【課題】モールド樹脂で封止された半導体装置において、絶縁耐圧の高い電力制御用の半導体装置を提供する。
【解決手段】電力制御用の半導体装置１は、電極部４０Ａを有する低電圧側の第１電極端子４０と、電極部５０Ａを有する高電圧側の第２電極端子５０と、電極部４０Ａ，５０Ａに接続されているスイッチング素子１０と、スイッチング素子１０をモールド樹脂で封止する封止部８０とを備えている。絶縁シート４３，５３は封止部８０から露出するように電極部４０Ａ，５０Ａの第２面４２，５２に設けられている。絶縁シート４３，５３は第２面４２，５２よりも大きい形状とされている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを内蔵した本体部の外面に、半導体チップに電気接続された複数の外部端子を配すると共に、外面から突出する平板状の絶縁隔壁を互いに隣り合う一対の外部端子間に配した半導体装置において、本体部の汎用性向上及び半導体装置の小型化を図れるようにする。
【解決手段】本体部５と絶縁隔壁７１とを係合手段１０１によって係合させることで、前記絶縁隔壁７１を前記本体部５に固定する構成の半導体装置１を提供する。また、前記絶縁隔壁７１に、その突出方向先端から延出して、一対の外部端子４３の上方を覆うカバー部７２を一体成形した構成の半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】絶縁耐圧性および表面平坦性に優れ、低吸水率であり、オン／オフ比が高く、ヒステリシスが生じにくく、優れた大気安定性を備える樹脂膜を与えることができる樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】環状オレフィン重合体（Ａ）、架橋剤（Ｂ）、およびシリコーンオイル（Ｃ）を含有してなり、前記シリコーンオイル（Ｃ）が、側鎖に、ハロゲン基、脂環式アルキル基、脂肪族アルキル基、アリール基、およびエーテル基からなる群から選ばれる少なくとも１つの官能基を有することを特徴とする樹脂組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】歩留りが高く信頼性の高いパッケージングされた半導体装置を提供する。
【解決手段】電極が形成された半導体チップと、前記電極に対応するリードと、前記電極と前記リードとを接続する金属配線と、前記金属配線と前記電極との接続部分及び前記金属配線と前記リードとの接続部分を覆う第１の樹脂部と、前記金属配線、前記第１の樹脂部及び前記半導体チップを覆う第２の樹脂部と、を有することを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】効果的に部分放電を抑止できる絶縁膜を被覆することで、動作信頼性を向上させるとともに、小型化が可能になるパワーモジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】パワーモジュールは絶縁基板１と、絶縁基板１上に形成された導体パターン２と、導体パターン２と接合部材により接続された半導体チップより構成される。半導体チップ上面には電極５が形成されており、パワーモジュールは電極５と、前記半導体チップ外周端面と、前記半導体チップ外周端面と連続する前記接合部材と、導体パターン２と、絶縁基板１の表面とを被覆し、無機材料からなる絶縁膜６とを備える。 （もっと読む）

【課題】ヒート・シンクに対する低コストの電気的アースを提供する。
【解決手段】電子デバイスが、基板１６５に取り付けられた集積回路（ＩＣ）パッケージおよびＩＣパッケージ１５０に取り付けられたヒート・シンク１５５を含む。電子デバイスはまた、電気伝導性を有し、ヒート・シンクおよびＩＣパッケージに接触し、基板まで延びてヒート・シンクのためのアース接続を提供する膜１６０Ａ、１６０Ｂを含む。電子デバイスを製造する方法は、ＩＣパッケージを基板に接続することと、ヒート・シンクをＩＣパッケージに結合することと、電気伝導性を有し、ヒート・シンクおよびＩＣパッケージに接触し、基板まで延びてヒート・シンクのためのアース接続を提供する膜を堆積させることとを含む。 （もっと読む）

【課題】２枚の半導体チップをフリップチップ接続したＣＯＣ構造の半導体装置を製造するにあたり、半導体チップの反りの発生を抑え、バンプ接続部における接続不良の発生を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体チップ１１の表面に絶縁樹脂の硬化膜１４を形成する工程（ａ）と、絶縁樹脂の硬化膜が形成された第１の半導体チップ上に第２の半導体チップ１２をバンプ１６を介してフリップチップ接続する工程（ｂ）と、を含む半導体装置の製造方法であって、工程（ａ）では、前記絶縁樹脂を（Ａ−５０）℃以上（Ａ＋５０）℃以下の温度（ここで、Ａは前記バンプの凝固点である）で硬化させる半導体装置１０の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高耐熱性と高耐電圧性を達成できると共に半導体素子の被覆部と半導体素子の支持体との密着性を向上でき、高温での使用を可能にできる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ＳｉＣ ｐｎダイオード素子１,２を覆う第１の被覆部１５が、環状シロキサン構造と鎖状シロキサン構造とを有し、分子量が３０００〜１００万である珪素含有重合体を含有し、かつ硬化反応触媒である白金系触媒を配合した第１の珪素含有硬化性組成物で形成されている。また、第２の被覆部１６は第１の被覆部１５の表面１５Ａ全体を被覆すると共に支持体３に接しない珪素含有硬化性組成物で作製されている。第２の被覆部１６は上記第１の珪素含有硬化性組成物に絶縁性セラミックスとして粒径２０μｍのアルミナ微粒子を５０％の体積充填率で配合した第２の珪素含有硬化性組成物で形成されている。 （もっと読む）

少なくとも１個のリード構造と、このリード構造に実装されて導電接続されている１個の半導体素子と、を有する半導体構造、を開示する。リード構造にソルダーレジスト層および封止材が塗布されており、封止材は、半導体素子を覆っており、ソルダーレジスト層の少なくとも一部分の上に延在している。対応する製造方法も開示する。
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【課題】異方性導電接着剤を使用した場合に安定した形状の凹凸をフィレットの部分に形成することができ、また高温高湿の使用環境下においても、配線基板と半導体チップとの電気的が続箇所に水分の侵入するのを防止したフリップチップ実装方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１の周囲のはみ出したアンダーフィル樹脂６の表面に第２の樹脂１６ｂを塗布して凹凸層１６を形成し、その上にモールド樹脂によりモールドを行い、容器を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、厚さ精度、高さ均一性に優れ、かつ、段差埋め込み性に優れた樹脂組成物および該樹脂組成物を用いて作製した平坦性に優れる半導体装置を提供することにある。
【解決手段】（Ａ）環状オレフィンの重合体またはその水素添加物および（Ｂ）オキセタン化合物を含むことを特徴とする樹脂組成物および該該樹脂組成物を用いて作製した半導体装置である。好ましくは、前記オキセタン化合物（Ｂ）が、下記一般式（１）で示される構造を有することを特徴とする樹脂組成物である。
【化１】
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【課題】半導体チップごとの信号の遅延差が小さく、信号のタイミングマージンが大きな半導体装置を提供する。
【解決手段】基板２と、第１の半導体チップ３と、第２の半導体チップ４と、第１の半導体チップ３と基板２とを接続する第１のボンディングワイヤ５と、第２の半導体チップ４と基板２とを接続する第１のボンディングワイヤ５よりも長いワイヤ長を有する第２のボンディングワイヤ６と、第１のボンディングワイヤ５を被覆する第１の封止樹脂７と、第２のボンディングワイヤ６を被覆する第２の封止樹脂８とを備え、第１の封止樹脂７の比誘電率が第２の封止樹脂８の比誘電率よりも大きいことを特徴とする半導体装置１。 （もっと読む）

【課題】良好な絶縁特性を備える半導体装置および、それを簡易かつ安価な方法で製造する製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子を搭載した基板を成形金型内に配置する基板配置工程と、所定温度で発泡を開始する未発泡体を該基板の所定位置に配置する未発泡体配置工程とを備える。さらに該基板配置工程および該未発泡体配置工程の後に、該成形金型内に該所定温度以上の熱可塑性樹脂を注入する熱可塑性樹脂注入工程を備える。また、該熱可塑性樹脂注入工程の後に該熱可塑性樹脂を冷却する冷却工程を備える。そして、該冷却工程で該熱可塑性樹脂が固化するまで又は有意な固化を終えるまでは該発泡体が発泡状態を継続する。 （もっと読む）

【課題】製品寿命を制御し、製品の安全性を高める電子装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板に搭載され、第１と第２の端子を有し所定の寿命で前記第１と第２の端子の間のアクセスが切断される半導体時限スイッチが形成された第１のチップと、前記基板に搭載され、前記第１の端子に接続された第３の端子と外部との入出力端子である第４と第５の端子とを有する演算装置を内蔵する第２のチップと、前記基板に搭載され、前記前記第２の端子に接続される第６の端子を有し、前記演算装置を動作させる為に必要な情報を記録した第１の記憶装置と、少なくとも前記第１のチップの表面を被覆する封止手段とを有し、前記第１のチップは、前記封止手段により封止された部分に、前記所定の寿命を設定するための入力パッドを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造時間を短縮でき、被覆部材形成時のノズル詰まりを防止でき、被覆部材の密着性を改善でき、かつ被覆部材の漏れ出しを防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】封止樹脂体１、２は、リード部３のダミー部３ａの一方端側および半導体素子５ａ、５ｂを内部に封止し、かつダミー部３ａの他方端側が露出するように角部を切欠いた切欠部１ａを有している。被覆部材４は、封止部材１、２から露出したダミー部３ａを被覆している。封止部材１、２は、切欠部１ａ内であって、被覆部材４と側面１２ａ（または１２ｂ、１２ｃ）との間に位置するように形成された凸部１ｂを有している。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂に対する密着性の低下を抑制しつつ、高周波特性の改善を図る手段を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ１１と、ボンディングパッド１８の内側のみ、特に半導体チップ１１の周縁部を残してアクティブ領域を覆うように設けられた、低誘電率材料からなるフィルム１５（第１のフィルム）と、半導体チップ１１およびフィルム１５を覆うように設けられたＰＫＧ成形樹脂１４（封止樹脂）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】電荷発生源からの電荷注入を抑制することで、リーク電流の増大を抑制し、高絶縁信頼性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ベース板４上に配設され上部電極５を有する絶縁基板６と、絶縁基板６上に配設された半導体チップ８と、外部と電気的に接続するための外部端子１と、外部端子１および上部電極５および半導体チップ８間を電気的に接続するワイヤ３とがケース２に収納され、ケース２内に各部品を封止するための封止材１２が充填され、封止材１２の上部を保護する蓋１０を備えた半導体装置において、ワイヤ３の周囲に、封止材１２より低帯電にて成る絶縁性の低帯電材９を配設するものである。 （もっと読む）

【課題】 熱疲労等の従来からの信頼性を損なわずに、マイグレーションに対する信頼性の高い半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 配線基板の一表面上にバンプ電極を介在して半導体チップが塔載され、前記配線基板と前記半導体チップとの間の間隙部に樹脂組成物が充填された半導体装置であって、前記樹脂組成物は熱硬化性樹脂とフィラーとを含有してなるものであり、樹脂組成物中のフィラー体積分率は半導体チップ周辺部の方が半導体チップ中央部よりも大きく、硬化後の樹脂中に界面がない半導体装置であり、配線基板上に半導体チップを接合し、間隙部に樹脂組成物を充填した後、半導体装置を回転させることにより樹脂組成物中のフィラーを偏析させる工程を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】電子モジュールを他の基板へ搭載する際、半田の再溶融によって生じる電子モジュールの電子部品の短絡を抑制すること。
【解決手段】表面２２に電極パッド２１を備えた基板２と、電極パッド２１に半田付けされる電極１１を有する電子部品１と、基板２の表面２２と電子部品１とを封止すると共にフィラーを含有する封止樹脂とを有し、電子部品１が実装された状態において、基板２の表面２２と電子部品１の一対の電極１１が存在しない部分の電子部品１の底面１２との間に空間４が形成され、空間４内へ封止樹脂が流入可能になるように、空間４の高さ寸法を少なくとも封止樹脂のフィラーの最大粒径より大きくした。 （もっと読む）

本発明は、パッケージの製造方法に関する。該製造方法は、基板（１）を準備する工程を含み、基板の表面に１つ若しくは複数の構成要素を配置してあり、さらに基板の前記表面上並びに構成要素上に密閉用の保護層を形成する工程を含み、保護層は次の特性を有し、つまりガス不透過性、液密性、電磁波に対する不透過性、耐熱性、電気絶縁性及び耐処理性を有している。
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