【課題】周波数の温度係数および／または導波路特性に関して改良された、導波路層およびこれに隣接する外套層を有するマイクロ音響デバイスを提供する。
【解決手段】第１の音響波速度ＶＬをもつ導波路層ＷＬと、該導波路層に直接隣接し、第２の音響波速度ＶＭ１を有する第１の外套層Ｍ１とを有しており、導波路で音響波を励起するために電極Ｅ１を備えており、波速度について式ＶＬ＜ＶＭ１が成り立っており、導波路層は異常熱機械挙動をもつ成分を含むガラスであり、導波路層ＷＬは二酸化ゲルマニウム、カルコゲナイドガラス、またはメタリン酸亜鉛を成分として有している。 （もっと読む）

【課題】特定の周波数において、一定量の減衰量を確保すること。
【解決手段】ラダー型に接続された複数の直列共振器Ｓ１−Ｓ４および複数の並列共振器Ｐ１−Ｐ４と、前記複数の直列共振器のうち少なくとも１つの直列共振器Ｓ１に並列に接続された第１インダクタＬ１と、を具備し、前記複数の並列共振器の一部Ｐ３ａは、前記複数の直列共振器と前記複数の並列共振器とが形成する通過帯域の外であって前記第１インダクタと前記少なくとも１つの直列共振器とが形成する第１減衰極１０の高周波数側に共振周波数ｆｒｐ３および反共振周波数ｆａｐ３を有し、前記複数の並列共振器の一部の少なくとも１つは、共振周波数の低周波数側に副共振の共振周波数ｆｒｐ３１を有するフィルタ。 （もっと読む）

【課題】急峻かつ温度安定性に優れたガードバンド側のスカート特性を有し、更に広帯域化が可能なデュプレクサを提供する。
【解決手段】通過帯域の異なる送信フィルタ及び受信フィルタを有するデュプレクサにおいて、フィルタを構成する複数の直列共振子Ｓ１〜Ｓ８及び複数の並列共振子Ｐ１〜Ｐ６のうち、ガードバンド側のスカート特性を形成する第１共振子Ｓ１〜Ｓ４、Ｐ４〜Ｐ６は、温度補償型のＴＣ−ＦＢＡＲまたはラブ波利用の弾性表面波共振子とし、ガードバンドと反対側のスカート特性を形成する第２共振子Ｐ１〜Ｐ３、Ｓ５〜Ｓ８は、非温度補償型のＦＢＡＲまたは弾性表面波共振子とする。第２共振子の弾性表面波共振子には、ＬＴ基板またはＬＴとＳａの貼り合わせ基板を用いた弾性表面波共振子の他、ラブ波利用の弾性表面波共振子を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】挿入損失が少なく、効率の高い弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波の逆速度面が凹となる圧電基板１２と、この圧電基板の表面に設けられた一対の櫛形電極１５を有する弾性波共振器１３とを備え、前記一対の櫛形電極は、対向する一対の共通電極１６と、前記それぞれの共通電極から他方の共通電極側に交互に延出された複数の電極指１７とを有し、前記電極指が交差する領域を交差領域とし、前記電極指の先端と対向する櫛形電極との間のギャップ１９を結ぶ領域をギャップ領域としたとき、前記交差領域における圧電基板の表面の高さよりも圧電基板の表面の高さが低くなるように前記ギャップ領域に段差２５を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】溝形成時の圧電基板の削り屑の付着による特性の劣化や、ＩＤＴ電極の損傷が生じ難い、ＩＤＴ電極の電極指間に溝が形成されている弾性波装置の製造方法を得る。
【解決手段】ＬｉＴａＯ_３基板２などからなる圧電基板の上面２ａに溝２ｂが形成されるべき第１の領域以外の第２の領域を覆うように第１のレジストパターン４を形成し、第１の領域に溝２ｂを形成し、第１のレジストパターン４を除去するとともに、削り屑２ｃを除去して、溝２ｂが形成されているＬｉＴａＯ_３基板２を得、溝２ｂを形成した後にＩＤＴ電極５Ｂを形成する、弾性波装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＡＷからなる弾性表面波を利用するためにタンタル酸リチウム製の圧電基板上にＩＤＴ電極を配置した弾性表面波素子において、この弾性表面波素子の周波数帯域が２ＧＨｚ以上もの高周波数帯域であっても伝搬損失を小さく抑える。
【解決手段】４５〜４６°回転Ｙ−Ｘ板からなるタンタル酸リチウムを圧電基板１０として用いると共に、ＩＤＴ電極２の膜厚ｈを７．５％λ〜８％λに設定すると共に、ＩＤＴ電極２における電極指６群について、電極指の幅寸法及び互いに隣接する電極指間の離間寸法に於いて、幅寸法と離間寸法との和で幅寸法を除した値で表されるライン占有率を０．５５〜０．６５に設定する。 （もっと読む）

【課題】簡易に測定でき、かつ、測定の精度を向上できる。
【解決手段】弾性表面波を伝播する圧電素子基板（１０）と、電気信号と前記弾性表面波との変換を行う電極（１１−１ａ、１１−１ｂ、１１−２ａ、及び１１−２ｂ）と、前記弾性表面波の伝播路に配置され、検体である液体が導入される検出領域（１２）と、前記検出領域に接触し、液体が浸潤する多孔性基材（１３）と、前記電極が液体と接触することを防ぐ封止構造（１４−１及び１４−２）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高い電気機械結合と、低いスプリアス応答と、望ましい周波数-温度特性とを同時に示すＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１０は、ニオブ酸リチウムを含むとともに弾性波の伝搬を行なうように構成される基板１２と、基板１２の表面２２上の第１及び第２の電極パターン１８、２０により第１及び第２の共振器１４、１６が形成され、その上にプラスのＴＣＦを有する誘電保護膜２４が形成される。そして、第１及び第２の電極パターン１８、２０が個々の電極幅ａ１、ａ２を有するとともに異なる電極周期ｐ１、ｐ２をもって配置され、異なる電極周期ｐ１、ｐ２のそれぞれが電極周期ｐ１、ｐ２に対する電極幅ａ１、ａ２のそれぞれの比率と関連付けられる。 （もっと読む）

【課題】Ｑ値を向上させ、弾性表面波共振子の小型化を可能とする。
【解決手段】水晶基板上に弾性表面波を励振する電極指を有するＩＤＴが設けられた弾性表面波共振子において、ＩＤＴは、中央部に配置された第１領域と、第１領域の両側に配置された第２領域および第３領域とを備え、第１領域では周波数が一定であり、第２領域および第３領域ではＩＤＴの端部に近づくに従い周波数が順次低くなる部分を含み、第１領域における周波数をＦａ、第２領域における端部の周波数をＦｂ_M、第３領域における端部の周波数をＦｃ_N、としたとき、０．９８１５＜Ｆｂ_M／Ｆａ＜０．９９５３、かつ、０．９８１５＜Ｆｃ_N／Ｆａ＜０．９９５３、である。 （もっと読む）

【課題】メアンダ構造のＩＤＴ電極を入力側電極及び出力側電極の少なくとも一方として用いると共に通過域よりも低域側及び高域側に各々減衰域を設けたバンドパス型の弾性波フィルタにおいて、減衰域にて良好な減衰特性を持つフィルタを提供する。
【解決手段】入力側ＩＤＴ電極１２及び出力側ＩＤＴ電極として、入力ポート２１や出力ポートと接地ポート２３との間に複数のＩＤＴブロック１を互いに直列に接続したメアンダ構造の電極を各々配置すると共に、互いに隣接するＩＤＴブロック１、１間において電極指１７を取り除いて、不要な弾性波が励振することを抑える。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性を向上させると共に、弾性波の伝搬ロスを低減すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板１０上に設けられた櫛型電極１２と、圧電基板１０上に櫛型電極１２を覆って設けられたＳｉＯＦ膜１６と、を備え、ＳｉＯＦ膜１６の上面に光を入射させたときの反射率の極大値を、圧電基板１０の上面にその極大値での波長の光を直に入射させたときの反射率で規格化した規格化反射率が、０．９６以上である弾性波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】製造の容易さを有し、かつ通過周波数帯域での損失が小さいワンチップ漏洩表面弾性波分波器を提供する。
【解決手段】直列腕共振器１０２−７、１０２−８、１０２−９と並列腕共振器１０３−５，１０３−６から成る梯子型バンドパスフィルタ１０７−１、および多重モード型共振器１０４−１、１０４−２，１０４−３、１０４−４から成る多重モード結合型バンドパスフィルタ１０７−２から構成される分波器１０１−１において、直列腕共振器１０２−７、１０２−８、１０２−９のメタライゼーションレシオを多重モード型共振器１０４−１、１０４−２，１０４−３、１０４−４のメタライゼーションレシオまたは並列腕共振器１０３−５，１０３−６のメタライゼーションレシオより大きい値に設定する。 （もっと読む）

【課題】 振動空間の気密性を長時間にわたって保持することができる弾性波装置を提供する。
【解決手段】 素子基板３と、素子基板３の主面に配置された励振電極５と、凹部を有し、凹部の内面および素子基板３の主面で囲まれた空間である振動空間２１内に励振電極５が位置するようにして前記凹部の周囲が素子基板３の主面に接合されたカバー９とを備えた弾性波装置である。カバー９は、素子基板３との接合部の外面側および内面側の少なくとも一方に、素子基板３の主面に沿って伸びている伸長部１０を備えている。 （もっと読む）

【課題】突起電極の高さとシールリングの高さとを同程度にできると共に、製造工数の削減と品質の向上とを実現すること。
【解決手段】本発明は、基板１０上に複数の弾性表面波素子１４を形成する工程と、基板１０上に、複数の弾性表面波素子１４それぞれにそれぞれ電気的に接続する複数の突起電極４４と、複数の弾性表面波素子１４のうちの一部の弾性表面波素子１４とこの一部の弾性表面波素子１４に電気的に接続する複数の突起電極４４のうちの一部の突起電極４４とを１組としてそれぞれ囲む複数のシールリング４６と、を電解めっき法によって同時に形成する工程と、複数の弾性表面波素子１４の個片化と同時に電解めっき法で用いためっき用給電線を切断することで、個片化された弾性表面波素子１４に電気的に接続する突起電極４４と個片化された弾性表面波素子１４を囲むシールリング４６とを電気的に分離する工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】バンプ形成時の応力による圧電基板のクラックが生じ難く、かつ電極層の圧電基板からの剥離も生じ難い、弾性表面波装置を得る。
【解決手段】バンプ１３を介して実装基板にフリップチップボンディング方式で実装される弾性表面波装置であって、圧電基板２の第１の主面上にＩＤＴ電極３〜５を含む第１の電極層１１が形成されており、第１の電極層１１に電気的に接続されるように、第２の電極層１２が形成されており、第２の電極層１２上にバンプ１３が接合され、第２の電極層１２のバンプ１３が接合される部分を接合領域としたときに、接合領域において第２の電極層１２と圧電基板２との間に、バンプ１３よりも硬度が高い誘電体からなる誘電体層８が設けられている、弾性表面波装置。 （もっと読む）

【課題】周波数調整を容易に行うことが可能な弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板１０上に設けられた櫛型電極１２及び反射電極１４と、櫛型電極１２及び反射電極１４を覆って設けられた、元素がドープされた酸化シリコン膜（例えば、ＳｉＯＦ膜１８）を少なくとも含む第１媒質２０と、を備え、第１媒質２０に含まれる元素がドープされた酸化シリコン膜は、アンドープの酸化シリコン膜よりも音速の遅い膜である弾性波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】外部端子の設計の自由度を向上可能な圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイス１は、ベース基板５と、ベース基板５上にフェースダウン実装されている圧電素子７と、ベース基板５の側面１１ｃに接合された拡張部材９と、拡張部材９の下面９ｂに設けられた外部端子３とを有し、拡張部材９は、ベース基板５及び圧電素子７のうち、ベース基板５の下面１１ｂを露出させつつ、それ以外の部分を覆っていて、複数の外部端子３は、ベース基板５の下面１１ｂ及び／又は拡張部材９の下面９ｂに設けられている。 （もっと読む）