【課題】
半導体素子と基板がはんだで接合され、樹脂でモールドされる半導体装置の信頼性を高めることを目的とする。
【解決手段】
はんだ材１０６に易揮発金属（Zn、Mg、Sb）を含むはんだを用い、半導体素子１０４とリードフレーム１０２を接合し、ワイヤボンディングを実施した後、真空加熱処理を加え、はんだ中の易揮発金属を揮発させ、基板表面に付着してリードフレームとの合金１０３を形成させることで、基板表面を粗化し、封止樹脂１０１と基板の密着力を向上させる。 （もっと読む）

【課題】ボンディング面と接続部材との密着性を高くするとともにボンディング面と樹脂封止のための樹脂との密着性を高くし、従来の半導体装置よりも高い信頼性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１１０と、半導体チップ１１０を搭載するための第１リードフレーム１２０と、ボンディング面１３２を有する第２リードフレーム１３０，１４０とを備え、第２リードフレーム１３０，１４０におけるボンディング面１３２，１４２は、接続部材１５０を介して半導体チップ１１０と電気的に接続され、半導体チップ１１０、第１リードフレーム１２０及び第２リードフレーム１３０，１４０が樹脂封止により一体化された半導体装置であって、ボンディング面１３２，１４２は、第１の粗化処理が施された第１の粗化面であり、めっきを介することなく接続部材１５０と接続されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】モールド金型内面に強力に放熱板を押しつけることにより、樹脂バリに発生を抑制するし、効率よく放熱をおこなうことができる半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明の半導体装置は、リードフレームと放熱板と樹脂封止体で構成され、放熱板の一方の主面が樹脂封止体から露出する高放熱樹脂封止型半導体装置において、リードフレームに吊り部とヘッダー部を備え、吊り部は放熱板の他方の主面に接合固定させ、ヘッダー部は放熱板の他方の主面に押圧させている状態で、樹脂封止用金型で挟持させて樹脂封止するものである。また、その製造方法である。 （もっと読む）

【課題】低コストで信頼性の高いＩＰＭを得る。
【解決手段】リードフレーム５３が接合される回路パターン３３（第２の回路パターン）は、リードフレーム５３と比べて小さい。このため、リードフレーム５３は、小さな回路パターン３３が存在する箇所によってのみ局所的にはんだ層４０によって部分的に接合される。リードフレーム５３は回路パターン３３が存在する狭い領域においてのみ固定されており、この狭い領域における平坦度を高くすることができる。逆に、この狭い領域以外においてははんだ層４０は形成されていないため、リードフレーム５３は長く、その面積は必ずしも小さくないにも関わらず、はんだ層４０中のボイド等に起因する平坦性の劣化は少なくなる。 （もっと読む）

【課題】厚み寸法の増大を抑えつつ平面寸法を小さくした半導体装置およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体装置１０は、リードフレームＲＭの主面側ＭＦに搭載された回路素子Ｄと、リードフレームＲＭの裏面側ＢＦに搭載されたインダクタ１２と、回路素子Ｄおよびインダクタ１２を樹脂封止する樹脂体１４と、を備えている。回路素子Ｄには、モノリシック集積回路であるＭＩＣ１８が含まれる。 （もっと読む）

【課題】電子部品をプリント基板に搭載する作業の作業性を向上する技術を提供する。
【解決手段】第１パワーモジュール２ａは、IGBT素子を封入する第１樹脂モールド６ａと、制御基板７に形成された複数の第１スルーホール８ａに挿入可能であって、第１樹脂モールド６ａから露出して相互に平行に延びる複数の第１制御端子９ａと、第１樹脂モールド６ａから離れて設けられ、複数の第１制御端子９ａを相互に位置決めする第１位置決め部材１０ａと、を備える。第１位置決め部材１０ａは、第１樹脂モールド６ａのモールド成形時に同時成形される。以上の構成によれば、第１位置決め部材１０ａを複数の第１制御端子９ａに取り付ける作業が不要になるので、第１パワーモジュール２ａを制御基板７に搭載する作業の作業性が向上する。 （もっと読む）

【課題】ノイズの影響を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】モールド樹脂５０を樹脂５０ａに磁性材料５０ｂを混入して構成する領域を有しるものとする。または、隣接するリード３０の間に配置されるモールド樹脂５０を、樹脂５０ａに誘電性材料５０ｃを混入して構成する。これによれば、半導体装置のインダクタンスまたは容量を大きくすることができ、共振周波数を低くすることができる。したがって、増幅されるノイズの周波数を低くすることができ、当該ノイズが増幅されたとしても半導体チップ２０に対する影響を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】インダクタを内蔵する半導体モジュールを高性能かつ小型とする。
【解決手段】第１リードフレーム２１には、絶縁性のセラミックス基板５０が搭載される。また、第２リードフレーム２２、第３リードフレーム２３には、これらをまたいだ形態でインダクタ６０が搭載される。セラミックス基板５０の一方の主面には配線パターンが形成され、この配線パターン中に、ＤＣ−ＤＣコンバータを構成する制御用ＩＣチップ５３、ＭＯＳＦＥＴチップ５４、回路素子（容量素子、抵抗素子）が配置されている。セラミックス基板５０の他方の主面は、接着剤によって第１リードフレーム２１に接合される。 （もっと読む）

【課題】実装基板への実装を容易にかつ安定的に実施することができ、高密度実装が可能な半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージ１は、少なくとも、半導体チップ、リードフレームのダイパッド部、及び半導体チップと複数のリード２２との導電接続部分が、モールド材４０により封止された半導体チップ格納部４１を有し、半導体チップ格納部４１の一端面４１Ａから複数のリード２２の先端部が外部に引き出され、半導体チップ格納部４１は実装面に対して傾斜され、かつ、半導体チップ格納部４１の複数のリード２２が引き出された側と反対側の端面４１Ｂは実装面５０Ｓに対して水平面４１Ｂとされており、半導体チップ格納部４１の傾斜方向と反対方向に傾斜し、半導体チップ格納部４１を保持する保持部４２を備えている。 （もっと読む）

【課題】一対のデバイスにおけるリードが互い違いとなった状態を解消できるデバイス製造装置を提供する。
【解決手段】第一の本体Ｗ１１から第一のリードＷ１５が突出する第一のデバイスＷ１０と、第二の本体Ｗ２１から第二のリードＷ２５が延びる第二のデバイスＷ２０と、両リードを接続する連結部Ｗ３０とを有し、第一のリードと第二のリードとが第一のリードの幅方向に互い違いに配置されたデバイス連結体Ｗから第一のデバイスと第二のデバイスとを分離するデバイス製造装置１であって、デバイス連結体のうち第一のデバイスの重心位置Ｗ１６よりも突出方向Ｘ１側を下方から支持する下部金型１１と、下部金型の上方に配置され、下方に移動することで下部金型と協働して連結部を切断する上部金型１２と、連結部を切断されて自重で移動した第一のデバイスを、幅方向に第一のリードと第二のリードとが重ならないように支持可能なシュート２０Ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＮを用いる半導体装置の低消費電力および高速応答特性のメリットを生かすことのできるデバイス実装構造を実現する。
【解決手段】
ソースリード１５とダイパッド１４が一体成形されたリードフレームを用いて、当該ダイパッド上にＧａＮデバイス１０を搭載する。そして、ＧａＮデバイスのソース端子１１を、ダイパッド１４とワイヤボンディングして実装される。これにより、チップ裏面からのリーク電流を減らし、オン抵抗を低減するとともに、ゲート−ソース間のループ電流を減らし、ソース配線側の寄生インダクタンスを低減することで、ゲート−ソース間の寄生容量を介したゲート電圧の発振を抑制する。 （もっと読む）

【課題】生産性の向上と信頼性の向上とを図ることを可能とするとともにコストの削減をも可能とする樹脂封止型半導体装置を提供する。
【解決手段】第１面に１個の電極が形成され、第２面に２個以上の電極が形成された半導体素子１１１と、半導体素子１１１を搭載する第１ダイパッド１２２及び第１リード１２４を有する第１リードフレーム１２０と、第１リードフレーム１２０とは隔離して配置される第２ダイパッド１３２及び第２リードを有する第２リードフレーム１３０と、接続部１４２及び第３リード１２４４有する第３リードフレーム１４０とを備える樹脂封止型半導体装置１０１であって、第２面に形成された電極のうちの１個の電極は、第１ダイパッド１２２に直接接続され、第２面に形成された他の電極は、第２ダイパッド１３２に直接接続され、第１面に形成された電極は、電気接続子１５０を介して第３リードフレーム１４０の接続部１４２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂の熱膨張や熱収縮によるワイヤの断線や固着部分の外れの発生を低減することで、信頼性を向上させることができるリードフレームおよびそれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】リードフレーム２は第１リード端子２１と第２リード端子２２とを備えている。第１リード端子２１は、第２リード端子２２の一側に位置し、発光素子３を搭載するダイパッド２１２と、第２リード端子２２を挟んで反対となる他側に位置する先端部２１４とを備えている。第２リード端子２２にはワイヤパッド２２２が設けられている。封止樹脂が熱収縮・熱膨張しても、ダイパッド２１２とワイヤパッド２２２との間の封止樹脂による力と、先端部２１４とワイヤパッド２２２との間の封止樹脂による力とを相殺させることができるので、ワイヤパッド２２２とダイパッド２１２との位置関係が変動することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のリードフレームにおいて、内部と連結していなく、引く抜きが可能な吊り部を設けているリードフレームを提供し、容易に製造でき、電気的にショートが発生しない、半導体装置の製造方法と半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明のリードフレームは、ダイパッドと、インナーリードと、アウターリードと、タイバーと、外枠体とを備えたリードフレームにおいて、外枠体から突出した吊り部が設けられ、吊り部は樹脂成形後に樹脂封止体の中に埋め込まれ、かつ突出方向に沿って細く形成されていることを特徴とする。また、本発明の半導体装置の製造方法は、樹脂封止体に埋め込まれた、リードフレームの吊り部を垂直方向に変形させ、吊り部を水平方向に移動させ、樹脂封止体から引き抜くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】板厚方向に段差を設けた切欠き部を有するリードフレームを用いて、樹脂封下を固定保持することが可能なリードフレームと半導体装置の製造方法と半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明のリードフレームは、ダイパッドと、インナーリードと、アウターリードと、タイバーと、外枠体とを備えたリードフレームにおいて、外枠体に切欠き部が設けられ、且つ切欠き段差部が設けられ、切欠き部は樹脂成形時に樹脂封止体から樹脂が充填され、樹脂封止体をリードフレームに固着できることを特徴とする。また、半導体装置は、そのリードフレームによって製造されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 縦型ＭＯＳＦＥＴのオン抵抗及びスイッチング損失の低減。
【解決手段】 封止体と、前記封止体内に位置する半導体チップと、前記封止体の内外に亘って延在する複数のリードと、前記半導体チップの電極と前記封止体内に位置するリードの内端を電気的に接続する導電性のワイヤとを有し、前記半導体チップには縦型電界効果トランジスタセルが並列接続状態で複数組み込まれ、半導体チップの表面にはゲート電極とソース電極が交互に並んでそれぞれ複数配置されるとともに、前記各電極に対応してリードが並び、前記各電極と前記対応した各リードは前記ワイヤによって接続されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】設備費用の著しい増加を伴わずに、正確に半導体パッケージを位置決めすることができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】サイドレール８を有する下金型１の上に、樹脂封止部１６と外部リード１７を有する半導体パッケージ１５を載せる。パッケージホルダー１４とパンチ１２を有する上金型２を下降させて、パッケージホルダー１４により半導体パッケージ１５を横方向に移動させてサイドレール８に押し当てて位置決めする。半導体パッケージ１５を位置決めした後に、パンチ１２により外部リード１７を加工する。パッケージホルダー１４が樹脂封止部１６の外周部に斜めに接触することで、パッケージホルダー１４の下方向への移動が半導体パッケージ１５の横方向への移動を発生させる。 （もっと読む）

【課題】センサ装置を大型化することなく、タイバーが封止されてなるセンサ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品２０が実装される実装部１１、外部に接続される接続リード１２、実装部１１と連結されていると共に当該実装部１１の外側に延びるタイバー１３が一体に形成されているリードフレーム１０を用意する。そして、実装部１１に電子部品２０を実装し、タイバー１３を上金型４１と下金型４２との間に挟持することにより、実装部１１を上金型４１と下金型４２との間に構成されるキャビティ４３の内部に保持する。その後、キャビティ４３にモールド樹脂３０を充填し、モールド樹脂３０を硬化する前にタイバー１３を切断すると共に実装部１１に連結されたタイバー１３の切断部をモールド樹脂３０で覆う切断工程と、切断工程後に、モールド樹脂３０を硬化させる工程と、を行う。 （もっと読む）

【課題】電子部品を電磁シールドする構造を実現する際に当該電子部品が破損しないように実現すること。
【解決手段】電子部品５１のＧＮＤリードフレーム５１ｂの先端部が箱型を展開した形状の箱型展開部５１ｂ１となっており、この箱型展開部５１ｂ１で各電子部品５１〜５５が、中空配置状態で尚且つ信号リードフレーム５１ａが外部へ絶縁状態で突き出す様に箱形の箱型展開部５１ｂ１に折り曲げられて被覆され、この被覆時に当該折り曲げられた先端部分の面が他の面と所定間隔を隔てて対向状態に配列されるラビリンス構造となるように被覆され、この被覆全面が絶縁性の樹脂６０でモールド封止されている構造とする。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、ヒートシンクを形成するフレーム価格が高く、ヒートシンクが樹脂パッケージから抜け落ち易いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、ヒートシンク９は、同一厚みのフレームに対してプレス加工等行うことで形成され、フレーム価格が抑えられる。そして、ヒートシンク９の段差領域１３、１４が、リード４側のフレームと連結領域として加工されることで、樹脂パッケージ２の樹脂が、段差領域１３、１４の裏面まで廻り込み、ヒートシンク９が、樹脂パッケージ２から抜け落ち難くなる。また、ヒートシンク９の段差領域１３、１４には、凹部１５、１６が配置されることで、更に、ヒートシンク９の抜け落ち難い構造が実現される。 （もっと読む）