【課題】ＥＭＩシールドされた半導体パッケージ及びＥＭＩシールドされた基板モジュールを提供する。
【解決手段】本発明のＥＭＩ（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）シールドされた半導体パッケージは、半導体パッケージと、その表面の少なくとも一部に形成されたＥＭＩシールド層と、を有し、ＥＭＩシールド層は、マトリックス層と、マトリックス層の上部に配置された金属層と、マトリックス層と金属層との界面に配置された第１シード粒子と、を含む。これにより、半導体パッケージ及び基板モジュールは、従来デバイス単位で行われたシールディング工程を、実装基板のレベルで進められるように拡張可能なため、短時間で高い生産性をもって廉価で製造することができる。 （もっと読む）

【課題】水分の排出経路の確認を容易にしながら、樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じるのを抑制することが可能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】この高周波モジュール１は、ＩＣ２および部品３が搭載された基板４と、ＩＣ２および部品３を封止する絶縁性の樹脂層５と、樹脂層５の表面に設けられた導電性のシールド層６と、を備える。シールド層６には、樹脂層５まで達するとともに１μｍ以上の開口幅Ｗ１を有する開口部６ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】寸法精度良くダイシングすることができるモジュール部品の製造方法、モジュール部品の製造装置及びモジュール部品集合体を提供する。
【解決手段】モジュール部品の製造方法は、回路基板の第一の面に複数の電子部品及び樹脂層が配置されたモジュール部品集合体の加工工程Ｓ０１と、前記モジュール部品集合体を加熱する加熱工程Ｓ０２と、前記加熱された前記モジュール部品集合体をダイシングするダイシング工程Ｓ０６とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子部品を封止する樹脂層の表面にシールド層が設けられる半導体装置の、当該樹脂層からの脱湿性を高める。
【解決手段】半導体装置１００ｃは、基板１１０と、その基板１１０上に実装された電子部品１２０を含む。基板１１０上の電子部品１２０は、樹脂層１３０によって封止され、その樹脂層１３０の上面及び側面に、電磁波をシールドするシールド層１４０が設けられる。樹脂層１３０及びシールド層１４０には、連通する穴１３１，１４１が設けられ、そこにピン１８０が挿入される。加熱によりピン１８０が熱膨張すると隙間２００ができ、樹脂層１３０に含まれる水分は、穴１３１，１４１及び隙間２００を通って外部へと除去される。 （もっと読む）

【課題】電子回路モジュールにおいて、シールド層と接地電極との間の導電性を十分に確保する。
【解決手段】おもて面２１を電子部品３の実装面とした略矩形平面形状の基板２ａの四隅に表裏両端面が略扇状で基板の表裏を連絡する柱状部１０が形成され、基板の周囲側面２６にはハーフカット加工が施され、柱状部は、基板の四隅方向を中心とする円弧状に湾曲する端面形状を有して基板の表裏方向に連続する導電体壁面１１と、当該壁面を覆って略矩形平面形状の基板の外周側面の四隅を縁取るように形成されている導電性の穴埋め樹脂１２とから構成され、導電体壁面は基板の裏面２２側にて接地電極６ａと直接接続し、シールド層５ａは、基板の周囲側面におけるハーフカット加工領域２３を覆って当該基板の四隅にて導電性の穴埋め樹脂と固着していることで、穴埋め樹脂と導電体壁面とを介して接地電極に接続されている電子回路モジュール１ａとしている。 （もっと読む）

【課題】シールド層の厚みを大きくしなくても、低い周波数をシールドできる回路モジュールを提供する。
【解決手段】回路モジュール１００は、内部導電層２ａ、２ｂが形成された、直方体からなる基板１と、基板１の主面に実装された電子部品７と、電子部品７を被覆した状態で、基板の主面に形成された絶縁層８と、絶縁層８の表面に形成されたシールド層９を備え、内部導電層２ａ、２ｂは、それぞれ、シールド層９と直接接続されるようにした。 （もっと読む）

【課題】外装シールドを確実に接地するとともに、ダイシングブレード、外装シールドにかかる負担を抑えて半導体モジュールを製造する。
【解決手段】モジュール基板１と、モジュール基板１の上面に実装された複数個の電子部品２と、これらの電子部品２を含むモジュール基板１の上面を封止する封止樹脂層３と、封止樹脂層３の上面を覆う外装シールド４と、外装シールド４と一体に形成された接続部５とを備えている半導体モジュールＡ。 （もっと読む）

【課題】より優れる側面電磁遮蔽効果を有する半導体パッケージ及びその実装方法を提供する。
【解決手段】半導体実装方法により、基板ユニット２１３を有するマザー基板を提供し、基板ユニット２１３の角隅に接地連結の位置合わせマーク２１５を設置する。基板ユニット２１３の上にチップ２２０を設置する。マザー基板の上表面２１１に封止体２３０を形成して基板ユニット２１３と分割ラインとを連続被覆する。マザー基板の下表面２１２に分割ラインに沿って少なくともマザー基板を貫通する複数の半切断溝２４０を形成する。位置合わせマーク２１５を被覆連結するようにマザー基板の下表面２１２と半切断溝群２４０とに第一電磁遮蔽層２５１をパターン化形成する。封止体２３０を個片化分割した後、封止体２３０の頂面２３１と分割側面２３２とに第一電磁遮蔽層２５１と連結する第二電磁遮蔽層２５２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 電磁波を遮断することができる半導体素子、半導体パッケージ、及び電子装置を提供する。
【解決手段】 電子装置は、回路基板１００ｅ上の第１半導体パッケージＰＫＧＡ５を含む。前記回路基板１００ｅ上に、前記第１半導体パッケージＰＫＧＡ５と離隔された第２半導体パッケージＰＫＧＢ５が提供される。前記第１半導体パッケージＰＫＧＡ５の上部面及び側面上に絶縁性電磁波遮蔽構造体ＥＳＳ５が提供される。前記回路基板１００ｅ上に前記第１及び第２半導体パッケージＰＫＧＡ５、ＰＫＧＢ５、及び前記絶縁性電磁波遮蔽構造体ＥＳＳ５を覆う導電性電磁波遮蔽構造体ＣＳ５が提供される。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造工程を用い樹脂内にシールドのための導電体を設ける半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に半導体素子２０を搭載する工程と、基板１０上に孔を備える導電体４０を含む樹脂シート５０を貼り付けることにより、導電体４０が半導体素子２０を囲むように、半導体素子２０を樹脂５５を用い封止する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電磁シールド機能を備えていて、小型・薄型化と低コスト化とを共に実現することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】一つ以上の半導体装置用回路が面付けされた回路基板１に対して一つ以上の電子部品２を実装する。さらに、回路基板１に形成されたグランド接続用のランド上において、電子部品２を囲むようにして側壁シールド金属部品（金属部品）４を実装する。その後、電子部品２の上面を覆い、かつ側壁シールド金属部品４の上端の一部が電気接点として露出されるように、封止樹脂（絶縁性樹脂）３で封止する。そして、封止樹脂３の上部を覆い、かつ側壁シールド金属部品４の電気接点と接続されるようにシールド層（導電層）５を形成する。その後、側壁シールド金属部品４を両端に残して回路基板１を切断することにより、個片化された電磁シールド機能付き半導体装置７ａが製造される。 （もっと読む）

【課題】 シールド構造を具備したモジュール部品において、金属箔からなるシールド層へのクラックの発生を防止でき、更なる薄型化を低コストに実現できるモジュール部品及びモジュール部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 モジュール部品１０及びモジュール部品１０の製造方法は、回路基板１１の第１の面に複数の電子部品１２と主要電子部品１３とが配置され、主要電子部品１３の接続部を保護する補強樹脂と、電子部品１２の表面および回路基板１１の第１の面を皮膜する絶縁性樹脂層１４と、絶縁性樹脂層１４を覆い回路基板１１のグランドパターン１６に接続された導電性樹脂層１５と、を具備し、補強樹脂と絶縁性樹脂層１４とが同一樹脂にて一連して形成され、且つ絶縁性樹脂層１４の上面が主要電子部品１３の上面よりも低いか同じである。 （もっと読む）

【課題】半導体部品を実装する基板自体の反りを低減させると共に、効果的にシールド機能を実現させることができる安価なモジュール部品を提供する。
【解決手段】本発明に係るモジュール部品１００は、ランド・配線パターン３が形成された基板２に半導体部品１が実装され、基板２の表面に半導体部品１を被覆して設けられた樹脂５と、樹脂５の表面に積層された金属プレート７と、基板２のランド・配線パターン３と金属プレート７とを電気的に接続する導電性ペースト８と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】小型薄型化が容易で安価に製造可能なアンテナ一体型の通信モジュールを提供する。
【解決手段】略直方体形状の通信モジュール１は、面実装される回路基板２と、回路基板２上に搭載された電子部品３を封止する樹脂封止材４と、樹脂封止材４の外表面に被着させた導電層１２からなる放射導体（放射素子）５やシールド導体８、給電ライン７等を備えている。放射導体５と給電ライン７の水平部７ａは樹脂封止材４の天面４ａに印刷形成されているが、給電ライン７の垂直部７ｂは、樹脂封止材４および回路基板２の側面に存する導電層１２にトリミング加工で切除部１３を設けることによって形成されている。この垂直部７ｂは、回路基板２の該側面に露出せしめた給電用電極６を覆い隠す位置まで延びて該電極６に接続されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁樹脂の表面がシールド層で被覆された電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際に、リフロー工程において前記電子回路モジュール部品に発生する不具合を低減すること。
【解決手段】電子回路モジュール部品１は、電子部品２と、電子部品２が実装された基板３と、空隙を有し、電子部品２の少なくとも一部と接する第１樹脂４と、第１樹脂４を覆い、かつ第１樹脂４よりも空隙率の低い第２樹脂９と、少なくとも第２樹脂９を被覆し、かつ基板３のグランド８と電気的に接続された金属層５と、金属層５に設けられ、かつ少なくとも第１樹脂４の一部を金属層５の外部に露出させる開口部５Ｈと、電子部品２の側面２Ｓと接する第１樹脂４と、電子部品２の側面２Ｓと対向する位置に設けられる金属層５との間に、第２樹脂９を介在させた封止部１０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電磁ノイズを外部に放射しない点より信頼性の高い半導体装置を提供することである。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、絶縁基材と、絶縁基材の上面側に設けられた第１配線層を構成する複数の配線と、絶縁基材の下面側に設けられた第２配線層を構成する複数の配線と、絶縁基材の上面から下面にまで貫通する複数のビアと、を有する回路基板と、回路基板の上面側に搭載された半導体素子と、半導体素子および導電部材を封止し、回路基板の上面に設けられた封止樹脂層と、封止樹脂層と、回路基板の端部の一部と、を覆う導電性シールド層と、を備える。複数のビアのいずれかと、導電性シールド層と、は、電気的に接続され、第２配線層を構成する複数の配線のいずれかは、グランド電位になることが可能であり、グランド電位になることが可能な第２配線層のそれぞれは、複数のビアのいずれかに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】配線の設計自由度を向上させた半導体装置を提供することである。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、絶縁基材と、前記絶縁基材の上面側に設けられた第１配線層を構成する複数の配線と、前記絶縁基材の下面側に設けられた第２配線層を構成する複数の配線と、前記絶縁基材の前記上面から前記下面にまで貫通する複数のビアと、を有する回路基板と、前記回路基板の前記上面側に搭載された半導体素子と、前記半導体素子を封止し、前記回路基板の前記上面に設けられた封止樹脂層と、を備える。さらに、半導体装置は、前記封止樹脂層の上面と、前記封止樹脂層の側面の一部と、を覆う導電性シールド層と、前記封止樹脂層の前記側面の一部を覆う前記導電性シールド層と、前記第１配線層を構成する複数の配線の少なくとも１つと、を電気的に接続する導電部材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、より多くの電子部品を実装することが可能な電子部品モジュール、電子部品モジュールの製造方法、多機能カードを提供する。
【解決手段】本発明は、ベース基板１、該ベース基板１の少なくとも一面に実装した複数の電子部品２、３を備える電子部品モジュール１０である。電子部品モジュール１０は、複数の電子部品２、３を実装したベース基板１の一面に接合され、複数の電子部品２、３の周囲を囲む金属枠４、複数の電子部品２、３及び金属枠４を被覆し、金属枠４の一部が露出している封止樹脂５、複数の電子部品２、３を内側に囲んである金属枠４で囲まれた領域の少なくとも一部を覆うように形成し、封止樹脂５から露出した金属枠４の一部と接合するシールド層６、及びシールド層６を被覆する絶縁層７を備える。 （もっと読む）

【課題】導電性シールド層とグランド配線との接続面積をより増加させて、より信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、絶縁基材１１と、絶縁基材の第１の主面側に設けられた複数の第１配線層と、絶縁基材の第２の主面側に設けられた複数の第２配線層と、絶縁基材の第１の主面から下面にまで貫通する複数のビア１４と、を有する回路基板１０と、回路基板において、絶縁基材の第１の主面側に搭載された半導体素子２０と、半導体素子を封止する封止樹脂層３０と、封止樹脂層を覆う導電性シールド層４０と、を備える。複数の第１配線層のいずれかは、回路基板の端部側において露出し、導電性シールド層は、半導体素子の側に向かい封止樹脂層内に延在するようにして、回路基板の端部側において露出する第１配線層に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】より信頼性の高い半導体装置を製造する製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、絶縁基材と、複数の第１配線層と、複数の第２配線層と、複数のビアと、を有する回路基板が連続して設けられた基板を準備し、複数の回路基板のそれぞれに半導体素子を搭載し、半導体素子および複数の第１配線層を封止する封止樹脂層を、基板の上面側に形成し、基板の下面側を下地に接触させ、封止樹脂層および回路基板のそれぞれを個片化するとともに、個片化された回路基板のそれぞれの間の下地に溝を形成し、それぞれの封止樹脂層の上面を、導電性シールド層により被覆するとともに、それぞれの封止樹脂層の側面、およびそれぞれの回路基板の側面の少なくとも一部を導電性シールド層により被覆する。個片化された回路基板のそれぞれの間において、導電性シールド層を封止樹脂層から溝に向かう方向に挿入する。 （もっと読む）