【課題】低コストで、高い耐湿性及び放熱性を確保することが可能な弾性波デバイス、及び多層基板を提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板１０と、圧電基板１０上に設けられた、弾性波を励振するＩＤＴ２２と、金属からなり圧電基板１０上にＩＤＴ２２を囲むように設けられたシールリング１２及び周縁部１５と、ＩＤＴ２２、シールリング１２及び周縁部１５の上に設けられ、ＩＤＴ２２上に空隙２４が形成されるようにＩＤＴ２２を封止する板部１３と、圧電基板１０上であってシールリング１２及び周縁部１５の外側に設けられ、ＩＤＴ２２と電気的に接続された端子１６と、を具備する弾性波デバイス、及び弾性波デバイスを内蔵する多層基板である。 （もっと読む）

【課題】電極端子の剥離を抑制するとともに、アイソレーション特性の悪化を抑制することが可能な高周波電子部品を提供する。
【解決手段】高周波電子部品は、基板２００と、基板２００に搭載される弾性表面波素子１００と、基板２００の裏面上に互いに離間して形成され、少なくとも１つが弾性表面波素子１００と電気的に接続される複数の電極端子を含む電極層３３０と、端子面上に形成された保護層４００とを備える。保護層４００は、基板２００の裏面の中央領域を露出させ、かつ、電極層３３０における複数の電極端子の周縁部を覆うように基板２００の裏面の周縁領域に形成される。 （もっと読む）

【課題】 弾性波フィルタを含むチップが積層体に搭載され、樹脂により封止された弾性波デバイスにおいて、放熱性の改善を図ること。
【解決手段】 複数の層４０ａ〜４０ｃの主面が提供する配線形成のための複数の面１０１〜１０４を有する積層体と、積層体の表面である１０１面に実装されたチップ３０と、チップ３０を封止する樹脂部６０と、１０２面に形成され、弾性波フィルタを構成する共振器の少なくとも１つと電気的に接続されたインダクタの配線パターンＬ２と、１０２面に配線パターンＬ２の少なくとも一部（領域７０）に沿って形成されたグランドパターンＧＮＤと、１０１面及び１０２面と異なる１０４面に形成され、配線パターンＬ２及びグランドパターンＧＮＤと電気的に接続された外部端子４２と、を備えることを特徴とする弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】好適に空間を封止することが可能な電子部品の実装構造体を提供する。
【解決手段】実装構造体１は、支持部材５と、該支持部材５上にバンプ８を介して実装された複数の圧電素子７と、複数の圧電素子７を共に覆い、複数の圧電素子７と支持部材５との間の空間Ｓを密閉する封止樹脂（樹脂部９）とを有する。複数の圧電素子７は、隣り合う圧電素子７の下面１９ａ間の距離ｄ１が下面１９ａよりも上方側の所定位置間（例えば上面１９ｂ間）の距離ｄ２よりも大きい。そして、樹脂部９は、隣り合う圧電素子７間の間隙Ｗの少なくとも上方側の一部に充填された介在部９ｅを有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層に設けた貫通孔にメッキ膜を形成することにより形成される配線を強固なものにするとともに、貫通孔よりも上部に形成されるメッキ層の厚みを均一にする。
【解決手段】電子部品は、圧電基板１の上面に形成されたＩＤＴ電極２およびパッド電極３と、パッド電極３に達する貫通孔を有する支持層４および第１のカバー層５と、パッド電極３に接続されるビア電極６と、ビア電極６の上部と接続されるように第１のカバー層５上に形成され、ビア電極６の上部内側に位置するように穴部を有する配線下地層７と、ビア電極６と一体に配線下地層７上に形成された配線層８と、配線層８を被覆する第２のカバー層９と、第２のカバー層９を貫通して配線層と接続されたアンダーバンプメタル１０と、アンダーバンプメタル１０上に設けられたバンプ１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】 入力端子または出力端子を共通化しても挿入損失の劣化が生じ難い弾性波フィルタを提供する。
【解決手段】 圧電基板１０１と、圧電基板１０１の主面上に配置された、圧電基板１０１の主面を伝搬するＳＡＷの伝搬方向と直交する方向に伸びた電極指２２を複数本有しているＩＤＴ電極１１を複数個有し、これら複数個のＩＤＴ電極１１が伝搬方向に沿って配列されている縦結合共振子型の第１ＳＡＷフィルタ部５と、前記伝搬方向に沿って伸びている対向部７ａを有し、ＳＡＷフィルタ部５に電気的に接続された基準電位配線７と、対向部７ａに並んで配置された、前記伝搬方向に沿って伸びているＬＣ形成部４ａを有し、一端がＳＡＷフィルタ部５に接続されている入力信号配線４とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷデバイスおよびＢＡＷデバイスの電気的性能を向上させる。
【解決手段】開示された実施形態は、シャープな部分を含む筐体によって形成されたキャビティ内に配置された電子デバイスを有するパッケージを含む。該パッケージは、該筐体上に塗布された感光層を含み、該シャープな部分に隣接するスムーズな部分を設けてもよい。該パッケージの製造方法も開示される。他の実施形態も記載され特許請求され得る。 （もっと読む）

【課題】突起電極の高さとシールリングの高さとを同程度にできると共に、製造工数の削減と品質の向上とを実現すること。
【解決手段】本発明は、基板１０上に複数の弾性表面波素子１４を形成する工程と、基板１０上に、複数の弾性表面波素子１４それぞれにそれぞれ電気的に接続する複数の突起電極４４と、複数の弾性表面波素子１４のうちの一部の弾性表面波素子１４とこの一部の弾性表面波素子１４に電気的に接続する複数の突起電極４４のうちの一部の突起電極４４とを１組としてそれぞれ囲む複数のシールリング４６と、を電解めっき法によって同時に形成する工程と、複数の弾性表面波素子１４の個片化と同時に電解めっき法で用いためっき用給電線を切断することで、個片化された弾性表面波素子１４に電気的に接続する突起電極４４と個片化された弾性表面波素子１４を囲むシールリング４６とを電気的に分離する工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、極めて小型で容易に製造することのできる弾性表面波装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の弾性表面波装置１１は、圧電基板１２と、この圧電基板の表面に設けられた複数の櫛形電極１３と、前記複数の櫛形電極に接続された配線１４と、前記圧電基板の上に設けられ、かつ空間１５を介して前記櫛形電極を覆う素子カバー１６と、前記配線の上から前記素子カバーの側面を経由して前記素子カバーの上面に至る第１の接続電極１７と、前記圧電基板と前記素子カバーと前記第１の接続電極とを覆う封止樹脂１９と、この封止樹脂の表面に設けられた外部端子２０と、前記封止樹脂を貫通して前記第１の接続電極と前記外部端子とを接続する第２の接続電極１８とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】支持部材の上面における省スペース化を図ることが可能な圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイス１は、ベース基板５と、ベース基板５上に実装され、下面（機能面１９ａ）に機能部７ａを有する圧電素子７と、ベース基板５及び圧電素子７間に、機能部７ａを囲むように位置してベース基板５及び圧電素子７を接続する複数のバンプ９と、複数のバンプ９の少なくとも一部（本実施形態では全部）についてバンプ９同士を結びつつ機能部７ａを囲むようにベース基板５の上面１１ａと圧電素子７の下面との間に設けられる壁部１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電子部品の厚みの増大や損傷が生じ難く、識別手段の脱落も生じ難く、さらに電気的特性の変動ももたらし難い、識別機能を備えた電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】対向し合う第１及び第２の主面を有する基板２の第２の主面に回路素子が構成されており、基板２の第２の主面に保護層６が積層されており、保護層６の側面に識別用段差１６，１７が形成されている、電子部品１。 （もっと読む）

【課題】好適に実装・個片化を行うことができる圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電デバイス１の製造方法は、複数のベース基板５が含まれる母基板３１及び複数の圧電素子７が含まれる母基板３３を準備する工程（図３（ａ））と、複数の圧電素子７が複数のベース基板５にそれぞれフェースダウン実装されるように、母基板３１及び３３を対向させ、その対向面間に介在するバンプ２７により母基板３１及び３３を互いに接続する工程（図３（ｂ））と、接続された母基板３１及び３３をカットして、ベース基板５及び圧電素子７を含む複数の第１個片８を形成する工程（図３（ｄ））と、を含む。 （もっと読む）

【課題】保護カバーの変形に起因した電気特性の劣化を抑制することができる信頼性に優れた弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波装置は、弾性波を伝搬させる圧電基板１と、圧電基板１の主面上に配置されたＩＤＴ電極２と、ＩＤＴ電極２が収容される中空の収容空間８を有し、圧電基板１の主面上に配置される保護カバー１７と、ＩＤＴ電極２と電気的に接続された、保護カバー１７を貫通する柱状の２つ以上の外部接続用電極１０と、保護カバー１７上に配置された導体層１８とを備える。導体層１８は少なくとも２つの外部接続用電極１０に接続されているとともに、平面透視したときに導体層１８に接続された２つの外部接続用電極１０の中心間を結ぶ直線が収容空間８の中心を通る。 （もっと読む）

【課題】特性を安定させることができる、保護膜を備えた弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波装置１１は、（ａ）基板１２にＩＤＴ電極２１が形成された弾性波素子と、（ｂ）弾性波素子を覆うように形成される保護膜１５とを備える。弾性波素子は、ＩＤＴ電極２１を含む基板１２上に形成されたＳｉＯ_２膜１３をさらに備え、保護膜１５がＳｉＯ_２膜１３の上から形成されている。保護膜１５に、ＩＤＴ電極２１により励起される弾性波のエネルギーが分布している。保護膜１５は、珪素と窒素を主成分とする窒化シリコン（ＳｉＮ_Ｘ）膜であり、珪素と窒素との組成比を１：Ｘで表すとき、Ｘが０．２を超え、１．００未満である。 （もっと読む）

【課題】加熱時に、装置内部における接続に破損が発生することを抑制できる回路モジュール及び複合回路モジュールを提供することである。
【解決手段】ＳＡＷフィルタ３２ｂは、圧電基板１７と、圧電基板１７の主面上に設けられている縦結合部と、縦結合部上に空隙Ｓｐを形成した状態で圧電基板１７の主面を覆う支持層１８及びカバー層２０，２２と、カバー層２２上に設けられ、かつ、縦結合部と電気的に接続されているバンプ２４ａ〜２４ｆと、を含んでいる。実装基板は、マザー基板上に実装され、バンプ２４ａ〜２４ｆを介してＳＡＷフィルタ３２ｂが実装される。 （もっと読む）

【課題】周波数の調整を安定して行なうことが可能な弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波装置は、主面を有する圧電基板１００と、圧電基板１００の主面上に形成され、所定の周波数で圧電基板１００を励振させるＩＤＴ電極２００と、圧電基板１００に所定の応力を生じさせて所定の周波数を変化させる加圧部６００とを備える。 （もっと読む）

【課題】好適にスプリアスを抑制できる弾性波素子を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ素子１は、基板３と、基板３の上面３ａに位置するＩＤＴ電極５とを有する。ＩＤＴ電極５は、互いに対向する第１バスバー２１Ａおよび第２バスバー２１Ｂと、第１バスバー２１Ａから第２バスバー２１Ｂ側へ延びる複数の第１電極指２３Ａと、第２バスバー２１Ｂから第１バスバー２１Ａ側へ延び、複数の第１電極指２３Ａと交差する複数の第２電極指２３Ｂとを有する。互いに隣接する第１電極指２３Ａと第２電極指２３Ｂとの交差幅に関して、全ての交差幅の中での最大交差幅をａ、最小交差幅をｂとしたときに、０．０１≦（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）≦０．０６６が満たされる。 （もっと読む）

【課題】 複数の弾性波フィルタを含む弾性波デバイスの製造において、製造工程の簡略化及び製造コストの抑制を図ること
【解決手段】 特性の異なる弾性波デバイスが形成されたウェハ（１１、２１）を短冊状に分割し、それぞれの一部を選択的に他の粘着シート（６０、７０）に移動させる。そして、性質の異なる弾性波デバイスを含むウェハが選択的に貼り付けられた粘着シートを互いに合わせることで、短冊状のウェハを一の粘着シート（６０、７０）上に互い違いに整列させる。そして、この状態で全体の樹脂封止、貫通孔の形成、貫通電極の形成、及び半田ボールの形成を一括して行い、最後に全体をダイシングすることで弾性波デバイスを個片化する。これにより、予めウェハレベルパッケージの形成された圧電基板（チップ）を並べて一体化させる場合に比べ、製造工程を簡略化し、製造コストを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを低下させずに、モジュール化の際の圧力で変形しない中空構造を得ること。
【解決手段】本発明は、圧電基板１０上に設けられた弾性波素子１２上に空洞部１６を有するように設けられた感光性樹脂の第１封止部２６と、第１封止部上に設けられた感光性樹脂の第２封止部２８と、第２封止部上に設けられた外部接続部２２と、第１封止部及び第２封止部を貫通して第１封止部及び第２封止部に直接接し、弾性波素子と外部接続部を電気的に接続させる柱状電極２０と、を具備し、第１封止部は、基板側の幅が反対側の幅よりも広くなる段差を有するように、弾性波素子の機能部分を囲うように設けられた第３封止部３０と、機能部分上に空洞部を形成するように第３封止部上に設けられた第４封止部３２と、を有し、第３封止部の幅が第４封止部の幅よりも広く、第２封止部は、第１封止部の段差の部分を含んで第１封止部に直接接している弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】広帯域において高い抑圧を得ることが可能なラダーフィルタ、分波器、及びモジュールを提供すること。
【解決手段】本発明は、アンテナ端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に直列接続された直列共振子Ｓ１１〜Ｓｘと、直列共振子Ｓ１１〜Ｓｘと並列接続された並列共振子Ｐ１〜Ｐ３と、直列共振子Ｓｘと並列接続されたインダクタＬｓと、を具備し、直列共振子ＳｘとインダクタＬｓとは、直列共振子Ｓ１１〜Ｓｘと並列共振子Ｐ１〜Ｐ３とにより生成される通過帯域以下の周波数に第１の減衰極Ｂ１を生成し、かつ通過帯域よりも高い周波数に第２の減衰極Ｂ２を生成し、第１の減衰極Ｂ１は、並列共振子Ｐ１〜Ｐ３のうち、最も高い共振周波数を有する並列共振子の共振周波数以上であって、通過帯域の高周波数端以下の周波数に位置するラダーフィルタ、分波器及びモジュールである。 （もっと読む）