電子部品およびその製造方法
【課題】電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂の帯電を防止する電子部品の製造方法およびその方法により製造された電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品の製造方法は、実装基板１０上に弾性表面波素子２０を実装する工程と、実装基板１０上に実装された弾性表面波素子２０を覆うように封止樹脂４０を形成する工程と、封止樹脂４０の表面にプラズマ処理を行なう工程とを備える。
【解決手段】電子部品の製造方法は、実装基板１０上に弾性表面波素子２０を実装する工程と、実装基板１０上に実装された弾性表面波素子２０を覆うように封止樹脂４０を形成する工程と、封止樹脂４０の表面にプラズマ処理を行なう工程とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品およびその製造方法に関し、特に、電子部品素子を覆う封止樹脂が形成された電子部品およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話機などの通信機におけるＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）回路に、帯域通過フィルタや分波器として、弾性表面波を利用した弾性表面波装置が搭載されている。近年、通信機器の高機能化、小型化、軽量化が進んでおり、ＲＦ回路に搭載される弾性表面波装置に対しても、小型化、軽量化、薄型化が求められている。このような要望を満足し得る弾性表面波装置として、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型の弾性表面波装置が実用化されている。
【０００３】
ＣＳＰ型の弾性表面波装置は、弾性表面波素子と、実装基板とを備えている。弾性表面波素子は、圧電基板と、少なくとも一つのインターデジタルトランスデューサ電極（以下、「ＩＤＴ電極」という。）と、その少なくとも一つのＩＤＴ電極に接続されている複数の電極パッドとを備えている。少なくとも一つのＩＤＴ電極と、複数の電極パッドとは、圧電基板の上に形成されている。複数の電極パッドのそれぞれの上には、バンプが形成されている。実装基板のダイアタッチ面には、複数の実装電極が形成されている。弾性表面波素子は、複数の電極パッドがそれぞれバンプにより実装電極に接合されることにより、実装基板のダイアタッチ面にフリップチップ実装されている。弾性表面波素子は、実装基板上に形成された封止樹脂により封止されている。このようなＣＳＰ型の弾性表面波装置の一例が、下記の特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１００９４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般に、弾性表面波装置などの電子部品は、エンボスキャリアテープに梱包されて出荷される。図３に、ＣＳＰ型の弾性表面波装置を収納したキャリアテープの断面図を示す。
【０００６】
図３に示すように、エンボスキャリアテープは、長尺状のキャリアテープ本体１００と、カバーテープ２００とを有する。キャリアテープ本体１００は樹脂からなり、複数の凹部１００Ａを有する。凹部１００Ａには、ＣＳＰ型の弾性表面波装置１Ａが収納される。カバーテープ２００は樹脂からなり、ＣＳＰ型の弾性表面波装置１Ａが収納された凹部１００Ａの開口部を封止している。ＣＳＰ型の弾性表面波装置１Ａを収納したエンボスキャリアテープは、リールに巻きつけられる。ＣＳＰ型の弾性表面波装置１Ａを通信機のＲＦ回路に搭載する際には、自動実装機により、カバーテープ２００が剥がされ、キャリアテープ本体１００の凹部１００ＡからＣＳＰ型の弾性表面波装置１Ａが取り出されることになる。
【０００７】
ＣＳＰ型の弾性表面波装置においては、封止樹脂が帯電することがある。たとえば、製品を出荷する際の振動で、封止樹脂がエンボスキャリアテープのカバーテープ２００と接触することによって、封止樹脂が帯電することがある。また、圧電基板を備えている弾性表面波装置では、圧電基板として用いられるＬｉＮｂＯ３基板やＬｉＴａＯ３基板が焦電性を有するため、製造プロセスにおける加熱工程（たとえば２００℃以上程度）において、圧電基板で電荷が発生し、封止樹脂が帯電することがある。封止樹脂が帯電することにより、様々な問題が発生する。
【０００８】
たとえば、封止樹脂が帯電した場合、自動実装機で実装する際にエンボスキャリアテープのカバーテープ２００を剥がすと、図３の右端に示すように、ＣＳＰ型の弾性表面波装置がカバーテープ２００にくっつくことがある。この結果、ＣＳＰ型の弾性表面波装置を実装することができなかったり、実装する位置がずれたりすることがある。このような問題を解決するために、帯電しにくい材料によってエンボスキャリアテープのカバーテープ２００を形成することが考えられる。しかし、封止樹脂の帯電量が多い場合には、上記の問題の発生を完全に防止することはできない。
【０００９】
また、封止樹脂が帯電すると、ＣＳＰ型の弾性表面波装置を出荷する前に行なわれる電気的特性の測定の際に、測定装置や測定治具にＣＳＰ型の弾性表面波装置が付着することがある。この結果、電気的特性の測定を適切に行なうことが出来ないことがある。
【００１０】
上記のような問題は、ＣＳＰ型の弾性表面波装置だけではなく、実装基板と、実装基板の上に実装された電子部品素子と、電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂とを有する樹脂封止型電子部品において一般的に発生している。ただし、ＣＳＰ型の弾性表面波装置は、近年の小型化（大きさの一例としては、たとえば、２．０ｍｍ×１．６ｍｍ×０．５ｍｍ）、軽量化、薄型化により、特にカバーテープ２００にくっつきやすい状態にある。
【００１１】
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂の帯電を防止する電子部品の製造方法およびその方法により製造された電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る電子部品の製造方法は、１つの局面では、実装基板上に電子部品素子を実装する工程と、実装基板上に実装された電子部品素子を覆うように封止樹脂を形成する工程と、封止樹脂の表面にプラズマ処理を行なう工程とを備える。
【００１３】
１つの実施態様では、上記電子部品の製造方法において、プラズマ処理は、ＡｒガスまたはＯ２ガスを使用したプラズマ処理である。
【００１４】
本発明に係る電子部品の製造方法は、他の局面では、実装基板上に電子部品素子を実装する工程と、実装基板上に実装された電子部品素子を覆うように封止樹脂を形成する工程と、封止樹脂の表面に極性基を形成する工程とを備える。
【００１５】
本発明に係る電子部品の製造方法は、さらに他の局面では、実装基板上に電子部品素子を実装する工程と、実装基板上に実装された電子部品素子を覆うように封止樹脂を形成する工程と、封止樹脂の表面における結合状態を変化させることにより封止樹脂の表面に導電膜を形成する工程とを備える。
【００１６】
１つの実施態様では、上記電子部品の製造方法において、電子部品は、圧電基板を備えている弾性表面波装置である。
【００１７】
本発明に係る電子部品は、１つの局面では、実装基板と、実装基板上に実装された電子部品素子と、実装基板上に実装された電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂とを備え、封止樹脂の表面にプラズマ処理が行なわれている。
【００１８】
１つの実施態様では、上記電子部品において、プラズマ処理は、ＡｒガスまたはＯ２ガスを使用したプラズマ処理である。
【００１９】
本発明に係る電子部品は、他の局面では、実装基板と、実装基板上に実装された電子部品素子と、実装基板上に実装された電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂とを備え、封止樹脂の表面に極性基が形成されている。
【００２０】
本発明に係る電子部品は、さらに他の局面では、実装基板と、実装基板上に実装された電子部品素子と、実装基板上に実装された電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂とを備え、封止樹脂の表面に導電膜が形成されている。
【００２１】
１つの実施態様では、上記電子部品において、電子部品は、圧電基板を備えている弾性表面波装置である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、電子部品において、電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂の帯電を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の１つの実施の形態に係る電子部品を示す断面図である。
【図２】本発明の１つの実施の形態に係る電子部品の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図３】従来の電子部品を収納したキャリアテープの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本実施の形態に係る電子部品について、図１に示す弾性表面波装置１を例に挙げて説明する。ただし、弾性表面波装置１は、単なる例示である。本発明に係る電子部品は、弾性表面波装置１に何ら限定されない。
【００２５】
なお、以下に説明する実施の形態において、同一または相当する部分に同一の参照符号を付し、その説明を繰返さない場合がある。また、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。また、以下の実施の形態において、各々の構成要素は、特に記載がある場合を除き、本発明にとって必ずしも必須のものではない。
【００２６】
図１は、本発明の１つの実施の形態に係る弾性表面波装置１を示す断面図である。本実施の形態に係る弾性表面波装置１は、ＣＳＰ型の弾性表面波装置である。
【００２７】
図１に示すように、弾性表面波装置１は、実装基板１０と、実装基板１０のダイアタッチ面１０Ａ上に、バンプ３０を介してフリップチップ実装されている弾性表面波素子２０とを備えている。弾性表面波素子２０は、電子部品素子である。弾性表面波素子２０は、実装基板１０の上に形成されている封止樹脂４０により封止されている。すなわち、封止樹脂４０は、弾性表面波素子２０を覆うように形成されている。封止樹脂４０は、たとえば、エポキシ樹脂などの適宜の樹脂により形成することができる。
【００２８】
なお、弾性表面波素子２０と実装基板１０とが対向している領域、すなわち、弾性表面波が伝搬する領域には、封止樹脂４０が形成されておらず、空間が確保されている。弾性表面波装置１は、たとえば、弾性表面波共振子であってもよいし、弾性表面波フィルタであってもよいし、弾性表面波分波器であってもよい。
【００２９】
弾性表面波素子２０は、圧電基板２１を備えている。圧電基板２１は、適宜の圧電材料からなる基板を用いることができる。具体的には、圧電基板２１としては、たとえば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）基板、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板、水晶基板などを用いることができる。
【００３０】
圧電基板２１の実装基板１０側の表面の上には、少なくとも一つのＩＤＴ電極２２と、複数の電極パッド２３とが形成されている。ＩＤＴ電極２２は、互いに間挿し合っている一対のくし歯状電極を有する。ＩＤＴ電極２２は、たとえば、Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ及びＰｄからなる群から選ばれた金属、または、Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ及びＰｄからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金などにより形成することができる。また、ＩＤＴ電極２２は、上記金属や合金などからなる複数の導電膜の積層体により構成することもできる。
【００３１】
ＩＤＴ電極２２には、複数の電極パッド２３が電気的に接続されている。電極パッド２３も、上記ＩＤＴ電極２２と同様に、たとえば、Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ及びＰｄからなる群から選ばれた金属、または、Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ及びＰｄからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金などにより形成することができる。また、電極パッド２３は、上記金属や合金などからなる複数の導電膜の積層体により構成することもできる。
【００３２】
複数の電極パッド２３のそれぞれの上には、バンプ３０が形成されている。複数の電極パッド２３は、それぞれこのバンプ３０により、後述する実装基板１０のダイアタッチ面１０Ａの上に設けられている実装電極１１と接合されている。すなわち、複数の電極パッド２３は、バンプ３０により、実装基板１０のダイアタッチ面１０Ａの上に設けられている実装電極１１と、電気的にも機械的にも接続されている。このようにして、弾性表面波素子２０は、実装基板１０のダイアタッチ面１０Ａにフリップチップ実装されている。本実施の形態においては、バンプ３０は、Ａｕからなる。バンプ３０は、半田からなるものであってもよい。
【００３３】
実装基板１０は、３つの樹脂層１２（１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ）を積層することによって構成されている。すなわち、実装基板１０は、３つの樹脂層１２（１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ）を備えている樹脂基板である。樹脂層１２（１２Ａ，１２Ｂ．１２Ｃ）は、たとえば、ガラス織布にエポキシ系樹脂が含浸してなるガラスエポキシからなるガラスエポキシ樹脂層により構成することができる。実装基板１０は、アルミナからなるセラミック層を備えているＨＴＣＣ（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板であってもよいし、ガラス・セラミックからなるセラミック層を備えているＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板であってもよい。
【００３４】
実装基板１０のダイアタッチ面１０Ａの上には、複数の実装電極１１が形成されている。実装電極１１の少なくとも表層は、Ａｕからなる。実装電極１１は、Ａｕからなるバンプ３０とＡｕ−Ａｕ接合（金属結合）されている。
【００３５】
実装基板１０におけるダイアタッチ面１０Ａと反対側の表面、すなわち、実装基板１０の裏面１０Ｂの上には、複数の端子電極１３が形成されている。端子電極１３は、弾性表面波装置１が搭載される通信機器のＲＦ回路と接続される電極である。端子電極１３は、適宜の導電材料により形成することができる。
【００３６】
実装基板１０には、配線１４が形成されている。この配線１４により、実装電極１１と端子電極１３とが電気的に接続されている。配線１４は、実装基板１０の実装電極１１が形成されているダイアタッチ面１０Ａと実装基板１０の内部とに形成されている。配線１４は、実装基板１０の樹脂層を貫通するように形成されている複数のビアホール内に形成されているビアホール導体を含む。換言すれば、ビアホール導体は、配線１４の一部を構成している。
【００３７】
配線１４は、実装基板を構成する複数の樹脂層１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃの表面および樹脂層１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃに形成されたビアホール内に形成される。これにより、ダイアタッチ面１０Ａと実装基板１０の内部とに配線１４を形成することができる。
【００３８】
配線１４は、適宜の導電材料により形成することができる。具体的には、配線１４は、たとえば、ＣｕやＷ、ＣｕやＷを含む合金により形成することができる。
【００３９】
封止樹脂４０は、カーボンブラックを含有するエポキシ樹脂からなる。カーボンブラックを含有するエポキシ樹脂は、カーボンブラックにより、一般的なエポキシ樹脂よりも導電率が低く、帯電しにくい。封止樹脂４０が、カーボンブラックを含有するエポキシ樹脂からなることにより、弾性表面波装置１の外観は黒くなる。
【００４０】
次に、本実施の形態に係る弾性表面波装置１の製造方法の一例について、図２を用いて説明する。図２は、本発明の１つの実施の形態に係る弾性表面波装置１の製造方法の各工程を示す断面図である。
【００４１】
まず、図２（ａ）に示すように、弾性表面波素子２０の複数の電極パッド２３のそれぞれの上に、バンプ３０を形成する。バンプ３０の形成方法は、特に限定されない。バンプ３０は、たとえば、スタッドバンプ法により形成することができる。
【００４２】
次に、図２（ｂ）に示すように、弾性表面波素子２０の複数の電極パッド２３のそれぞれの上に形成されたバンプ３０と、実装基板１０の実装電極１１とを接合する接合工程を行なうことにより、弾性表面波素子２０を実装基板１０のダイアタッチ面１０Ａにフリップチップ実装する。接合工程では、弾性表面波素子２０の複数の電極パッド２３のそれぞれの上に形成されたバンプ３０と、実装基板１０の実装電極１１とを接触させた状態で、バンプ３０と実装電極１１とを加熱しながら、実装基板１０と弾性表面波素子２０とが互いに近づく方向に弾性表面波素子２０に荷重を加えると共に、超音波を印加する。
【００４３】
そして、図２（ｃ）に示すように、弾性表面波素子２０を封止樹脂４０により封止する。すなわち、弾性表面波素子２０を覆うように封止樹脂４０を形成する。具体的には、封止樹脂シートを弾性表面波素子２０の上に配置し、真空状態で加熱して熱硬化することにより、封止樹脂４０を形成する。
【００４４】
最後に、図２（ｄ）に示すように、封止樹脂４０の表面に対して、ＡｒプラズマまたはＯ２プラズマでプラズマ処理を行なう。プラズマ処理により、封止樹脂４０の表面における結合状態を変化させる。また、プラズマ処理では、封止樹脂４０の外観が変わらない程度に行なう。具体的には、プラズマ処理装置において、ＡｒガスまたはＯ２ガスの流量を約１５ｓｃｃｍとし、真空引きにより圧力が約８０ｍＴｏｒｒとした状態で、３０Ｗ〜５０Ｗのパワーで１０秒〜６０秒程度のプラズマ処理を行なう。プラズマ処理は、一般的なドライエッチング装置、アッシング装置などのプラズマ処理装置により行なうことが出来る。本実施の形態では、以上のようにして、弾性表面波装置１を完成させる。
【００４５】
本実施の形態に係る弾性表面波装置１は、封止樹脂４０の表面にプラズマ処理が行なわれている。そのため、封止樹脂４０が帯電しにくくなり、弾性表面波装置１がエンボスキャリアテープのカバーテープ、測定装置、測定治具などに付着するといった問題の発生を防ぐことができる。
【００４６】
なお、本実施の形態に係る弾性表面波装置１において、上記のプラズマ処理は、封止樹脂４０の上面４０Ａの全体と、封止樹脂４０の側面４０Ｂ，４０Ｃの一部（図１中のＡ部）とに施されている。このようにすることで、エンボスキャリアテープのカバーテープを剥がすときに、弾性表面波装置１がカバーテープに付着することを確実に防止することができる。また、封止樹脂４０の上面４０Ａの全体と、封止樹脂４０の側面４０Ｂ，４０Ｃの全体にプラズマ処理を施してもよいし、封止樹脂４０の上面４０Ａの全体または封止樹脂４０の上面４０Ａの一部にプラズマ処理を施してもよいことは、言うまでもない。
【００４７】
本実施の形態において、上記のプラズマ処理によって、封止樹脂４０が帯電しにくくなることは、以下のような作用によるものである。
【００４８】
封止樹脂４０の表面（上面４０Ａおよび側面４０Ｂ，４０Ｃ）にプラズマ処理を行なうと、封止樹脂４０の表面における結合状態が変化し、当該表面に極性基が形成される、または、当該表面が親水化する。封止樹脂４０の表面に極性基が形成されると、当該表面は導電性となる。また、封止樹脂４０の表面が親水化すると、当該表面は大気中の水分を吸着しやすくなり、その結果、導電性となる。このように、封止樹脂４０の表面が導電性となることにより、封止樹脂４０が帯電しにくくなる。言い換えれば、封止樹脂４０の表面に、分子レベルの導電膜が形成されることになり、封止樹脂４０が帯電しにくくなる。
【００４９】
本実施の形態に係る弾性表面波装置１は、封止樹脂４０の表面にプラズマ処理が行なわれているが、ＡｒプラズマまたはＯ２プラズマでプラズマ処理を行なうことにより、封止樹脂４０の表面に付着した異物を除去できるという効果もある。これにより、弾性表面波装置１を実装する際に、弾性表面波装置１の吸着が容易に行なうことが出来る。また、弾性表面波装置１の外観検査において、認識エラーの発生を防止することが出来る。
【００５０】
なお、封止樹脂４０の表面にプラズマ処理が行なうと、封止樹脂４０の表面の電気抵抗値は、約１０９Ωとなる。この程度の電気抵抗値であれば、弾性表面波装置１の電気特性に何ら影響しない。
【００５１】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００５２】
１ 弾性表面波装置
１０ 実装基板
１０Ａ ダイアタッチ面
１０Ｂ 裏面
１１ 実装電極
１２，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ 樹脂層
１３ 端子電極
１４ 配線
２０ 弾性表面波素子
２１ 圧電基板
２２ ＩＤＴ電極
２３ 電極パッド
３０ バンプ
４０ 封止樹脂
４０Ａ 上面
４０Ｂ，４０Ｃ 側面
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品およびその製造方法に関し、特に、電子部品素子を覆う封止樹脂が形成された電子部品およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話機などの通信機におけるＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）回路に、帯域通過フィルタや分波器として、弾性表面波を利用した弾性表面波装置が搭載されている。近年、通信機器の高機能化、小型化、軽量化が進んでおり、ＲＦ回路に搭載される弾性表面波装置に対しても、小型化、軽量化、薄型化が求められている。このような要望を満足し得る弾性表面波装置として、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型の弾性表面波装置が実用化されている。
【０００３】
ＣＳＰ型の弾性表面波装置は、弾性表面波素子と、実装基板とを備えている。弾性表面波素子は、圧電基板と、少なくとも一つのインターデジタルトランスデューサ電極（以下、「ＩＤＴ電極」という。）と、その少なくとも一つのＩＤＴ電極に接続されている複数の電極パッドとを備えている。少なくとも一つのＩＤＴ電極と、複数の電極パッドとは、圧電基板の上に形成されている。複数の電極パッドのそれぞれの上には、バンプが形成されている。実装基板のダイアタッチ面には、複数の実装電極が形成されている。弾性表面波素子は、複数の電極パッドがそれぞれバンプにより実装電極に接合されることにより、実装基板のダイアタッチ面にフリップチップ実装されている。弾性表面波素子は、実装基板上に形成された封止樹脂により封止されている。このようなＣＳＰ型の弾性表面波装置の一例が、下記の特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１００９４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般に、弾性表面波装置などの電子部品は、エンボスキャリアテープに梱包されて出荷される。図３に、ＣＳＰ型の弾性表面波装置を収納したキャリアテープの断面図を示す。
【０００６】
図３に示すように、エンボスキャリアテープは、長尺状のキャリアテープ本体１００と、カバーテープ２００とを有する。キャリアテープ本体１００は樹脂からなり、複数の凹部１００Ａを有する。凹部１００Ａには、ＣＳＰ型の弾性表面波装置１Ａが収納される。カバーテープ２００は樹脂からなり、ＣＳＰ型の弾性表面波装置１Ａが収納された凹部１００Ａの開口部を封止している。ＣＳＰ型の弾性表面波装置１Ａを収納したエンボスキャリアテープは、リールに巻きつけられる。ＣＳＰ型の弾性表面波装置１Ａを通信機のＲＦ回路に搭載する際には、自動実装機により、カバーテープ２００が剥がされ、キャリアテープ本体１００の凹部１００ＡからＣＳＰ型の弾性表面波装置１Ａが取り出されることになる。
【０００７】
ＣＳＰ型の弾性表面波装置においては、封止樹脂が帯電することがある。たとえば、製品を出荷する際の振動で、封止樹脂がエンボスキャリアテープのカバーテープ２００と接触することによって、封止樹脂が帯電することがある。また、圧電基板を備えている弾性表面波装置では、圧電基板として用いられるＬｉＮｂＯ３基板やＬｉＴａＯ３基板が焦電性を有するため、製造プロセスにおける加熱工程（たとえば２００℃以上程度）において、圧電基板で電荷が発生し、封止樹脂が帯電することがある。封止樹脂が帯電することにより、様々な問題が発生する。
【０００８】
たとえば、封止樹脂が帯電した場合、自動実装機で実装する際にエンボスキャリアテープのカバーテープ２００を剥がすと、図３の右端に示すように、ＣＳＰ型の弾性表面波装置がカバーテープ２００にくっつくことがある。この結果、ＣＳＰ型の弾性表面波装置を実装することができなかったり、実装する位置がずれたりすることがある。このような問題を解決するために、帯電しにくい材料によってエンボスキャリアテープのカバーテープ２００を形成することが考えられる。しかし、封止樹脂の帯電量が多い場合には、上記の問題の発生を完全に防止することはできない。
【０００９】
また、封止樹脂が帯電すると、ＣＳＰ型の弾性表面波装置を出荷する前に行なわれる電気的特性の測定の際に、測定装置や測定治具にＣＳＰ型の弾性表面波装置が付着することがある。この結果、電気的特性の測定を適切に行なうことが出来ないことがある。
【００１０】
上記のような問題は、ＣＳＰ型の弾性表面波装置だけではなく、実装基板と、実装基板の上に実装された電子部品素子と、電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂とを有する樹脂封止型電子部品において一般的に発生している。ただし、ＣＳＰ型の弾性表面波装置は、近年の小型化（大きさの一例としては、たとえば、２．０ｍｍ×１．６ｍｍ×０．５ｍｍ）、軽量化、薄型化により、特にカバーテープ２００にくっつきやすい状態にある。
【００１１】
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂の帯電を防止する電子部品の製造方法およびその方法により製造された電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る電子部品の製造方法は、１つの局面では、実装基板上に電子部品素子を実装する工程と、実装基板上に実装された電子部品素子を覆うように封止樹脂を形成する工程と、封止樹脂の表面にプラズマ処理を行なう工程とを備える。
【００１３】
１つの実施態様では、上記電子部品の製造方法において、プラズマ処理は、ＡｒガスまたはＯ２ガスを使用したプラズマ処理である。
【００１４】
本発明に係る電子部品の製造方法は、他の局面では、実装基板上に電子部品素子を実装する工程と、実装基板上に実装された電子部品素子を覆うように封止樹脂を形成する工程と、封止樹脂の表面に極性基を形成する工程とを備える。
【００１５】
本発明に係る電子部品の製造方法は、さらに他の局面では、実装基板上に電子部品素子を実装する工程と、実装基板上に実装された電子部品素子を覆うように封止樹脂を形成する工程と、封止樹脂の表面における結合状態を変化させることにより封止樹脂の表面に導電膜を形成する工程とを備える。
【００１６】
１つの実施態様では、上記電子部品の製造方法において、電子部品は、圧電基板を備えている弾性表面波装置である。
【００１７】
本発明に係る電子部品は、１つの局面では、実装基板と、実装基板上に実装された電子部品素子と、実装基板上に実装された電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂とを備え、封止樹脂の表面にプラズマ処理が行なわれている。
【００１８】
１つの実施態様では、上記電子部品において、プラズマ処理は、ＡｒガスまたはＯ２ガスを使用したプラズマ処理である。
【００１９】
本発明に係る電子部品は、他の局面では、実装基板と、実装基板上に実装された電子部品素子と、実装基板上に実装された電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂とを備え、封止樹脂の表面に極性基が形成されている。
【００２０】
本発明に係る電子部品は、さらに他の局面では、実装基板と、実装基板上に実装された電子部品素子と、実装基板上に実装された電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂とを備え、封止樹脂の表面に導電膜が形成されている。
【００２１】
１つの実施態様では、上記電子部品において、電子部品は、圧電基板を備えている弾性表面波装置である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、電子部品において、電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂の帯電を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の１つの実施の形態に係る電子部品を示す断面図である。
【図２】本発明の１つの実施の形態に係る電子部品の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図３】従来の電子部品を収納したキャリアテープの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本実施の形態に係る電子部品について、図１に示す弾性表面波装置１を例に挙げて説明する。ただし、弾性表面波装置１は、単なる例示である。本発明に係る電子部品は、弾性表面波装置１に何ら限定されない。
【００２５】
なお、以下に説明する実施の形態において、同一または相当する部分に同一の参照符号を付し、その説明を繰返さない場合がある。また、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。また、以下の実施の形態において、各々の構成要素は、特に記載がある場合を除き、本発明にとって必ずしも必須のものではない。
【００２６】
図１は、本発明の１つの実施の形態に係る弾性表面波装置１を示す断面図である。本実施の形態に係る弾性表面波装置１は、ＣＳＰ型の弾性表面波装置である。
【００２７】
図１に示すように、弾性表面波装置１は、実装基板１０と、実装基板１０のダイアタッチ面１０Ａ上に、バンプ３０を介してフリップチップ実装されている弾性表面波素子２０とを備えている。弾性表面波素子２０は、電子部品素子である。弾性表面波素子２０は、実装基板１０の上に形成されている封止樹脂４０により封止されている。すなわち、封止樹脂４０は、弾性表面波素子２０を覆うように形成されている。封止樹脂４０は、たとえば、エポキシ樹脂などの適宜の樹脂により形成することができる。
【００２８】
なお、弾性表面波素子２０と実装基板１０とが対向している領域、すなわち、弾性表面波が伝搬する領域には、封止樹脂４０が形成されておらず、空間が確保されている。弾性表面波装置１は、たとえば、弾性表面波共振子であってもよいし、弾性表面波フィルタであってもよいし、弾性表面波分波器であってもよい。
【００２９】
弾性表面波素子２０は、圧電基板２１を備えている。圧電基板２１は、適宜の圧電材料からなる基板を用いることができる。具体的には、圧電基板２１としては、たとえば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）基板、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板、水晶基板などを用いることができる。
【００３０】
圧電基板２１の実装基板１０側の表面の上には、少なくとも一つのＩＤＴ電極２２と、複数の電極パッド２３とが形成されている。ＩＤＴ電極２２は、互いに間挿し合っている一対のくし歯状電極を有する。ＩＤＴ電極２２は、たとえば、Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ及びＰｄからなる群から選ばれた金属、または、Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ及びＰｄからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金などにより形成することができる。また、ＩＤＴ電極２２は、上記金属や合金などからなる複数の導電膜の積層体により構成することもできる。
【００３１】
ＩＤＴ電極２２には、複数の電極パッド２３が電気的に接続されている。電極パッド２３も、上記ＩＤＴ電極２２と同様に、たとえば、Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ及びＰｄからなる群から選ばれた金属、または、Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ及びＰｄからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金などにより形成することができる。また、電極パッド２３は、上記金属や合金などからなる複数の導電膜の積層体により構成することもできる。
【００３２】
複数の電極パッド２３のそれぞれの上には、バンプ３０が形成されている。複数の電極パッド２３は、それぞれこのバンプ３０により、後述する実装基板１０のダイアタッチ面１０Ａの上に設けられている実装電極１１と接合されている。すなわち、複数の電極パッド２３は、バンプ３０により、実装基板１０のダイアタッチ面１０Ａの上に設けられている実装電極１１と、電気的にも機械的にも接続されている。このようにして、弾性表面波素子２０は、実装基板１０のダイアタッチ面１０Ａにフリップチップ実装されている。本実施の形態においては、バンプ３０は、Ａｕからなる。バンプ３０は、半田からなるものであってもよい。
【００３３】
実装基板１０は、３つの樹脂層１２（１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ）を積層することによって構成されている。すなわち、実装基板１０は、３つの樹脂層１２（１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ）を備えている樹脂基板である。樹脂層１２（１２Ａ，１２Ｂ．１２Ｃ）は、たとえば、ガラス織布にエポキシ系樹脂が含浸してなるガラスエポキシからなるガラスエポキシ樹脂層により構成することができる。実装基板１０は、アルミナからなるセラミック層を備えているＨＴＣＣ（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板であってもよいし、ガラス・セラミックからなるセラミック層を備えているＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板であってもよい。
【００３４】
実装基板１０のダイアタッチ面１０Ａの上には、複数の実装電極１１が形成されている。実装電極１１の少なくとも表層は、Ａｕからなる。実装電極１１は、Ａｕからなるバンプ３０とＡｕ−Ａｕ接合（金属結合）されている。
【００３５】
実装基板１０におけるダイアタッチ面１０Ａと反対側の表面、すなわち、実装基板１０の裏面１０Ｂの上には、複数の端子電極１３が形成されている。端子電極１３は、弾性表面波装置１が搭載される通信機器のＲＦ回路と接続される電極である。端子電極１３は、適宜の導電材料により形成することができる。
【００３６】
実装基板１０には、配線１４が形成されている。この配線１４により、実装電極１１と端子電極１３とが電気的に接続されている。配線１４は、実装基板１０の実装電極１１が形成されているダイアタッチ面１０Ａと実装基板１０の内部とに形成されている。配線１４は、実装基板１０の樹脂層を貫通するように形成されている複数のビアホール内に形成されているビアホール導体を含む。換言すれば、ビアホール導体は、配線１４の一部を構成している。
【００３７】
配線１４は、実装基板を構成する複数の樹脂層１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃの表面および樹脂層１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃに形成されたビアホール内に形成される。これにより、ダイアタッチ面１０Ａと実装基板１０の内部とに配線１４を形成することができる。
【００３８】
配線１４は、適宜の導電材料により形成することができる。具体的には、配線１４は、たとえば、ＣｕやＷ、ＣｕやＷを含む合金により形成することができる。
【００３９】
封止樹脂４０は、カーボンブラックを含有するエポキシ樹脂からなる。カーボンブラックを含有するエポキシ樹脂は、カーボンブラックにより、一般的なエポキシ樹脂よりも導電率が低く、帯電しにくい。封止樹脂４０が、カーボンブラックを含有するエポキシ樹脂からなることにより、弾性表面波装置１の外観は黒くなる。
【００４０】
次に、本実施の形態に係る弾性表面波装置１の製造方法の一例について、図２を用いて説明する。図２は、本発明の１つの実施の形態に係る弾性表面波装置１の製造方法の各工程を示す断面図である。
【００４１】
まず、図２（ａ）に示すように、弾性表面波素子２０の複数の電極パッド２３のそれぞれの上に、バンプ３０を形成する。バンプ３０の形成方法は、特に限定されない。バンプ３０は、たとえば、スタッドバンプ法により形成することができる。
【００４２】
次に、図２（ｂ）に示すように、弾性表面波素子２０の複数の電極パッド２３のそれぞれの上に形成されたバンプ３０と、実装基板１０の実装電極１１とを接合する接合工程を行なうことにより、弾性表面波素子２０を実装基板１０のダイアタッチ面１０Ａにフリップチップ実装する。接合工程では、弾性表面波素子２０の複数の電極パッド２３のそれぞれの上に形成されたバンプ３０と、実装基板１０の実装電極１１とを接触させた状態で、バンプ３０と実装電極１１とを加熱しながら、実装基板１０と弾性表面波素子２０とが互いに近づく方向に弾性表面波素子２０に荷重を加えると共に、超音波を印加する。
【００４３】
そして、図２（ｃ）に示すように、弾性表面波素子２０を封止樹脂４０により封止する。すなわち、弾性表面波素子２０を覆うように封止樹脂４０を形成する。具体的には、封止樹脂シートを弾性表面波素子２０の上に配置し、真空状態で加熱して熱硬化することにより、封止樹脂４０を形成する。
【００４４】
最後に、図２（ｄ）に示すように、封止樹脂４０の表面に対して、ＡｒプラズマまたはＯ２プラズマでプラズマ処理を行なう。プラズマ処理により、封止樹脂４０の表面における結合状態を変化させる。また、プラズマ処理では、封止樹脂４０の外観が変わらない程度に行なう。具体的には、プラズマ処理装置において、ＡｒガスまたはＯ２ガスの流量を約１５ｓｃｃｍとし、真空引きにより圧力が約８０ｍＴｏｒｒとした状態で、３０Ｗ〜５０Ｗのパワーで１０秒〜６０秒程度のプラズマ処理を行なう。プラズマ処理は、一般的なドライエッチング装置、アッシング装置などのプラズマ処理装置により行なうことが出来る。本実施の形態では、以上のようにして、弾性表面波装置１を完成させる。
【００４５】
本実施の形態に係る弾性表面波装置１は、封止樹脂４０の表面にプラズマ処理が行なわれている。そのため、封止樹脂４０が帯電しにくくなり、弾性表面波装置１がエンボスキャリアテープのカバーテープ、測定装置、測定治具などに付着するといった問題の発生を防ぐことができる。
【００４６】
なお、本実施の形態に係る弾性表面波装置１において、上記のプラズマ処理は、封止樹脂４０の上面４０Ａの全体と、封止樹脂４０の側面４０Ｂ，４０Ｃの一部（図１中のＡ部）とに施されている。このようにすることで、エンボスキャリアテープのカバーテープを剥がすときに、弾性表面波装置１がカバーテープに付着することを確実に防止することができる。また、封止樹脂４０の上面４０Ａの全体と、封止樹脂４０の側面４０Ｂ，４０Ｃの全体にプラズマ処理を施してもよいし、封止樹脂４０の上面４０Ａの全体または封止樹脂４０の上面４０Ａの一部にプラズマ処理を施してもよいことは、言うまでもない。
【００４７】
本実施の形態において、上記のプラズマ処理によって、封止樹脂４０が帯電しにくくなることは、以下のような作用によるものである。
【００４８】
封止樹脂４０の表面（上面４０Ａおよび側面４０Ｂ，４０Ｃ）にプラズマ処理を行なうと、封止樹脂４０の表面における結合状態が変化し、当該表面に極性基が形成される、または、当該表面が親水化する。封止樹脂４０の表面に極性基が形成されると、当該表面は導電性となる。また、封止樹脂４０の表面が親水化すると、当該表面は大気中の水分を吸着しやすくなり、その結果、導電性となる。このように、封止樹脂４０の表面が導電性となることにより、封止樹脂４０が帯電しにくくなる。言い換えれば、封止樹脂４０の表面に、分子レベルの導電膜が形成されることになり、封止樹脂４０が帯電しにくくなる。
【００４９】
本実施の形態に係る弾性表面波装置１は、封止樹脂４０の表面にプラズマ処理が行なわれているが、ＡｒプラズマまたはＯ２プラズマでプラズマ処理を行なうことにより、封止樹脂４０の表面に付着した異物を除去できるという効果もある。これにより、弾性表面波装置１を実装する際に、弾性表面波装置１の吸着が容易に行なうことが出来る。また、弾性表面波装置１の外観検査において、認識エラーの発生を防止することが出来る。
【００５０】
なお、封止樹脂４０の表面にプラズマ処理が行なうと、封止樹脂４０の表面の電気抵抗値は、約１０９Ωとなる。この程度の電気抵抗値であれば、弾性表面波装置１の電気特性に何ら影響しない。
【００５１】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００５２】
１ 弾性表面波装置
１０ 実装基板
１０Ａ ダイアタッチ面
１０Ｂ 裏面
１１ 実装電極
１２，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ 樹脂層
１３ 端子電極
１４ 配線
２０ 弾性表面波素子
２１ 圧電基板
２２ ＩＤＴ電極
２３ 電極パッド
３０ バンプ
４０ 封止樹脂
４０Ａ 上面
４０Ｂ，４０Ｃ 側面
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板上に電子部品素子を実装する工程と、
前記実装基板上に実装された前記電子部品素子を覆うように封止樹脂を形成する工程と、
前記封止樹脂の表面にプラズマ処理を行なう工程とを備えた、電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記プラズマ処理は、ＡｒガスまたはＯ２ガスを使用したプラズマ処理である、請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
実装基板上に電子部品素子を実装する工程と、
前記実装基板上に実装された前記電子部品素子を覆うように封止樹脂を形成する工程と、
前記封止樹脂の表面に極性基を形成する工程とを備えた、電子部品の製造方法。
【請求項４】
実装基板上に電子部品素子を実装する工程と、
前記実装基板上に実装された前記電子部品素子を覆うように封止樹脂を形成する工程と、
前記封止樹脂の表面における結合状態を変化させることにより前記封止樹脂の表面に導電膜を形成する工程とを備えた、電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記電子部品は、圧電基板を備えている弾性表面波装置である、請求項１から請求項４のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
実装基板と、
前記実装基板上に実装された電子部品素子と、
前記実装基板上に実装された前記電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂とを備え、
前記封止樹脂の表面にプラズマ処理が行なわれた、電子部品。
【請求項７】
前記プラズマ処理は、ＡｒガスまたはＯ２ガスを使用したプラズマ処理である、請求項６に記載の電子部品。
【請求項８】
実装基板と、
前記実装基板上に実装された電子部品素子と、
前記実装基板上に実装された前記電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂とを備え、
前記封止樹脂の表面に極性基が形成された、電子部品。
【請求項９】
実装基板と、
前記実装基板上に実装された電子部品素子と、
前記実装基板上に実装された前記電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂とを備え、
前記封止樹脂の表面に導電膜が形成された、電子部品。
【請求項１０】
前記電子部品は、圧電基板を備えている弾性表面波装置である、請求項６から請求項９のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１】
実装基板上に電子部品素子を実装する工程と、
前記実装基板上に実装された前記電子部品素子を覆うように封止樹脂を形成する工程と、
前記封止樹脂の表面にプラズマ処理を行なう工程とを備えた、電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記プラズマ処理は、ＡｒガスまたはＯ２ガスを使用したプラズマ処理である、請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
実装基板上に電子部品素子を実装する工程と、
前記実装基板上に実装された前記電子部品素子を覆うように封止樹脂を形成する工程と、
前記封止樹脂の表面に極性基を形成する工程とを備えた、電子部品の製造方法。
【請求項４】
実装基板上に電子部品素子を実装する工程と、
前記実装基板上に実装された前記電子部品素子を覆うように封止樹脂を形成する工程と、
前記封止樹脂の表面における結合状態を変化させることにより前記封止樹脂の表面に導電膜を形成する工程とを備えた、電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記電子部品は、圧電基板を備えている弾性表面波装置である、請求項１から請求項４のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
実装基板と、
前記実装基板上に実装された電子部品素子と、
前記実装基板上に実装された前記電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂とを備え、
前記封止樹脂の表面にプラズマ処理が行なわれた、電子部品。
【請求項７】
前記プラズマ処理は、ＡｒガスまたはＯ２ガスを使用したプラズマ処理である、請求項６に記載の電子部品。
【請求項８】
実装基板と、
前記実装基板上に実装された電子部品素子と、
前記実装基板上に実装された前記電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂とを備え、
前記封止樹脂の表面に極性基が形成された、電子部品。
【請求項９】
実装基板と、
前記実装基板上に実装された電子部品素子と、
前記実装基板上に実装された前記電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂とを備え、
前記封止樹脂の表面に導電膜が形成された、電子部品。
【請求項１０】
前記電子部品は、圧電基板を備えている弾性表面波装置である、請求項６から請求項９のいずれかに記載の電子部品。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１２−１８６６３３（Ｐ２０１２−１８６６３３Ａ）
【公開日】平成２４年９月２７日（２０１２．９．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−４８０１１（Ｐ２０１１−４８０１１）
【出願日】平成２３年３月４日（２０１１．３．４）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月２７日（２０１２．９．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月４日（２０１１．３．４）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
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