半導体装置およびその製造方法
【課題】厚み寸法の増大を抑えつつ平面寸法を小さくした半導体装置およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体装置１０は、リードフレームＲＭの主面側ＭＦに搭載された回路素子Ｄと、リードフレームＲＭの裏面側ＢＦに搭載されたインダクタ１２と、回路素子Ｄおよびインダクタ１２を樹脂封止する樹脂体１４と、を備えている。回路素子Ｄには、モノリシック集積回路であるＭＩＣ１８が含まれる。
【解決手段】半導体装置１０は、リードフレームＲＭの主面側ＭＦに搭載された回路素子Ｄと、リードフレームＲＭの裏面側ＢＦに搭載されたインダクタ１２と、回路素子Ｄおよびインダクタ１２を樹脂封止する樹脂体１４と、を備えている。回路素子Ｄには、モノリシック集積回路であるＭＩＣ１８が含まれる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタを有する半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電源電圧を所定の動作電圧に変換する電力変換装置としてＤＣ−ＤＣコンバータを備えた半導体装置が知られている。このような半導体装置では、フレームの主面側に、インダクタ（コイル）、ＩＣ、およびコンデンサを搭載した、小型低背のＳＯＮ型半導体装置が一般的に知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１７３７１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ＳＯＮ型半導体装置では基板の一方の平面に部品を搭載することで低背にすることはできるが、搭載面積を広くする必要があり、平面寸法が大きくなる。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、厚み寸法の増大を抑えつつ平面寸法を小さくした半導体装置およびその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る半導体装置は、リードフレームの主面側に搭載された回路素子と、前記リードフレームの裏面側に搭載されたインダクタと、前記回路素子および前記インダクタを樹脂封止する樹脂体と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、リードフレームの主面側に搭載された回路素子と、前記リードフレームの裏面側に搭載されたインダクタと、前記回路素子および前記インダクタを樹脂封止する樹脂体と、を備え、前記リードフレームは、分割されて相互に非連続とされた複数の分割フレームで構成され、前記回路素子および前記インダクタが前記分割フレームに直接に実装されている半導体装置、または、装置内部で発生した熱を装置外方へ放熱する放熱板が更に設けられた半導体装置、の製造方法であって、所定形状の前記分割フレームを製造する工程と、前記回路素子を前記分割フレームの主面側に実装する工程と、前記インダクタを前記分割フレームの裏面側に実装する工程と、前記回路素子および前記インダクタを樹脂封止することで前記樹脂体を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、厚み寸法の増大を抑えつつ平面寸法を小さくした半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、本発明の一実施形態に係る半導体装置の内部構成を説明する正面図、側面図、および、背面図である。
【図２】図２（ａ）および（ｂ）は、本発明の本実施形態の外観構成を説明する半導体装置の正面図および側面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造工程を説明する工程毎の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図１（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、本発明の一実施形態（以下、本実施形態という）に係る半導体装置の内部構成を説明する正面図、側面図、および、背面図である。図２（ａ）および（ｂ）は、本発明の本実施形態の外観構成を説明する半導体装置の正面図および側面図である。
【００１１】
本実施形態に係る半導体装置１０は、ＳＩＰ型樹脂封止半導体装置であり、インダクタ内蔵型３端子モジュール（インダクタ内蔵型３端子レギュレータ）である。
【００１２】
半導体装置１０は、リードフレームＲＭと、リードフレームＲＭの主面側ＭＦ（表面側）に搭載された回路素子Ｄと、リードフレームＲＭの裏面側ＢＦに搭載されたインダクタ（コイル）１２と、回路素子Ｄおよびインダクタ１２を樹脂封止する樹脂体１４と、裏面側ＢＦであって樹脂体１４の外壁にビス止めされ、装置内部で発生した熱を装置外方へ放熱する放熱板１５とを備えている。
【００１３】
リードフレームＲＭは、銅または銅合金などの金属製である。本実施形態では、リードフレームＲＭは、分割されて相互に非連続とされた３つの分割フレーム１６ｐ〜ｒからなる。すなわち、分割フレーム同士は電気的に相互に絶縁されている。
【００１４】
図１（ａ）に示すように、半導体装置１０を正面側から見て、分割フレーム１６ｐ、１６ｑは左右位置に、分割フレーム１６ｒは中央位置にそれぞれ配置されている。
【００１５】
また、本実施形態では、回路素子Ｄとして、ＭＩＣ（モノリシック集積回路）１８と、基板２０ｐ、２０ｑと、チップコンデンサ２２ａ、２２ｂとが搭載されている。
【００１６】
ＭＩＣ１８は分割フレーム１６ｒに搭載されている。チップコンデンサ２２ａは分割フレーム１６ｐ、１６ｒに跨って実装されており、チップコンデンサ２２ｂは分割フレーム１６ｑ、１６ｒに跨って実装されている。
【００１７】
基板２０ｐは分割フレーム１６ｐに配置されており、基板２０ｑは分割フレーム１６ｑに配置されている。そして、チップコンデンサ２２ｃは基板２０ｐに実装されており、チップコンデンサ２２ｄは基板２０ｑに実装されている。
【００１８】
そして、図１（ｂ）および（ｃ）に示すように、インダクタ１２の実装面側の両サイド側に電気接続面１２ｐ、１２ｑが形成されており、この電気接続面１２ｐ、１２ｑがそれぞれ分割フレーム１６ｑ、１６ｐに面接触するようにインダクタ１２がリードフレームＲＭの裏面側ＢＦに実装されている。しかも、主面側ＭＦのＭＩＣ１８と裏面側ＢＦのインダクタ１２とがリードフレームＲＭを挟むように配置されている。
【００１９】
回路素子Ｄや基板２０を分割フレーム１６に配置する際、基板２０については、接着剤で分割フレーム１６に接着させることで分割フレーム１６に固定しており、回路素子Ｄやインダクタ１２については、実装時に、銀ペーストを塗布して熱硬化させることや、あるいはリフローなどのはんだ付けをすることで、分割フレーム１６に固定している。
【００２０】
また、半導体装置１０は、樹脂体１４から延び出す複数本のアウターリードＥＲを有する。そして、樹脂体１４は、ＭＩＣ１８、基板２０、チップコンデンサ２２、および、分割フレーム１６のアウターリード以外の部分を樹脂封止するように、モールド樹脂等で形成されている。樹脂体１４のうち半導体装置上部（アウターリードＥＲの延び出し側とは反対側の部分）には、ビスが挿通可能な貫通孔１４Ｈが形成されている。なお、分割フレーム１６ｐ、１６ｑの半導体装置上部は、この貫通孔１４Ｈに露出しない形状、配置にされている。
【００２１】
また、放熱板１５は、ビス係合孔１５Ｈ（雌ネジ。図２（ｂ）参照）が形成されていて樹脂体１４の外壁に当接する平板状の放熱基板１５ｂと、放熱基板１５ｂに立設するように配列された複数本の放熱フィン１５ｆと、を有するものであり、半導体装置１０を製造する前に予め製造しておいたものである。放熱板１５の材質は、例えば、銅やアルミニウムである。
【００２２】
（半導体装置の製造方法）
図３（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に係る半導体装置１０の製造工程を説明する説明図である。以下、半導体装置１０の製造方法について、図３を参照しつつ説明する。なお、以下の製造手順は一例であり、手順を適宜入れ替えてもよい。
【００２３】
半導体装置１０を製造するには、まず、所定形状の分割フレーム１６ｐ〜ｒを、薬品を使ったエッチングにより製造する（図３（ａ）参照）。なお、エッチングに代えて、パンチダイを使ったプレスカットなどで製造してもよい。
【００２４】
そして、ＭＩＣ１８を分割フレーム１６ｒの所定位置に直接に実装する。また、絶縁性の接着剤を用いて、基板２０ｐを分割フレーム１６ｐに固定するとともに基板２０ｑを分割フレーム１６ｑに固定する。そして、チップコンデンサ２２ｃを基板２０ｐに実装するとともに、チップコンデンサ２２ｄを基板２０ｑに実装する（図３（ｂ）参照）。
【００２５】
そして、ＭＩＣ１８と基板２０ｐ、２０ｑと分割フレーム１６ｐ〜ｒとを金線（Ａｕ線）でワイヤボンディングするとともに、チップコンデンサ２２ａ、２２ｂを分割フレーム１６ｒに跨るように直接に実装する（図３（ｃ）参照）。
【００２６】
更に、分割フレーム１６の裏面側ＢＦにインダクタ１２を直接に実装する（図３（ｄ）参照）。
【００２７】
これらの実装では、銀ペーストを塗布し、塗布した銀ペーストを熱硬化させることで相互位置を固定してもよいし、半田付けで固定してもよい。
【００２８】
その後、モールド樹脂などで樹脂封止することで樹脂体１４を形成する。樹脂封止する方法は、例えばトランスファーモールド方法である。
【００２９】
ここで、分割フレーム１６ｐ〜ｒを製造した際、複数組の分割フレーム１６ｐ〜ｒを配列させて製造しており、各製造工程では複数組の分割フレーム１６ｐ〜ｒに対して回路素子Ｄ、インダクタ１２の実装や基板２０の接着を行っている。このため、このようにして樹脂封止されたものは、複数の半導体装置１０が１枚の板状に連なった製品群となっている。よって、この後、この製品群を切断（例えば、プレスカット）することで、放熱板１５を取り付ける前の段階の個々の半導体装置が多数得られる。
【００３０】
この切断を行った後、裏面側ＢＦの樹脂体外壁に放熱板１５を当接させ、外周側に雄ネジが形成されたビスＶ（図２（ｂ）参照）を樹脂体１４の貫通孔１４Ｈに挿通させ、放熱基板１５ｂのビス係合孔１５Ｈにビス止め（ネジ係合）することで、半導体装置１０が得られる。
【００３１】
なお、上述したように、これらの製造行程の手順は適宜入れ替えることが可能である。例えば、基板２０ｐ、２０ｑにそれぞれチップコンデンサ２２ｃ、２２ｄを予めはんだ接合しておき、この基板２０ｐ、２０ｑを分割フレーム１６ｐ、１６ｑにそれぞれ接着剤で接着してもよい。また、切断する前に放熱板１５を樹脂体１４にビス止めし、その後に切断して多数の半導体装置１０を製造することも可能である。
【００３２】
以上説明したように、本実施形態では、リードフレームＲＭを形成している分割フレーム１６ｐ〜ｒの主面側ＭＦに回路素子Ｄが搭載され、分割フレーム１６ｐ〜ｒの主面側ＭＦとは反対面側である裏面側ＢＦにインダクタ１２が搭載されており、実装可能なスペースを有効利用している。従って、回路素子Ｄとインダクタ１２とを主面側ＭＦにのみ実装する場合に比べ、リードフレームＲＭ（分割フレーム１６ｐ〜ｒ）の面積を大幅に小さくすることが可能になる。よって、厚み寸法（高さ寸法）を抑えつつ平面寸法を大幅に小さくした半導体装置１０とすることができる。
【００３３】
そして、半導体装置１０は、主面側ＭＦにＭＩＣ１８を搭載し、裏面側ＢＦにインダクタ１２を搭載することにより、ネジ締め等の機械的応力に対して強い構造にされている。
【００３４】
また、リードフレームＲＭが、相互に分割された複数（３つ）の分割フレーム１６からなる。従って、分割フレーム同士が絶縁されているので、回路素子Ｄ（ＭＩＣ１８、基板２０ｐ、２０ｑ、チップコンデンサ２２ａ、２２ｂ）およびインダクタ１２を分割フレーム１６に直接に実装することが可能になる。従って、インダクタ１２の通電量を従来に比べて大きくすることができるので、インダクタ１２として、従来よりも容量が大きいものを用いることができる。また、回路素子Ｄやインダクタ１２から発生した熱を金属製の分割フレーム１６に直接に伝達することができるので、放熱特性の優れた半導体装置１０とすることができる。
【００３５】
更に、図２（ａ）から明らかなように、本実施形態では、分割フレーム１６ｐ〜ｒの形状が、中心線Ｃに対して略線対称とされている。これにより、熱応力による内部歪の発生を抑え易い構成にした半導体装置１０とすることができる。
【００３６】
また、放熱フィン１５ｆを有する放熱板１５が、リードフレームＲＭの裏面側ＢＦであって樹脂体１４の外壁に設けられている。これにより、半導体装置１０の装置外方への放熱特性が更に向上しており、半導体装置１０を更にハイパワーで作動させることが可能である。
【００３７】
なお、以上の説明では、リードフレームＲＭが分割フレーム１６ｐ〜ｒからなる例で説明したが、リードフレームＲＭを１枚の連続したものにし、表面側に回路素子Ｄを配置するとともに裏面側ＢＦにインダクタ１２を配置した半導体装置とすることも可能である。この場合、絶縁性の基板上にリードフレームＲＭを載置してリードフレームＲＭと基板裏面側とを絶縁させ、リードフレームＲＭが設けられていない基板裏面側にインダクタ１２を配置することが、短絡を防ぐ観点で好ましい。
【００３８】
また、本実施形態では、回路素子Ｄとして、ＭＩＣ１８、基板２０およびチップコンデンサ２２を挙げたが、これら以外の他のもの（特に発熱量が多いもの）が含まれている構成であってもよい。
【００３９】
また、樹脂体１４を形成する際に放熱板１５を配置し、放熱基板１５ｂの当接面側（樹脂体側）の部位も併せて樹脂封止してもよい。これにより、インダクタ１２などの樹脂封止された発熱源からの熱が放熱基板１５ｂに効率良く伝わるので、放熱フィン１５ｆから高い効率で放熱することができる。また、放熱板１５を主面側ＭＦに設けてもよく、更には、主面側ＭＦ、裏面側ＢＦの両方に設けてもよい。
【００４０】
また、樹脂体１４の主面側ＭＦの厚みを、樹脂体１４の裏面側ＢＦの厚みの１.７倍以下にすることが好ましく、これにより、樹脂体１４内に発生する熱応力を抑え易い構成にすることができる。
【００４１】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための例示であって、構成部品の材質、形状、構造、配置等を上記のものに特定するものではない。本発明は、要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施できる。また、図面は模式的なものであり、寸法比などは現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法比などは以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
以上のように、本発明に係る半導体装置およびその製造方法は、リードフレームの裏面側にインダクタが搭載され、実装可能なスペースを有効利用しており、リードフレームの面積を大幅に小さくすることが可能になるので、厚み寸法を抑えつつ平面寸法を大幅に小さくした半導体装置およびその製造方法として用いるのに好適である。
【符号の説明】
【００４３】
１０ 半導体装置
１２ インダクタ
１４ 樹脂体
１５ 放熱板
１６ｐ 分割フレーム
１６ｑ 分割フレーム
１６ｒ 分割フレーム
１８ ＭＩＣ（回路素子）
２２ａ チップコンデンサ（回路素子）
２２ｂ チップコンデンサ（回路素子）
Ｄ 回路素子
ＢＦ 裏面側
ＭＦ 主面側
ＲＭ リードフレーム
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタを有する半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電源電圧を所定の動作電圧に変換する電力変換装置としてＤＣ−ＤＣコンバータを備えた半導体装置が知られている。このような半導体装置では、フレームの主面側に、インダクタ（コイル）、ＩＣ、およびコンデンサを搭載した、小型低背のＳＯＮ型半導体装置が一般的に知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１７３７１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ＳＯＮ型半導体装置では基板の一方の平面に部品を搭載することで低背にすることはできるが、搭載面積を広くする必要があり、平面寸法が大きくなる。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、厚み寸法の増大を抑えつつ平面寸法を小さくした半導体装置およびその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る半導体装置は、リードフレームの主面側に搭載された回路素子と、前記リードフレームの裏面側に搭載されたインダクタと、前記回路素子および前記インダクタを樹脂封止する樹脂体と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、リードフレームの主面側に搭載された回路素子と、前記リードフレームの裏面側に搭載されたインダクタと、前記回路素子および前記インダクタを樹脂封止する樹脂体と、を備え、前記リードフレームは、分割されて相互に非連続とされた複数の分割フレームで構成され、前記回路素子および前記インダクタが前記分割フレームに直接に実装されている半導体装置、または、装置内部で発生した熱を装置外方へ放熱する放熱板が更に設けられた半導体装置、の製造方法であって、所定形状の前記分割フレームを製造する工程と、前記回路素子を前記分割フレームの主面側に実装する工程と、前記インダクタを前記分割フレームの裏面側に実装する工程と、前記回路素子および前記インダクタを樹脂封止することで前記樹脂体を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、厚み寸法の増大を抑えつつ平面寸法を小さくした半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、本発明の一実施形態に係る半導体装置の内部構成を説明する正面図、側面図、および、背面図である。
【図２】図２（ａ）および（ｂ）は、本発明の本実施形態の外観構成を説明する半導体装置の正面図および側面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造工程を説明する工程毎の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図１（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、本発明の一実施形態（以下、本実施形態という）に係る半導体装置の内部構成を説明する正面図、側面図、および、背面図である。図２（ａ）および（ｂ）は、本発明の本実施形態の外観構成を説明する半導体装置の正面図および側面図である。
【００１１】
本実施形態に係る半導体装置１０は、ＳＩＰ型樹脂封止半導体装置であり、インダクタ内蔵型３端子モジュール（インダクタ内蔵型３端子レギュレータ）である。
【００１２】
半導体装置１０は、リードフレームＲＭと、リードフレームＲＭの主面側ＭＦ（表面側）に搭載された回路素子Ｄと、リードフレームＲＭの裏面側ＢＦに搭載されたインダクタ（コイル）１２と、回路素子Ｄおよびインダクタ１２を樹脂封止する樹脂体１４と、裏面側ＢＦであって樹脂体１４の外壁にビス止めされ、装置内部で発生した熱を装置外方へ放熱する放熱板１５とを備えている。
【００１３】
リードフレームＲＭは、銅または銅合金などの金属製である。本実施形態では、リードフレームＲＭは、分割されて相互に非連続とされた３つの分割フレーム１６ｐ〜ｒからなる。すなわち、分割フレーム同士は電気的に相互に絶縁されている。
【００１４】
図１（ａ）に示すように、半導体装置１０を正面側から見て、分割フレーム１６ｐ、１６ｑは左右位置に、分割フレーム１６ｒは中央位置にそれぞれ配置されている。
【００１５】
また、本実施形態では、回路素子Ｄとして、ＭＩＣ（モノリシック集積回路）１８と、基板２０ｐ、２０ｑと、チップコンデンサ２２ａ、２２ｂとが搭載されている。
【００１６】
ＭＩＣ１８は分割フレーム１６ｒに搭載されている。チップコンデンサ２２ａは分割フレーム１６ｐ、１６ｒに跨って実装されており、チップコンデンサ２２ｂは分割フレーム１６ｑ、１６ｒに跨って実装されている。
【００１７】
基板２０ｐは分割フレーム１６ｐに配置されており、基板２０ｑは分割フレーム１６ｑに配置されている。そして、チップコンデンサ２２ｃは基板２０ｐに実装されており、チップコンデンサ２２ｄは基板２０ｑに実装されている。
【００１８】
そして、図１（ｂ）および（ｃ）に示すように、インダクタ１２の実装面側の両サイド側に電気接続面１２ｐ、１２ｑが形成されており、この電気接続面１２ｐ、１２ｑがそれぞれ分割フレーム１６ｑ、１６ｐに面接触するようにインダクタ１２がリードフレームＲＭの裏面側ＢＦに実装されている。しかも、主面側ＭＦのＭＩＣ１８と裏面側ＢＦのインダクタ１２とがリードフレームＲＭを挟むように配置されている。
【００１９】
回路素子Ｄや基板２０を分割フレーム１６に配置する際、基板２０については、接着剤で分割フレーム１６に接着させることで分割フレーム１６に固定しており、回路素子Ｄやインダクタ１２については、実装時に、銀ペーストを塗布して熱硬化させることや、あるいはリフローなどのはんだ付けをすることで、分割フレーム１６に固定している。
【００２０】
また、半導体装置１０は、樹脂体１４から延び出す複数本のアウターリードＥＲを有する。そして、樹脂体１４は、ＭＩＣ１８、基板２０、チップコンデンサ２２、および、分割フレーム１６のアウターリード以外の部分を樹脂封止するように、モールド樹脂等で形成されている。樹脂体１４のうち半導体装置上部（アウターリードＥＲの延び出し側とは反対側の部分）には、ビスが挿通可能な貫通孔１４Ｈが形成されている。なお、分割フレーム１６ｐ、１６ｑの半導体装置上部は、この貫通孔１４Ｈに露出しない形状、配置にされている。
【００２１】
また、放熱板１５は、ビス係合孔１５Ｈ（雌ネジ。図２（ｂ）参照）が形成されていて樹脂体１４の外壁に当接する平板状の放熱基板１５ｂと、放熱基板１５ｂに立設するように配列された複数本の放熱フィン１５ｆと、を有するものであり、半導体装置１０を製造する前に予め製造しておいたものである。放熱板１５の材質は、例えば、銅やアルミニウムである。
【００２２】
（半導体装置の製造方法）
図３（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に係る半導体装置１０の製造工程を説明する説明図である。以下、半導体装置１０の製造方法について、図３を参照しつつ説明する。なお、以下の製造手順は一例であり、手順を適宜入れ替えてもよい。
【００２３】
半導体装置１０を製造するには、まず、所定形状の分割フレーム１６ｐ〜ｒを、薬品を使ったエッチングにより製造する（図３（ａ）参照）。なお、エッチングに代えて、パンチダイを使ったプレスカットなどで製造してもよい。
【００２４】
そして、ＭＩＣ１８を分割フレーム１６ｒの所定位置に直接に実装する。また、絶縁性の接着剤を用いて、基板２０ｐを分割フレーム１６ｐに固定するとともに基板２０ｑを分割フレーム１６ｑに固定する。そして、チップコンデンサ２２ｃを基板２０ｐに実装するとともに、チップコンデンサ２２ｄを基板２０ｑに実装する（図３（ｂ）参照）。
【００２５】
そして、ＭＩＣ１８と基板２０ｐ、２０ｑと分割フレーム１６ｐ〜ｒとを金線（Ａｕ線）でワイヤボンディングするとともに、チップコンデンサ２２ａ、２２ｂを分割フレーム１６ｒに跨るように直接に実装する（図３（ｃ）参照）。
【００２６】
更に、分割フレーム１６の裏面側ＢＦにインダクタ１２を直接に実装する（図３（ｄ）参照）。
【００２７】
これらの実装では、銀ペーストを塗布し、塗布した銀ペーストを熱硬化させることで相互位置を固定してもよいし、半田付けで固定してもよい。
【００２８】
その後、モールド樹脂などで樹脂封止することで樹脂体１４を形成する。樹脂封止する方法は、例えばトランスファーモールド方法である。
【００２９】
ここで、分割フレーム１６ｐ〜ｒを製造した際、複数組の分割フレーム１６ｐ〜ｒを配列させて製造しており、各製造工程では複数組の分割フレーム１６ｐ〜ｒに対して回路素子Ｄ、インダクタ１２の実装や基板２０の接着を行っている。このため、このようにして樹脂封止されたものは、複数の半導体装置１０が１枚の板状に連なった製品群となっている。よって、この後、この製品群を切断（例えば、プレスカット）することで、放熱板１５を取り付ける前の段階の個々の半導体装置が多数得られる。
【００３０】
この切断を行った後、裏面側ＢＦの樹脂体外壁に放熱板１５を当接させ、外周側に雄ネジが形成されたビスＶ（図２（ｂ）参照）を樹脂体１４の貫通孔１４Ｈに挿通させ、放熱基板１５ｂのビス係合孔１５Ｈにビス止め（ネジ係合）することで、半導体装置１０が得られる。
【００３１】
なお、上述したように、これらの製造行程の手順は適宜入れ替えることが可能である。例えば、基板２０ｐ、２０ｑにそれぞれチップコンデンサ２２ｃ、２２ｄを予めはんだ接合しておき、この基板２０ｐ、２０ｑを分割フレーム１６ｐ、１６ｑにそれぞれ接着剤で接着してもよい。また、切断する前に放熱板１５を樹脂体１４にビス止めし、その後に切断して多数の半導体装置１０を製造することも可能である。
【００３２】
以上説明したように、本実施形態では、リードフレームＲＭを形成している分割フレーム１６ｐ〜ｒの主面側ＭＦに回路素子Ｄが搭載され、分割フレーム１６ｐ〜ｒの主面側ＭＦとは反対面側である裏面側ＢＦにインダクタ１２が搭載されており、実装可能なスペースを有効利用している。従って、回路素子Ｄとインダクタ１２とを主面側ＭＦにのみ実装する場合に比べ、リードフレームＲＭ（分割フレーム１６ｐ〜ｒ）の面積を大幅に小さくすることが可能になる。よって、厚み寸法（高さ寸法）を抑えつつ平面寸法を大幅に小さくした半導体装置１０とすることができる。
【００３３】
そして、半導体装置１０は、主面側ＭＦにＭＩＣ１８を搭載し、裏面側ＢＦにインダクタ１２を搭載することにより、ネジ締め等の機械的応力に対して強い構造にされている。
【００３４】
また、リードフレームＲＭが、相互に分割された複数（３つ）の分割フレーム１６からなる。従って、分割フレーム同士が絶縁されているので、回路素子Ｄ（ＭＩＣ１８、基板２０ｐ、２０ｑ、チップコンデンサ２２ａ、２２ｂ）およびインダクタ１２を分割フレーム１６に直接に実装することが可能になる。従って、インダクタ１２の通電量を従来に比べて大きくすることができるので、インダクタ１２として、従来よりも容量が大きいものを用いることができる。また、回路素子Ｄやインダクタ１２から発生した熱を金属製の分割フレーム１６に直接に伝達することができるので、放熱特性の優れた半導体装置１０とすることができる。
【００３５】
更に、図２（ａ）から明らかなように、本実施形態では、分割フレーム１６ｐ〜ｒの形状が、中心線Ｃに対して略線対称とされている。これにより、熱応力による内部歪の発生を抑え易い構成にした半導体装置１０とすることができる。
【００３６】
また、放熱フィン１５ｆを有する放熱板１５が、リードフレームＲＭの裏面側ＢＦであって樹脂体１４の外壁に設けられている。これにより、半導体装置１０の装置外方への放熱特性が更に向上しており、半導体装置１０を更にハイパワーで作動させることが可能である。
【００３７】
なお、以上の説明では、リードフレームＲＭが分割フレーム１６ｐ〜ｒからなる例で説明したが、リードフレームＲＭを１枚の連続したものにし、表面側に回路素子Ｄを配置するとともに裏面側ＢＦにインダクタ１２を配置した半導体装置とすることも可能である。この場合、絶縁性の基板上にリードフレームＲＭを載置してリードフレームＲＭと基板裏面側とを絶縁させ、リードフレームＲＭが設けられていない基板裏面側にインダクタ１２を配置することが、短絡を防ぐ観点で好ましい。
【００３８】
また、本実施形態では、回路素子Ｄとして、ＭＩＣ１８、基板２０およびチップコンデンサ２２を挙げたが、これら以外の他のもの（特に発熱量が多いもの）が含まれている構成であってもよい。
【００３９】
また、樹脂体１４を形成する際に放熱板１５を配置し、放熱基板１５ｂの当接面側（樹脂体側）の部位も併せて樹脂封止してもよい。これにより、インダクタ１２などの樹脂封止された発熱源からの熱が放熱基板１５ｂに効率良く伝わるので、放熱フィン１５ｆから高い効率で放熱することができる。また、放熱板１５を主面側ＭＦに設けてもよく、更には、主面側ＭＦ、裏面側ＢＦの両方に設けてもよい。
【００４０】
また、樹脂体１４の主面側ＭＦの厚みを、樹脂体１４の裏面側ＢＦの厚みの１.７倍以下にすることが好ましく、これにより、樹脂体１４内に発生する熱応力を抑え易い構成にすることができる。
【００４１】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための例示であって、構成部品の材質、形状、構造、配置等を上記のものに特定するものではない。本発明は、要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施できる。また、図面は模式的なものであり、寸法比などは現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法比などは以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
以上のように、本発明に係る半導体装置およびその製造方法は、リードフレームの裏面側にインダクタが搭載され、実装可能なスペースを有効利用しており、リードフレームの面積を大幅に小さくすることが可能になるので、厚み寸法を抑えつつ平面寸法を大幅に小さくした半導体装置およびその製造方法として用いるのに好適である。
【符号の説明】
【００４３】
１０ 半導体装置
１２ インダクタ
１４ 樹脂体
１５ 放熱板
１６ｐ 分割フレーム
１６ｑ 分割フレーム
１６ｒ 分割フレーム
１８ ＭＩＣ（回路素子）
２２ａ チップコンデンサ（回路素子）
２２ｂ チップコンデンサ（回路素子）
Ｄ 回路素子
ＢＦ 裏面側
ＭＦ 主面側
ＲＭ リードフレーム
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームの主面側に搭載された回路素子と、
前記リードフレームの裏面側に搭載されたインダクタと、
前記回路素子および前記インダクタを樹脂封止する樹脂体と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記リードフレームは、分割されて相互に非連続とされた複数の分割フレームで構成され、前記回路素子および前記インダクタが前記分割フレームに直接に実装されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
装置内部で発生した熱を装置外方へ放熱する放熱板が設けられたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法であって、
所定形状の前記分割フレームを製造する工程と、
前記回路素子を前記分割フレームの主面側に実装する工程と、
前記インダクタを前記分割フレームの裏面側に実装する工程と、
前記回路素子および前記インダクタを樹脂封止することで前記樹脂体を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１】
リードフレームの主面側に搭載された回路素子と、
前記リードフレームの裏面側に搭載されたインダクタと、
前記回路素子および前記インダクタを樹脂封止する樹脂体と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記リードフレームは、分割されて相互に非連続とされた複数の分割フレームで構成され、前記回路素子および前記インダクタが前記分割フレームに直接に実装されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
装置内部で発生した熱を装置外方へ放熱する放熱板が設けられたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法であって、
所定形状の前記分割フレームを製造する工程と、
前記回路素子を前記分割フレームの主面側に実装する工程と、
前記インダクタを前記分割フレームの裏面側に実装する工程と、
前記回路素子および前記インダクタを樹脂封止することで前記樹脂体を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１３−５１３５７（Ｐ２０１３−５１３５７Ａ）
【公開日】平成２５年３月１４日（２０１３．３．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１８９４３５（Ｐ２０１１−１８９４３５）
【出願日】平成２３年８月３１日（２０１１．８．３１）
【出願人】（０００１０６２７６）サンケン電気株式会社 (982)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月１４日（２０１３．３．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月３１日（２０１１．８．３１）
【出願人】（０００１０６２７６）サンケン電気株式会社 (982)
【Ｆターム（参考）】
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