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Fターム[5F061BA04]の内容

半導体又は固体装置の封緘、被覆の形成 (9,309) | 素子の搭載部材形式 (1,888) | 基板搭載形 (1,068) | プリント回路基板搭載形 (325)

Fターム[5F061BA04]に分類される特許

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【課題】基板6に装着した電子部品5を圧縮成形する場合に、離型フィルム13を被覆した下型4のキャビティ10内に顆粒樹脂7を均一な厚さで効率良く供給し得て、製品(樹脂成形体12)の生産性を効率良く向上させる。
【解決手段】まず、離型フィルム13に下型キャビティ10の形状に対応したフィルム凹部14を設けて凹部付フィルム15を形成すると共に、フィルム凹部14に所要量の顆粒樹脂7を投入して振動させることにより、顆粒樹脂7を平坦化して均一な厚さに保形して平坦化樹脂載置フィルム16を形成し、次に、平坦化樹脂載置フィルム16をインローダ2に係着すると共に、インローダ2にて平坦化樹脂載置フィルム16におけるフィルム凹部14をキャビティ(凹部)10に合致・嵌装(嵌合セット)することにより、凹部付フィルム15を被覆したキャビティ10内に平坦化顆粒樹脂7を供給セットする。 (もっと読む)


【課題】フリップチップパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のフリップチップパッケージは、基板と、基板上に実装されるフリップチップと、フリップチップが基板に電気的に連結される部分である基板上のチップ連結部分に形成された第1アンダーフィルと、チップ連結部分以外の基板上に形成された第2アンダーフィルと、を備え、第1アンダーフィルは、第2アンダーフィルより高い強度の材質で形成される。また、その製造方法は、基板を準備する工程と、基板と基板に実装されるフリップチップとが電気的に連結される部分である基板上のチップ連結部分以外の部分に第2アンダーフィルを形成する工程と、チップ連結部分に第1アンダーフィルを形成する工程と、チップ連結部分にバンプを通じてフリップチップを実装する工程と、を有し、第1アンダーフィルは、第2アンダーフィルより高い強度の材質で形成される。 (もっと読む)


【課題】基板の主面上にチップ型電子部品がはんだで接続、固定され、その主面側が一体に樹脂封止された半導体装置をプリント基板等の実装基板にはんだ付けするリフロー加熱時に、はんだの再溶融流れ出しによる不良発生を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板1に半導体素子3とチップコンデンサ5を実装した後、封止樹脂を用いた中空封止により封止樹脂部8を形成するに際し、基板1の底面側から基板穿孔部9へ気体を加圧注入することで、封止樹脂部8内に、チップコンデンサ5の端部電極5a、5b及びはんだフィレット部6の全体を被覆する樹脂未充填の空洞10を形成する。 (もっと読む)


【課題】組立高さの低背化とパッケージの低反り化を同時に実現する、半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置40は、絶縁層21と配線層18および20により構成された配線基板17の片面に半導体素子10が搭載され、半導体素子10が搭載されている配線基板17の面に設けられた金属ポスト24と、半導体素子10を覆うと共に、金属ポスト24のうち配線基板17と接する面の反対面のみが露出するように、半導体素子10が搭載されている配線基板17の面に設けられた封止層14と、を含む。 (もっと読む)


【課題】電子部品の圧縮成形用金型1(上下両型2・3)を用いて、基板5に装着した電子部品4を圧縮成形する場合に、下型キャビティ8内に顆粒樹脂10を均一な厚さで効率良く供給し得て、製品(樹脂成形体11)の生産性を効率良く向上させる。
【解決手段】樹脂収容用プレート31の樹脂収容部32内に顆粒樹脂10を投入して均一な厚さを有する保形顆粒樹脂10を形成すると共に、プレートの開口部33側を離型フィルム12で機械的に被覆し、この離型フィルム被覆済プレート31を反転させた状態で、下型キャビティ8位置に離型フィルム12を介して載置接合し、次に、キャビティ8面に離型フィルム12を被覆させると共に、これと同時に、均一な厚さを有する保形顆粒樹脂10をキャビティ8内に落下供給する。 (もっと読む)


【課題】熱伝導体の一部が封止樹脂体から外部に露出している半導体装置において、樹脂封止時の樹脂の流動による金属細線のショートを防止し、かつ、放熱性を向上させ、しかも、薄バリが生じずに、品質の安定した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子1と、半導体素子1の主面に対向して配置された熱伝導体91と、前記半導体素子1の少なくとも一部と熱伝導体91の一部とを封止する封止樹脂体6と、を備え、熱伝導体91における半導体素子1の主面と対向する面と反対側の面の一部が封止樹脂体6から外部に露出している半導体装置において、熱伝導体91の露出部が設けられている面の一部に、板厚方向に貫通する開口部11を設け、この開口部11の周縁に、半導体素子1が配設されている側とは反対側に突出する突起部91bを有している。 (もっと読む)


【課題】有機配線基板をインターポーザーとした半導体装置を製造する際の、ゲートカット時に発生するモールド樹脂周辺の基板クラック発生を減少させ、品質の向上を図る手段を提供する。
【解決手段】有機配線基板3における樹脂封止部6の領域の1または複数のコーナー部に、モールド金型の樹脂導入路に接続する樹脂導入部6aが設定され、前記樹脂導入部6aとの間に間隙を有するように、モールド金型の樹脂導入路が当接する部位にメッキ配線8が形成される。モールド後のゲートカット時の曲げ応力の集中部は、メッキ配線8の先端部と樹脂導入部6aとに分散するので、配線基板3のクラックの発生をなくし、基板内部の金属配線2の断線を防止できる。 (もっと読む)


【課題】樹脂封止に起因する反りやひずみを低減することができ、信頼性に優れた電子部品装置の樹脂封止方法及び電子部品装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】配線回路基板10にフェイスダウン接続された半導体素子50を有する電子部品装置1を用意する工程と、配線回路基板10及び半導体素子50の間に熱硬化性樹脂を含む液状封止材100を介在させる工程と、液状封止材100をマイクロ波の照射により硬化させるマイクロ波照射工程を備える電子部品装置1の樹脂封止方法。 (もっと読む)


【課題】配線基板の外部端子取り付け面にストレスを与えずに一括封止後の配線基板を分割する。
【解決手段】主面に複数のデバイス領域が形成された多数個取り基板7を準備し、前記複数のデバイス領域それぞれに半導体チップを固定し、前記半導体チップ固定後、前記複数の半導体チップを一括で樹脂封止して一括封止部8を形成し、一括封止部8および多数個取り基板7をダイシングにより前記デバイス領域ごとに分割し、前記分割後、ブラシによってそれぞれの封止部の表面を擦り、その後、各半導体装置を一旦トレイのポケットに収納し、さらに、前記トレイから各半導体装置を個片搬送することにより、一括封止後の基板分割時に一括封止部8の表面を真空吸着してダイシングすることにより、多数個取り基板7の外部端子取り付け面にストレスを与えずに分割することができる。 (もっと読む)


【課題】電子部品(例えば、半導体素子等)の実装と封止を一括かつ低圧で行うことを可能とする封止用樹脂フィルムならびに該封止用樹脂フィルムを用いたモジュール(例えば、半導体装置等)およびモジュール前駆体の製造方法の提供。
【解決手段】配線パターンが形成された基板上に実装される電子部品を封止するための封止用樹脂フィルムであって、
60〜230℃での最低粘度が1〜107Pa・sとなる樹脂組成物からなる封止用樹脂フィルム。 (もっと読む)


【課題】ソルダーレジスト層とアンダーフィル樹脂との界面で剥離が起こりにくい構造を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、配線基板10、半導体チップ20、導体バンプ30、およびアンダーフィル樹脂40を備えている。配線基板10は、ソルダーレジスト層12および応力緩和部14を有している。ソルダーレジスト層12の、半導体チップ20の外周と対向する領域上には、応力緩和部14が設けられている。応力緩和部14の材料は、ソルダーレジスト層12の材料とは相異なる。応力緩和部14は、ソルダーレジスト層12およびアンダーフィル樹脂40が受ける応力を緩和する機能を有する。配線基板10上には、導体バンプ30を介して半導体チップ20が実装されている。配線基板10と半導体チップ20との間の間隙には、アンダーフィル樹脂40が充填されている。 (もっと読む)


【課題】圧縮成形を用いた、半導体発光デバイスをパッケージ化する方法を提供すること。
【解決手段】半導体発光デバイスをパッケージ化する方法は、前面上に半導体発光デバイスを有する基板を設けるステップを含む。第1の光学要素が、前面上の半導体発光デバイスの近傍に、第1の材料から形成される。第2の光学要素が、半導体発光デバイス及び第1の光学要素を覆って、第1の材料とことなる第2の材料から形成される。第1の光学要素および/または第2の光学要素は、各光学要素を圧縮成形することにより形成される。 (もっと読む)


【課題】樹脂材の充填効率が良く、型面を汚すことなく未充填領域のない成形品質に優れたアンダーフィルモールドが行なえる樹脂封止装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ1の樹脂注入方向上流側において当該半導体チップ1と回路基板3の隙間を覆って供給された樹脂材18が、空圧回路14より第1の密閉空間16に圧縮空気を送り込みかつ吸引回路15より第2の密閉空間17からエアを吸引しながらアンダーフィルモールドされる。 (もっと読む)


【課題】複雑なパラメータの計算が不要であり、吐出量の変化に柔軟に対応することができる液体材料の充填方法、装置およびプログラムの提供。
【解決手段】ワークの外周に沿った非補正塗布パターンと、非補正塗布パターンと重なる補正塗布パターンとから構成される全体塗布パターンを作成し、全体塗布パターンに基づき吐出部から液体材料を吐出し、基板とその上に載置されたワークとの間隙に毛細管現象を利用して液体材料を充填する液体材料の充填方法であって、補正塗布パターンを、塗布領域および非塗布領域から構成し、補正塗布パターンの塗布領域および非塗布領域を伸縮させることにより、液体材料の吐出量の補正を行うことを特徴とする液体材料の充填方法。 (もっと読む)


【課題】透明シリコーン樹脂を用いながらも、温度サイクルなどの環境変化に対する耐久性が優れ、信頼性が高い樹脂封止型半導体受光素子を提供する。
【解決手段】回路基板11の搭載面11a及び回路基板11上のボンディングワイヤー13の接続箇所等を透明エポキシ樹脂層14により封止し、透明エポキシ樹脂層14を硬化させても、透明エポキシ樹脂層14と回路基板11の搭載面11aとの界面での剥離が生じ難く、かつ透明エポキシ樹脂層14内部でのボンディングワイヤー13の断線が生じ難い。温度サイクル試験などの信頼性試験を行っても、その様な剥離や断線が生じず、十分に高い信頼性を達成することができる。また、短波の光に対して優れた耐光性を有する透明シリコーン樹脂層15のみを通じて、受光素子チップ12の受光面12aへと光が入射する様にして、受光特性の低下等の発生を未然に防止している。 (もっと読む)


【課題】薄型化された基板の端部における損傷を低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層と配線層とが積層された複数の基板20にそれぞれ半導体チップ30をフリップチップ実装する。基板20の大きさは、規定の寸法よりも大きいものを用いる。半導体チップ30がそれぞれ搭載された複数の基板20を一方向に並置した状態で、封止樹脂40をモールドする。封止樹脂40の成型領域は、各基板20に成型すべき封止樹脂層の外形よりも大きくする。この後、所定の寸法に合わせて、余分な領域Rをダイシング装置などを用いて切除し、各基板20を個片化する。 (もっと読む)


【課題】樹脂成形体の1つ当たりのパッケージ数が多くても、樹脂成形体が変形し難く、不良が発生し難い樹脂成形体を提供する。
【解決手段】各パッケージ11aの境界に沿って、樹脂成形体11の厚みの途中までスリット13を形成しているので、樹脂成形体11の硬化収縮や、樹脂成形体11とリードフレーム12との間の線膨張係数の差により、樹脂成形体11に応力が生じても、この応力が各パッケージ11a間のスリット13により緩和され、樹脂成形体11の反りが発生しない。ダイボンドやワイヤボンド等の工程では、樹脂成形体11の反りや変形がないため、樹脂成形体11を定位置に容易に位置決めすることができ、また大きな光透過板を樹脂成形体11全体に貼り付けても、樹脂成形体11と光透過板間に隙間が形成されない。 (もっと読む)


【課題】半導体装置における信頼性の向上を図る。
【解決手段】トップゲート方式で封止体を形成した後のゲートブレイク時に、ゲート部17dの樹脂流路17hに充填されたゲートレジンを捻ることにより、鏡面加工で形成された内周面17fで前記ゲートレジンを滑らせて回転させることで、ゲート部17dの注入口17e付近で前記ゲートレジンと前記封止体の天面とを円滑に、かつ前記封止体の一部を引き剥がすことなく切断分離することができる。これにより、半導体装置(POP)において前記封止体の内部の半導体チップやワイヤが露出することを防止でき、前記半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】ワークを基板に接合する際において、基板とワークの加工部分を観察して、ボイドの発生状態や樹脂の流動などの挙動を把握する。
【解決手段】基板10をセットするステージ20と、加熱および加圧加工により、透明材料からなる観察用ワーク30を基板10と観察用ワーク30の間に供給された樹脂50を介して基板10に接合するヘッド機構40と、ステージ20に載置された基板10および観察用ワーク30の観察対象部分に光を照射する光源90と、ステージ20にセットされた基板10に観察用ワーク30を接合する際における観察対象部分の映像を観察用ワーク30側から撮影する撮影手段60を有することを特徴とする。 (もっと読む)


ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン及びポリヘドラルオリゴメリックシリケートを含むナノスコピックシリコン含有剤が、無鉛はんだ接続の表面での導電性金属ウィスカの生成と半導体中の原子マイグレーションをなくすために使用される。 (もっと読む)


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