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Fターム[4M109EE00]の内容

半導体又は固体装置の封緘、被覆構造と材料 (27,768) | 材料層の配列(組合せ) (593)

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【課題】配線基板、半導体チップ及び封止体のそれぞれの熱膨張係数の差に起因する半導体装置の反りを低減する手段を提供する。
【解決手段】配線基板2と、半導体チップ7と、電極パッド8と、ワイヤ9と、封止体10と、を具備してなる半導体装置において、前記封止体10が、前記半導体チップ7の熱膨張係数と近似した熱膨張係数の材料を有する第1絶縁材料層11と、前記配線基板2を構成する絶縁材料基板の熱膨張係数と近似した熱膨張係数の材料を有する第2絶縁材料層12とが積層されてなり、前記第1絶縁材料層11が、前記半導体チップ7の搭載領域を除いた前記配線基板2の一面2a上に積層されるとともに前記半導体チップ7の側面7cと接するように形成され、前記第2絶縁材料層12が、前記半導体チップ7及び前記第1絶縁材料層11の上に積層されていることを特徴とする半導体装置。 (もっと読む)


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