３を制御してチャンバ１０Ａ内を所定の真空度にする。また、ガス導入系４０の導入停止弁３２を開閉し、導入流量調整弁３３の開閉量を調整するガス導入系調整部８４を制御する。また、制御部８１は、ヒータ１６による加熱温度を制御するヒータ温度制御部８５を制御する。
【００２０】
接着剤４４を接着剤容器４６に供給するためのポンプ（図示せず）を駆動する接着剤供給駆動部８６ａは接着剤供給駆動制御部８６により駆動を制御され、接着剤供給駆動制御部８６は制御部８１により動作タイミングを制御される。昇降機構１５を駆動する昇降機構駆動部８７ａは、昇降機構駆動制御部８７により駆動を制御され、昇降機構駆動制御部８７は制御部８１により動作タイミングを制御される。
また、制御部８１は、後述するが、真空排気系２０の動作回数をカウントとするカウンタ９１を駆動する。
【００２１】
図８は、第１実施形態の回路構成体の接着剤注入手順を示すフローチャートであり、以下、図８のフローチャートと共に、その動作を説明する。
先ず、図１に図示されるように、チャンバ１０Ａ内には、昇降機構１５の台１１上に、接着剤４４ａが収納された接着剤容器４６が搭載されている。この注入装置１０の壁面１０Ｂを開口して形成された導入口（図示せず）を開いて、チャンバ１０Ａ内に、回路構成体５０を配置する（ステップＳ１１）。ホルダ１７を、チャンバ１０Ａ内に設置しておき、予め外周部にシール材５２が形成された回路構成体５０を該チャンバ１０Ａ内に設置されたホルダ１７に取付けても良いし、チャンバ１０Ａの外部で回路構成体５０をホルダ１７に取り付け、チャンバ１０Ａ内で、ホルダ１７を注入装置１０の壁面１０Ｂに固定された固定部材に取付けてもよい。
【００２２】
ステップＳ１２では、真空排気系２０の排気停止弁２２および排気流量調整弁２３を開き、真空ポンプ２４を駆動してチャンバ１０Ａ内を真空にする真空引きを開始する。ステップＳ１３では、図示はしないが、真空引き回数Ｎを保持するカウンタ９１を１つアップして、真空引き回数ＮをＮ＋１に更新する。そして、ステップＳ１４で、更新された真空引き回数Ｎが予め設定した所定値ｋ以上であるか否かを判断し、ＮｏであればステップＳ１５の処理を、ＹｅｓであればステップＳ２１の処理を行う。
【００２３】
更新された真空引き回数Ｎが所定値ｋ未満であれば、ステップＳ１５でチャンバ１０Ａ内の真空度が所定の低圧力に達したか否かを判断する。ステップＳ１５でＮｏであれば真空引きを継続し、真空度が所定の低圧力、例えば、１０Ｐａ程度に達したらステップＳ１６おいてパージを開始する。すなわち、ガス導入系３０の導入停止弁３２を開き、導入流量調整弁３３の開度にて、チャンバ１０Ａ内にＮ2(窒素)ガス等の不活性ガスを導入する。この場合、真空排気系２０の排気停止弁２２および排気流量調整弁２３は開いた状態にしておく。
【００２４】
不活性ガスを導入するとチャンバ１０Ａ内の圧力が上昇する。このため、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａに放出されたガスは、この導入された不活性ガスにて希釈される。すなわち、パージが開始される。このパージは、ステップＳ１７で、所定の高圧力に達したと判断されるまでパージ、真空排気を継続される。上記は、排気停止弁２２および排気流量調整弁２３が開けた状態での制御にすることもできる。
【００２５】
ステップＳ１８で所定の高圧力に達したと判断されると、ガス導入系３０の導入停止弁３２を閉じて、ステップＳ１３に戻る。そして、ステップＳ１３〜ステップＳ１８の処理が繰り返される。ステップＳ１５で更新された真空引き回数Ｎが所定値ｋに達したと判断されると、ステップＳ２１において、接着剤４４ａの注入が開始される。すなわち、昇降機構１５により接着剤容器４６を上昇させて、回路構成体５０の注入口５１を接着剤４４ａに接触させる。
【００２６】
図９は、チャンバ１０Ａ内の圧力と時間との関係を示すチャンバ内圧力時間関係図である。
ステップＳ１２〜ステップＳ１５の処理でチャンバ１０Ａ内の圧力が減圧される。ステップＳ１５でチャンバ１０Ａ内の圧力が所定の圧力に達したと判断されると、ステップＳ１６においてパージが開始され、チャンバ内圧力１０Ａが上昇し大気圧に近づく。チャンバ１０Ａ内の圧力が所定の高気圧に達したら、再び、減圧処理が開始され、以降、減圧とパージとが繰り返される。この作用により、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａに放出されたガスはチャンバ１０Ａの外部に排出される。
【００２７】
そして、更新された真空引き回数Ｎが予め設定した所定値ｋに達すると、例えば、図９に図示された例では、ｋ＝４とされているので、真空引きが４回実行されるとステップＳ２１の接着剤４４ａの注入が開始される。
図９では、パージは、チャンバ１０Ａ内の圧力が大気圧（ＡＴＭ）よりも低い状態で、真空引きに切り替えられるように図示されている。しかし、真空引きに切り替えるチャンバ１０Ａ内の圧力は、図１０に図示されるように、大気圧とほぼ同じ圧力に設定したり、図１１に図示されるように大気圧よりも高い圧力に設定したりすることができる。
【００２８】
また、図９〜図１１では、接着剤注入工程に移る前の真空引き回数の所定値ｋを、いずれの場合もｋ＝４の場合で示しているが、この所定値ｋは、２以上であればよく、図９〜図１１の○印に示すタイミング以降であれば任意に設定することができる。
【００２９】
接着剤注入開始処理では、昇降機構１５が駆動され、台１１に搭載された接着剤容器４６が上昇し、図２に図示されるように、回路構成体５０に形成された注入口５１を浸漬する。図２に図示された状態になると、ステップＳ２２において、チャンバ１０Ａを大気に開放する。これにより、回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内に接着剤４４ａが注入され始める。そして、適宜な手段、例えば、注入時間とか、回路構成体５０への赤外線の照射による透視により、ステップＳ２３において接着剤注入の完了を判断して終了する。
【００３０】
図６は、回路構成体５０への接着剤の注入が完了した状態の断面図を示す。回路素子体５３−５４間および５４−５５間の接着剤注入領域５０Ａの全体に接着剤４４ａが注入されている。
なお、図８に示すフローチャートにおいて、ステップＳ１２〜ステップＳ２３を制御部８１で制御して行い、回路構成体５０の外周部をシール材５２により封止する工程は別途、行うこととした。しかし、後述するように、回路構成体５０の外周部をシール材５２により封止する封止処理およびステップＳ２１〜ステップＳ２３の接着剤注入領域５０Ａ内への接着剤の注入処理は、それぞれ、例えば、インライン型の装置（図１９参照）を構成して行うようにしてもよい。
【００３１】
上述した回路構成体の接着剤注入方法によれば、チャンバ１０Ａ内を真空引きして接着剤の注入を開始する前に、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａに放出されたガスをチャンバ１０Ａの外部に導出するので、接着剤注入領域５０Ａの圧力が十分に低い状態で接着剤を注入することが可能となり、確実性が向上する。この場合、接着剤注入領域５０Ａに圧力が高い箇所があると、その箇所にボイド（空泡）が発生するが、本発明では空泡の発生を防止することができる。また、接着剤注入の速度が大きくなるので、生産効率が向上する。
【００３２】
（第１実施形態の変形例）
図１２は、第１実施形態の変形例を示す接着剤注入手順のフローチャートである。変形例の回路構成体の接着剤注入手順では、先ず、ステップＳ３１において、回路構成体５０内のガス出しが行われる。
回路構成体５０に吸収される成分のうち、水分等は加熱により水蒸気となって、他のガスと共に放出される。そこで、予め、注入装置１０の外部で、あるいは別の装置内で回路構成体５０を加熱し、ガス放出処理を行う。そして、回路構成体５０の周囲が不活性ガスで覆われるようにカセット内に収納し、この状態で注入装置１０のチャンバ１０Ａ内に導入する（ステップＳ３２）。なお、回路構成体５０を加熱し、ガスを放出させる処理は、図１における注入装置内のヒータ１６を用いて行ってもよい。この場合には、ステップＳ３２とステップＳ３１の順序は逆になる。
【００３３】
ステップＳ３３において、真空引きを開始する。そして、チャンバ１０Ａ内が所定の圧力、例えば、１０Ｐａ程度になったら、図２に図示されるように、回路構成体５０に形成された注入口５１を接着剤４４ａに接触させる（ステップＳ３４）。次に、チャンバ１０Ａを大気に開放する（ステップＳ３５）ことにより、接着剤４４ａが回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内に注入され始め、ステップＳ３６において注入が完了することにより終了する。
【００３４】
この変形例の場合には、回路構成体５０から放出されるガスのガス出しを注入装置１０の外部で行うので、タクト時間を小さくすることができる。また、注入装置１０を簡素な構造にすることができる。
【００３５】
（第２実施形態）
第１実施形態では、回路構成体から放出されるガスの放出をパージ及び真空排気によって注入装置の外部に導出するものであった。これに対し、第２実施形態では、回路構成体を加熱、真空排気することにより、回路構成体からの放出ガスを外部に導出する。
以下、図１５のフローチャートに沿って、第２実施形態を説明する。
【００３６】
ステップＳ４１において、回路構成体１０をチャンバ１０Ａ内に配置する。ステップＳ４２において、真空引きを開始する。ステップＳ４３では、回路構成体５０の加熱が開始される。このステップ４３は、図１に図示されたヒータ１６を用いて行う。このヒータ１６による加熱温度は、ステップＳ４４において、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａ内にガスを放出するに適した温度範囲となるようにＰＩＤ(Proportional Integral Derivative)制御等により制御される。接着剤注入領域５０Ａに注入される接着剤４４ａがエポキシ系樹脂の場合、ガスを放出するに適した温度範囲は、６５℃よりも高く、９５℃よりも低くする必要がある。温度が６５℃よりも低い場合には、水分等を主とするガス放出の作用が殆ど無く、温度が９５℃よりも高い場合には、接着剤４４ａの粘度が増大し、また、回路構成体５０からのガス放出量の増大や、シール材５２が熱損傷して注入に支障を生じる。
【００３７】
ガス放出がなされるとステップＳ４５において、図２に図示されるように、回路構成体５０に形成された注入口５１が接着剤４４ａに接触され、ステップＳ４６において、チャンバ１０Ａを大気に開放して接着剤注入領域１０Ａに接着剤４４ａが注入され、ステップＳ４７において注入が完了すると終了する。
【００３８】
図１３は、チャンバ内圧力と時間および加熱温度と時間の関係を示すチャンバ内圧力および加熱温度時間関係図である。
チャンバ内圧力は、ステップＳ４２の処理により減圧されて真空状態に維持される。ステップＳ４３の処理によって、回路構成体５０の温度（またはヒータ１６の温度）は、６５℃〜９５℃の範囲になるように制御され、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａに放出されたガスは、真空排気系２０によりチャンバ１０Ａから排出される。
【００３９】
そして、回路構成体５０からのガス放出が十分に行われた時間が経過すると、接着剤注入領域１０Ａへの接着剤の注入が開始される。
図１３では、加熱の開始が、ステップＳ４２の真空引き工程の後工程となっている。しかし、図１４に示されるように、加熱の開始をステップＳ４２の真空引き工程の前工程としてもよい。
また、図１３および図１４では、加熱による回路構成体５０の温度は直線的に上昇するように図示されているが、ＰＩＤ制御とすれば、初期は急峻で、到達温度付近では緩やかな曲線になる。
【００４０】
第２実施形態の場合にも、第１実施形態の場合と同様な効果が得られる。加えて、第１実施形態の変形例と同様、回路構成体５０から放出されるガスのガス排出を加熱のみで行うので、注入装置１０を簡素な構造にすることができる。
【００４１】
（第２実施形態の変形例）
図１８は、第２実施形態の変形例のフローチャートを示す。この変形例は、ガスの排出を、繰り返しパージと加熱の両方で行う方法である。
以下、第２実施形態の変形例の方法を説明する。
ステップＳ５１で、回路構成体５０をチャンバ１０Ａ内に配置する。ステップＳ５２で真空引きが開始される。
【００４２】
ステップＳ５２の処理が開始されて、所定の時間が経過した時点で、ステップＳ５３において、ヒータ１６により回路構成体５０を加熱する。ヒータ１６の加熱温度は、ステップＳ５４において、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａ内にガスを放出するに適した温度範囲となるようにＰＩＤ(Proportional Integral Derivative)制御等により制御される。
【００４３】
ステップＳ５５では、パージが開始される。すなわち、チャンバ１０Ａ内に不活性ガスが導入され、チャンバ１０Ａ内の圧力が上昇する。これにより、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａに放出されたガスは、チャンバ１０Ａの外部に導出される。パージが開始されると、ステップＳ５６において、カウント値ＭがＭ＋１に更新される。
【００４４】
ステップＳ５７では、更新されたカウント値Ｍが所定値ｌ以上か否か判断され、所定値ｌ未満であれば、ステップＳ５２の処理に戻る。そして、ステップＳ５２〜ステップＳ５７の処理が繰り返される。更新されたカウント値Ｍが所定値ｌ以上であれば、ステップＳ５８で回路構成体５０に設けられた注入口５１に接着剤４４ａが接触して、接着剤４４ａの注入が開始され、ステップＳ５９でチャンバ１０Ａを大気に開放し、ステップＳ６０で接着剤４４ａの注入が完了したら終了する。ステップＳ５８〜ステップＳ６０は、第１実施形態におけるステップＳ２１〜ステップＳ２３と同様の処理である。
【００４５】
図１６は、第２実施形態に係り、チャンバ内圧力と時間および加熱温度と時間の関係を示すチャンバ内圧力および加熱温度時間関係図である。
チャンバ１０Ａの減圧とパージが繰り返し行われ、同時にヒータ１６より回路構成体５０の加熱が行われる。この場合、パージ回数の設定値Ｍ＝３とされている。減圧とパージとがそれぞれＭ回行われた後（図１６では３回目以降）は、チャンバ１０Ａ内を真空引きして、接着剤４４ａの注入を開始することができる。つまり、図中、○印以降は、接着剤の注入の開始を任意に設定することができる。
図１６では、加熱開始のタイミングを最初の真空引きの後工程としている。しかし、図１７の如く、加熱開始のタイミングを最初の真空引きの前工程とすることもできる。
【００４６】
（第３実施形態）
図１９に示す第３実施形態は、図１に示す注入装置１００をインライン方式としたものである。注入装置１００は、前処理室１０５、シール塗布室１１０、シール硬化室１２０、排気室１３０、第１注入室１４０、接着剤脱泡室１５０、第２注入室１６０、接着剤段取室１７０、拭取室１８０、接着剤硬化室１８５の各室を備えている。各室の境界は、出入口弁１０１で仕切られている。
【００４７】
前処理室１０５では、回路構成体５０およびホルダ１７をロードする。この室には、図示はしないが、静電除去イオナイザが備えられている。シール塗布室１１０では、回路構成体５０の外周にシール材５２を塗布する。この室には、シール材５２を塗布するためのローラ１１１および、ローラ１１１を回転可能に支持する支持板１１２が設けられている。シール硬化室１２０では、回路構成体５０に塗布された封止材を硬化する。この室には、ヒータ１２１が備えられている。
【００４８】
排気室１３０では、回路構成体５０からガスを排出させ、チャンバ内の排気（パージ）を行う。この室には、回路構成体５０を周囲から加熱するヒータ１３１が備えられている。また、この排気室１３０に対しては、制御弁１３８および導入流量調整弁１３６を有するガス導入系１３５が設置され、また、真空ポンプ１３２およびターボ分子ポンプ１３３が、それぞれ、制御弁１３４、１３６を介して真空引き可能に設置されている。
【００４９】
第１注入室１４０では、接着剤４４ａを回路構成体５０の注入口５１に接触して、接着剤４４ａの注入を開始する。第１注入室１４０には、真空ポンプ１４２が制御弁１４３を介して真空引きするように設けられている。
接着剤脱泡室１５０には、昇降機構１５が設けられ、昇降機構１５の台１１にヒータ１５１が設けられている。また、台１１上には接着剤４４ａが収納された接着剤容器４６が搭載されている。また、接着剤脱泡室１５０には、真空ポンプ１５５が真空引きするように設けられている。真空ポンプ１５５により、制御弁１５６を介して接着剤脱泡室１５０を真空にして、接着剤４４ａ内に含有されているガスを脱泡した後、出入口弁１０１を開いて昇降機構１５により、接着剤容器４６を上昇させて第１注入室１４０内に搬送する。
【００５０】
第２注入室１６０内は大気圧とされており、第１注入室１４０での接着剤注入処理に引き続いて接着剤注入処理を継続し、接着剤４４ａの注入を完了する。接着剤４４ａの注入が完了すると、出入口弁１０１を開き、昇降機構１５を下降して、接着剤４４ａが収容された接着剤容器４６が接着剤段取室１７０に搬送される。
【００５１】
接着剤段取室１７０は、接着剤容器４６に収容された接着剤４４ａの量をセンサで監視し、量が不足すると、接着剤槽４５内に収容された接着剤４４を、図示しないポンプ等により、接着剤容器４６内に補充する。接着剤４４ａの量に限らず、接着剤４４ａの粘度を監視し、溶媒を補充するようにしてもよい。
【００５２】
拭取室１８０は、回路構成体５０にノズル１８１から洗浄液を照射して、回路構成体５０に付着した接着剤を除去する。吸引式による接着剤除去や吸着布ワイプによる物理的除去にすることもできる。また、接着剤硬化室１８５は、回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内に注入された接着剤４４ａを硬化する室であり、ヒータ１８６を備えている。
【００５３】
以下、注入装置１００による、接着剤の注入処理について説明する。
先ず、図５に図示された回路構成体５０が、前処理室１０５にロードされて、ホルダ１７に回転可能に軸支される。静電除去イオナイザを用いて、静電気除去を行った後、出入口弁１０１を開いて、回路構成体５０およびホルダ１７は、シール塗布室１１０に搬送される。
【００５４】
シール塗布室１１０では、図示しない駆動機構により、回路構成体５０を回転させながら、封止材が被着されたローラ１１１を回路構成体５０の外周に接触させて回路構成体５０の外周にシール材５２を塗布する。この場合、図７に図示されるように、シール材５２が注入口５１に転写されないように、回路構成体５０の回転を制御する。
【００５５】
シール材５２が回路構成体５０に形成されると、出入口弁１０１を開いて、回路構成体５０はシール硬化室１２０に搬送される。シール硬化室１２０では、ヒータ１２１により、回路構成体５０に塗布されたシール材５２が硬化される。シール材５２が硬化された回路構成体５０は、出入口弁１０１を開いて排気室１３０に搬送される。
【００５６】
排気室１３０では、真空ポンプ１３２およびターボ分子ポンプ１３３によりチャンバ内が真空にされる。ターボ分子ポンプ１３３を備えているため、排気室１３０の真空引きは、高速に且つ高真空度に達するように行われる。これにより、回路構成体５０から、接着剤注入領域５０Ａ内にガスが放出される。真空引きの後、ガス導入系１３６からチャンバ内に不活性ガスを導入する。この場合、制御弁１３６を開放しておき、回路構成体５０から放出されたガスをチャンバの外部に排出する。制御弁１３６を閉じた状態で制御することも可能である。
減圧およびパージは図８のステップＳ１２〜ステップＳ１７のように複数回繰り返される。但し、回路構成体５０から放出されるガスが少ない場合には、それぞれ、一度ずつ行うようにしてもよい。次に、出入口弁１０１を開放して回路構成体５０が第１注入室１４０に搬送される。搬送時の状況は、真空状態を保った搬送とするが大気圧に戻した状況にて搬送することもできる。
【００５７】
第１注入室１４０内は、制御弁１４３を介して真空ポンプ１４２により減圧されており、この第１注入室１４０では、接着剤４４ａが収納された接着剤容器４６が、昇降機構１５により上昇され、回路構成体５０の注入口５１に接触する。その後、図８のステップＳ２１〜Ｓ２２にて接着剤４４ａが回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内に注入される。ただし、この注入は、回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内の一部に注入された状態で終了する。次に、接着剤注入領域５０Ａ内の一部に注入された回路構成体５０は、接着剤容器４６内の接着剤４４ａに接触した状態で第２注入室１６０に搬送される。
【００５８】
第２注入室１６０のチャンバ内は大気圧に開放されている。このため、第１注入室における接着剤４４ａの注入に引き続いて、回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内への接着剤４４ａの注入が行われ、この接着剤４４ａの注入は、回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内の全体に接着剤４４ａが注入されるまで行われる。すなわち、接着剤４４ａの回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内への注入が完了する。
【００５９】
接着剤の注入が完了すると、出入口弁１０１を開いて、回路構成体５０が拭取室１８０に搬送される。また、第２注入室１６０の接着剤段取室１７０側の出入口弁１０１を開いて、接着剤容器４６が昇降機構１５により下降され、接着剤段取室１７０に移動する。
なお、接着剤注入領域５０Ａへの接着剤４４ａの注入を、第１注入室１４０と第２注入室１６０とにおいて分担して行う実施形態としているが、接着剤注入領域５０Ａへの接着剤４４ａの注入を１つの注入室で行うようにすることもできる。
【００６０】
拭取室１８０に搬送された、回路構成体５０は、ノズル１８１から射出される洗浄液によって接着剤を除去される。除去は、吸引式に夜接着剤除去や吸着ワイプによる物理的除去にすることもできる。そして、出入口弁１０１を開いて、回路構成体５０は、接着剤硬化室１８５に搬送される。接着剤硬化室１８５において、ヒータ１８６により回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内に注入された接着剤が硬化される。
【００６１】
一方、接着剤段取室１７０に移動された接着剤容器４６に収納された接着剤４４ａは、センサにより、その量が測定される。接着剤４４ａの量が十分であれば、接着剤容器４６は接着剤脱泡室１５０に搬送される。接着剤４４ａの量が不足していれば、接着剤槽４５内に収容された接着剤４４が、接着剤容器４６内に補充される。
【００６２】
接着剤脱泡室１５０に搬送された接着剤４４ａは、脱泡される。真空ポンプ１５５により、接着剤脱泡室１５のチャンバ内が真空引きされ、これと共に、台１１に設けられたヒータ１５１により加熱されることにより、接着剤４４ａ内に封入されていた空気などを含むガスが膨張してチャンバ内に放出され、真空ポンプ１５５によって外部に排出される。すなわち、接着剤４４ａの脱泡が行われる。また、接着剤４４ａの粘度制御も行い、注入時間を短縮することも可能である。
脱泡された接着剤４４ａが収納された接着剤容器４６は、出入口弁１０１を開き、昇降機構１５によって上昇されて第１注入室１４０に移動され、排気室１３０から搬送される回路構成体５０の注入口５１に接触する。
接着剤４４ａを収納した接着剤容器４６は、このように、接着剤段取室１７０−接着剤脱泡室１５０−第１注入室１４０−第２注入室１６０を循環する。
【００６３】
第３実施形態の回路構成体の接着剤注入方法においても、第１実施形態と同様に、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａに放出されたガスをチャンバの外部に導出するので、接着剤注入領域５０Ａの圧力が十分に低い状態で接着剤を注入することが可能となり、確実性が向上する。加えて、インライン方式であるので、タクト時間を短くすることができ、生産効率を大幅に向上することができる。
【００６４】
回路構成体５０を構成する回路素子体５３〜５５は、集積回路が形成された半導体ウエハを例としたが、ガラス板、セラミック板等の絶縁性基板上に、薄膜トランジスタ等の回路素子を設けた場合にも適用が可能である。
また、積層回路基板により、多層配線基板を形成する場合にも適用が可能である。
【００６５】
その他、本発明の回路構成体の接着剤注入装置は、発明の趣旨の範囲内において、種々、変形して構成することが可能であり、要は、接着剤注入領域を有する回路構成体および接着剤が収納された接着剤容器を収納するチャンバと、回路構成体から前記接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバの外部に導出する放出ガス排出手段と、チャンバ内を減圧する減圧手段と、回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を行う接着剤注入手段と、放出ガス排出手段によりチャンバ内ガスを排出し、減圧手段によりチャンバ内を減圧した後、回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を開始させる制御手段と、を具備するものであればよい。
【００６６】
また、本発明の回路構成体の接着剤注入装置は、接着剤注入領域を有する回路構成体を収納するチャンバおよび回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバの外部に導出する放出ガス排出手段を有する排気室と、排気室から搬送された回路構成体の接着剤注入領域の少なくとも一部を接着剤に接触させて接着剤を注入する接着剤注入室と、具備するものであればよい。
【００６７】
また、本発明の回路構成体の接着剤注入方法は、チャンバ内に配置された回路構成体の接着剤注入領域内を、チャンバ内と共に減圧した後、接着剤注入領域への接着剤の注入を開始する回路構成体の接着剤注入方法において、チャンバ内を減圧して接着剤の注入を開始する前の工程であって、回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバの外部に導出する放出ガス排出工程を備えているものであればよい。
【００６８】
また、本発明の回路構成体の接着剤注入方法は、回路構成体から接着剤注入領域に放出されたガスを第１のチャンバの外部に導出する工程と、第２のチャンバ内を減圧して回路構成体の接着剤注入領域の少なくとも一部に接着剤を接触する工程および第２のチャンバ内の圧力を上昇して前記回路構成体の接着剤注入領域に接着剤を注入する工程と、を含むものであればよい。
【符号の説明】
【００６９】
１０、１００ 注入装置
１５ 昇降機構
１６ ヒータ
２０ 真空排気系
３０ ガス導入系
４０ 接着剤導入系
４４、４４ａ 接着剤樹脂層
４６ 接着剤容器
５０ 回路構成体
５０Ａ 接着剤注入領域
５１ 注入口
５２ シール材
５３〜５５ 回路素子体
８１ 制御部
１０５ 前処理室
１１０ シール塗布室
１２０ シール硬化室
１３０ 排気室
１４０ 第１注入室
１５０ 接着剤脱泡室
１６０ 第２注入室
１７０ 接着剤段取室
１８０ 拭取室
１８５ 接着剤硬化室
【技術分野】
【０００１】
この発明は、回路構成体の接着剤注入装置および回路構成体の接着剤注入方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
３次元半導体集積回路を形成する方法として、集積回路が形成された複数の半導体ウエハを、相互に間隙を設けて積層し、この間隙に接着剤を注入して、１つの３次元集積半導体ウエハを構成する方法が知られている。この方法により作成される３次元集積半導体ウエハは、隣接する半導体ウエハの間に、各半導体ウエハの集積回路に接続された接続用バンプを設け、隣接する半導体ウエハの接続用バンプ同士を接合して形成される。
【０００３】
そして、積層半導体ウエハの間隙への接着剤の注入は、積層半導体ウエハをチャンバ内に配置し、チャンバ内を真空にした状態で、積層半導体ウエハの接着剤注入口を接着剤に浸し、チャンバ内を大気圧に戻すことにより行われる。
この場合、積層半導体ウエハの間隙の圧力は大気圧より低いので、チャンバ内を大気圧にすることにより、真空差圧と毛細管作用によって接着剤が積層半導体ウエハの間隙に注入されるのである（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２６１００１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、半導体ウエハは製造後の保管時に、周囲のガスを吸収する。このため、上記の方法で、積層半導体ウエハの間隙に接着剤を注入する工程において、各半導体ウエハから吸収されたガスが放出され、この放出ガスによって、積層半導体ウエハの間隙の圧力が上昇する。この積層半導体ウエハの間隙の圧力の上昇のために、接着剤を積層半導体ウエハの間隙の全領域に完全に注入することが困難であった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の回路構成体の接着剤注入装置は、接着剤注入領域を有する回路構成体および接着剤が収納された接着剤容器を収納するチャンバと、回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバの外部に導出する放出ガス排出手段と、チャンバ内を減圧する減圧手段と、回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を行う接着剤注入手段と、放出ガス排出手段によりチャンバ内ガスを排出し、減圧手段によりチャンバ内を減圧した後、回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を開始させる制御手段と、を具備することを特徴とする。
また、本発明の回路構成体の接着剤注入装置は、接着剤注入領域を有する回路構成体を収納するチャンバおよび回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバの外部に導出する放出ガス排出手段を有する排気室と、排気室から搬送された回路構成体の接着剤注入領域の少なくとも一部を接着剤に接触させて接着剤を注入する接着剤注入室と、を具備することを特徴とする。
【０００７】
本発明の回路構成体の接着剤注入方法は、チャンバ内に配置された回路構成体の接着剤注入領域内を、チャンバ内と共に減圧した後、接着剤注入領域への接着剤の注入を開始する回路構成体の接着剤注入方法において、チャンバ内を減圧して接着剤の注入を開始する前の工程であって、回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバの外部に導出する放出ガス排出工程を備えていることを特徴とする。
また、本発明の回路構成体の接着剤注入方法は、回路構成体から接着剤注入領域に放出されたガスを第１のチャンバの外部に導出する工程と、第２のチャンバ内を減圧して回路構成体の接着剤注入領域の少なくとも一部に接着剤を接触する工程および第２のチャンバ内の圧力を上昇して回路構成体の接着剤注入領域に接着剤を注入する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスがチャンバの外部に導出されるので、接着剤注入領域への接着剤の注入が確実になる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】この発明の回路構成体の接着剤注入装置の第１実施形態を示し、接着剤の注入前の状態を示す断面図。
【図２】図１に示された回路構成体の接着剤注入装置において、接着剤を注入する状態を示す断面図。
【図３】図１に示された回路構成体の接着剤注入装置の回路ブロック図。
【図４】回路構成体を形成する方法を説明するための分解図。
【図５】回路構成体の断面図。
【図６】接着剤の注入完了状態を示す回路構成体の断面図。
【図７】回路構成体の周囲を封止した状態を示す、回路素子体の一部の平面図。
【図８】この発明の回路構成体の接着剤注入方法の第１実施形態を示すフローチャート。
【図９】チャンバ内圧力と時間の関係を示すチャンバ内圧力時間関係図。
【図１０】チャンバ内圧力と時間の関係を示し、図９とは別の例を示すチャンバ内圧力時間関係図。
【図１１】チャンバ内圧力と時間の関係を示し、図９とはさらに別の例を示すチャンバ内圧力時間関係図。
【図１２】図８の回路構成体の接着剤注入方法に係る第１実施形態の変形例を示すフローチャート。
【図１３】チャンバ内圧力と時間および加熱温度と時間の関係を示すチャンバ内圧力および加熱温度時間関係図。
【図１４】チャンバ内圧力と時間および温度と時間の関係を示し、図１３とは異なる他の例を示すチャンバ内圧力および加熱温度時間関係図。
【図１５】この発明の回路構成体の接着剤注入方法の第２実施形態を示すフローチャート。
【図１６】この発明の回路構成体の接着剤注入方法の第２実施形態の変形例に係り、チャンバ内圧力と時間および温度と時間の関係を示すチャンバ内圧力および加熱温度時間関係図。
【図１７】図１６とは別の例を示すチャンバ内圧力および加熱温度時間関係図。
【図１８】この発明の回路構成体の接着剤注入方法の第２実施形態の変形例に係るフローチャート。
【図１９】この発明の回路構成体の接着剤注入装置の構成を示す装置断面の概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
チャンバ内を減圧して接着剤の注入を開始する前に、回路構成体からチャンバ内に放出されたガスをチャンバの外部に導出することにより実現した。
【００１１】
（第１実施形態）
以下、この発明の回路構成体の接着剤注入装置および回路構成体の接着剤注入方法の第１実施形態について説明する。
図１および図２は、この発明の回路構成体の接着剤注入装置の第１実施形態を示す断面図であり、図１は、接着剤を注入する前の状態を示し、図２は接着剤を注入している状態を示す。
注入装置１０は、壁部１０Ｂを有し、壁部１０Ｂに周囲を囲まれて外部と密閉することが可能なチャンバ１０Ａを有する。チャンバ１０Ａ内には、台１１、軸１２、昇降駆動部１３からなる昇降機構１５が設けられている。軸１２は支持部１２から繰出しおよび引込みが可能であり、軸１２に一体に設けられた台１１は、上昇および下降が可能である。また、チャンバ１０Ａ内には、ヒータ１６が設けられている。
【００１２】
注入装置１０には、壁部１０Ｂを貫通してチャンバ１０Ａ内を真空にする真空排気系２０、チャンバ１０Ａ内にガスを導入するガス導入系３０および接着剤を導入する接着剤導入系４０が設けられている。
真空排気系２０は、配管２１、排気停止弁２２、排気流量調整弁２３および真空ポンプ２４を備える。真空ポンプ２４を駆動し、排気停止弁２２、排気流量調整弁２３を開くことにより、配管２１を介してチャンバ１０Ａ内を減圧することができる。
ガス導入系３０は、配管３１、導入停止弁２２、導入流量調整弁３３を有する。導入停止弁３２および導入流量調整弁３３を開き、不活性ガスを外部よりチャンバ１０Ａ内に導入することができる。
【００１３】
接着剤導入系４０は、配管４１、供給停止弁４２、供給流量調整弁４３を有する。
４５は、接着剤４４が収容された接着剤槽であり、接着剤導入系４０の配管４１の一端４１ａは、接着剤槽４５に収容された接着剤４４の中まで延出されている。配管４１の他端４１ｂは、チャンバ１０Ａ内に導入されている。
昇降機構１５の台１１上には、接着剤４４ａが収納された接着剤容器４６が搭載されている。図示はしないが、配管４１にはポンプ等の供給装置が接続されており、供給停止弁４２および供給流量調整弁４３を開いて、接着剤槽４５に収容された接着剤４４を、チャンバ１０Ａ内に配置された接着剤容器４６内に供給することが可能である。
【００１４】
接着剤容器４６の上方には、回路構成体５０が配置されている。回路構成体５０は、ホルダ１７により支持されている。ホルダ１７は、図示しないが、注入装置１０の壁面１０Ｂに取付けられた固定部材によりチャンバ１０Ａ内の所定の位置に保持され、これにより、回路構成体１０を昇降機構１５の上方の所定の位置に保持する。
回路構成体５０は、図７に、その一部を拡大した平面図に図示されるように、外周のほぼ全体にシール材５２が設けられ、また、外周の一部にシール材５２が設けられていない注入口５１が形成されている。
【００１５】
図４および図５は、回路構成体５０の構造および形成方法を説明するための断面図である。
回路構成体５０は、回路素子体５３、５４、５５を積層して構成されている。回路素子体５３は、シリコンウエハなどの半導体基板５６を有し、その半導体基板５６の上面側に、ゲートＧ、ドレインＤおよびソースＳを有するＭＯＳ型トランジスタ５７および接続端子部５７ａを含む集積回路が形成されている。
回路素子体５４および５５は、それぞれ、シリコンウエハ等の半導体基板５６Ａ上にゲートＧ、ドレインＤおよびソースＳを有するＭＯＳ型トランジスタ５７を含む集積回路が形成されている。また、回路素子体５４および５５には、半導体基板５６Ａの主面に垂直な方向に形成された複数の接続配線５８が形成されている。各接続配線５８は半導体基板５６Ａの底面より下方に突き出す接続端子部５８ａを有している。
【００１６】
回路素子体５４、５５は、回路素子体５３と同様に、半導体基板５６上に集積回路を形成した後、半導体基板５６の底面を研磨またはエッチング等、適宜な方法で除去し、接続配線５８を形成して得られる。
そして、回路素子体５３上に回路素子体５４を、接続端子部５７ａと５８ａとを位置合わせして搭載して両端子部を接合し、また、回路素子体５４上に回路素子体５５を、両部材の接続端子部５８ａを位置合わせして接合する。
【００１７】
このようにして、図５に図示されるように、回路構成体５０は、回路素子体５３―５４の間および５４−５５の間に、接続端子部５７ａおよび接続端子部５８ａが介在されることに起因した間隙を有し、この間隙が、接着剤注入領域５０Ａとなる。
この後、回路構成体５０の周囲に、注入口５１が開口されたシール材５２を形成する。封止構造は、回路構成体５０を樹脂中に浸漬した後、注入口５１となる部分を除去して形成する、または、印刷、インクジェット法等により、注入口５１を有するシール材５２を形成する、あるいは、接着剤シールを貼り付ける等、適宜な方法で形成することができる。
【００１８】
接着剤４４ａが収納された接着剤容器は、回路構成体５０の下方に位置する図１に図示された状態から、昇降機構１５により上昇して、図２に図示された回路構成体５０の注入口５１に接触することが可能であり、この状態で、回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内に接着剤４４ａが注入される。
【００１９】
図３は、図１に示された回路構成体の接着剤注入装置の回路ブロック図である。
制御部８１は、真空排気系２０の真空ポンプ２４の駆動をする真空駆動部８２の動作タイミングを制御する。さらに、排気停止弁２２を開閉し、排気流量調整弁２３の開閉量を調整する真空排気系８３を制御してチャンバ１０Ａ内を所定の真空度にする。また、ガス導入系４０の導入停止弁３２を開閉し、導入流量調整弁３３の開閉量を調整するガス導入系調整部８４を制御する。また、制御部８１は、ヒータ１６による加熱温度を制御するヒータ温度制御部８５を制御する。
【００２０】
接着剤４４を接着剤容器４６に供給するためのポンプ（図示せず）を駆動する接着剤供給駆動部８６ａは接着剤供給駆動制御部８６により駆動を制御され、接着剤供給駆動制御部８６は制御部８１により動作タイミングを制御される。昇降機構１５を駆動する昇降機構駆動部８７ａは、昇降機構駆動制御部８７により駆動を制御され、昇降機構駆動制御部８７は制御部８１により動作タイミングを制御される。
また、制御部８１は、後述するが、真空排気系２０の動作回数をカウントとするカウンタ９１を駆動する。
【００２１】
図８は、第１実施形態の回路構成体の接着剤注入手順を示すフローチャートであり、以下、図８のフローチャートと共に、その動作を説明する。
先ず、図１に図示されるように、チャンバ１０Ａ内には、昇降機構１５の台１１上に、接着剤４４ａが収納された接着剤容器４６が搭載されている。この注入装置１０の壁面１０Ｂを開口して形成された導入口（図示せず）を開いて、チャンバ１０Ａ内に、回路構成体５０を配置する（ステップＳ１１）。ホルダ１７を、チャンバ１０Ａ内に設置しておき、予め外周部にシール材５２が形成された回路構成体５０を該チャンバ１０Ａ内に設置されたホルダ１７に取付けても良いし、チャンバ１０Ａの外部で回路構成体５０をホルダ１７に取り付け、チャンバ１０Ａ内で、ホルダ１７を注入装置１０の壁面１０Ｂに固定された固定部材に取付けてもよい。
【００２２】
ステップＳ１２では、真空排気系２０の排気停止弁２２および排気流量調整弁２３を開き、真空ポンプ２４を駆動してチャンバ１０Ａ内を真空にする真空引きを開始する。ステップＳ１３では、図示はしないが、真空引き回数Ｎを保持するカウンタ９１を１つアップして、真空引き回数ＮをＮ＋１に更新する。そして、ステップＳ１４で、更新された真空引き回数Ｎが予め設定した所定値ｋ以上であるか否かを判断し、ＮｏであればステップＳ１５の処理を、ＹｅｓであればステップＳ２１の処理を行う。
【００２３】
更新された真空引き回数Ｎが所定値ｋ未満であれば、ステップＳ１５でチャンバ１０Ａ内の真空度が所定の低圧力に達したか否かを判断する。ステップＳ１５でＮｏであれば真空引きを継続し、真空度が所定の低圧力、例えば、１０Ｐａ程度に達したらステップＳ１６おいてパージを開始する。すなわち、ガス導入系３０の導入停止弁３２を開き、導入流量調整弁３３の開度にて、チャンバ１０Ａ内にＮ2(窒素)ガス等の不活性ガスを導入する。この場合、真空排気系２０の排気停止弁２２および排気流量調整弁２３は開いた状態にしておく。
【００２４】
不活性ガスを導入するとチャンバ１０Ａ内の圧力が上昇する。このため、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａに放出されたガスは、この導入された不活性ガスにて希釈される。すなわち、パージが開始される。このパージは、ステップＳ１７で、所定の高圧力に達したと判断されるまでパージ、真空排気を継続される。上記は、排気停止弁２２および排気流量調整弁２３が開けた状態での制御にすることもできる。
【００２５】
ステップＳ１８で所定の高圧力に達したと判断されると、ガス導入系３０の導入停止弁３２を閉じて、ステップＳ１３に戻る。そして、ステップＳ１３〜ステップＳ１８の処理が繰り返される。ステップＳ１５で更新された真空引き回数Ｎが所定値ｋに達したと判断されると、ステップＳ２１において、接着剤４４ａの注入が開始される。すなわち、昇降機構１５により接着剤容器４６を上昇させて、回路構成体５０の注入口５１を接着剤４４ａに接触させる。
【００２６】
図９は、チャンバ１０Ａ内の圧力と時間との関係を示すチャンバ内圧力時間関係図である。
ステップＳ１２〜ステップＳ１５の処理でチャンバ１０Ａ内の圧力が減圧される。ステップＳ１５でチャンバ１０Ａ内の圧力が所定の圧力に達したと判断されると、ステップＳ１６においてパージが開始され、チャンバ内圧力１０Ａが上昇し大気圧に近づく。チャンバ１０Ａ内の圧力が所定の高気圧に達したら、再び、減圧処理が開始され、以降、減圧とパージとが繰り返される。この作用により、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａに放出されたガスはチャンバ１０Ａの外部に排出される。
【００２７】
そして、更新された真空引き回数Ｎが予め設定した所定値ｋに達すると、例えば、図９に図示された例では、ｋ＝４とされているので、真空引きが４回実行されるとステップＳ２１の接着剤４４ａの注入が開始される。
図９では、パージは、チャンバ１０Ａ内の圧力が大気圧（ＡＴＭ）よりも低い状態で、真空引きに切り替えられるように図示されている。しかし、真空引きに切り替えるチャンバ１０Ａ内の圧力は、図１０に図示されるように、大気圧とほぼ同じ圧力に設定したり、図１１に図示されるように大気圧よりも高い圧力に設定したりすることができる。
【００２８】
また、図９〜図１１では、接着剤注入工程に移る前の真空引き回数の所定値ｋを、いずれの場合もｋ＝４の場合で示しているが、この所定値ｋは、２以上であればよく、図９〜図１１の○印に示すタイミング以降であれば任意に設定することができる。
【００２９】
接着剤注入開始処理では、昇降機構１５が駆動され、台１１に搭載された接着剤容器４６が上昇し、図２に図示されるように、回路構成体５０に形成された注入口５１を浸漬する。図２に図示された状態になると、ステップＳ２２において、チャンバ１０Ａを大気に開放する。これにより、回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内に接着剤４４ａが注入され始める。そして、適宜な手段、例えば、注入時間とか、回路構成体５０への赤外線の照射による透視により、ステップＳ２３において接着剤注入の完了を判断して終了する。
【００３０】
図６は、回路構成体５０への接着剤の注入が完了した状態の断面図を示す。回路素子体５３−５４間および５４−５５間の接着剤注入領域５０Ａの全体に接着剤４４ａが注入されている。
なお、図８に示すフローチャートにおいて、ステップＳ１２〜ステップＳ２３を制御部８１で制御して行い、回路構成体５０の外周部をシール材５２により封止する工程は別途、行うこととした。しかし、後述するように、回路構成体５０の外周部をシール材５２により封止する封止処理およびステップＳ２１〜ステップＳ２３の接着剤注入領域５０Ａ内への接着剤の注入処理は、それぞれ、例えば、インライン型の装置（図１９参照）を構成して行うようにしてもよい。
【００３１】
上述した回路構成体の接着剤注入方法によれば、チャンバ１０Ａ内を真空引きして接着剤の注入を開始する前に、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａに放出されたガスをチャンバ１０Ａの外部に導出するので、接着剤注入領域５０Ａの圧力が十分に低い状態で接着剤を注入することが可能となり、確実性が向上する。この場合、接着剤注入領域５０Ａに圧力が高い箇所があると、その箇所にボイド（空泡）が発生するが、本発明では空泡の発生を防止することができる。また、接着剤注入の速度が大きくなるので、生産効率が向上する。
【００３２】
（第１実施形態の変形例）
図１２は、第１実施形態の変形例を示す接着剤注入手順のフローチャートである。変形例の回路構成体の接着剤注入手順では、先ず、ステップＳ３１において、回路構成体５０内のガス出しが行われる。
回路構成体５０に吸収される成分のうち、水分等は加熱により水蒸気となって、他のガスと共に放出される。そこで、予め、注入装置１０の外部で、あるいは別の装置内で回路構成体５０を加熱し、ガス放出処理を行う。そして、回路構成体５０の周囲が不活性ガスで覆われるようにカセット内に収納し、この状態で注入装置１０のチャンバ１０Ａ内に導入する（ステップＳ３２）。なお、回路構成体５０を加熱し、ガスを放出させる処理は、図１における注入装置内のヒータ１６を用いて行ってもよい。この場合には、ステップＳ３２とステップＳ３１の順序は逆になる。
【００３３】
ステップＳ３３において、真空引きを開始する。そして、チャンバ１０Ａ内が所定の圧力、例えば、１０Ｐａ程度になったら、図２に図示されるように、回路構成体５０に形成された注入口５１を接着剤４４ａに接触させる（ステップＳ３４）。次に、チャンバ１０Ａを大気に開放する（ステップＳ３５）ことにより、接着剤４４ａが回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内に注入され始め、ステップＳ３６において注入が完了することにより終了する。
【００３４】
この変形例の場合には、回路構成体５０から放出されるガスのガス出しを注入装置１０の外部で行うので、タクト時間を小さくすることができる。また、注入装置１０を簡素な構造にすることができる。
【００３５】
（第２実施形態）
第１実施形態では、回路構成体から放出されるガスの放出をパージ及び真空排気によって注入装置の外部に導出するものであった。これに対し、第２実施形態では、回路構成体を加熱、真空排気することにより、回路構成体からの放出ガスを外部に導出する。
以下、図１５のフローチャートに沿って、第２実施形態を説明する。
【００３６】
ステップＳ４１において、回路構成体１０をチャンバ１０Ａ内に配置する。ステップＳ４２において、真空引きを開始する。ステップＳ４３では、回路構成体５０の加熱が開始される。このステップ４３は、図１に図示されたヒータ１６を用いて行う。このヒータ１６による加熱温度は、ステップＳ４４において、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａ内にガスを放出するに適した温度範囲となるようにＰＩＤ(Proportional Integral Derivative)制御等により制御される。接着剤注入領域５０Ａに注入される接着剤４４ａがエポキシ系樹脂の場合、ガスを放出するに適した温度範囲は、６５℃よりも高く、９５℃よりも低くする必要がある。温度が６５℃よりも低い場合には、水分等を主とするガス放出の作用が殆ど無く、温度が９５℃よりも高い場合には、接着剤４４ａの粘度が増大し、また、回路構成体５０からのガス放出量の増大や、シール材５２が熱損傷して注入に支障を生じる。
【００３７】
ガス放出がなされるとステップＳ４５において、図２に図示されるように、回路構成体５０に形成された注入口５１が接着剤４４ａに接触され、ステップＳ４６において、チャンバ１０Ａを大気に開放して接着剤注入領域１０Ａに接着剤４４ａが注入され、ステップＳ４７において注入が完了すると終了する。
【００３８】
図１３は、チャンバ内圧力と時間および加熱温度と時間の関係を示すチャンバ内圧力および加熱温度時間関係図である。
チャンバ内圧力は、ステップＳ４２の処理により減圧されて真空状態に維持される。ステップＳ４３の処理によって、回路構成体５０の温度（またはヒータ１６の温度）は、６５℃〜９５℃の範囲になるように制御され、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａに放出されたガスは、真空排気系２０によりチャンバ１０Ａから排出される。
【００３９】
そして、回路構成体５０からのガス放出が十分に行われた時間が経過すると、接着剤注入領域１０Ａへの接着剤の注入が開始される。
図１３では、加熱の開始が、ステップＳ４２の真空引き工程の後工程となっている。しかし、図１４に示されるように、加熱の開始をステップＳ４２の真空引き工程の前工程としてもよい。
また、図１３および図１４では、加熱による回路構成体５０の温度は直線的に上昇するように図示されているが、ＰＩＤ制御とすれば、初期は急峻で、到達温度付近では緩やかな曲線になる。
【００４０】
第２実施形態の場合にも、第１実施形態の場合と同様な効果が得られる。加えて、第１実施形態の変形例と同様、回路構成体５０から放出されるガスのガス排出を加熱のみで行うので、注入装置１０を簡素な構造にすることができる。
【００４１】
（第２実施形態の変形例）
図１８は、第２実施形態の変形例のフローチャートを示す。この変形例は、ガスの排出を、繰り返しパージと加熱の両方で行う方法である。
以下、第２実施形態の変形例の方法を説明する。
ステップＳ５１で、回路構成体５０をチャンバ１０Ａ内に配置する。ステップＳ５２で真空引きが開始される。
【００４２】
ステップＳ５２の処理が開始されて、所定の時間が経過した時点で、ステップＳ５３において、ヒータ１６により回路構成体５０を加熱する。ヒータ１６の加熱温度は、ステップＳ５４において、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａ内にガスを放出するに適した温度範囲となるようにＰＩＤ(Proportional Integral Derivative)制御等により制御される。
【００４３】
ステップＳ５５では、パージが開始される。すなわち、チャンバ１０Ａ内に不活性ガスが導入され、チャンバ１０Ａ内の圧力が上昇する。これにより、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａに放出されたガスは、チャンバ１０Ａの外部に導出される。パージが開始されると、ステップＳ５６において、カウント値ＭがＭ＋１に更新される。
【００４４】
ステップＳ５７では、更新されたカウント値Ｍが所定値ｌ以上か否か判断され、所定値ｌ未満であれば、ステップＳ５２の処理に戻る。そして、ステップＳ５２〜ステップＳ５７の処理が繰り返される。更新されたカウント値Ｍが所定値ｌ以上であれば、ステップＳ５８で回路構成体５０に設けられた注入口５１に接着剤４４ａが接触して、接着剤４４ａの注入が開始され、ステップＳ５９でチャンバ１０Ａを大気に開放し、ステップＳ６０で接着剤４４ａの注入が完了したら終了する。ステップＳ５８〜ステップＳ６０は、第１実施形態におけるステップＳ２１〜ステップＳ２３と同様の処理である。
【００４５】
図１６は、第２実施形態に係り、チャンバ内圧力と時間および加熱温度と時間の関係を示すチャンバ内圧力および加熱温度時間関係図である。
チャンバ１０Ａの減圧とパージが繰り返し行われ、同時にヒータ１６より回路構成体５０の加熱が行われる。この場合、パージ回数の設定値Ｍ＝３とされている。減圧とパージとがそれぞれＭ回行われた後（図１６では３回目以降）は、チャンバ１０Ａ内を真空引きして、接着剤４４ａの注入を開始することができる。つまり、図中、○印以降は、接着剤の注入の開始を任意に設定することができる。
図１６では、加熱開始のタイミングを最初の真空引きの後工程としている。しかし、図１７の如く、加熱開始のタイミングを最初の真空引きの前工程とすることもできる。
【００４６】
（第３実施形態）
図１９に示す第３実施形態は、図１に示す注入装置１００をインライン方式としたものである。注入装置１００は、前処理室１０５、シール塗布室１１０、シール硬化室１２０、排気室１３０、第１注入室１４０、接着剤脱泡室１５０、第２注入室１６０、接着剤段取室１７０、拭取室１８０、接着剤硬化室１８５の各室を備えている。各室の境界は、出入口弁１０１で仕切られている。
【００４７】
前処理室１０５では、回路構成体５０およびホルダ１７をロードする。この室には、図示はしないが、静電除去イオナイザが備えられている。シール塗布室１１０では、回路構成体５０の外周にシール材５２を塗布する。この室には、シール材５２を塗布するためのローラ１１１および、ローラ１１１を回転可能に支持する支持板１１２が設けられている。シール硬化室１２０では、回路構成体５０に塗布された封止材を硬化する。この室には、ヒータ１２１が備えられている。
【００４８】
排気室１３０では、回路構成体５０からガスを排出させ、チャンバ内の排気（パージ）を行う。この室には、回路構成体５０を周囲から加熱するヒータ１３１が備えられている。また、この排気室１３０に対しては、制御弁１３８および導入流量調整弁１３６を有するガス導入系１３５が設置され、また、真空ポンプ１３２およびターボ分子ポンプ１３３が、それぞれ、制御弁１３４、１３６を介して真空引き可能に設置されている。
【００４９】
第１注入室１４０では、接着剤４４ａを回路構成体５０の注入口５１に接触して、接着剤４４ａの注入を開始する。第１注入室１４０には、真空ポンプ１４２が制御弁１４３を介して真空引きするように設けられている。
接着剤脱泡室１５０には、昇降機構１５が設けられ、昇降機構１５の台１１にヒータ１５１が設けられている。また、台１１上には接着剤４４ａが収納された接着剤容器４６が搭載されている。また、接着剤脱泡室１５０には、真空ポンプ１５５が真空引きするように設けられている。真空ポンプ１５５により、制御弁１５６を介して接着剤脱泡室１５０を真空にして、接着剤４４ａ内に含有されているガスを脱泡した後、出入口弁１０１を開いて昇降機構１５により、接着剤容器４６を上昇させて第１注入室１４０内に搬送する。
【００５０】
第２注入室１６０内は大気圧とされており、第１注入室１４０での接着剤注入処理に引き続いて接着剤注入処理を継続し、接着剤４４ａの注入を完了する。接着剤４４ａの注入が完了すると、出入口弁１０１を開き、昇降機構１５を下降して、接着剤４４ａが収容された接着剤容器４６が接着剤段取室１７０に搬送される。
【００５１】
接着剤段取室１７０は、接着剤容器４６に収容された接着剤４４ａの量をセンサで監視し、量が不足すると、接着剤槽４５内に収容された接着剤４４を、図示しないポンプ等により、接着剤容器４６内に補充する。接着剤４４ａの量に限らず、接着剤４４ａの粘度を監視し、溶媒を補充するようにしてもよい。
【００５２】
拭取室１８０は、回路構成体５０にノズル１８１から洗浄液を照射して、回路構成体５０に付着した接着剤を除去する。吸引式による接着剤除去や吸着布ワイプによる物理的除去にすることもできる。また、接着剤硬化室１８５は、回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内に注入された接着剤４４ａを硬化する室であり、ヒータ１８６を備えている。
【００５３】
以下、注入装置１００による、接着剤の注入処理について説明する。
先ず、図５に図示された回路構成体５０が、前処理室１０５にロードされて、ホルダ１７に回転可能に軸支される。静電除去イオナイザを用いて、静電気除去を行った後、出入口弁１０１を開いて、回路構成体５０およびホルダ１７は、シール塗布室１１０に搬送される。
【００５４】
シール塗布室１１０では、図示しない駆動機構により、回路構成体５０を回転させながら、封止材が被着されたローラ１１１を回路構成体５０の外周に接触させて回路構成体５０の外周にシール材５２を塗布する。この場合、図７に図示されるように、シール材５２が注入口５１に転写されないように、回路構成体５０の回転を制御する。
【００５５】
シール材５２が回路構成体５０に形成されると、出入口弁１０１を開いて、回路構成体５０はシール硬化室１２０に搬送される。シール硬化室１２０では、ヒータ１２１により、回路構成体５０に塗布されたシール材５２が硬化される。シール材５２が硬化された回路構成体５０は、出入口弁１０１を開いて排気室１３０に搬送される。
【００５６】
排気室１３０では、真空ポンプ１３２およびターボ分子ポンプ１３３によりチャンバ内が真空にされる。ターボ分子ポンプ１３３を備えているため、排気室１３０の真空引きは、高速に且つ高真空度に達するように行われる。これにより、回路構成体５０から、接着剤注入領域５０Ａ内にガスが放出される。真空引きの後、ガス導入系１３６からチャンバ内に不活性ガスを導入する。この場合、制御弁１３６を開放しておき、回路構成体５０から放出されたガスをチャンバの外部に排出する。制御弁１３６を閉じた状態で制御することも可能である。
減圧およびパージは図８のステップＳ１２〜ステップＳ１７のように複数回繰り返される。但し、回路構成体５０から放出されるガスが少ない場合には、それぞれ、一度ずつ行うようにしてもよい。次に、出入口弁１０１を開放して回路構成体５０が第１注入室１４０に搬送される。搬送時の状況は、真空状態を保った搬送とするが大気圧に戻した状況にて搬送することもできる。
【００５７】
第１注入室１４０内は、制御弁１４３を介して真空ポンプ１４２により減圧されており、この第１注入室１４０では、接着剤４４ａが収納された接着剤容器４６が、昇降機構１５により上昇され、回路構成体５０の注入口５１に接触する。その後、図８のステップＳ２１〜Ｓ２２にて接着剤４４ａが回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内に注入される。ただし、この注入は、回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内の一部に注入された状態で終了する。次に、接着剤注入領域５０Ａ内の一部に注入された回路構成体５０は、接着剤容器４６内の接着剤４４ａに接触した状態で第２注入室１６０に搬送される。
【００５８】
第２注入室１６０のチャンバ内は大気圧に開放されている。このため、第１注入室における接着剤４４ａの注入に引き続いて、回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内への接着剤４４ａの注入が行われ、この接着剤４４ａの注入は、回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内の全体に接着剤４４ａが注入されるまで行われる。すなわち、接着剤４４ａの回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内への注入が完了する。
【００５９】
接着剤の注入が完了すると、出入口弁１０１を開いて、回路構成体５０が拭取室１８０に搬送される。また、第２注入室１６０の接着剤段取室１７０側の出入口弁１０１を開いて、接着剤容器４６が昇降機構１５により下降され、接着剤段取室１７０に移動する。
なお、接着剤注入領域５０Ａへの接着剤４４ａの注入を、第１注入室１４０と第２注入室１６０とにおいて分担して行う実施形態としているが、接着剤注入領域５０Ａへの接着剤４４ａの注入を１つの注入室で行うようにすることもできる。
【００６０】
拭取室１８０に搬送された、回路構成体５０は、ノズル１８１から射出される洗浄液によって接着剤を除去される。除去は、吸引式に夜接着剤除去や吸着ワイプによる物理的除去にすることもできる。そして、出入口弁１０１を開いて、回路構成体５０は、接着剤硬化室１８５に搬送される。接着剤硬化室１８５において、ヒータ１８６により回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内に注入された接着剤が硬化される。
【００６１】
一方、接着剤段取室１７０に移動された接着剤容器４６に収納された接着剤４４ａは、センサにより、その量が測定される。接着剤４４ａの量が十分であれば、接着剤容器４６は接着剤脱泡室１５０に搬送される。接着剤４４ａの量が不足していれば、接着剤槽４５内に収容された接着剤４４が、接着剤容器４６内に補充される。
【００６２】
接着剤脱泡室１５０に搬送された接着剤４４ａは、脱泡される。真空ポンプ１５５により、接着剤脱泡室１５のチャンバ内が真空引きされ、これと共に、台１１に設けられたヒータ１５１により加熱されることにより、接着剤４４ａ内に封入されていた空気などを含むガスが膨張してチャンバ内に放出され、真空ポンプ１５５によって外部に排出される。すなわち、接着剤４４ａの脱泡が行われる。また、接着剤４４ａの粘度制御も行い、注入時間を短縮することも可能である。
脱泡された接着剤４４ａが収納された接着剤容器４６は、出入口弁１０１を開き、昇降機構１５によって上昇されて第１注入室１４０に移動され、排気室１３０から搬送される回路構成体５０の注入口５１に接触する。
接着剤４４ａを収納した接着剤容器４６は、このように、接着剤段取室１７０−接着剤脱泡室１５０−第１注入室１４０−第２注入室１６０を循環する。
【００６３】
第３実施形態の回路構成体の接着剤注入方法においても、第１実施形態と同様に、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａに放出されたガスをチャンバの外部に導出するので、接着剤注入領域５０Ａの圧力が十分に低い状態で接着剤を注入することが可能となり、確実性が向上する。加えて、インライン方式であるので、タクト時間を短くすることができ、生産効率を大幅に向上することができる。
【００６４】
回路構成体５０を構成する回路素子体５３〜５５は、集積回路が形成された半導体ウエハを例としたが、ガラス板、セラミック板等の絶縁性基板上に、薄膜トランジスタ等の回路素子を設けた場合にも適用が可能である。
また、積層回路基板により、多層配線基板を形成する場合にも適用が可能である。
【００６５】
その他、本発明の回路構成体の接着剤注入装置は、発明の趣旨の範囲内において、種々、変形して構成することが可能であり、要は、接着剤注入領域を有する回路構成体および接着剤が収納された接着剤容器を収納するチャンバと、回路構成体から前記接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバの外部に導出する放出ガス排出手段と、チャンバ内を減圧する減圧手段と、回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を行う接着剤注入手段と、放出ガス排出手段によりチャンバ内ガスを排出し、減圧手段によりチャンバ内を減圧した後、回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を開始させる制御手段と、を具備するものであればよい。
【００６６】
また、本発明の回路構成体の接着剤注入装置は、接着剤注入領域を有する回路構成体を収納するチャンバおよび回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバの外部に導出する放出ガス排出手段を有する排気室と、排気室から搬送された回路構成体の接着剤注入領域の少なくとも一部を接着剤に接触させて接着剤を注入する接着剤注入室と、具備するものであればよい。
【００６７】
また、本発明の回路構成体の接着剤注入方法は、チャンバ内に配置された回路構成体の接着剤注入領域内を、チャンバ内と共に減圧した後、接着剤注入領域への接着剤の注入を開始する回路構成体の接着剤注入方法において、チャンバ内を減圧して接着剤の注入を開始する前の工程であって、回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバの外部に導出する放出ガス排出工程を備えているものであればよい。
【００６８】
また、本発明の回路構成体の接着剤注入方法は、回路構成体から接着剤注入領域に放出されたガスを第１のチャンバの外部に導出する工程と、第２のチャンバ内を減圧して回路構成体の接着剤注入領域の少なくとも一部に接着剤を接触する工程および第２のチャンバ内の圧力を上昇して前記回路構成体の接着剤注入領域に接着剤を注入する工程と、を含むものであればよい。
【符号の説明】
【００６９】
１０、１００ 注入装置
１５ 昇降機構
１６ ヒータ
２０ 真空排気系
３０ ガス導入系
４０ 接着剤導入系
４４、４４ａ 接着剤樹脂層
４６ 接着剤容器
５０ 回路構成体
５０Ａ 接着剤注入領域
５１ 注入口
５２ シール材
５３〜５５ 回路素子体
８１ 制御部
１０５ 前処理室
１１０ シール塗布室
１２０ シール硬化室
１３０ 排気室
１４０ 第１注入室
１５０ 接着剤脱泡室
１６０ 第２注入室
１７０ 接着剤段取室
１８０ 拭取室
１８５ 接着剤硬化室
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着剤注入領域を有する回路構成体および接着剤が収納された接着剤容器を収納するチャンバと、
前記回路構成体から前記接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバ内から外部に導出する放出ガス排出手段と、
前記チャンバ内を減圧する減圧手段と、
前記回路構成体の接着剤注入領域への前記接着剤の注入を行う接着剤注入手段と、
前記放出ガス排出手段によりチャンバ内から前記ガスを排出し、前記減圧手段によりチャンバ内を減圧した後、前記回路構成体の接着剤注入領域への前記接着剤の注入を開始させる制御手段と、
を具備することを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。
【請求項２】
請求項１に記載の回路構成体の接着剤注入装置において、前記放出ガス排出手段は、前記チャンバ内に不活性ガスを導入して前記回路構成体から前記接着剤注入領域内に放出されたガスをパージするパージ手段を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。
【請求項３】
請求項１に記載の回路構成体の接着剤注入装置において、前記放出ガス排出手段は、前記回路構成体を加熱する加熱手段および前記加熱手段を、前記回路構成体が前記前記接着剤注入領域内にガスを放出するに適した温度範囲に制御する温度制御手段を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。
【請求項４】
請求項１に記載の回路構成体の接着剤注入装置において、前記放出ガス排出手段は、前記チャンバ内に不活性ガスを導入して前記回路構成体からチャンバ内に放出されたガスをパージするパージ手段と、前記回路構成体を加熱する加熱手段および前記加熱手段を、前記回路構成体が前記接着剤注入領域内にガスを放出するに適した温度範囲に制御する温度制御手段と、を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。
【請求項５】
請求項３または４のいずれか１項に記載の回路構成体の接着剤注入装置において、前記温度制御手段により制御する温度範囲は、６５℃よりも高く、９５℃よりも低く設定されていることを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の回路構成体の接着剤注入装置において、
前記制御手段は、少なくとも、前記減圧手段によるチャンバ内の減圧と、前記放出ガス排出手段によるチャンバ内ガスの排出とのいずれかを複数回実行した後、前記回路構成体の接着剤注入領域への前記接着剤の注入を開始させる手段を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。
【請求項７】
接着剤注入領域を有する回路構成体を収納するチャンバおよび前記回路構成体から前記接着剤注入領域内に放出されたガスを前記チャンバの外部に導出する放出ガス排出手段を有する排気室と、
前記排気室から搬送された前記回路構成体の接着剤注入領域の少なくとも一部を接着剤に接触させて接着剤を注入する接着剤注入室と、
を具備することを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。
【請求項８】
請求項７に記載の回路構成体の接着剤注入装置において、前記接着剤注入室は、
前記回路構成体の接着剤注入領域の少なくとも一部を接着剤に接触させて注入を開始する第１の接着剤注入室と、第１の接着剤注入室における接着剤の注入処理に引き続いて前記接着剤注入領域の未注入領域への接着剤注入を行う第２の接着剤注入室を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。
【請求項９】
請求項７に記載の回路構成体の接着剤注入装置において、さらに、前記接着剤を脱泡し、脱泡後に前記接着剤を前記接着剤注入室に搬送するための接着剤脱泡室を備えていることを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の回路構成体の接着剤注入装置において、さらに、前記接着剤が収納された容器に、接着剤を供給して前記接着剤脱泡室に搬送するための接着剤段取室を備えていることを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。
【請求項１１】
チャンバ内に配置された回路構成体の接着剤注入領域内を、チャンバ内と共に減圧した後、接着剤注入領域への接着剤の注入を開始する回路構成体の接着剤注入方法において、
チャンバ内を減圧して接着剤の注入を開始する前の工程であって、回路構成体から前記接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバの外部に導出する放出ガス排出工程を備えていることを特徴とする回路構成体の接着剤注入方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の回路構成体の接着剤注入方法において、前記放出ガス排出工程は、前記チャンバ内に不活性ガスを導入して前記回路構成体から前記接着剤注入領域内に放出されたガスをパージするパージ工程を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の回路構成体の接着剤注入方法において、前記パージ工程の前の工程であって、前記チャンバ内を減圧する減圧工程を備えていることを特徴とする回路構成体の接着剤注入方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の回路構成体の接着剤注入方法において、前記放出ガス排出工程は、前記回路構成体を前記接着剤注入領域内にガスを放出するに適した温度範囲に加熱する加熱工程を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入方法。
【請求項１５】
回路構成体から接着剤注入領域に放出されたガスを第１のチャンバの外部に導出する工程と、
第２のチャンバ内を減圧して前記回路構成体の接着剤注入領域の少なくとも一部に接着剤を接触する工程および前記第２のチャンバ内の圧力を上昇して前記回路構成体の接着剤注入領域に接着剤を注入する工程と、
を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入方法。
【請求項１】
接着剤注入領域を有する回路構成体および接着剤が収納された接着剤容器を収納するチャンバと、
前記回路構成体から前記接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバ内から外部に導出する放出ガス排出手段と、
前記チャンバ内を減圧する減圧手段と、
前記回路構成体の接着剤注入領域への前記接着剤の注入を行う接着剤注入手段と、
前記放出ガス排出手段によりチャンバ内から前記ガスを排出し、前記減圧手段によりチャンバ内を減圧した後、前記回路構成体の接着剤注入領域への前記接着剤の注入を開始させる制御手段と、
を具備することを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。
【請求項２】
請求項１に記載の回路構成体の接着剤注入装置において、前記放出ガス排出手段は、前記チャンバ内に不活性ガスを導入して前記回路構成体から前記接着剤注入領域内に放出されたガスをパージするパージ手段を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。
【請求項３】
請求項１に記載の回路構成体の接着剤注入装置において、前記放出ガス排出手段は、前記回路構成体を加熱する加熱手段および前記加熱手段を、前記回路構成体が前記前記接着剤注入領域内にガスを放出するに適した温度範囲に制御する温度制御手段を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。
【請求項４】
請求項１に記載の回路構成体の接着剤注入装置において、前記放出ガス排出手段は、前記チャンバ内に不活性ガスを導入して前記回路構成体からチャンバ内に放出されたガスをパージするパージ手段と、前記回路構成体を加熱する加熱手段および前記加熱手段を、前記回路構成体が前記接着剤注入領域内にガスを放出するに適した温度範囲に制御する温度制御手段と、を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。
【請求項５】
請求項３または４のいずれか１項に記載の回路構成体の接着剤注入装置において、前記温度制御手段により制御する温度範囲は、６５℃よりも高く、９５℃よりも低く設定されていることを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の回路構成体の接着剤注入装置において、
前記制御手段は、少なくとも、前記減圧手段によるチャンバ内の減圧と、前記放出ガス排出手段によるチャンバ内ガスの排出とのいずれかを複数回実行した後、前記回路構成体の接着剤注入領域への前記接着剤の注入を開始させる手段を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。
【請求項７】
接着剤注入領域を有する回路構成体を収納するチャンバおよび前記回路構成体から前記接着剤注入領域内に放出されたガスを前記チャンバの外部に導出する放出ガス排出手段を有する排気室と、
前記排気室から搬送された前記回路構成体の接着剤注入領域の少なくとも一部を接着剤に接触させて接着剤を注入する接着剤注入室と、
を具備することを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。
【請求項８】
請求項７に記載の回路構成体の接着剤注入装置において、前記接着剤注入室は、
前記回路構成体の接着剤注入領域の少なくとも一部を接着剤に接触させて注入を開始する第１の接着剤注入室と、第１の接着剤注入室における接着剤の注入処理に引き続いて前記接着剤注入領域の未注入領域への接着剤注入を行う第２の接着剤注入室を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。
【請求項９】
請求項７に記載の回路構成体の接着剤注入装置において、さらに、前記接着剤を脱泡し、脱泡後に前記接着剤を前記接着剤注入室に搬送するための接着剤脱泡室を備えていることを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の回路構成体の接着剤注入装置において、さらに、前記接着剤が収納された容器に、接着剤を供給して前記接着剤脱泡室に搬送するための接着剤段取室を備えていることを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。
【請求項１１】
チャンバ内に配置された回路構成体の接着剤注入領域内を、チャンバ内と共に減圧した後、接着剤注入領域への接着剤の注入を開始する回路構成体の接着剤注入方法において、
チャンバ内を減圧して接着剤の注入を開始する前の工程であって、回路構成体から前記接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバの外部に導出する放出ガス排出工程を備えていることを特徴とする回路構成体の接着剤注入方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の回路構成体の接着剤注入方法において、前記放出ガス排出工程は、前記チャンバ内に不活性ガスを導入して前記回路構成体から前記接着剤注入領域内に放出されたガスをパージするパージ工程を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の回路構成体の接着剤注入方法において、前記パージ工程の前の工程であって、前記チャンバ内を減圧する減圧工程を備えていることを特徴とする回路構成体の接着剤注入方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の回路構成体の接着剤注入方法において、前記放出ガス排出工程は、前記回路構成体を前記接着剤注入領域内にガスを放出するに適した温度範囲に加熱する加熱工程を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入方法。
【請求項１５】
回路構成体から接着剤注入領域に放出されたガスを第１のチャンバの外部に導出する工程と、
第２のチャンバ内を減圧して前記回路構成体の接着剤注入領域の少なくとも一部に接着剤を接触する工程および前記第２のチャンバ内の圧力を上昇して前記回路構成体の接着剤注入領域に接着剤を注入する工程と、
を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２０１２−４３９７９（Ｐ２０１２−４３９７９Ａ）
【公開日】平成２４年３月１日（２０１２．３．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１８３９５７（Ｐ２０１０−１８３９５７）
【出願日】平成２２年８月１９日（２０１０．８．１９）
【出願人】（０００００１９９３）株式会社島津製作所 (3,708)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月１日（２０１２．３．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月１９日（２０１０．８．１９）
【出願人】（０００００１９９３）株式会社島津製作所 (3,708)
【Ｆターム（参考）】
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