【課題】スキャンテスト信号配線を有する半導体集積回路において、ノーマルモード時にスキャンテスト信号が変化することでノイズの発生源となり、半導体集積回路が誤動作してしまう。
【解決手段】スキャンテスト信号を伝搬するスキャンテスト信号配線１０３と、スキャンテストモードとノーマルモードとのモード切り換えを制御するスキャンイネーブル信号を伝搬するスキャンイネーブル信号配線１０５と、半導体集積回路に所望の動作をさせる機能を有するＳＲＡＭコア回路部１０９と、前記コア回路内部の前記スキャンテスト信号を、前記スキャンイネーブル信号によってノーマルモード時に固定する論理回路１１０を備える。 （もっと読む）

【課題】配線用のマスクが不要となる上に、少量多品種の製品を作る場合に時間や費用を低減化できる集積回路の提供
【解決手段】この発明は、基板１上に設けられた複数のセル２からなるセル領域３と、そのセル領域３上に形成される配線領域４とを備えている。セル領域３の各セル２の端子７は、配線領域４の配線パターン８と接続されている。その配線パターン８は、配線領域４内において導電性の材料を含むインクを用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ヒューズの信頼性を確保しつつ、ヒューズの切断性を向上させる。
【解決手段】 開口部５ａ上を覆うとともに、多結晶シリコンヒューズ３上を露出させるレジストパターン８を導電膜７上に形成し、そのレジストパターン８をマスクとして導電膜７をエッチングすることにより、開口部５ａを介して高濃度不純物注入層４に接続された配線層７ａを層間絶縁膜５上に形成した上で、導電膜７のオーバーエッチングをさらに行うことにより、多結晶シリコンヒューズ３に段差３ａを形成して、多結晶シリコンヒューズ３を薄膜化し、層間絶縁膜９および保護膜１０を多結晶シリコンヒューズ３および配線層７ａ上に順次成膜する。 （もっと読む）

【課題】配線の引き出し性が向上されているとともに、配線間の短絡などの電気的問題が生じるおそれが抑制されており、かつ、配線が形成される領域の省スペース化が図られた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１が備える基板４上の所定の層内に、第１の配線３が複数本並べられて設けられている。各第１の配線３は、それらの並べられた方向に沿って一方の側から他方の側へ向かうに連れて長く延ばされて形成されているか、あるいは短く縮められて形成されている。それとともに、各第１の配線３は、隣接するそれぞれの一端部３ａが並べられた方向と直交する方向において互いにずれた位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板と電子ビーム露光装置との位置合わせを容易に行うことができる半導体ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ゲート電極１７ａと導電膜１７のそれぞれの上と第１開口１７ｂ内に層間絶縁膜２５を形成する工程と、第１開口１７ｂを含む第２開口２５ａを層間絶縁膜２５に形成する工程と、第１開口１７ｂの下の素子分離絶縁膜１４に穴１４ａを形成する工程と、レジスト２８が塗布された状態で第１開口１７ｂと穴１４ａとを位置合わせ用のマーク２７として使用し、該マーク２７からの反射電子EB_refの強度を測定して電子ビーム露光装置とシリコン基板１０との位置合わせを行う工程と、第１領域Iのホール形成領域にあるレジスト２８を電子ビームEBで露光する工程と、レジスト２８を現像してレジストパターン２８ｅにする工程と、を有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】 ゲートパターン形状のばらつきを低減し、半導体装置の歩留まりを向上させる。
【解決手段】 従来の技術においては中心間距離を基準として１０％の変動幅を規定していたが、本実施形態においては、露光波長λを基準として変動幅を規定している。ここで、中心間距離と露光波長とでは露光波長の方が小さいので、従来の技術と比較して、中心間距離の変動幅が小さくなっている。また、従来の技術においては、中心間距離によって変動幅を規定していたため変動幅が中心間距離に依存しており、変動幅を正確に規定することが難しかった。一方、露光波長λはレーザ光の光源が同じであれば変動しないため、変動幅を、より正確に規定することができる。そのため、より精度よく、回折光の角度分布を小さくすることができ、結像のゆらぎを、より一層低減することができる。したがって、露光ショットの繰り返しで発生するゲートパターン形状のばらつきを、より一層低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ヒューズ溶断時におけるヒューズ下層の配線へのダメージ、あるいは、隣接ヒューズへのダメージを抑えて、ヒューズを溶断できるような構造の半導体装置を得る。
【解決手段】 基板と、基板主面に形成された第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に形成され、第１絶縁膜に接して配置された第２絶縁膜と、第２絶縁膜上に形成された複数のヒューズとを備える半導体装置に、更に、遮断層を形成する。この遮断層は、第１絶縁膜及び第２絶縁膜中であって、かつ、基板主面から見た場合に、複数のヒューズが形成される領域と重なる位置に配置され、ヒューズが溶断される際に照射されるレーザ光を反射する材料で形成される。あるいは、半導体装置中のヒューズを、少なくとも２層以上に積層された絶縁膜中に形成する （もっと読む）

【課題】ヒューズの溶断不良が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】 この半導体装置は、絶縁膜上に形成されたヒューズ４ｂと、ヒューズ４ｂ上に形成された第１の層間絶縁膜８と、第１の層間絶縁膜８上に形成された第２の層間絶縁膜１０と、を具備する。第１の層間絶縁膜８は、ヒューズ４ｂ上に位置する複数のダミー開口部８ｅを具備し、ダミー開口部８ｅには、第２の層間絶縁膜１０が埋め込まれている。第２の層間絶縁膜１０のうち、ダミー開口部８ｅに埋め込まれた部分は強度が弱い。このため、ヒューズ４ｂを溶断する際に、ヒューズ４ｂ上の層間絶縁膜は破壊されやすい。従って、ヒューズ４ｂの溶断不良は生じにくくなる。 （もっと読む）

【課題】金属磁性体を用いたより高周波域での利用が可能なマイクロ波伝送線路およびマイクロ波フィルタを提供すること。
【解決手段】マイクロ波伝送線路１００は、半導体基板１０上に、順に、接地層１２、絶縁層１４、磁性層２０、導電層１６が積層された構造を有する。ストリップラインは、絶縁層１４、磁性層２０、および、導電層１６によって形成される。磁性層２０は、非磁性層２２を強磁性層２１および強磁性層２３で挟んだ積層膜であり、人工反強磁性体として機能する。 （もっと読む）

レーザヒューズを製作する方法及び構造体と、レーザヒューズをプログラミングする方法とを提供する。レーザヒューズは、第１自己不活性化導電性材料で充填された２つのビア（８２０ａ及び８２０ｂ）を有する第１誘電体層（８０７）を含む。ヒューズリンク（８１０’）は第１誘電体層（８０７）の上部に位置する。ヒューズリンク（８１０’）は２つのビア（８２０ａ及び８２０ｂ）を電気的に接続し、レーザビームに当てられた後に電気抵抗を変える特性を持つ第２材料を含む。２つのメサ（８２５ａ，８３０ａ及び８２５ｂ，８３０ｂ）は、ヒューズリンク（８１０’）上、並びに２つのビア（８２０ａ及び８２０ｂ）の真上に位置する。２つのメサ（８２５ａ，８３０ａ及び８２５ｂ，８３０ｂ）は各々、第３自己不活性化導電性材料を含む。レーザヒューズは、レーザビームをヒューズリンク（８１０’）に向けることによりプログラミングされる。ヒューズリンク（８１０’）上のレーザビームの衝撃に応えて、ヒューズリンク（８１０’）を吹き飛ばすことなく、ヒューズリンク（８１０’）の電気抵抗が変わるようにレーザビームが制御される。このような電気抵抗の変化は感知され、デジタル信号へ変換される。

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