弾性波デバイス及びその製造方法
【課題】突起電極の高さとシールリングの高さとを同程度にできると共に、製造工数の削減と品質の向上とを実現すること。
【解決手段】本発明は、基板１０上に複数の弾性表面波素子１４を形成する工程と、基板１０上に、複数の弾性表面波素子１４それぞれにそれぞれ電気的に接続する複数の突起電極４４と、複数の弾性表面波素子１４のうちの一部の弾性表面波素子１４とこの一部の弾性表面波素子１４に電気的に接続する複数の突起電極４４のうちの一部の突起電極４４とを１組としてそれぞれ囲む複数のシールリング４６と、を電解めっき法によって同時に形成する工程と、複数の弾性表面波素子１４の個片化と同時に電解めっき法で用いためっき用給電線を切断することで、個片化された弾性表面波素子１４に電気的に接続する突起電極４４と個片化された弾性表面波素子１４を囲むシールリング４６とを電気的に分離する工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。
【解決手段】本発明は、基板１０上に複数の弾性表面波素子１４を形成する工程と、基板１０上に、複数の弾性表面波素子１４それぞれにそれぞれ電気的に接続する複数の突起電極４４と、複数の弾性表面波素子１４のうちの一部の弾性表面波素子１４とこの一部の弾性表面波素子１４に電気的に接続する複数の突起電極４４のうちの一部の突起電極４４とを１組としてそれぞれ囲む複数のシールリング４６と、を電解めっき法によって同時に形成する工程と、複数の弾性表面波素子１４の個片化と同時に電解めっき法で用いためっき用給電線を切断することで、個片化された弾性表面波素子１４に電気的に接続する突起電極４４と個片化された弾性表面波素子１４を囲むシールリング４６とを電気的に分離する工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波デバイスは、例えば携帯電話端末等の無線端末のフィルタ等に用いられている。弾性波デバイスに用いられる弾性波素子には、圧電基板上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極が形成された弾性表面波素子や、圧電膜を上下電極で挟んだ圧電薄膜共振素子等がある。
【０００３】
弾性波を利用する弾性波デバイスでは、弾性波素子の特性を維持するため、弾性波素子の機能部分上に空間を設ける必要がある。弾性波素子の機能部分としては、例えば弾性表面波素子ではＩＤＴ電極の電極指であり、圧電薄膜共振素子では圧電膜を挟む上下電極の重なる領域である。このような要求を満たすために、弾性波素子の機能部分上に空洞を有する封止部を設けた構造（いわゆる中空構造）が提案されている。
【０００４】
例えば特許文献１には、弾性表面波素子が形成された圧電基板をベース基板に接合させることで、ＩＤＴ電極上に封止空間を形成する技術が開示されている。具体的には、ベース基板上に素子接続用電極と外周封止導体膜とを形成した後、素子接続用電極上にハンダバンプ部材（突起電極）を、外周封止導体膜上にハンダ接合部材（シールリング）を形成する。そして、圧電基板上にＩＤＴ電極、接続電極、外周封止電極を形成した後、接続電極をハンダバンプ部材と接合させ、外周封止電極をハンダ接合部材と接合させることで、ＩＤＴ電極上に封止空間を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１２９１９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
弾性波素子が形成された基板を実装基板に接合させることで弾性波素子を気密封止させる場合において、基板上に、突起電極とシールリングとを別々の工程で形成すると、製造工数が多くなり、コストが増大してしまう。なお、突起電極は、弾性波素子を外部に電気的に接続させる機能を有するものであり、シールリングは、弾性波素子を気密封止させる機能を有するものである。また、突起電極とシールリングとを別々の工程で形成する場合、突起電極の高さとシールリングの高さとを合わせることが難しい。このため、突起電極が実装基板に電気的に接続されずに電気特性不良が発生する場合や、シールリングが実装基板に接合されずに気密不良が発生する場合が起こり得る。したがって、突起電極とシールリングとは同時に形成されることが好ましい。突起電極とシールリングとを電解めっき法により形成する場合、突起電極とシールリングとの両方に接続する電気的に１つにまとめられためっき用給電線を用いることで、突起電極とシールリングとを同時に形成することができる。
【０００７】
しかしながら、この場合、突起電極とシールリングとを形成した後、突起電極とシールリングとを電気的に分離させるために、めっき用給電線の一部を除去するための工程が別途必要となる場合がある。このような除去工程は、製造工数を増やすと共に、異物が付着する機会を与えてしまうこととなる。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、突起電極の高さとシールリングの高さとを同程度にできると共に、製造工数の削減と品質の向上とを実現することが可能な弾性波デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、第１基板上に複数の弾性波素子を形成する工程と、前記第１基板上に、前記複数の弾性波素子それぞれにそれぞれ電気的に接続する複数の突起電極と、前記複数の弾性波素子のうちの一部の弾性波素子と前記一部の弾性波素子に電気的に接続する前記複数の突起電極のうちの一部の突起電極とを１組としてそれぞれ囲む複数のシールリングと、を電解めっき法によって同時に形成する工程と、前記複数の弾性波素子の個片化と同時に前記電解めっき法で用いためっき用給電線を切断することで、個片化された前記弾性波素子に電気的に接続する前記突起電極と前記個片化された弾性波素子を囲む前記シールリングとを電気的に分離する工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法である。本発明のよれば、突起電極の高さとシールリングの高さとを同程度にできると共に、製造工数の削減と品質の向上とを実現することができる。
【００１０】
上記構成において、前記めっき用給電線として、前記複数の弾性波素子を個片化する際の切断領域を延在する第３配線と、前記第３配線から前記突起電極が形成されるべき領域に延在する第１配線と、前記第３配線から前記シールリングが形成されるべき領域に延在する第２配線とを、前記第１基板上に形成する工程を有し、前記突起電極と前記シールリングとを電気的に分離する工程は、前記複数の弾性波素子の個片化と同時に前記第３配線を除去することで、前記突起電極と前記シールリングとを電気的に分離する構成とすることができる。この構成によれば、弾性波素子の個片化と同時になされる突起電極とシールリングとの電気的な分離を容易且つ確実に行うことができる。
【００１１】
上記構成において、前記複数の突起電極のうちの少なくとも信号入出力用の前記突起電極が形成されるべき領域に前記第３配線から延在する前記第１配線と前記シールリングとが電気的に分離するように、前記信号入出力用の突起電極が形成されるべき領域に延在する第１配線と前記シールリングとを立体配線構造とする工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、シールリングが弾性波素子と突起電極との周りを完全に囲む場合でも、弾性波素子の個片化と同時に第３配線を除去することで、突起電極とシールリングとの電気的な分離を行うことができる。
【００１２】
上記構成において、前記立体配線構造とする工程は、前記第１配線と前記シールリングとの間に絶縁物を形成する工程を含む構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、第２基板上に、前記突起電極に対向する位置にパッド電極を、前記シールリングに対向する位置に環状電極を形成する工程と、前記個片化された弾性波素子に電気的に接続する前記突起電極と前記パッド電極とを接合させ、且つ前記個片化された弾性波素子を囲む前記シールリングと前記環状電極とを接合させる工程と、を有する構成とすることができる。この構成によれば、弾性波素子上に封止空間を形成することができ、弾性波素子の特性劣化を抑制できる。
【００１４】
上記構成において、前記第２基板上に実装した前記第１基板を覆うように樹脂封止部を形成する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、弾性波素子が有するＩＤＴ電極でのＥＳＤ破壊の発生を抑制することができる。
【００１５】
上記構成において、前記突起電極と前記シールリングとは、同じ材料からなる構成とすることができる。
【００１６】
上記構成において、前記突起電極と前記シールリングとは、Ｎｉ、Ｃｕまたは半田からなる構成とすることができる。
【００１７】
本発明は、第１基板上に設けられた弾性波素子と、前記第１基板上に設けられ、前記弾性波素子と電気的に接続する突起電極と、前記第１基板上に設けられ、前記第１基板の端から延在して前記突起電極に電気的に接続する第１配線と、前記第１基板上に設けられ、前記弾性波素子と前記突起電極とを囲むと共に、前記第１配線と立体配線構造によって交差して前記突起電極と電気的に分離されたシールリングと、前記第１基板上に設けられ、前記第１基板の端から延在して前記シールリングに電気的に接続すると共に、前記第１配線と電気的に分離された第２配線と、を具備することを特徴とする弾性波デバイスである。本発明によれば、突起電極の高さとシールリングの高さとを同程度にできると共に、製造工数の削減と品質の向上とを実現することができる。
【００１８】
上記構成において、前記第１配線と前記シールリングとの間に絶縁物が設けられている構成とすることができる。
【００１９】
上記構成において、前記突起電極と接合したパッド電極と、前記シールリングと接合した環状電極と、を有する第２基板と、前記第２基板上に実装された前記第１基板を覆う樹脂封止部と、を具備する構成とすることができる。この構成によれば、弾性波素子が有するＩＤＴ電極でのＥＳＤ破壊の発生を抑制することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、突起電極の高さとシールリングの高さとを同程度にできると共に、製造工数の削減と品質の向上とを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１（ａ）から図１（ｄ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面模式図の例である。
【図２】図２（ａ）及び図２（ｂ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す上面模式図の例（その１）である。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す上面模式図の例（その２）である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面模式図の例（その１）である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面模式図の例（その２）である。
【図６】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す上面模式図の例（その１）である。
【図７】図７（ａ）及び図７（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す上面模式図の例（その２）である。
【図８】図８は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す上面模式図の例（その３）である。
【図９】図９は、ウエハ状の基板に形成される切断領域を示す上面模式図の例である。
【図１０】図１０（ａ）から図１０（ｄ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面模式図の例である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
まず、比較例１に係る弾性波デバイスについて説明する。図１（ａ）から図１（ｄ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面模式図の例である。図２（ａ）から図３（ｂ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す上面模式図の例である。なお、ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスの製造はウエハ状態の圧電基板を用いて行われ、複数の弾性波デバイスとなるべき領域がウエハ上に存在するが、図１（ａ）から図３（ｂ）では、そのうちの１つの弾性波デバイスを図示して説明する。
【００２３】
図１（ａ）及び図２（ａ）を参照に、圧電基板７０上に、ＩＤＴ電極、反射電極Ｒ、及び配線等の金属層７２を形成する。これにより、圧電基板７０上に、例えば弾性表面波素子７４が形成される。また、パッド電極が形成されるべき領域７６、環状電極が形成されるべき領域７８、個片化する際の切断領域８０にも金属層７２が形成される。さらに、弾性表面波素子７４と領域７６の金属層７２とを接続する配線８２、領域７６の金属層７２と領域７８の金属層７２とを接続する配線８４、領域７８の金属層７２と切断領域８０の金属層７２とを接続する配線８６も、金属層７２によって形成される。
【００２４】
図１（ｂ）及び図２（ｂ）を参照に、弾性表面波素子７４を覆うように、圧電基板７０上に保護膜８８を形成する。なお、図２（ｂ）においては、保護膜８８を透視して図示している（図３（ａ）及び図３（ｂ）においても同じ）。その後、領域７６、領域７８、及び配線８４上の保護膜８８を除去した後、領域７６の金属層７２上にパッド電極９０を、領域７８の金属層７２上に環状電極９２を形成する。これにより、パッド電極９０は弾性表面波素子７４と電気的に接続し、環状電極９２は弾性表面波素子７４とパッド電極９０とを囲むように形成される。
【００２５】
図１（ｃ）及び図３（ａ）を参照に、圧電基板７０上にフォトレジスト９４を塗布した後、フォトレジスト９４をパターニングして、パッド電極９０上及び環状電極９２上に開口を形成する。なお、図３（ａ）においては、フォトレジスト９４を透視して図示している。この開口内であって、パッド電極９０上に突起電極９６を、環状電極９２上にシールリング９８を、電解めっき法により同時に形成する。これにより、突起電極９６は弾性表面波素子７４と電気的に接続し、シールリング９８は弾性表面波素子７４と突起電極９６とを囲むように形成される。
【００２６】
切断領域８０の金属層７２と環状電極９２とは、配線８６により電気的に接続し、環状電極９２とパッド電極９０とは、配線８４により電気的に接続している。切断領域８０の金属層７２は、ウエハ状の圧電基板７０全面に延在して設けられているため、ウエハの外周部に電解めっき用の電極を接続することで、切断領域８０の金属層７２を介してウエハの全面に渡って、パッド電極９０と環状電極９２とに電流を流すことができる。これにより、電解めっき法を用いて、突起電極９６とシールリング９８とを同時に形成することができる。即ち、突起電極９６とシールリング９８とは、同じ材料で形成され、且つ同じ膜厚で形成される。
【００２７】
図１（ｄ）及び図３（ｂ）を参照に、フォトレジスト９４を除去した後、レーザ光９９を配線８４に照射して、配線８４を切断する。これにより、突起電極９６とシールリング９８とが電気的に分離される。なお、レーザ光９９の代わりに、フォト・エッチングプロセスにより配線８４を切断してもよい。その後、切断領域８０でウエハを切断し、個片化することで、ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスが得られる。このベアチップ実装タイプの弾性波デバイスの突起電極９６とシールリング９８とを、実装基板に接合させることで、比較例１に係る弾性波デバイスが得られる。
【００２８】
このように、比較例１に係る弾性波デバイスによれば、突起電極９６とシールリング９８とを電解めっき法により同時に形成しているため、同程度の高さにすることが容易にできる。よって、突起電極９６が実装基板に電気的に接続されずに電気特性不良が発生することや、シールリング９８が実装基板に接合されずに気密不良が発生することを抑制できる。
【００２９】
しかしながら、突起電極９６とシールリング９８とが電気的に接続された状態では、満足する電気特性が得られない場合がある。このため、図１（ｄ）及び図３（ｂ）で説明したように、突起電極９６とシールリング９８とを電気的に分離するために、配線８４にレーザ光９９を照射又は配線８４にフォト・エッチングプロセスを施して、配線８４を切断している。このように、比較例１に係る弾性波デバイスでは、配線８４を除去する工程を有するため、製造工数が増えてしまう。また、配線８４の除去に当たって、レーザ光９９の照射又はフォト・エッチングプロセスを施しており、異物が付着する恐れがある。
【００３０】
そこで、上記課題を踏まえて、突起電極の高さとシールリングの高さとを同程度にできると共に、製造工数の削減と品質の向上とを実現することが可能な弾性波デバイスについて以下に説明する。
【実施例１】
【００３１】
図４（ａ）から図５（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面模式図の例である。図６（ａ）から図８は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す上面模式図の例である。なお、ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスの製造はウエハ状態の圧電基板を用いて行われ、複数の弾性波デバイスとなるべき領域がウエハ上に存在するが、図４（ａ）から図５（ｃ）では、そのうちの１つの弾性波デバイスを、図６（ａ）から図８では、２つの弾性波デバイスを図示して説明する。
【００３２】
図４（ａ）及び図６（ａ）を参照に、例えばＬＮやＬＴ等の圧電材料からなる基板１０上に、ＩＤＴ電極、反射電極、及び配線等の金属層１２を形成する。これにより、基板１０上に、ＩＤＴ電極と反射電極とからなる複数の弾性表面波素子１４が形成される。金属層１２は、例えばＡｌからなり、蒸着法及びリフトオフ法、又はスパッタ法及びエッチング法を用いて形成することができる。
【００３３】
実施例１では、２つの弾性表面波素子１４が直列に接続され、不平衡入力−平衡出力型の多重モード型弾性表面波フィルタの機能を有する場合を例に説明する。２つの弾性表面波素子１４は、ＩＤＴ電極１と弾性波の伝搬方向でその両側に位置する反射電極Ｒ１とからなる弾性表面波素子１４と、ＩＤＴ電極２及びＩＤＴ電極３と弾性波の伝搬方向でその両側に位置する反射電極Ｒ２とからなる弾性表面波素子１４と、からなる。ＩＤＴ電極１とＩＤＴ電極３とは配線１６により接続されていて、これにより、２つの弾性表面波素子１４は直列に接続されている。また、反射電極Ｒ１と反射電極Ｒ２とは配線１８により接続されている。ＩＤＴ電極１に不平衡信号が入力されると、信号は配線１６を介してＩＤＴ電極３に伝搬し、ＩＤＴ電極２から平衡信号として出力される。
【００３４】
また、第１パッド電極が形成されるべき領域２０、第１環状電極が形成されるべき領域２２、弾性表面波素子１４を個片化する際の切断領域２４にも金属層１２が形成される。ここで、切断領域２４に形成された金属層１２を、第３配線３１と呼ぶこととする。さらに、弾性表面波素子１４と領域２０の金属層１２とを接続する配線２６、領域２０の金属層１２と切断領域２４の第３配線３１とを接続する第１配線２８、領域２２の金属層１２と切断領域２４の第３配線３１とを接続する第２配線３０も、金属層１２によって形成される。第１配線２８は、領域２２の金属層１２と交差して電気的に接続している。また、切断領域２４の第３配線３１は、第１配線２８と第２配線３０との両方と電気的に接続している。後述によって明確となるが、第１配線２８と第２配線３０と第３配線３１とは、電解めっき法で使用されるめっき用給電線として用いられる。
【００３５】
図９は、ウエハ状の基板１０に形成される切断領域２４を示す上面模式図の例である。図９を参照して、ウエハ状の基板１０の表面には、第３配線３１が形成された切断領域２４が網目状に形成されている。
【００３６】
図４（ｂ）及び図６（ｂ）を参照に、金属層１２を形成した後、第１環状電極が形成されるべき領域２２と第１配線２８とが交差する領域であって、第１配線２８上に絶縁物３２を形成する。絶縁物３２は、領域２２と第１配線２８とが交差する領域を全て覆うように、例えば交差する領域よりも大きい領域で形成することが好ましい。絶縁物３２は、例えばポリイミドを用いることができ、膜厚は例えば１μｍである。ポリイミドからなる絶縁物３２は、例えば領域２２と第１配線２８とが交差する領域に開口を有するマスク層を基板１０上に形成し、この開口に埋め込まれるようにポリイミドを塗布することで形成することができる。
【００３７】
図４（ｃ）及び図７（ａ）を参照に、弾性表面波素子１４を覆うように、基板１０上に保護膜３４を形成する。なお、図７（ａ）においては、保護膜３４を透視して図示している（図７（ｂ）及び図８においても同じ）。保護膜３４は、例えばスパッタ法により形成された酸化シリコン膜である。なお、スパッタ法の他にも、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法やＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いることができる。その後、領域２０上の保護膜３４及び領域２２上の保護膜３４を除去し、領域２０の金属層１２上に、例えば金属層１２側からＴｉとＡｕが順次積層された第１パッド電極３６を形成する。また、領域２２の絶縁物３２上に、例えば絶縁物３２側からＴｉとＡｕが順次積層された第１環状電極３８を形成する。これにより、基板１０上に、弾性表面波素子１４に電気的に接続する第１パッド電極３６と、２つの弾性表面波素子１４とこの２つの弾性表面波素子１４に電気的に接続する第１パッド電極３６とを完全に囲む第１環状電極３８とが形成される。第１パッド電極３６と第１環状電極３８とは、例えばスパッタ法及びエッチング法を用いて形成することができ、膜厚を同等にする観点から同時に形成される場合が好ましい。
【００３８】
図５（ａ）を参照に、基板１０上にフォトレジスト４０を塗布した後、第１パッド電極３６上と第１環状電極３８上のフォトレジスト４０を除去して、開口４２を形成する。
【００３９】
図５（ｂ）及び図７（ｂ）を参照に、第１パッド電極３６上の開口４２に埋め込まれる突起電極４４と、第１環状電極３８上の開口４２に埋め込まれるシールリング４６と、を電解めっき法により同時に形成する。これにより、弾性表面波素子１４と電気的に接続する突起電極４４と、２つの弾性表面波素子１４とこの２つの弾性表面波素子１４に電気的に接続する突起電極４４とを完全に囲むシールリング４６とが形成される。突起電極４４の上面とシールリング４６の上面とは、弾性表面波素子１４よりも高くなるように形成される。なお、図７（ｂ）においては、フォトレジスト４０を透視して図示している。
【００４０】
図９で説明したように、ウエハ状の基板１０の表面には、第３配線３１が形成された切断領域２４が網目状に形成されている。また、第１パッド電極３６は第１配線２８を介して第３配線３１と電気的に接続し、第１環状電極３８は第２配線３０を介して第３配線３１と電気的に接続している。これにより、ウエハ状の基板１０の外周部に電解めっき用の電極を接続することで、ウエハの全面に渡って、第１配線２８を介して第１パッド電極３６に、第２配線３０を介して第１環状電極３８に電流を流すことができ、突起電極４４とシールリング４６とを同時に形成することができる。このように、第１配線２８と第２配線３０と第３配線３１とは、電解めっき法で使用されるめっき用給電線として用いられる。
【００４１】
突起電極４４とシールリング４６とは、同時に形成されることから、同じ材料からなり、その膜厚も同じ厚さとなる。突起電極４４とシールリング４６との膜厚は、例えば３０μｍから５０μｍである。突起電極４４及びシールリング４６は、例えばＮｉ、Ｃｕ、又は半田を用いて形成することができる。なお、シールリング４６の下側には絶縁物３２が設けられているのに対し、突起電極４４の下側には設けられていない。このため、厳密には、突起電極４４の上面とシールリング４６の上面とは同一面を構成しないが、突起電極４４及びシールリング４６の膜厚に対して絶縁物３２の膜厚は非常に薄いため、絶縁物３２の膜厚はほとんど無視することができる。よって、突起電極４４の高さとシールリング４６の高さとは同程度であるとみなすことができ、突起電極４４の上面とシールリング４６の上面とは実質的に同一面を構成しているとみなすことができる。
【００４２】
図５（ｃ）及び図８を参照に、突起電極４４とシールリング４６とを形成した後、フォトレジスト４０を除去する。その後、切断領域２４を例えばダイシング法を用いて切断して、複数の弾性表面波素子１４を個片化する。これにより、ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスが得られる。切断領域２４の切断によって、弾性表面波素子１４を個片化すると同時に、切断領域２４に形成された第３配線３１が除去される。このため、第３配線３１にそれぞれ接続していた第１配線２８と第２配線３０とを電気的に分離させることができる。第１配線２８とシールリング４６とが交差する領域には、第１配線２８上に絶縁物３２が形成されている。このため、第３配線３１を除去して第１配線２８と第２配線３０とを電気的に分離させることで、突起電極４４とシールリング４６とを電気的に分離させることができる。
【００４３】
図５（ｄ）を参照に、ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスの作製と並行して、第２パッド電極５２と第２環状電極５４とが形成された実装基板５０を作製する。実装基板５０は、例えばセラミック等の絶縁性の基板を用いることができる。第２パッド電極５２と第２環状電極５４とは、例えばスパッタ法及びエッチング法を用いて形成され、実装基板５０側からＴｉとＡｕが順次積層された構造をしている。第２パッド電極５２は突起電極４４に対向する位置となるように形成され、第２環状電極５４はシールリング４６に対向する位置となるように形成される。第２パッド電極５２と第２環状電極５４とは、膜厚を同じにする観点から同時に形成される場合が好ましい。
【００４４】
ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスの突起電極４４の上面を、例えば半田を介して第２パッド電極５２に接合させる。同時に、ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスのシールリング４６の上面を、例えば半田を介して第２環状電極５４に接合させる。突起電極４４とシールリング４６とが弾性表面波素子１４よりも高く形成されているため、シールリング４６と第２環状電極５４とを接合させることで、弾性表面波素子１４を気密封止して、弾性表面波素子１４上に封止空間５６を形成することができる。これにより、実施例１に係る弾性波デバイスが完成する。
【００４５】
以上説明してきたように、実施例１によれば、図４（ａ）及び図６（ａ）のように、基板１０（第１基板）上に複数の弾性表面波素子１４を形成する。そして、図５（ｂ）及び図７（ｂ）のように、複数の弾性表面波素子１４それぞれにそれぞれ電気的に接続する複数の突起電極４４と、複数の弾性表面波素子１４のうちの一部の弾性表面波素子１４とこの一部の弾性表面波素子１４に電気的に接続する複数の突起電極４４のうちの一部の突起電極４４とを１組としてそれぞれ囲む複数のシールリング４６と、を電解めっき法によって同時に形成する。その後、図８のように、複数の弾性表面波素子１４の個片化と同時に電解めっき法で用いためっき用給電線を切断することで、個片化された弾性表面波素子１４に電気的に接続する突起電極４４と、個片化された弾性表面波素子１４を囲むシールリング４６と、を電気的に分離する。
【００４６】
突起電極４４とシールリング４６とを電解めっき法を用いて同時に形成することで、突起電極４４の高さとシールリング４６の高さとを同程度にすることができる。よって、図５（ｄ）のようにベアチップ実装タイプの弾性波デバイスを実装基板５０上にフリップチップ実装させた場合に、突起電極４４が第２パッド電極５２と接合せずに電気特性不良が発生することや、シールリング４６が第２環状電極５４と接合せずに気密不良が発生することを抑制できる。
【００４７】
また、複数の弾性表面波素子１４の個片化と同時にめっき用給電線を切断して、突起電極４４とシールリング４６とを電気的に分離させることで、比較例１のような配線の除去工程が不要となる。これにより、製造工数を削減できる。また、異物の付着の発生を抑制でき、品質を向上させることができる。よって、実施例１によれば、突起電極４４の高さとシールリング４６の高さとを同程度にできると共に、製造工数の削減と品質の向上とを実現することができる。
【００４８】
図６（ａ）のように、めっき用給電線として、切断領域２４を延在する第３配線３１と、第３配線３１から突起電極４４が形成されるべき領域に延在する第１配線２８と、第３配線３１からシールリング４６が形成されるべき領域に延在する第２配線３０と、を基板１０上に形成することが好ましい。即ち、突起電極４４が形成されるべき領域に延在する第１配線２８と、シールリング４６が形成されるべき領域に延在する第２配線３０とは、共通に接続する第３配線３１から別々の配線として形成されることが好ましい。そして、図８のように、弾性表面波素子１４の個片化と同時に、切断領域２４に延在する第３配線３１を除去することで、突起電極４４とシールリング４６とを電気的に分離することが好ましい。これにより、弾性表面波素子１４の個片化と同時になされる突起電極４４とシールリング４６との電気的な分離を容易且つ確実に行うことができる。
【００４９】
図４（ｂ）及び図６（ｂ）のように、第１配線２８と第１環状電極３８が形成されるべき領域２２とが交差する領域であって、第１配線２８上に絶縁物３２を形成し、図５（ｂ）及び図７（ｂ）のように、第１環状電極３８上にシールリング４６を形成することが好ましい。即ち、第１配線２８とシールリング４６との間に絶縁物３２を形成することが好ましい。これにより、シールリング４６が弾性表面波素子１４と突起電極４４との周りを完全に囲む場合でも、弾性表面波素子１４の個片化と同時に第３配線３１を除去することで、突起電極４４とシールリング４６との電気的な分離を行うことができる。
【００５０】
なお、信号入出力用の突起電極４４とシールリング４６とが電気的に接続する場合は満足な電気特性を得ることは難しいが、グランド用の突起電極４４とシールリング４６とが電気的に接続していても満足する電気特性が得られる場合ができる。したがって、複数の突起電極４４のうち少なくとも信号入出力用の突起電極４４が形成されるべき領域に延在する第１配線２８とシールリング４６とが電気的に分離するように、信号入出力用の突起電極４４が形成されるべき領域に延在する第１配線２８とシールリング４６との間に絶縁物３２が形成されている場合が好ましい。グランド用の突起電極４４が形成されるべき領域に延在する第１配線２８とシールリング４６との間に絶縁物３２が形成されていない場合は、シールリング４６をグランド電位とすることができる。
【００５１】
また、第１配線２８とシールリング４６とが電気的に分離するようになれば、第１配線２８とシールリング４６との間に絶縁物３２が形成されている場合の他にも、例えば第１配線２８とシールリング４６とがその間に空気を挟んで立体的に交差している場合でもよい。つまり、第１配線２８とシールリング４６とが電気的に分離するように、第１配線２８とシールリング４６とが立体配線構造をしている場合が好ましい。立体配線構造とは、上述のように、絶縁物３２を介在させて交差させる場合や、空気を挟んで立体的に交差させる場合等が挙げられる。
【００５２】
図５（ｄ）のように、実装基板５０（第２基板）上に、突起電極４４に対向する位置に第２パッド電極５２を形成し、シールリング４６に対向する位置に第２環状電極５４を形成する。そして、個片化された弾性表面波素子１４に電気的に接続する突起電極４４と第２パッド電極５２とを接合させ、且つ個片化された弾性表面波素子１４を囲むシールリング４６と第２環状電極５４とを接合させる。これにより、弾性表面波素子１４上に封止空間５６を形成することができ、弾性表面波素子１４の特性劣化を抑制できる。
【００５３】
図５（ｂ）及び図７（ｂ）で説明したように、突起電極４４とシールリング４６とは同時に形成されているため、同じ材料からなる。これにより、ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスを実装基板５０に実装する際に、突起電極４４と第２パッド電極５２との接合と、シールリング４６と第２環状電極５４との接合とを、同じ条件で行うことができる。突起電極４４とシールリング４６とは、Ｎｉ、Ｃｕ、又は半田（例えばＳｎ、Ａｕ−Ｓｎ系、又はＳｎ−Ａｇ系）を用いることができる。Ｎｉを用いることにより耐腐食性が向上する。Ｃｕを用いることにより抵抗率を改善できる。半田を用いることによりリフローによる半田実装が可能となる。
【００５４】
また、図４（ａ）から図５（ｃ）及び図６（ａ）から図８で説明した製造方法で作製したベアチップ実装タイプの弾性波デバイスは、図５（ｃ）及び図８のように、基板１０上に、弾性表面波素子１４と、弾性表面波素子１４と電気的に接続する突起電極４４と、基板１０の端から延在して突起電極４４に電気的に接続する第１配線２８と、を有する。また、基板１０上に、弾性表面波素子１４と突起電極４４とを囲むと共に、第１配線２８と立体配線構造によって交差して突起電極４４と電気的に分離されたシールリング４６と、基板１０の端から延在してシールリング４６に電気的に接続すると共に、第１配線２８と電気的に分離された第２配線３０と、を有する。したがって、このような構造を有する弾性波デバイスは、上述したように、突起電極４４の高さとシールリング４６の高さとを同程度にできると共に、製造工数の削減と品質の向上とを実現することができる。
【００５５】
実施例１では、基板１０上に形成した複数の弾性表面波素子１４のうちの２つの弾性表面波素子１４と、この２つの弾性表面波素子１４に電気的に接続する突起電極４４と、を１組として囲むシールリング４６を形成する場合を例に示したが、これに限られる訳ではない。基板１０上に形成した複数の弾性表面波素子１４のうちの一部の弾性表面波素子１４と、この一部の弾性表面波素子１４に電気的に接続する突起電極４４と、を１組として囲むシールリング４６を形成する場合でもよい。即ち、シールリング４６は、２つの弾性表面波素子１４を囲む場合に限られず、１つの弾性表面波素子１４を囲む場合や、３つ以上の弾性表面波素子１４を囲む場合でもよい。
【００５６】
実施例１では、弾性波素子として弾性表面波素子１４の場合を例に説明したが、この場合に限られる訳ではなく、弾性波素子は圧電薄膜共振素子の場合でもよい。圧電薄膜共振素子の場合、基板１０は、例えばシリコン基板、ガラス基板、石英基板等の圧電性を有さない基板を用いることもできる。また、絶縁物３２はポリイミドである場合を例に説明したが、この場合に限られる訳ではなく、樹脂等の有機系の絶縁物や、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機系の絶縁物を用いることもできる。
【実施例２】
【００５７】
実施例２は、ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスを、チップ部品が実装された実装基板に実装した弾性波デバイスの例である。図１０（ａ）から図１０（ｄ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面模式図の例である。図１０（ａ）を参照して、まず、図４（ａ）から図５（ｃ）及び図６（ａ）から図８で説明した製造方法によりベアチップ実装タイプの弾性波デバイスを作製する。なお、図１０（ａ）においては、図の簡略化のために、金属層１２と保護膜３４については図示を省略している。
【００５８】
図１０（ｂ）を参照して、ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスの作製と並行して、第２パッド電極５２と第２環状電極５４とが形成され、チップ部品５８が実装された実装基板５０を準備する。実装基板５０は、例えばセラミック等の絶縁性の基板を用いることができる。第２パッド電極５２と第２環状電極５４とは、例えば半田により形成されている。第２パッド電極５２は突起電極４４に対向する位置となるように形成され、第２環状電極５４はシールリング４６に対向する位置となるように形成される。第２パッド電極５２と第２環状電極５４とは、膜厚を同じにする観点から同時に形成される場合が好ましい。チップ部品５８は、例えばチップ抵抗、チップコンデンサ、及びチップインダクタ等であり、半田６０により実装されている。
【００５９】
図１０（ｃ）を参照して、突起電極４４の上面を第２パッド電極５２に接合させ、同時に、シールリング４６の上面を第２環状電極５４に接合させる。これにより、ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスが実装基板５０上にフリップチップ実装される。突起電極４４とシールリング４６とが弾性表面波素子１４よりも高く形成されているため、シールリング４６と第２環状電極５４とを接合させることで、弾性表面波素子１４を気密封止して、弾性表面波素子１４上に封止空間５６を形成することができる。
【００６０】
図１０（ｄ）を参照して、例えばガラスエポキシ系樹脂からなる天板６２を、実装基板５０上に実装した基板１０やチップ部品５８の上に、それらを覆うように形成する。これにより、実施例２に係る弾性波デバイスが完成する。なお、天板６２の代わりに、実装基板５０上に実装した基板１０やチップ部品５８を覆うようにモールド樹脂部を形成してもよい。ここでは、実装基板５０上の基板１０やチップ部品５８を覆う樹脂製の天板６２やモールド樹脂部を総称して樹脂封止部と呼ぶこととする。
【００６１】
実施例２によれば、図１０（ｃ）のように、突起電極４４と実装基板５０（第２基板）上に形成した第２パッド電極５２とを接合させ、シールリング４６と実装基板５０上に形成した第２環状電極５４とを接合させて、ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスを実装基板５０上に実装している。そして、図１０（ｄ）のように、実装基板５０上に実装した基板１０等を覆うように、樹脂封止部を形成している。比較例１のように配線の除去工程を行う場合では、異物の付着が起こり易く、樹脂封止部における樹脂は帯電し易いことから、微細な間隔で形成されるＩＤＴ電極の電極指部分でＥＳＤ（ElectroStatics Discharge）破壊不良が発生することが起こり得る。一方、実施例２では、配線の除去工程が不要なベアチップ実装タイプの弾性波デバイスを用いているため、異物の付着が起こり難く、樹脂封止部で封止したとしても、ＩＤＴ電極でのＥＳＤ破壊の発生を抑制することができる。
【００６２】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００６３】
１０ 基板
１２ 金属層
１４ 弾性表面波素子
１６ 配線
１８ 配線
２０ 第１パッド電極が形成されるべき領域
２２ 第１環状電極が形成されるべき領域
２４ 切断領域
２６ 配線
２８ 第１配線
３０ 第２配線
３１ 第３配線
３２ 絶縁物
３４ 保護膜
３６ 第１パッド電極
３８ 第１環状電極
４０ フォトレジスト
４２ 開口
４４ 突起電極
４６ シールリング
５０ 実装基板
５２ 第２パッド電極
５４ 第２環状電極
５６ 封止空間
５８ チップ部品
６０ 半田
６２ 天板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波デバイスは、例えば携帯電話端末等の無線端末のフィルタ等に用いられている。弾性波デバイスに用いられる弾性波素子には、圧電基板上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極が形成された弾性表面波素子や、圧電膜を上下電極で挟んだ圧電薄膜共振素子等がある。
【０００３】
弾性波を利用する弾性波デバイスでは、弾性波素子の特性を維持するため、弾性波素子の機能部分上に空間を設ける必要がある。弾性波素子の機能部分としては、例えば弾性表面波素子ではＩＤＴ電極の電極指であり、圧電薄膜共振素子では圧電膜を挟む上下電極の重なる領域である。このような要求を満たすために、弾性波素子の機能部分上に空洞を有する封止部を設けた構造（いわゆる中空構造）が提案されている。
【０００４】
例えば特許文献１には、弾性表面波素子が形成された圧電基板をベース基板に接合させることで、ＩＤＴ電極上に封止空間を形成する技術が開示されている。具体的には、ベース基板上に素子接続用電極と外周封止導体膜とを形成した後、素子接続用電極上にハンダバンプ部材（突起電極）を、外周封止導体膜上にハンダ接合部材（シールリング）を形成する。そして、圧電基板上にＩＤＴ電極、接続電極、外周封止電極を形成した後、接続電極をハンダバンプ部材と接合させ、外周封止電極をハンダ接合部材と接合させることで、ＩＤＴ電極上に封止空間を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１２９１９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
弾性波素子が形成された基板を実装基板に接合させることで弾性波素子を気密封止させる場合において、基板上に、突起電極とシールリングとを別々の工程で形成すると、製造工数が多くなり、コストが増大してしまう。なお、突起電極は、弾性波素子を外部に電気的に接続させる機能を有するものであり、シールリングは、弾性波素子を気密封止させる機能を有するものである。また、突起電極とシールリングとを別々の工程で形成する場合、突起電極の高さとシールリングの高さとを合わせることが難しい。このため、突起電極が実装基板に電気的に接続されずに電気特性不良が発生する場合や、シールリングが実装基板に接合されずに気密不良が発生する場合が起こり得る。したがって、突起電極とシールリングとは同時に形成されることが好ましい。突起電極とシールリングとを電解めっき法により形成する場合、突起電極とシールリングとの両方に接続する電気的に１つにまとめられためっき用給電線を用いることで、突起電極とシールリングとを同時に形成することができる。
【０００７】
しかしながら、この場合、突起電極とシールリングとを形成した後、突起電極とシールリングとを電気的に分離させるために、めっき用給電線の一部を除去するための工程が別途必要となる場合がある。このような除去工程は、製造工数を増やすと共に、異物が付着する機会を与えてしまうこととなる。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、突起電極の高さとシールリングの高さとを同程度にできると共に、製造工数の削減と品質の向上とを実現することが可能な弾性波デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、第１基板上に複数の弾性波素子を形成する工程と、前記第１基板上に、前記複数の弾性波素子それぞれにそれぞれ電気的に接続する複数の突起電極と、前記複数の弾性波素子のうちの一部の弾性波素子と前記一部の弾性波素子に電気的に接続する前記複数の突起電極のうちの一部の突起電極とを１組としてそれぞれ囲む複数のシールリングと、を電解めっき法によって同時に形成する工程と、前記複数の弾性波素子の個片化と同時に前記電解めっき法で用いためっき用給電線を切断することで、個片化された前記弾性波素子に電気的に接続する前記突起電極と前記個片化された弾性波素子を囲む前記シールリングとを電気的に分離する工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法である。本発明のよれば、突起電極の高さとシールリングの高さとを同程度にできると共に、製造工数の削減と品質の向上とを実現することができる。
【００１０】
上記構成において、前記めっき用給電線として、前記複数の弾性波素子を個片化する際の切断領域を延在する第３配線と、前記第３配線から前記突起電極が形成されるべき領域に延在する第１配線と、前記第３配線から前記シールリングが形成されるべき領域に延在する第２配線とを、前記第１基板上に形成する工程を有し、前記突起電極と前記シールリングとを電気的に分離する工程は、前記複数の弾性波素子の個片化と同時に前記第３配線を除去することで、前記突起電極と前記シールリングとを電気的に分離する構成とすることができる。この構成によれば、弾性波素子の個片化と同時になされる突起電極とシールリングとの電気的な分離を容易且つ確実に行うことができる。
【００１１】
上記構成において、前記複数の突起電極のうちの少なくとも信号入出力用の前記突起電極が形成されるべき領域に前記第３配線から延在する前記第１配線と前記シールリングとが電気的に分離するように、前記信号入出力用の突起電極が形成されるべき領域に延在する第１配線と前記シールリングとを立体配線構造とする工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、シールリングが弾性波素子と突起電極との周りを完全に囲む場合でも、弾性波素子の個片化と同時に第３配線を除去することで、突起電極とシールリングとの電気的な分離を行うことができる。
【００１２】
上記構成において、前記立体配線構造とする工程は、前記第１配線と前記シールリングとの間に絶縁物を形成する工程を含む構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、第２基板上に、前記突起電極に対向する位置にパッド電極を、前記シールリングに対向する位置に環状電極を形成する工程と、前記個片化された弾性波素子に電気的に接続する前記突起電極と前記パッド電極とを接合させ、且つ前記個片化された弾性波素子を囲む前記シールリングと前記環状電極とを接合させる工程と、を有する構成とすることができる。この構成によれば、弾性波素子上に封止空間を形成することができ、弾性波素子の特性劣化を抑制できる。
【００１４】
上記構成において、前記第２基板上に実装した前記第１基板を覆うように樹脂封止部を形成する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、弾性波素子が有するＩＤＴ電極でのＥＳＤ破壊の発生を抑制することができる。
【００１５】
上記構成において、前記突起電極と前記シールリングとは、同じ材料からなる構成とすることができる。
【００１６】
上記構成において、前記突起電極と前記シールリングとは、Ｎｉ、Ｃｕまたは半田からなる構成とすることができる。
【００１７】
本発明は、第１基板上に設けられた弾性波素子と、前記第１基板上に設けられ、前記弾性波素子と電気的に接続する突起電極と、前記第１基板上に設けられ、前記第１基板の端から延在して前記突起電極に電気的に接続する第１配線と、前記第１基板上に設けられ、前記弾性波素子と前記突起電極とを囲むと共に、前記第１配線と立体配線構造によって交差して前記突起電極と電気的に分離されたシールリングと、前記第１基板上に設けられ、前記第１基板の端から延在して前記シールリングに電気的に接続すると共に、前記第１配線と電気的に分離された第２配線と、を具備することを特徴とする弾性波デバイスである。本発明によれば、突起電極の高さとシールリングの高さとを同程度にできると共に、製造工数の削減と品質の向上とを実現することができる。
【００１８】
上記構成において、前記第１配線と前記シールリングとの間に絶縁物が設けられている構成とすることができる。
【００１９】
上記構成において、前記突起電極と接合したパッド電極と、前記シールリングと接合した環状電極と、を有する第２基板と、前記第２基板上に実装された前記第１基板を覆う樹脂封止部と、を具備する構成とすることができる。この構成によれば、弾性波素子が有するＩＤＴ電極でのＥＳＤ破壊の発生を抑制することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、突起電極の高さとシールリングの高さとを同程度にできると共に、製造工数の削減と品質の向上とを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１（ａ）から図１（ｄ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面模式図の例である。
【図２】図２（ａ）及び図２（ｂ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す上面模式図の例（その１）である。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す上面模式図の例（その２）である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面模式図の例（その１）である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面模式図の例（その２）である。
【図６】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す上面模式図の例（その１）である。
【図７】図７（ａ）及び図７（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す上面模式図の例（その２）である。
【図８】図８は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す上面模式図の例（その３）である。
【図９】図９は、ウエハ状の基板に形成される切断領域を示す上面模式図の例である。
【図１０】図１０（ａ）から図１０（ｄ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面模式図の例である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
まず、比較例１に係る弾性波デバイスについて説明する。図１（ａ）から図１（ｄ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面模式図の例である。図２（ａ）から図３（ｂ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す上面模式図の例である。なお、ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスの製造はウエハ状態の圧電基板を用いて行われ、複数の弾性波デバイスとなるべき領域がウエハ上に存在するが、図１（ａ）から図３（ｂ）では、そのうちの１つの弾性波デバイスを図示して説明する。
【００２３】
図１（ａ）及び図２（ａ）を参照に、圧電基板７０上に、ＩＤＴ電極、反射電極Ｒ、及び配線等の金属層７２を形成する。これにより、圧電基板７０上に、例えば弾性表面波素子７４が形成される。また、パッド電極が形成されるべき領域７６、環状電極が形成されるべき領域７８、個片化する際の切断領域８０にも金属層７２が形成される。さらに、弾性表面波素子７４と領域７６の金属層７２とを接続する配線８２、領域７６の金属層７２と領域７８の金属層７２とを接続する配線８４、領域７８の金属層７２と切断領域８０の金属層７２とを接続する配線８６も、金属層７２によって形成される。
【００２４】
図１（ｂ）及び図２（ｂ）を参照に、弾性表面波素子７４を覆うように、圧電基板７０上に保護膜８８を形成する。なお、図２（ｂ）においては、保護膜８８を透視して図示している（図３（ａ）及び図３（ｂ）においても同じ）。その後、領域７６、領域７８、及び配線８４上の保護膜８８を除去した後、領域７６の金属層７２上にパッド電極９０を、領域７８の金属層７２上に環状電極９２を形成する。これにより、パッド電極９０は弾性表面波素子７４と電気的に接続し、環状電極９２は弾性表面波素子７４とパッド電極９０とを囲むように形成される。
【００２５】
図１（ｃ）及び図３（ａ）を参照に、圧電基板７０上にフォトレジスト９４を塗布した後、フォトレジスト９４をパターニングして、パッド電極９０上及び環状電極９２上に開口を形成する。なお、図３（ａ）においては、フォトレジスト９４を透視して図示している。この開口内であって、パッド電極９０上に突起電極９６を、環状電極９２上にシールリング９８を、電解めっき法により同時に形成する。これにより、突起電極９６は弾性表面波素子７４と電気的に接続し、シールリング９８は弾性表面波素子７４と突起電極９６とを囲むように形成される。
【００２６】
切断領域８０の金属層７２と環状電極９２とは、配線８６により電気的に接続し、環状電極９２とパッド電極９０とは、配線８４により電気的に接続している。切断領域８０の金属層７２は、ウエハ状の圧電基板７０全面に延在して設けられているため、ウエハの外周部に電解めっき用の電極を接続することで、切断領域８０の金属層７２を介してウエハの全面に渡って、パッド電極９０と環状電極９２とに電流を流すことができる。これにより、電解めっき法を用いて、突起電極９６とシールリング９８とを同時に形成することができる。即ち、突起電極９６とシールリング９８とは、同じ材料で形成され、且つ同じ膜厚で形成される。
【００２７】
図１（ｄ）及び図３（ｂ）を参照に、フォトレジスト９４を除去した後、レーザ光９９を配線８４に照射して、配線８４を切断する。これにより、突起電極９６とシールリング９８とが電気的に分離される。なお、レーザ光９９の代わりに、フォト・エッチングプロセスにより配線８４を切断してもよい。その後、切断領域８０でウエハを切断し、個片化することで、ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスが得られる。このベアチップ実装タイプの弾性波デバイスの突起電極９６とシールリング９８とを、実装基板に接合させることで、比較例１に係る弾性波デバイスが得られる。
【００２８】
このように、比較例１に係る弾性波デバイスによれば、突起電極９６とシールリング９８とを電解めっき法により同時に形成しているため、同程度の高さにすることが容易にできる。よって、突起電極９６が実装基板に電気的に接続されずに電気特性不良が発生することや、シールリング９８が実装基板に接合されずに気密不良が発生することを抑制できる。
【００２９】
しかしながら、突起電極９６とシールリング９８とが電気的に接続された状態では、満足する電気特性が得られない場合がある。このため、図１（ｄ）及び図３（ｂ）で説明したように、突起電極９６とシールリング９８とを電気的に分離するために、配線８４にレーザ光９９を照射又は配線８４にフォト・エッチングプロセスを施して、配線８４を切断している。このように、比較例１に係る弾性波デバイスでは、配線８４を除去する工程を有するため、製造工数が増えてしまう。また、配線８４の除去に当たって、レーザ光９９の照射又はフォト・エッチングプロセスを施しており、異物が付着する恐れがある。
【００３０】
そこで、上記課題を踏まえて、突起電極の高さとシールリングの高さとを同程度にできると共に、製造工数の削減と品質の向上とを実現することが可能な弾性波デバイスについて以下に説明する。
【実施例１】
【００３１】
図４（ａ）から図５（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面模式図の例である。図６（ａ）から図８は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す上面模式図の例である。なお、ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスの製造はウエハ状態の圧電基板を用いて行われ、複数の弾性波デバイスとなるべき領域がウエハ上に存在するが、図４（ａ）から図５（ｃ）では、そのうちの１つの弾性波デバイスを、図６（ａ）から図８では、２つの弾性波デバイスを図示して説明する。
【００３２】
図４（ａ）及び図６（ａ）を参照に、例えばＬＮやＬＴ等の圧電材料からなる基板１０上に、ＩＤＴ電極、反射電極、及び配線等の金属層１２を形成する。これにより、基板１０上に、ＩＤＴ電極と反射電極とからなる複数の弾性表面波素子１４が形成される。金属層１２は、例えばＡｌからなり、蒸着法及びリフトオフ法、又はスパッタ法及びエッチング法を用いて形成することができる。
【００３３】
実施例１では、２つの弾性表面波素子１４が直列に接続され、不平衡入力−平衡出力型の多重モード型弾性表面波フィルタの機能を有する場合を例に説明する。２つの弾性表面波素子１４は、ＩＤＴ電極１と弾性波の伝搬方向でその両側に位置する反射電極Ｒ１とからなる弾性表面波素子１４と、ＩＤＴ電極２及びＩＤＴ電極３と弾性波の伝搬方向でその両側に位置する反射電極Ｒ２とからなる弾性表面波素子１４と、からなる。ＩＤＴ電極１とＩＤＴ電極３とは配線１６により接続されていて、これにより、２つの弾性表面波素子１４は直列に接続されている。また、反射電極Ｒ１と反射電極Ｒ２とは配線１８により接続されている。ＩＤＴ電極１に不平衡信号が入力されると、信号は配線１６を介してＩＤＴ電極３に伝搬し、ＩＤＴ電極２から平衡信号として出力される。
【００３４】
また、第１パッド電極が形成されるべき領域２０、第１環状電極が形成されるべき領域２２、弾性表面波素子１４を個片化する際の切断領域２４にも金属層１２が形成される。ここで、切断領域２４に形成された金属層１２を、第３配線３１と呼ぶこととする。さらに、弾性表面波素子１４と領域２０の金属層１２とを接続する配線２６、領域２０の金属層１２と切断領域２４の第３配線３１とを接続する第１配線２８、領域２２の金属層１２と切断領域２４の第３配線３１とを接続する第２配線３０も、金属層１２によって形成される。第１配線２８は、領域２２の金属層１２と交差して電気的に接続している。また、切断領域２４の第３配線３１は、第１配線２８と第２配線３０との両方と電気的に接続している。後述によって明確となるが、第１配線２８と第２配線３０と第３配線３１とは、電解めっき法で使用されるめっき用給電線として用いられる。
【００３５】
図９は、ウエハ状の基板１０に形成される切断領域２４を示す上面模式図の例である。図９を参照して、ウエハ状の基板１０の表面には、第３配線３１が形成された切断領域２４が網目状に形成されている。
【００３６】
図４（ｂ）及び図６（ｂ）を参照に、金属層１２を形成した後、第１環状電極が形成されるべき領域２２と第１配線２８とが交差する領域であって、第１配線２８上に絶縁物３２を形成する。絶縁物３２は、領域２２と第１配線２８とが交差する領域を全て覆うように、例えば交差する領域よりも大きい領域で形成することが好ましい。絶縁物３２は、例えばポリイミドを用いることができ、膜厚は例えば１μｍである。ポリイミドからなる絶縁物３２は、例えば領域２２と第１配線２８とが交差する領域に開口を有するマスク層を基板１０上に形成し、この開口に埋め込まれるようにポリイミドを塗布することで形成することができる。
【００３７】
図４（ｃ）及び図７（ａ）を参照に、弾性表面波素子１４を覆うように、基板１０上に保護膜３４を形成する。なお、図７（ａ）においては、保護膜３４を透視して図示している（図７（ｂ）及び図８においても同じ）。保護膜３４は、例えばスパッタ法により形成された酸化シリコン膜である。なお、スパッタ法の他にも、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法やＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いることができる。その後、領域２０上の保護膜３４及び領域２２上の保護膜３４を除去し、領域２０の金属層１２上に、例えば金属層１２側からＴｉとＡｕが順次積層された第１パッド電極３６を形成する。また、領域２２の絶縁物３２上に、例えば絶縁物３２側からＴｉとＡｕが順次積層された第１環状電極３８を形成する。これにより、基板１０上に、弾性表面波素子１４に電気的に接続する第１パッド電極３６と、２つの弾性表面波素子１４とこの２つの弾性表面波素子１４に電気的に接続する第１パッド電極３６とを完全に囲む第１環状電極３８とが形成される。第１パッド電極３６と第１環状電極３８とは、例えばスパッタ法及びエッチング法を用いて形成することができ、膜厚を同等にする観点から同時に形成される場合が好ましい。
【００３８】
図５（ａ）を参照に、基板１０上にフォトレジスト４０を塗布した後、第１パッド電極３６上と第１環状電極３８上のフォトレジスト４０を除去して、開口４２を形成する。
【００３９】
図５（ｂ）及び図７（ｂ）を参照に、第１パッド電極３６上の開口４２に埋め込まれる突起電極４４と、第１環状電極３８上の開口４２に埋め込まれるシールリング４６と、を電解めっき法により同時に形成する。これにより、弾性表面波素子１４と電気的に接続する突起電極４４と、２つの弾性表面波素子１４とこの２つの弾性表面波素子１４に電気的に接続する突起電極４４とを完全に囲むシールリング４６とが形成される。突起電極４４の上面とシールリング４６の上面とは、弾性表面波素子１４よりも高くなるように形成される。なお、図７（ｂ）においては、フォトレジスト４０を透視して図示している。
【００４０】
図９で説明したように、ウエハ状の基板１０の表面には、第３配線３１が形成された切断領域２４が網目状に形成されている。また、第１パッド電極３６は第１配線２８を介して第３配線３１と電気的に接続し、第１環状電極３８は第２配線３０を介して第３配線３１と電気的に接続している。これにより、ウエハ状の基板１０の外周部に電解めっき用の電極を接続することで、ウエハの全面に渡って、第１配線２８を介して第１パッド電極３６に、第２配線３０を介して第１環状電極３８に電流を流すことができ、突起電極４４とシールリング４６とを同時に形成することができる。このように、第１配線２８と第２配線３０と第３配線３１とは、電解めっき法で使用されるめっき用給電線として用いられる。
【００４１】
突起電極４４とシールリング４６とは、同時に形成されることから、同じ材料からなり、その膜厚も同じ厚さとなる。突起電極４４とシールリング４６との膜厚は、例えば３０μｍから５０μｍである。突起電極４４及びシールリング４６は、例えばＮｉ、Ｃｕ、又は半田を用いて形成することができる。なお、シールリング４６の下側には絶縁物３２が設けられているのに対し、突起電極４４の下側には設けられていない。このため、厳密には、突起電極４４の上面とシールリング４６の上面とは同一面を構成しないが、突起電極４４及びシールリング４６の膜厚に対して絶縁物３２の膜厚は非常に薄いため、絶縁物３２の膜厚はほとんど無視することができる。よって、突起電極４４の高さとシールリング４６の高さとは同程度であるとみなすことができ、突起電極４４の上面とシールリング４６の上面とは実質的に同一面を構成しているとみなすことができる。
【００４２】
図５（ｃ）及び図８を参照に、突起電極４４とシールリング４６とを形成した後、フォトレジスト４０を除去する。その後、切断領域２４を例えばダイシング法を用いて切断して、複数の弾性表面波素子１４を個片化する。これにより、ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスが得られる。切断領域２４の切断によって、弾性表面波素子１４を個片化すると同時に、切断領域２４に形成された第３配線３１が除去される。このため、第３配線３１にそれぞれ接続していた第１配線２８と第２配線３０とを電気的に分離させることができる。第１配線２８とシールリング４６とが交差する領域には、第１配線２８上に絶縁物３２が形成されている。このため、第３配線３１を除去して第１配線２８と第２配線３０とを電気的に分離させることで、突起電極４４とシールリング４６とを電気的に分離させることができる。
【００４３】
図５（ｄ）を参照に、ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスの作製と並行して、第２パッド電極５２と第２環状電極５４とが形成された実装基板５０を作製する。実装基板５０は、例えばセラミック等の絶縁性の基板を用いることができる。第２パッド電極５２と第２環状電極５４とは、例えばスパッタ法及びエッチング法を用いて形成され、実装基板５０側からＴｉとＡｕが順次積層された構造をしている。第２パッド電極５２は突起電極４４に対向する位置となるように形成され、第２環状電極５４はシールリング４６に対向する位置となるように形成される。第２パッド電極５２と第２環状電極５４とは、膜厚を同じにする観点から同時に形成される場合が好ましい。
【００４４】
ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスの突起電極４４の上面を、例えば半田を介して第２パッド電極５２に接合させる。同時に、ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスのシールリング４６の上面を、例えば半田を介して第２環状電極５４に接合させる。突起電極４４とシールリング４６とが弾性表面波素子１４よりも高く形成されているため、シールリング４６と第２環状電極５４とを接合させることで、弾性表面波素子１４を気密封止して、弾性表面波素子１４上に封止空間５６を形成することができる。これにより、実施例１に係る弾性波デバイスが完成する。
【００４５】
以上説明してきたように、実施例１によれば、図４（ａ）及び図６（ａ）のように、基板１０（第１基板）上に複数の弾性表面波素子１４を形成する。そして、図５（ｂ）及び図７（ｂ）のように、複数の弾性表面波素子１４それぞれにそれぞれ電気的に接続する複数の突起電極４４と、複数の弾性表面波素子１４のうちの一部の弾性表面波素子１４とこの一部の弾性表面波素子１４に電気的に接続する複数の突起電極４４のうちの一部の突起電極４４とを１組としてそれぞれ囲む複数のシールリング４６と、を電解めっき法によって同時に形成する。その後、図８のように、複数の弾性表面波素子１４の個片化と同時に電解めっき法で用いためっき用給電線を切断することで、個片化された弾性表面波素子１４に電気的に接続する突起電極４４と、個片化された弾性表面波素子１４を囲むシールリング４６と、を電気的に分離する。
【００４６】
突起電極４４とシールリング４６とを電解めっき法を用いて同時に形成することで、突起電極４４の高さとシールリング４６の高さとを同程度にすることができる。よって、図５（ｄ）のようにベアチップ実装タイプの弾性波デバイスを実装基板５０上にフリップチップ実装させた場合に、突起電極４４が第２パッド電極５２と接合せずに電気特性不良が発生することや、シールリング４６が第２環状電極５４と接合せずに気密不良が発生することを抑制できる。
【００４７】
また、複数の弾性表面波素子１４の個片化と同時にめっき用給電線を切断して、突起電極４４とシールリング４６とを電気的に分離させることで、比較例１のような配線の除去工程が不要となる。これにより、製造工数を削減できる。また、異物の付着の発生を抑制でき、品質を向上させることができる。よって、実施例１によれば、突起電極４４の高さとシールリング４６の高さとを同程度にできると共に、製造工数の削減と品質の向上とを実現することができる。
【００４８】
図６（ａ）のように、めっき用給電線として、切断領域２４を延在する第３配線３１と、第３配線３１から突起電極４４が形成されるべき領域に延在する第１配線２８と、第３配線３１からシールリング４６が形成されるべき領域に延在する第２配線３０と、を基板１０上に形成することが好ましい。即ち、突起電極４４が形成されるべき領域に延在する第１配線２８と、シールリング４６が形成されるべき領域に延在する第２配線３０とは、共通に接続する第３配線３１から別々の配線として形成されることが好ましい。そして、図８のように、弾性表面波素子１４の個片化と同時に、切断領域２４に延在する第３配線３１を除去することで、突起電極４４とシールリング４６とを電気的に分離することが好ましい。これにより、弾性表面波素子１４の個片化と同時になされる突起電極４４とシールリング４６との電気的な分離を容易且つ確実に行うことができる。
【００４９】
図４（ｂ）及び図６（ｂ）のように、第１配線２８と第１環状電極３８が形成されるべき領域２２とが交差する領域であって、第１配線２８上に絶縁物３２を形成し、図５（ｂ）及び図７（ｂ）のように、第１環状電極３８上にシールリング４６を形成することが好ましい。即ち、第１配線２８とシールリング４６との間に絶縁物３２を形成することが好ましい。これにより、シールリング４６が弾性表面波素子１４と突起電極４４との周りを完全に囲む場合でも、弾性表面波素子１４の個片化と同時に第３配線３１を除去することで、突起電極４４とシールリング４６との電気的な分離を行うことができる。
【００５０】
なお、信号入出力用の突起電極４４とシールリング４６とが電気的に接続する場合は満足な電気特性を得ることは難しいが、グランド用の突起電極４４とシールリング４６とが電気的に接続していても満足する電気特性が得られる場合ができる。したがって、複数の突起電極４４のうち少なくとも信号入出力用の突起電極４４が形成されるべき領域に延在する第１配線２８とシールリング４６とが電気的に分離するように、信号入出力用の突起電極４４が形成されるべき領域に延在する第１配線２８とシールリング４６との間に絶縁物３２が形成されている場合が好ましい。グランド用の突起電極４４が形成されるべき領域に延在する第１配線２８とシールリング４６との間に絶縁物３２が形成されていない場合は、シールリング４６をグランド電位とすることができる。
【００５１】
また、第１配線２８とシールリング４６とが電気的に分離するようになれば、第１配線２８とシールリング４６との間に絶縁物３２が形成されている場合の他にも、例えば第１配線２８とシールリング４６とがその間に空気を挟んで立体的に交差している場合でもよい。つまり、第１配線２８とシールリング４６とが電気的に分離するように、第１配線２８とシールリング４６とが立体配線構造をしている場合が好ましい。立体配線構造とは、上述のように、絶縁物３２を介在させて交差させる場合や、空気を挟んで立体的に交差させる場合等が挙げられる。
【００５２】
図５（ｄ）のように、実装基板５０（第２基板）上に、突起電極４４に対向する位置に第２パッド電極５２を形成し、シールリング４６に対向する位置に第２環状電極５４を形成する。そして、個片化された弾性表面波素子１４に電気的に接続する突起電極４４と第２パッド電極５２とを接合させ、且つ個片化された弾性表面波素子１４を囲むシールリング４６と第２環状電極５４とを接合させる。これにより、弾性表面波素子１４上に封止空間５６を形成することができ、弾性表面波素子１４の特性劣化を抑制できる。
【００５３】
図５（ｂ）及び図７（ｂ）で説明したように、突起電極４４とシールリング４６とは同時に形成されているため、同じ材料からなる。これにより、ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスを実装基板５０に実装する際に、突起電極４４と第２パッド電極５２との接合と、シールリング４６と第２環状電極５４との接合とを、同じ条件で行うことができる。突起電極４４とシールリング４６とは、Ｎｉ、Ｃｕ、又は半田（例えばＳｎ、Ａｕ−Ｓｎ系、又はＳｎ−Ａｇ系）を用いることができる。Ｎｉを用いることにより耐腐食性が向上する。Ｃｕを用いることにより抵抗率を改善できる。半田を用いることによりリフローによる半田実装が可能となる。
【００５４】
また、図４（ａ）から図５（ｃ）及び図６（ａ）から図８で説明した製造方法で作製したベアチップ実装タイプの弾性波デバイスは、図５（ｃ）及び図８のように、基板１０上に、弾性表面波素子１４と、弾性表面波素子１４と電気的に接続する突起電極４４と、基板１０の端から延在して突起電極４４に電気的に接続する第１配線２８と、を有する。また、基板１０上に、弾性表面波素子１４と突起電極４４とを囲むと共に、第１配線２８と立体配線構造によって交差して突起電極４４と電気的に分離されたシールリング４６と、基板１０の端から延在してシールリング４６に電気的に接続すると共に、第１配線２８と電気的に分離された第２配線３０と、を有する。したがって、このような構造を有する弾性波デバイスは、上述したように、突起電極４４の高さとシールリング４６の高さとを同程度にできると共に、製造工数の削減と品質の向上とを実現することができる。
【００５５】
実施例１では、基板１０上に形成した複数の弾性表面波素子１４のうちの２つの弾性表面波素子１４と、この２つの弾性表面波素子１４に電気的に接続する突起電極４４と、を１組として囲むシールリング４６を形成する場合を例に示したが、これに限られる訳ではない。基板１０上に形成した複数の弾性表面波素子１４のうちの一部の弾性表面波素子１４と、この一部の弾性表面波素子１４に電気的に接続する突起電極４４と、を１組として囲むシールリング４６を形成する場合でもよい。即ち、シールリング４６は、２つの弾性表面波素子１４を囲む場合に限られず、１つの弾性表面波素子１４を囲む場合や、３つ以上の弾性表面波素子１４を囲む場合でもよい。
【００５６】
実施例１では、弾性波素子として弾性表面波素子１４の場合を例に説明したが、この場合に限られる訳ではなく、弾性波素子は圧電薄膜共振素子の場合でもよい。圧電薄膜共振素子の場合、基板１０は、例えばシリコン基板、ガラス基板、石英基板等の圧電性を有さない基板を用いることもできる。また、絶縁物３２はポリイミドである場合を例に説明したが、この場合に限られる訳ではなく、樹脂等の有機系の絶縁物や、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機系の絶縁物を用いることもできる。
【実施例２】
【００５７】
実施例２は、ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスを、チップ部品が実装された実装基板に実装した弾性波デバイスの例である。図１０（ａ）から図１０（ｄ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面模式図の例である。図１０（ａ）を参照して、まず、図４（ａ）から図５（ｃ）及び図６（ａ）から図８で説明した製造方法によりベアチップ実装タイプの弾性波デバイスを作製する。なお、図１０（ａ）においては、図の簡略化のために、金属層１２と保護膜３４については図示を省略している。
【００５８】
図１０（ｂ）を参照して、ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスの作製と並行して、第２パッド電極５２と第２環状電極５４とが形成され、チップ部品５８が実装された実装基板５０を準備する。実装基板５０は、例えばセラミック等の絶縁性の基板を用いることができる。第２パッド電極５２と第２環状電極５４とは、例えば半田により形成されている。第２パッド電極５２は突起電極４４に対向する位置となるように形成され、第２環状電極５４はシールリング４６に対向する位置となるように形成される。第２パッド電極５２と第２環状電極５４とは、膜厚を同じにする観点から同時に形成される場合が好ましい。チップ部品５８は、例えばチップ抵抗、チップコンデンサ、及びチップインダクタ等であり、半田６０により実装されている。
【００５９】
図１０（ｃ）を参照して、突起電極４４の上面を第２パッド電極５２に接合させ、同時に、シールリング４６の上面を第２環状電極５４に接合させる。これにより、ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスが実装基板５０上にフリップチップ実装される。突起電極４４とシールリング４６とが弾性表面波素子１４よりも高く形成されているため、シールリング４６と第２環状電極５４とを接合させることで、弾性表面波素子１４を気密封止して、弾性表面波素子１４上に封止空間５６を形成することができる。
【００６０】
図１０（ｄ）を参照して、例えばガラスエポキシ系樹脂からなる天板６２を、実装基板５０上に実装した基板１０やチップ部品５８の上に、それらを覆うように形成する。これにより、実施例２に係る弾性波デバイスが完成する。なお、天板６２の代わりに、実装基板５０上に実装した基板１０やチップ部品５８を覆うようにモールド樹脂部を形成してもよい。ここでは、実装基板５０上の基板１０やチップ部品５８を覆う樹脂製の天板６２やモールド樹脂部を総称して樹脂封止部と呼ぶこととする。
【００６１】
実施例２によれば、図１０（ｃ）のように、突起電極４４と実装基板５０（第２基板）上に形成した第２パッド電極５２とを接合させ、シールリング４６と実装基板５０上に形成した第２環状電極５４とを接合させて、ベアチップ実装タイプの弾性波デバイスを実装基板５０上に実装している。そして、図１０（ｄ）のように、実装基板５０上に実装した基板１０等を覆うように、樹脂封止部を形成している。比較例１のように配線の除去工程を行う場合では、異物の付着が起こり易く、樹脂封止部における樹脂は帯電し易いことから、微細な間隔で形成されるＩＤＴ電極の電極指部分でＥＳＤ（ElectroStatics Discharge）破壊不良が発生することが起こり得る。一方、実施例２では、配線の除去工程が不要なベアチップ実装タイプの弾性波デバイスを用いているため、異物の付着が起こり難く、樹脂封止部で封止したとしても、ＩＤＴ電極でのＥＳＤ破壊の発生を抑制することができる。
【００６２】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００６３】
１０ 基板
１２ 金属層
１４ 弾性表面波素子
１６ 配線
１８ 配線
２０ 第１パッド電極が形成されるべき領域
２２ 第１環状電極が形成されるべき領域
２４ 切断領域
２６ 配線
２８ 第１配線
３０ 第２配線
３１ 第３配線
３２ 絶縁物
３４ 保護膜
３６ 第１パッド電極
３８ 第１環状電極
４０ フォトレジスト
４２ 開口
４４ 突起電極
４６ シールリング
５０ 実装基板
５２ 第２パッド電極
５４ 第２環状電極
５６ 封止空間
５８ チップ部品
６０ 半田
６２ 天板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に複数の弾性波素子を形成する工程と、
前記第１基板上に、前記複数の弾性波素子それぞれにそれぞれ電気的に接続する複数の突起電極と、前記複数の弾性波素子のうちの一部の弾性波素子と前記一部の弾性波素子に電気的に接続する前記複数の突起電極のうちの一部の突起電極とを１組としてそれぞれ囲む複数のシールリングと、を電解めっき法によって同時に形成する工程と、
前記複数の弾性波素子の個片化と同時に前記電解めっき法で用いためっき用給電線を切断することで、個片化された前記弾性波素子に電気的に接続する前記突起電極と前記個片化された弾性波素子を囲む前記シールリングとを電気的に分離する工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記めっき用給電線として、前記複数の弾性波素子を個片化する際の切断領域を延在する第３配線と、前記第３配線から前記突起電極が形成されるべき領域に延在する第１配線と、前記第３配線から前記シールリングが形成されるべき領域に延在する第２配線とを、前記第１基板上に形成する工程を有し、
前記突起電極と前記シールリングとを電気的に分離する工程は、前記複数の弾性波素子の個片化と同時に前記第３配線を除去することで、前記突起電極と前記シールリングとを電気的に分離することを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記複数の突起電極のうちの少なくとも信号入出力用の前記突起電極が形成されるべき領域に延在する前記第１配線と前記シールリングとが電気的に分離するように、前記信号入出力用の突起電極が形成されるべき領域に延在する第１配線と前記シールリングとを立体配線構造とする工程を有することを特徴とする請求項２記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記立体配線構造とする工程は、前記第１配線と前記シールリングとの間に絶縁物を形成する工程を含むことを特徴とする請求項３記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項５】
第２基板上に、前記突起電極に対向する位置にパッド電極を、前記シールリングに対向する位置に環状電極を形成する工程と、
前記個片化された弾性波素子に電気的に接続する前記突起電極と前記パッド電極とを接合させ、且つ前記個片化された弾性波素子を囲む前記シールリングと前記環状電極とを接合させる工程と、を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記第２基板上に実装した前記第１基板を覆うように樹脂封止部を形成する工程を有することを特徴とする請求項５記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記突起電極と前記シールリングとは、同じ材料からなることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記突起電極と前記シールリングとは、Ｎｉ、Ｃｕまたは半田からなることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項９】
第１基板上に設けられた弾性波素子と、
前記第１基板上に設けられ、前記弾性波素子と電気的に接続する突起電極と、
前記第１基板上に設けられ、前記第１基板の端から延在して前記突起電極に電気的に接続する第１配線と、
前記第１基板上に設けられ、前記弾性波素子と前記突起電極とを囲むと共に、前記第１配線と立体配線構造によって交差して前記突起電極と電気的に分離されたシールリングと、
前記第１基板上に設けられ、前記第１基板の端から延在して前記シールリングに電気的に接続すると共に、前記第１配線と電気的に分離された第２配線と、を具備することを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項１０】
前記第１配線と前記シールリングとの間に絶縁物が設けられていることを特徴とする請求項９記載の弾性波デバイス。
【請求項１１】
前記突起電極と接合したパッド電極と、前記シールリングと接合した環状電極と、を有する第２基板と、
前記第２基板上に実装された前記第１基板を覆う樹脂封止部と、を具備することを特徴とする請求項９または１０記載の弾性波デバイス。
【請求項１】
第１基板上に複数の弾性波素子を形成する工程と、
前記第１基板上に、前記複数の弾性波素子それぞれにそれぞれ電気的に接続する複数の突起電極と、前記複数の弾性波素子のうちの一部の弾性波素子と前記一部の弾性波素子に電気的に接続する前記複数の突起電極のうちの一部の突起電極とを１組としてそれぞれ囲む複数のシールリングと、を電解めっき法によって同時に形成する工程と、
前記複数の弾性波素子の個片化と同時に前記電解めっき法で用いためっき用給電線を切断することで、個片化された前記弾性波素子に電気的に接続する前記突起電極と前記個片化された弾性波素子を囲む前記シールリングとを電気的に分離する工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記めっき用給電線として、前記複数の弾性波素子を個片化する際の切断領域を延在する第３配線と、前記第３配線から前記突起電極が形成されるべき領域に延在する第１配線と、前記第３配線から前記シールリングが形成されるべき領域に延在する第２配線とを、前記第１基板上に形成する工程を有し、
前記突起電極と前記シールリングとを電気的に分離する工程は、前記複数の弾性波素子の個片化と同時に前記第３配線を除去することで、前記突起電極と前記シールリングとを電気的に分離することを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記複数の突起電極のうちの少なくとも信号入出力用の前記突起電極が形成されるべき領域に延在する前記第１配線と前記シールリングとが電気的に分離するように、前記信号入出力用の突起電極が形成されるべき領域に延在する第１配線と前記シールリングとを立体配線構造とする工程を有することを特徴とする請求項２記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記立体配線構造とする工程は、前記第１配線と前記シールリングとの間に絶縁物を形成する工程を含むことを特徴とする請求項３記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項５】
第２基板上に、前記突起電極に対向する位置にパッド電極を、前記シールリングに対向する位置に環状電極を形成する工程と、
前記個片化された弾性波素子に電気的に接続する前記突起電極と前記パッド電極とを接合させ、且つ前記個片化された弾性波素子を囲む前記シールリングと前記環状電極とを接合させる工程と、を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記第２基板上に実装した前記第１基板を覆うように樹脂封止部を形成する工程を有することを特徴とする請求項５記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記突起電極と前記シールリングとは、同じ材料からなることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記突起電極と前記シールリングとは、Ｎｉ、Ｃｕまたは半田からなることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項９】
第１基板上に設けられた弾性波素子と、
前記第１基板上に設けられ、前記弾性波素子と電気的に接続する突起電極と、
前記第１基板上に設けられ、前記第１基板の端から延在して前記突起電極に電気的に接続する第１配線と、
前記第１基板上に設けられ、前記弾性波素子と前記突起電極とを囲むと共に、前記第１配線と立体配線構造によって交差して前記突起電極と電気的に分離されたシールリングと、
前記第１基板上に設けられ、前記第１基板の端から延在して前記シールリングに電気的に接続すると共に、前記第１配線と電気的に分離された第２配線と、を具備することを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項１０】
前記第１配線と前記シールリングとの間に絶縁物が設けられていることを特徴とする請求項９記載の弾性波デバイス。
【請求項１１】
前記突起電極と接合したパッド電極と、前記シールリングと接合した環状電極と、を有する第２基板と、
前記第２基板上に実装された前記第１基板を覆う樹脂封止部と、を具備することを特徴とする請求項９または１０記載の弾性波デバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１３−７０３４７（Ｐ２０１３−７０３４７Ａ）
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２０９２８９（Ｐ２０１１−２０９２８９）
【出願日】平成２３年９月２６日（２０１１．９．２６）
【出願人】（０００２０４２８４）太陽誘電株式会社 (964)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月２６日（２０１１．９．２６）
【出願人】（０００２０４２８４）太陽誘電株式会社 (964)
【Ｆターム（参考）】
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