半導体パッケージ構造の製造方法
【課題】半田付け工程を行う必要がなく、材料コストを効果的に低減するとともに製造工程の簡素化を図ることができる半導体パッケージ構造の製造方法を提供する。
【解決手段】能動面２０ａを有し、能動面に複数の導電バンプ２００が設けられたチップ２０と、表面にアンダーフィル２１０が設けられた基材２１と、を提供する工程と、チップの能動面をアンダーフィルに結合させることにより各導電バンプをアンダーフィルに埋設させる工程と、基材を除去することによりアンダーフィルを露出させる工程と、チップをアンダーフィルによりパッケージ基板に結合させることでチップを各導電バンプによりパッケージ基板に電気的に接続させる工程と、を備える半導体パッケージ構造の製造方法。アンダーフィルをチップの能動面に結合させた上で、アンダーフィルをパッケージ基板に設けるようにした。
【解決手段】能動面２０ａを有し、能動面に複数の導電バンプ２００が設けられたチップ２０と、表面にアンダーフィル２１０が設けられた基材２１と、を提供する工程と、チップの能動面をアンダーフィルに結合させることにより各導電バンプをアンダーフィルに埋設させる工程と、基材を除去することによりアンダーフィルを露出させる工程と、チップをアンダーフィルによりパッケージ基板に結合させることでチップを各導電バンプによりパッケージ基板に電気的に接続させる工程と、を備える半導体パッケージ構造の製造方法。アンダーフィルをチップの能動面に結合させた上で、アンダーフィルをパッケージ基板に設けるようにした。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体パッケージ構造の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子産業の急速な発展に伴い、電子製品は、軽薄短小、高集積度、多機能化の方向へ発展している。パッケージ構造の高集積度（Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）及び小型化（Ｍｉｎｉａｔｕｒｉｚａｔｉｏｎ）のパッケージ需要を満たすために、パッケージ基板には、ボールグリッドアレイ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ、ＢＧＡ）の構成が導入されているほか、パッケージ形式は、ワイヤボンディング（Ｗｉｒｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ）パッケージからフリップチップ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ、ＦＣ）パッケージへと漸次発展してきている。このようなパッケージにより、ワイヤボンディング用金線のスペース占有を回避することができ、半導体装置全体の体積を効果的に減少させるとともに電気的性能を向上させることができる。
【０００３】
図１Ａないし図１Ｃは、従来のフリップチップ型パッケージ構造の製造方法を説明するための図である。図１Ａに示すように、表面に半田パッド１２０が設けられたパッケージ基板１２を提供する。図１Ｂに示すように、対向する能動面１０ａ及び受動面１０ｂを有し、前記能動面１０ａに複数の導電バンプ１００が設けられたチップ１０を提供し、次いで、半田付け工程を行い、導電バンプ１００を半田バンプ１１により各前記半田パッド１２０に電気的に接続させることでチップ１０をパッケージ基板１２に設ける。図１Ｃに示すように、アンダーフィル（ｕｎｄｅｒｆｉｌｌ）１１０をチップ１０の能動面１０ａとパッケージ基板１２との間に形成させることにより各前記半田バンプ１１を被覆し、これにより、フリップチップ工程が完了する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のフリップチップ型パッケージ構造の製造方法では、まず半田付け工程を行い、次にアンダーフィルの充填を行う必要があるため、半田材料を使用する必要があることから材料コストが増加するのみならず、製造工程の煩雑化にもつながるという問題があった。
【０００５】
従って、上述した従来の製造方法の問題を克服することは、現在解決すべき極めて重要な課題となっている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するために、本発明は、対向する能動面及び受動面を有し、前記能動面に複数の導電バンプが設けられたチップと、表面にアンダーフィルが設けられた基材と、を提供する工程と、前記チップの能動面を前記アンダーフィルに結合させることにより各前記導電バンプを前記アンダーフィルに埋設させる工程と、前記基材を除去することにより前記アンダーフィルを露出させる工程と、前記チップを前記アンダーフィルによりパッケージ基板に結合させることで前記チップを各前記導電バンプにより前記パッケージ基板に電気的に接続させる工程と、を備えることを特徴とする半導体パッケージ構造の製造方法を提供する。
【０００７】
上述した製造方法において、前記基材は剥離により除去されるため、前記基材の剥離を容易にするために、前記基材と前記アンダーフィルとの間の結合力は、前記チップの能動面と前記アンダーフィルとの間の結合力よりも小さいことが好ましい。
【０００８】
また、上述した製造方法において、前記基材と前記アンダーフィルとの間には離型層が設けられ、前記離型層を剥離することにより前記基材を除去するようにしてもよい。
【０００９】
上述した製造方法において、アンダーフィルによりチップの能動面を保護するとともに前記基材により安定した搭載性及び支持性を提供できるようにするため、前記基材を除去する前に、前記チップの受動面を研磨してもよい。
【００１０】
また、前記チップを前記アンダーフィルによりパッケージ基板に結合する工程においては、前記アンダーフィルを熱溶融することにより各前記導電バンプを前記パッケージ基板に電気的に接続させた上で、前記アンダーフィルを硬化させる。当然、さらに封止樹脂を前記パッケージ基板上に形成させることにより前記チップを被覆するようにしてもよい。
【００１１】
上述のように、本発明に係る半導体パッケージ構造の製造方法によれば、アンダーフィルをチップの能動面に結合させた上で、チップをアンダーフィルによりパッケージ基板に設けるようにしたため、従来技術のような半田付け工程を行う必要がなく、材料コストを効果的に低減するとともに製造工程の簡素化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】従来のフリップチップ型基板構造の製造方法の断面図を模式的に示す。
【図１Ｂ】従来のフリップチップ型基板構造の製造方法の断面図を模式的に示す。
【図１Ｃ】従来のフリップチップ型基板構造の製造方法の断面図を模式的に示す。
【図２Ａ】本発明に係る半導体パッケージ構造の製造方法の断面図を模式的に示す。
【図２Ｂ−１】本発明に係る半導体パッケージ構造の製造方法の断面図を模式的に示す。
【図２Ｂ−２】図２Ｂ−１の他の実施形態を示す。
【図２Ｃ】本発明に係る半導体パッケージ構造の製造方法の断面図を模式的に示す。
【図２Ｄ−１】本発明に係る半導体パッケージ構造の製造方法の断面図を模式的に示す。
【図２Ｄ−２】図２Ｄ−１の他の実施形態を示す。
【図２Ｅ】本発明に係る半導体パッケージ構造の製造方法の断面図を模式的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、具体的な実施例を用いて本発明の実施形態を説明する。この技術分野に精通した者は、本明細書の記載内容によって簡単に本発明のその他の利点や効果を理解できる。
【００１４】
ここで注意すべき点は、本明細書の図面に示す構造、比例、サイズ等は、いずれも明細書の記載内容と合わせることでこの技芸に熟知した者が容易に理解できるようにするための例示に過ぎず、本発明の実施可能な限定条件を限定するものではなく、技術上の実質的な意味を有せず、如何なる構造上の修正、比例関係の変更又はサイズの調整も、本発明によって奏する効果及び達成される目的に影響を与えない前提において、本発明の技術内容の範囲内に含まれるものである。
【００１５】
図２Ａないし図２Ｅは、本発明に係る半導体パッケージ構造の製造方法を示す。
図２Ａに示すように、対向する能動面２０ａ及び受動面２０ｂを有し、前記能動面２０ａに複数の導電バンプ２００が設けられたチップ２０を提供する。
【００１６】
図２Ｂ−１に示すように、表面にアンダーフィル２１０が設けられた基材２１を提供し、チップ２０の能動面２０ａをアンダーフィル２１０に結合させることにより各前記導電バンプ２００をアンダーフィル２１０に埋設させる。具体的な実施において、アンダーフィル２１０は、非導電性フィルム（ＮＣＦ、ＮＡＭＩＣＳ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ）であり、研磨工程を行う場合に導電バンプ２００を保護することができる。この実施例において、基材２１とアンダーフィル２１０との間の結合力は、能動面２０ａとアンダーフィル２１０との間の結合力よりも小さい。
【００１７】
図２Ｂ−２に示すように、他の実施形態において、基材２１とアンダーフィル２１０との間には離型層２１１が設けられている。
【００１８】
図２Ｃに示すように、チップ２０の受動面２０ｂを破線Ｌ−Ｌまで研磨することによりチップの厚さを低減させてもよい。
【００１９】
図２Ｄ−１に示すように、基材２１とアンダーフィル２１０との結合力がチップ２０の能動面２０ａとアンダーフィル２１０との結合力よりも小さいため、基材２１を剥離により除去することにより、アンダーフィル２１０を能動面２０ａに付着させることができる。
【００２０】
図２Ｄ−２に示すように、図２Ｂ−２に示す構造で除去工程を行うと、離型層２１１を剥離することにより基材２１を除去することができる。
【００２１】
図２Ｅに示すように、チップ２０をアンダーフィル２１０によりパッケージ基板２２に設け、次いでアンダーフィル２１０を熱溶融することで、各前記導電バンプ２００をパッケージ基板２２に接触させ、それによりパッケージ基板２２の半田パッド２２０に電気的に接続させ、次いでアンダーフィル２１０を硬化させることによりアンダーフィル２１０をパッケージ基板２２に接着させ、これによりチップ２０をパッケージ基板２２に固定させる。当然、さらに封止樹脂２３０をパッケージ基板２２に形成させることによりチップ２０を被覆してもよい。
【００２２】
上述のように、本発明に係る半導体パッケージ構造の製造方法によれば、アンダーフィル２１０をチップ２０の能動面２０ａに結合させた上で、アンダーフィル２１０をパッケージ基板２２上に設けるようにしたため、従来技術のように半田付け工程を行い且つ半田付け後にアンダーフィルを形成する必要がなく、材料コストを効果的に低減するとともに製造工程の簡素化を図ることができる。
【００２３】
上記のように、これらの実施形態は本発明の原理および効果・機能を例示的に説明するに過ぎず、本発明は、これらによって限定されるものではない。本発明は、この技術分野に精通した者により本発明の主旨を逸脱しない範囲で色々な修正や変更をすることが可能であり、そうした修正や変更は本発明の特許請求の範囲に入るものである。
【符号の説明】
【００２４】
１０、２０ チップ
１０ａ、２０ａ 能動面
１０ｂ、２０ｂ 受動面
１００、２００ 導電バンプ
１１ 半田バンプ
１１０、２１０ アンダーフィル
１２、２２ パッケージ基板
１２０、２２０ 半田パッド
２１ 基材
２１１ 離型層
２３０ 封止樹脂
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体パッケージ構造の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子産業の急速な発展に伴い、電子製品は、軽薄短小、高集積度、多機能化の方向へ発展している。パッケージ構造の高集積度（Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）及び小型化（Ｍｉｎｉａｔｕｒｉｚａｔｉｏｎ）のパッケージ需要を満たすために、パッケージ基板には、ボールグリッドアレイ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ、ＢＧＡ）の構成が導入されているほか、パッケージ形式は、ワイヤボンディング（Ｗｉｒｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ）パッケージからフリップチップ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ、ＦＣ）パッケージへと漸次発展してきている。このようなパッケージにより、ワイヤボンディング用金線のスペース占有を回避することができ、半導体装置全体の体積を効果的に減少させるとともに電気的性能を向上させることができる。
【０００３】
図１Ａないし図１Ｃは、従来のフリップチップ型パッケージ構造の製造方法を説明するための図である。図１Ａに示すように、表面に半田パッド１２０が設けられたパッケージ基板１２を提供する。図１Ｂに示すように、対向する能動面１０ａ及び受動面１０ｂを有し、前記能動面１０ａに複数の導電バンプ１００が設けられたチップ１０を提供し、次いで、半田付け工程を行い、導電バンプ１００を半田バンプ１１により各前記半田パッド１２０に電気的に接続させることでチップ１０をパッケージ基板１２に設ける。図１Ｃに示すように、アンダーフィル（ｕｎｄｅｒｆｉｌｌ）１１０をチップ１０の能動面１０ａとパッケージ基板１２との間に形成させることにより各前記半田バンプ１１を被覆し、これにより、フリップチップ工程が完了する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のフリップチップ型パッケージ構造の製造方法では、まず半田付け工程を行い、次にアンダーフィルの充填を行う必要があるため、半田材料を使用する必要があることから材料コストが増加するのみならず、製造工程の煩雑化にもつながるという問題があった。
【０００５】
従って、上述した従来の製造方法の問題を克服することは、現在解決すべき極めて重要な課題となっている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するために、本発明は、対向する能動面及び受動面を有し、前記能動面に複数の導電バンプが設けられたチップと、表面にアンダーフィルが設けられた基材と、を提供する工程と、前記チップの能動面を前記アンダーフィルに結合させることにより各前記導電バンプを前記アンダーフィルに埋設させる工程と、前記基材を除去することにより前記アンダーフィルを露出させる工程と、前記チップを前記アンダーフィルによりパッケージ基板に結合させることで前記チップを各前記導電バンプにより前記パッケージ基板に電気的に接続させる工程と、を備えることを特徴とする半導体パッケージ構造の製造方法を提供する。
【０００７】
上述した製造方法において、前記基材は剥離により除去されるため、前記基材の剥離を容易にするために、前記基材と前記アンダーフィルとの間の結合力は、前記チップの能動面と前記アンダーフィルとの間の結合力よりも小さいことが好ましい。
【０００８】
また、上述した製造方法において、前記基材と前記アンダーフィルとの間には離型層が設けられ、前記離型層を剥離することにより前記基材を除去するようにしてもよい。
【０００９】
上述した製造方法において、アンダーフィルによりチップの能動面を保護するとともに前記基材により安定した搭載性及び支持性を提供できるようにするため、前記基材を除去する前に、前記チップの受動面を研磨してもよい。
【００１０】
また、前記チップを前記アンダーフィルによりパッケージ基板に結合する工程においては、前記アンダーフィルを熱溶融することにより各前記導電バンプを前記パッケージ基板に電気的に接続させた上で、前記アンダーフィルを硬化させる。当然、さらに封止樹脂を前記パッケージ基板上に形成させることにより前記チップを被覆するようにしてもよい。
【００１１】
上述のように、本発明に係る半導体パッケージ構造の製造方法によれば、アンダーフィルをチップの能動面に結合させた上で、チップをアンダーフィルによりパッケージ基板に設けるようにしたため、従来技術のような半田付け工程を行う必要がなく、材料コストを効果的に低減するとともに製造工程の簡素化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】従来のフリップチップ型基板構造の製造方法の断面図を模式的に示す。
【図１Ｂ】従来のフリップチップ型基板構造の製造方法の断面図を模式的に示す。
【図１Ｃ】従来のフリップチップ型基板構造の製造方法の断面図を模式的に示す。
【図２Ａ】本発明に係る半導体パッケージ構造の製造方法の断面図を模式的に示す。
【図２Ｂ−１】本発明に係る半導体パッケージ構造の製造方法の断面図を模式的に示す。
【図２Ｂ−２】図２Ｂ−１の他の実施形態を示す。
【図２Ｃ】本発明に係る半導体パッケージ構造の製造方法の断面図を模式的に示す。
【図２Ｄ−１】本発明に係る半導体パッケージ構造の製造方法の断面図を模式的に示す。
【図２Ｄ−２】図２Ｄ−１の他の実施形態を示す。
【図２Ｅ】本発明に係る半導体パッケージ構造の製造方法の断面図を模式的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、具体的な実施例を用いて本発明の実施形態を説明する。この技術分野に精通した者は、本明細書の記載内容によって簡単に本発明のその他の利点や効果を理解できる。
【００１４】
ここで注意すべき点は、本明細書の図面に示す構造、比例、サイズ等は、いずれも明細書の記載内容と合わせることでこの技芸に熟知した者が容易に理解できるようにするための例示に過ぎず、本発明の実施可能な限定条件を限定するものではなく、技術上の実質的な意味を有せず、如何なる構造上の修正、比例関係の変更又はサイズの調整も、本発明によって奏する効果及び達成される目的に影響を与えない前提において、本発明の技術内容の範囲内に含まれるものである。
【００１５】
図２Ａないし図２Ｅは、本発明に係る半導体パッケージ構造の製造方法を示す。
図２Ａに示すように、対向する能動面２０ａ及び受動面２０ｂを有し、前記能動面２０ａに複数の導電バンプ２００が設けられたチップ２０を提供する。
【００１６】
図２Ｂ−１に示すように、表面にアンダーフィル２１０が設けられた基材２１を提供し、チップ２０の能動面２０ａをアンダーフィル２１０に結合させることにより各前記導電バンプ２００をアンダーフィル２１０に埋設させる。具体的な実施において、アンダーフィル２１０は、非導電性フィルム（ＮＣＦ、ＮＡＭＩＣＳ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ）であり、研磨工程を行う場合に導電バンプ２００を保護することができる。この実施例において、基材２１とアンダーフィル２１０との間の結合力は、能動面２０ａとアンダーフィル２１０との間の結合力よりも小さい。
【００１７】
図２Ｂ−２に示すように、他の実施形態において、基材２１とアンダーフィル２１０との間には離型層２１１が設けられている。
【００１８】
図２Ｃに示すように、チップ２０の受動面２０ｂを破線Ｌ−Ｌまで研磨することによりチップの厚さを低減させてもよい。
【００１９】
図２Ｄ−１に示すように、基材２１とアンダーフィル２１０との結合力がチップ２０の能動面２０ａとアンダーフィル２１０との結合力よりも小さいため、基材２１を剥離により除去することにより、アンダーフィル２１０を能動面２０ａに付着させることができる。
【００２０】
図２Ｄ−２に示すように、図２Ｂ−２に示す構造で除去工程を行うと、離型層２１１を剥離することにより基材２１を除去することができる。
【００２１】
図２Ｅに示すように、チップ２０をアンダーフィル２１０によりパッケージ基板２２に設け、次いでアンダーフィル２１０を熱溶融することで、各前記導電バンプ２００をパッケージ基板２２に接触させ、それによりパッケージ基板２２の半田パッド２２０に電気的に接続させ、次いでアンダーフィル２１０を硬化させることによりアンダーフィル２１０をパッケージ基板２２に接着させ、これによりチップ２０をパッケージ基板２２に固定させる。当然、さらに封止樹脂２３０をパッケージ基板２２に形成させることによりチップ２０を被覆してもよい。
【００２２】
上述のように、本発明に係る半導体パッケージ構造の製造方法によれば、アンダーフィル２１０をチップ２０の能動面２０ａに結合させた上で、アンダーフィル２１０をパッケージ基板２２上に設けるようにしたため、従来技術のように半田付け工程を行い且つ半田付け後にアンダーフィルを形成する必要がなく、材料コストを効果的に低減するとともに製造工程の簡素化を図ることができる。
【００２３】
上記のように、これらの実施形態は本発明の原理および効果・機能を例示的に説明するに過ぎず、本発明は、これらによって限定されるものではない。本発明は、この技術分野に精通した者により本発明の主旨を逸脱しない範囲で色々な修正や変更をすることが可能であり、そうした修正や変更は本発明の特許請求の範囲に入るものである。
【符号の説明】
【００２４】
１０、２０ チップ
１０ａ、２０ａ 能動面
１０ｂ、２０ｂ 受動面
１００、２００ 導電バンプ
１１ 半田バンプ
１１０、２１０ アンダーフィル
１２、２２ パッケージ基板
１２０、２２０ 半田パッド
２１ 基材
２１１ 離型層
２３０ 封止樹脂
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する能動面及び受動面を有し、前記能動面に複数の導電バンプが設けられたチップと、表面にアンダーフィルが設けられた基材と、を提供する工程と、
前記チップの能動面を前記アンダーフィルに結合させることにより各前記導電バンプを前記アンダーフィルに埋設させる工程と、
前記基材を除去することにより前記アンダーフィルを露出させる工程と、
前記チップを前記アンダーフィルによりパッケージ基板に結合させることで前記チップを各前記導電バンプにより前記パッケージ基板に電気的に接続させる工程と、
を備えることを特徴とする半導体パッケージ構造の製造方法。
【請求項２】
前記基材は、剥離により除去されることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ構造の製造方法。
【請求項３】
前記基材と前記アンダーフィルとの間の結合力は、前記チップの能動面と前記アンダーフィルとの間の結合力よりも小さいことを特徴とする請求項２に記載の半導体パッケージ構造の製造方法。
【請求項４】
前記基材と前記アンダーフィルとの間には離型層が設けられ、前記離型層を剥離することにより前記基材を除去することを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ構造の製造方法。
【請求項５】
前記基材を除去する前に前記チップの受動面を研磨する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ構造の製造方法。
【請求項６】
前記チップを前記アンダーフィルによりパッケージ基板に結合する工程においては、前記アンダーフィルを熱溶融することにより各前記導電バンプを前記パッケージ基板に電気的に接続させた上で、前記アンダーフィルを硬化させることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ構造の製造方法。
【請求項７】
前記チップを被覆するように、封止樹脂を前記パッケージ基板に形成させる工程をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ構造の製造方法。
【請求項１】
対向する能動面及び受動面を有し、前記能動面に複数の導電バンプが設けられたチップと、表面にアンダーフィルが設けられた基材と、を提供する工程と、
前記チップの能動面を前記アンダーフィルに結合させることにより各前記導電バンプを前記アンダーフィルに埋設させる工程と、
前記基材を除去することにより前記アンダーフィルを露出させる工程と、
前記チップを前記アンダーフィルによりパッケージ基板に結合させることで前記チップを各前記導電バンプにより前記パッケージ基板に電気的に接続させる工程と、
を備えることを特徴とする半導体パッケージ構造の製造方法。
【請求項２】
前記基材は、剥離により除去されることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ構造の製造方法。
【請求項３】
前記基材と前記アンダーフィルとの間の結合力は、前記チップの能動面と前記アンダーフィルとの間の結合力よりも小さいことを特徴とする請求項２に記載の半導体パッケージ構造の製造方法。
【請求項４】
前記基材と前記アンダーフィルとの間には離型層が設けられ、前記離型層を剥離することにより前記基材を除去することを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ構造の製造方法。
【請求項５】
前記基材を除去する前に前記チップの受動面を研磨する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ構造の製造方法。
【請求項６】
前記チップを前記アンダーフィルによりパッケージ基板に結合する工程においては、前記アンダーフィルを熱溶融することにより各前記導電バンプを前記パッケージ基板に電気的に接続させた上で、前記アンダーフィルを硬化させることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ構造の製造方法。
【請求項７】
前記チップを被覆するように、封止樹脂を前記パッケージ基板に形成させる工程をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ構造の製造方法。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ−１】
【図２Ｂ−２】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ−１】
【図２Ｄ−２】
【図２Ｅ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ−１】
【図２Ｂ−２】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ−１】
【図２Ｄ−２】
【図２Ｅ】
【公開番号】特開２０１２−１７８５６５（Ｐ２０１２−１７８５６５Ａ）
【公開日】平成２４年９月１３日（２０１２．９．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−３８７３９（Ｐ２０１２−３８７３９）
【出願日】平成２４年２月２４日（２０１２．２．２４）
【出願人】（５０１３４３８６８）聯測科技股▼分▲有限公司 (6)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月１３日（２０１２．９．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年２月２４日（２０１２．２．２４）
【出願人】（５０１３４３８６８）聯測科技股▼分▲有限公司 (6)
【Ｆターム（参考）】
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